技術(shù)總結(jié)
碳源可控單壁碳納米管陣列的制備裝置，該裝置包括：氣體管路控制部分，高溫管式實(shí)驗(yàn)主體，尾氣吸收處理裝置。氣體管路控制部分包括氣體流量計(jì)、開(kāi)關(guān)閥、液體容器、導(dǎo)氣管；高溫管式實(shí)驗(yàn)主體主要包括法蘭、高溫管式爐、石英管、基片。氣體管路控制部分的導(dǎo)氣管最終指向石英管。石英管兩端塞緊法蘭，法蘭上留有導(dǎo)氣管連通孔。石英管外壁設(shè)有高溫管式爐，石英管內(nèi)部中間處放有基片，石英管另一端通過(guò)導(dǎo)氣管連接尾氣處理裝置。本裝置具有的優(yōu)點(diǎn)是改進(jìn)傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積方法(CVD)，實(shí)現(xiàn)碳源可控，減少更換碳源裝置的繁瑣，以及改裝碳源裝置后續(xù)繁瑣的檢查氣密性工作，節(jié)約時(shí)間，提高效率和準(zhǔn)確性。

技術(shù)研發(fā)人員：錢勇;王春艷;許劍平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東華理工大學(xué)
文檔號(hào)碼：201620658042
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.29
技術(shù)公布日：2016.12.07