技術總結
本發(fā)明涉及一種外延片的制造方法，其技術工藝在于：采用單片常壓硅外延設備，首先要選擇合適的H2流量、溫度和時間來對襯底硅片進行烘烤處理，去除表面的自然氧化層，保證外延前表面質量。第一層外延生長：在高濃度摻雜的襯底表面生長一層不摻雜的本征層，對襯底表面進行包封；控制本征層的生長溫度、生長速率和生長時間，以達到理想的包封效果。第二層外延生長：采用SiHCl3作為硅源，加大主H2流量，通入合適流量HCl，以降低生長速率，生長較薄厚度符合器件要求的外延層。

技術研發(fā)人員：劉勇;金龍;譚衛(wèi)東
受保護的技術使用者：南京國盛電子有限公司
文檔號碼：201611221262
技術研發(fā)日：2016.12.26
技術公布日：2017.05.31