技術(shù)編號(hào)：12416669
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及硅外延片，即一種超薄層低阻外延片的制造方法。背景技術(shù)以SiHCl3為硅源的單片常壓外延設(shè)備，其生長(zhǎng)速率往往大于2μm/min，而針對(duì)外延層厚度小于2μm的8英寸超薄層外延，其較快的生長(zhǎng)速率導(dǎo)致外延層厚度均勻性差，外延層和襯底的過渡區(qū)較寬，減少了外延層的有效厚度，無(wú)法滿足器件端的需求(器件端需求的理論縱向電阻率分布圖如圖2所示)。目前針對(duì)8英寸硅外延產(chǎn)品小于2μm的薄層外延常采用減壓外延或更換其它硅源如硅烷(SiH4)，這些都需要額外增加生產(chǎn)成本，同時(shí)降低了常壓外延設(shè)備的兼容性。綜上所述...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。