本發(fā)明涉及碳納米材料領(lǐng)域。更具體地，涉及一種自支撐還原氧化石墨烯薄膜的制備方法。
背景技術(shù)：
：石墨烯是一種由單層碳原子以苯環(huán)結(jié)構(gòu)(即六角形蜂巢結(jié)構(gòu))周期性緊密堆積構(gòu)成的一種二維碳材料。石墨烯具有很高的電子空穴遷移率、從紫外至遠(yuǎn)紅外的寬譜吸收特性，在電子和光電子領(lǐng)域顯示出巨大的應(yīng)用潛能。石墨烯作為電子和光電子器件應(yīng)用時，最常用的形式就是石墨烯薄膜。目前，制備自支撐還原氧化石墨烯薄膜的方法，主要是真空抽濾法，即使用微孔濾膜進(jìn)行真空抽濾后，將薄膜從濾膜上取下得到自支撐的還原氧化石墨烯薄膜，這種方法制備的還原氧化石墨烯薄膜膜厚通常在微米量級或更厚，而且，薄膜導(dǎo)電性較差，薄膜電阻在幾百或幾千ω/sq。中國專利cn104556013a公開了一種大尺寸自支撐石墨烯薄膜的制備方法。該制備方法主要為將氧化石墨烯水溶液倒入具有超疏水表面的模具中，再用hi溶液進(jìn)行還原，經(jīng)干燥即得大尺寸自支撐石墨烯薄膜材料。但其存在的缺點和不足在于采用hi溶液化學(xué)還原，這種化學(xué)還原反應(yīng)伴隨著大量氣體的產(chǎn)生，導(dǎo)致薄膜內(nèi)部石墨烯片層之間存在較大間隙，進(jìn)而導(dǎo)致薄膜電阻較大，通常為幾千ω/sq，不利于載流子遷移。而且該法成膜的基本原理是模具灌注后干燥成膜，灌注量較少時很難形成自支撐薄膜，因此該法制得的薄膜膜厚通常在微米量級或以上。中國專利cn104192836a公開了一種自支撐多孔石墨烯基薄膜的溶液熱制備方法。該制備方法主要為將氧化石墨水溶液濃縮后得到氧化石墨烯薄膜，再將氧化石墨烯薄膜放入反應(yīng)釜中添加酸性或堿性溶液，進(jìn)行高溫高壓水熱處理，該法化學(xué)反應(yīng)條件劇烈，導(dǎo)致薄膜自身具有微觀孔洞，而且，薄膜內(nèi)部的石墨烯片層間存在明顯間隙，導(dǎo)致薄膜電阻較大，不利于載流子遷移，不適于光電器件中使用。該法成膜的基本原理是溶液濃縮，溶液量較少時，很難形成自支撐薄膜，因此該法制得的薄膜膜厚通常在微米量級或以上。因此，找到一種有效的方法制備導(dǎo)電性好且膜厚為納米量級的自支撐還原氧化石墨烯薄膜，是本領(lǐng)域技術(shù)人員尚需解決的問題，這對于石墨烯薄膜在未來微納光電子器件上應(yīng)用具有重要意義。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的一個目的在于提供一種自支撐還原氧化石墨烯薄膜的制備方法。本發(fā)明的另一個目的在于提供一種自支撐還原氧化石墨烯薄膜。本發(fā)明提出的制備方法制得的自支撐還原氧化石墨烯薄膜厚度在幾百納米；薄膜導(dǎo)電性好，薄膜電阻50ω//sq。該自支撐還原氧化石墨烯薄膜特征為：薄膜厚度較薄，膜厚幾百納米顯著小于常用的真空抽濾法制備的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的厚度；薄膜導(dǎo)電性好，薄膜電阻50ω/sq；薄膜平均光吸收率為60％左右；薄膜中的氧化石墨烯的還原程度受熱處理溫度調(diào)控，熱處理溫度越高薄膜中氧化石墨烯的還原程度越高。為達(dá)到上述第一個目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：一種自支撐還原氧化石墨烯薄膜的制備方法，包括如下步驟：1)將氧化石墨烯分散于乙醇中，配制成質(zhì)量濃度為0.2～1.0mg/ml的氧化石墨烯分散液；2)將步驟1)制得的氧化石墨烯分散液滴涂在具有微納結(jié)構(gòu)的基底上，制得鋪展在具有微納結(jié)構(gòu)的基底上的氧化石墨烯薄膜；3)將所述鋪展在具有微納結(jié)構(gòu)的基底上的氧化石墨烯薄膜在空氣中自然晾干后，置于氬氣和氫氣的混合氣氛中，保持氣壓50～500pa、200～1000℃熱處理2～5h，制得與具有微納結(jié)構(gòu)的基底相同面積、相同形狀、且能從基底上完整脫離的自支撐還原氧化石墨烯薄膜。優(yōu)選地，步驟2)中，滴涂的具體過程為：滴涂分多個循環(huán)完成，每個循環(huán)滴涂2～3次，每次滴涂按照每平方厘米基底25～35μl取液，每個循環(huán)需干燥后再進(jìn)行下一個循環(huán)。滴涂分成多個循環(huán)，每個循環(huán)又分成多次，主要是因為這種多循環(huán)多次地滴涂方式利于氧化石墨烯片在基底上充分地進(jìn)行層層自組裝而形成致密的薄膜，使得膜厚即使薄至納米量級也能實現(xiàn)自支撐。至于每個循環(huán)中滴涂的次數(shù)和每次滴涂的取液量，是考慮到基底對溶液的承載能力，在確保溶液不溢出基底的前提下，實驗得出的經(jīng)驗值。優(yōu)選地，所述具有微納結(jié)構(gòu)的基底指表面具有微米級或納米級或微納米 級共存的微觀結(jié)構(gòu)的基底。由于石墨烯是二維平面材料，如果使用平坦的平面基底，那么石墨烯片與基底之間是面-面接觸，與基底之間作用力較強(qiáng)；而石墨烯片與片之間也是面-面接觸，這樣，石墨烯片與基底的作用力和石墨烯片片之間的作用力相當(dāng)，在熱處理過程中，由于石墨烯片片之間的作用力難以克服石墨烯片與基底之間的作用力，導(dǎo)致石墨烯薄膜破碎成若干碎片，無法形成完整的薄膜。而使用表面具有微米級或納米級或微納米級共存的微觀結(jié)構(gòu)的基底時，由于微觀結(jié)構(gòu)的存在，使得石墨烯與基底之間是面-點接觸，石墨烯與基底之間作用力較弱，而石墨烯片與片之間仍是面-面接觸，這樣，石墨烯片片之間的作用力顯著強(qiáng)于石墨烯片與基底的作用力，在熱處理過程中，石墨烯片片之間的作用力很容易克服石墨烯片與基底之間的作用力，從而獲得完整的、從基底上脫離的石墨烯薄膜。因此，微納結(jié)構(gòu)基底對于薄膜的完整性、自支撐性具有關(guān)鍵性作用。更優(yōu)選地，所述具有微納結(jié)構(gòu)的基底指表面具有微米級或納米級或微納米級共存的微觀結(jié)構(gòu)的能夠耐受200～1000℃的硅、石英、玻璃、陶瓷、不銹鋼、鎢、鉬、鉭、鈮、釩、鉻、鈦、鋯、碳化硼、碳化硅、氮化硼、氮化硅、磷化硼或者磷化硅基底。最優(yōu)選地，所述具有微納結(jié)構(gòu)的基底優(yōu)選硅納米線陣列基底。硅納米線陣列基底最容易制備：采用硅片為原料經(jīng)過化學(xué)刻蝕即可制得具有納米線陣列結(jié)構(gòu)的基底。并且制得的納米線陣列中的每根納米線的直徑在百納米左右，這樣，石墨烯與納米線之間的面-點接觸尺寸在百納米量級，接觸面積非常小，接觸面積越小石墨烯片與基底之間的作用力越弱，遠(yuǎn)遠(yuǎn)弱于石墨烯片片之間的作用力，因此，在熱處理過程中，石墨烯片片之間的作用力很容易克服石墨烯片與基底之間的作用力，使得薄膜很容易從基底上完整地脫離下來，薄膜的完整性和自支撐性都非常好。優(yōu)選地，步驟3)中，所述氬氣和氫氣的混合氣氛中氬氣的體積百分比為95％，氫氣的體積百分比為5％。采用如上所述的制備方法制備得到的自支撐還原氧化石墨烯薄膜，所述薄膜的導(dǎo)電性好，當(dāng)制備過程中的熱處理溫度大于800℃時，所述薄膜的電阻小于50ω/sq。導(dǎo)電性顯著好于化學(xué)氧化還原法制得的還原氧化石墨烯薄膜。進(jìn)一步地，所述薄膜的光吸收率較大，當(dāng)制備過程的熱處理溫度為1000℃時，所述薄膜的平均光吸收率為60％。所述自支撐還原氧化石墨烯薄膜無需基底支撐；薄膜厚度較??；薄膜的 導(dǎo)電性好；薄膜的光吸收率較大；薄膜中氧化石墨烯的還原程度受熱處理溫度調(diào)控。所述自支撐還原氧化石墨烯薄膜無需基底支撐，指薄膜可以完整地從制備基底上脫離下來，作為獨立個體使用。所述薄膜厚度較薄，指膜厚為幾百納米，膜厚顯著小于常用的真空抽濾法制備的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的厚度。所述薄膜中氧化石墨烯的還原程度受熱處理溫度調(diào)控，指熱處理溫度越高薄膜中的氧化石墨烯的還原程度越高。在一個具體的實施例中，所述原料氧化石墨烯的制備方法如下：采用改進(jìn)的hummers方法，取石墨0.7～1g，98％濃h2so45～8ml，1～3gk2s2o8和1～3gp2o5，混合后置于油浴中80℃加熱3～5h；自然冷卻后洗滌至中性即ph值接近7；在60℃烘箱中烘干，得到預(yù)處理石墨。將預(yù)處理石墨放入250ml燒瓶中加入0.2～1gnano3，98％濃h2so420～30ml，置于0℃冰水浴中反應(yīng)100～150min；在20～40min內(nèi)緩慢地加入1～3gkmno4，完成后在冰水浴中冷卻，再置于30～40℃下攪拌100～150min；在20～40min內(nèi)緩慢加入30～50ml去離子水，保持30～40℃下攪拌100～150min，加入30～50ml去離子水和3～7mlh2o2；用4～7％hcl洗3次，再用去離子水洗至中性，60℃烘干待用。在一個具體的實施例中，所述具有微納結(jié)構(gòu)的基底中的一種——硅納米線陣列，制備方法如下：將超聲清洗干凈的重?fù)诫s單晶硅片放在5％hf中浸泡5～10min以除去表面的sio2；然后立即放入沉積銀的溶液中5～7min，該溶液為4.8mol/l的hf和5×10-3mol/l的agno3的水溶液，沉積完成后肉眼可觀察到硅片表面覆蓋一層均勻的灰白色銀膜；再放入刻蝕溶液中，該溶液為4.8mol/l的hf和0.06mol/l的h2o2水溶液，在刻蝕液中避光刻蝕40～60min，得到長度為3～4μm的納米線陣列；去離子水多次沖洗后放入稀硝酸中浸泡1h用以溶解ag顆粒，該稀硝酸由65～68％的濃硝酸與水按照體積比1:1配制而成；去離子水多次沖洗后，浸入到質(zhì)量濃度為5％hf中5～10min，n2吹干，待用?，F(xiàn)有技術(shù)中，制備自支撐的還原氧化石墨烯薄膜的方法一般采用真空抽濾法、模具灌注后化學(xué)還原、水熱法，但存在制得的薄膜導(dǎo)電性較差、膜厚微米量級或更厚的缺點，不適于微納光電器件中使用。例如中國專利cn104556013a公開了一種大尺寸自支撐石墨烯薄膜的制備方法。該制備方 法主要為將氧化石墨烯水溶液倒入具有超疏水表面的模具中，再用hi溶液進(jìn)行還原，經(jīng)干燥即得大尺寸自支撐石墨烯薄膜材料。但其存在的缺點和不足在于采用hi溶液化學(xué)還原，這種化學(xué)還原反應(yīng)伴隨著大量氣體的產(chǎn)生，導(dǎo)致薄膜內(nèi)部石墨烯片層之間存在較大間隙，進(jìn)而導(dǎo)致薄膜電阻較大，通常為幾千ω/sq，不利于載流子遷移。而且該法成膜的基本原理是模具灌注后干燥成膜，灌注量較少時很難形成自支撐薄膜，因此該法制得的薄膜膜厚通常在微米量級或以上。另外，中國專利cn104192836a公開了一種自支撐多孔石墨烯基薄膜的溶液熱制備方法。該制備方法主要為將氧化石墨水溶液濃縮后得到氧化石墨烯薄膜，再將氧化石墨烯薄膜放入反應(yīng)釜中添加酸性或堿性溶液，進(jìn)行高溫高壓水熱處理，該法化學(xué)反應(yīng)條件劇烈，導(dǎo)致薄膜自身具有微觀孔洞，而且，薄膜內(nèi)部的石墨烯片層間存在明顯間隙，導(dǎo)致薄膜電阻較大，不利于載流子遷移，不適于光電器件中使用。而且該法成膜的基本原理是溶液濃縮，溶液量較少時，很難形成自支撐薄膜，因此該法制得的薄膜膜厚通常在微米量級或以上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明制備方法的改進(jìn)之處體現(xiàn)在采用表面具有微米級或納米級或微納米級共存的微觀結(jié)構(gòu)的基底，使得氧化石墨烯片與基底之間形成了面-點式接觸，大大減小了氧化石墨烯片與基底之間的作用力。而石墨烯片與片之間仍是面-面接觸，這樣，石墨烯片與片之間的作用力顯著強(qiáng)于石墨烯片與基底的作用力，在熱處理過程中，石墨烯片片之間的作用力很容易克服石墨烯片與基底之間的作用力，即使膜厚很薄，薄膜也很容易從基底上完整地脫離下來，獲得自支撐薄膜。采用多個循環(huán)、每個循環(huán)中又分成多次的滴涂方式，利于氧化石墨烯片在基底上充分地進(jìn)行層層自組裝而形成致密的薄膜，使得膜厚即使薄至納米量級也能實現(xiàn)自支撐；采用氬氣和氫氣氣氛下的熱還原，僅產(chǎn)生極少量氣體，大大減少了化學(xué)還原法產(chǎn)生大量氣體所導(dǎo)致的石墨烯片層間隙，進(jìn)而顯著減小了薄膜電阻。因此，本發(fā)明的制備方法制得的自支撐還原氧化石墨烯薄膜厚度在幾百納米，顯著小于常用的真空抽濾法制備的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的厚度，利于減小器件整體尺寸，適于微納光電器件中使用；同時薄膜導(dǎo)電性好，薄膜電阻能夠小到50ω/sq，導(dǎo)電性顯著好于化學(xué)還原法制得的還原氧化石墨烯薄膜，利于載流子遷移。另外，該薄膜的平均光吸收率為60％，利于在光電轉(zhuǎn)換方面的應(yīng)用。此外，本發(fā)明制備方法得到的薄膜中氧化石墨烯的還原程度受熱處理溫度調(diào)控，熱處理溫度越高還原程度越高。因此，可根據(jù)實際應(yīng)用需要較容易 地調(diào)控薄膜中氧化石墨烯的還原程度。本發(fā)明的有益效果如下：本發(fā)明提出了一種新的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的制備方法。采用本發(fā)明方法制備的自支撐還原氧化石墨烯薄膜厚度在幾百納米顯著小于常用的真空抽濾法制備的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的厚度，利于減小器件整體尺寸，適于微納光電器件中使用；薄膜導(dǎo)電性好，薄膜電阻能夠小到50ω/sq，導(dǎo)電性顯著好于化學(xué)氧化還原法制得的還原氧化石墨烯薄膜，利于載流子遷移；薄膜中氧化石墨烯的還原程度受熱處理溫度調(diào)控，熱處理溫度越高還原程度越高，因此，可根據(jù)實際應(yīng)用需要較容易地調(diào)控薄膜中氧化石墨烯的還原程度。附圖說明下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。圖1示出本發(fā)明全部實施例中使用的表面具有微納結(jié)構(gòu)的基底——硅納米線陣列的掃描電子顯微鏡圖像。其中，a為側(cè)視圖，b為俯視圖。圖2示出本發(fā)明實施例1中在面積為1.8×1.5cm2的硅納米線陣列上制得的與硅納米線陣列同等面積的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的數(shù)碼照片。圖3示出本發(fā)明實施例1制備的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的掃描電子顯微鏡圖像。其中，a為俯視圖；b為側(cè)視圖。圖4示出本發(fā)明實施例1制備得到的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的紫外-可見-近紅外透射光譜(a)和反射光譜(b)。圖5示出本發(fā)明實施例2中不同熱處理溫度下制得的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的數(shù)碼照片，其中，(a)為經(jīng)200℃處理；(b)為經(jīng)400℃處理；(c)為經(jīng)600℃處理；(d)為經(jīng)800℃處理。圖6示出本發(fā)明實施例1和實施例2中不同熱處理溫度下得到的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的薄膜電阻與熱處理溫度的關(guān)系曲線。圖7示出本發(fā)明實施例1和實施例2中不同熱處理溫度下得到的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的拉曼光譜。曲線a-e分別為200℃、400℃、600℃、800℃、1000℃熱處理得到的薄膜的拉曼光譜。圖8示出本發(fā)明實施例3中在形狀為梯形的硅納米線陣列上制得的與硅納米線陣列相同形狀、相同面積的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的數(shù)碼照片。圖9示出本發(fā)明對比例1在硅片基底上制備得到的還原氧化石墨烯薄膜的數(shù)碼照片。具體實施方式為了更清楚地說明本發(fā)明，下面結(jié)合優(yōu)選實施例和附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。附圖中相似的部件以相同的附圖標(biāo)記進(jìn)行表示。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，下面所具體描述的內(nèi)容是說明性的而非限制性的，不應(yīng)以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。實施例1將氧化石墨烯超聲2～4h分散于乙醇中，配成0.2～1.0mg/ml的氧化石墨烯乙醇分散液，分成6個循環(huán)滴涂在面積為1.8×1.5cm2的硅納米線陣列上(硅納米線陣列的微觀形貌如圖1所示)，每個循環(huán)又分成3次滴涂，每次按照25～35μl/cm2緩慢滴涂分散液，每個循環(huán)滴完后置于60℃烘箱中烘3min至干燥，再進(jìn)行下一個循環(huán)；將上述完成滴涂的樣品在空氣中自然晾干；在5％氫氣和95％氬氣氣氛保護(hù)下，保持氣壓在84pa、溫度1000℃熱處理3h，制得與硅納米線陣列相同面積、相同形狀的自支撐還原氧化石墨烯薄膜。圖2示出本發(fā)明實施例1中在面積為1.8×1.5cm2的硅納米線陣列上制得的與硅納米線陣列同等面積的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的數(shù)碼照片。制得的自支撐還原氧化石墨烯薄膜表面完整、均勻，有金屬光澤，如圖3a所示。膜厚約542nm，如圖3b所示。圖4示出該實施例1制備得到的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的紫外-可見-近紅外透射光譜(a)和反射光譜(b)，由于光吸收率＝100％-透射率-反射率，得出薄膜的平均光吸收率60％左右。實施例2采用與實施例1相同的方法和步驟，選用200℃、400℃、600℃、800℃不同的熱處理溫度，都能制得自支撐還原氧化石墨烯薄膜。不同熱處理溫度下制得的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的形貌與實施例1中1000℃熱處理制得的薄膜的形貌相似，如圖5所示。圖5示出本發(fā)明實施例2中不同熱處理溫度下制得的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的數(shù)碼照片，其中，(a)為經(jīng)200℃處理；(b)為經(jīng)400℃處理；(c)為經(jīng)600℃處理；(d)為經(jīng)800℃處理。本發(fā)明利用四探針法對不同熱處理溫度下制得的還原氧化石墨烯薄膜的 薄膜電阻進(jìn)行了測試，并對薄膜電阻與熱處理溫度的關(guān)系進(jìn)行了分析。圖6即示出本發(fā)明實施例1和實施例2中不同熱處理溫度下得到的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的薄膜電阻與熱處理溫度的關(guān)系曲線。表1為圖5的數(shù)據(jù)列表，表明隨著熱處理溫度升高，薄膜電阻減小。1000℃熱處理制得薄膜的薄膜電阻最小，僅為39.7ω/sq。表1熱處理溫度(℃)2004006008001000薄膜電阻(ω/sq)5363.3758.7265.748.739.7本發(fā)明還對不同熱處理溫度下制得的還原氧化石墨烯薄膜的拉曼光譜進(jìn)行了測試，并對拉曼光譜與熱處理溫度的關(guān)系進(jìn)行了分析。圖7示出本發(fā)明實施例1和實施例2中不同熱處理溫度下得到的自支撐還原氧化石墨烯薄膜的拉曼光譜。曲線a-e分別為200℃、400℃、600℃、800℃、1000℃熱處理得到的薄膜的拉曼光譜。圖中顯示，譜中d峰與g峰的比值id/ig隨著熱處理溫度升高而變大，表明隨著熱處理溫度升高，薄膜中氧化石墨烯的還原程度提高。實施例3采用與實施例1中相同的實驗步驟和實驗條件，制備自支撐還原氧化石墨烯薄膜樣品，不同之處在于：硅納米線陣列基底為梯形。制得與硅納米線陣列基底相同形狀、相同面積的自支撐還原氧化石墨烯薄膜，即梯形自支撐還原氧化石墨烯薄膜，如圖8所示。實施例4采用與實施例1中相同的實驗步驟和實驗條件，制備自支撐還原氧化石墨烯薄膜樣品，不同之處在于：熱處理過程的氣壓保持在500pa，1000℃的熱處理時間為5h。制得與硅納米線陣列基底相同形狀、相同面積的自支撐還原氧化石墨烯薄膜，該薄膜表現(xiàn)出的各種性能與實施例1的產(chǎn)品類似。實施例5采用與實施例1中相同的實驗步驟和實驗條件，制備自支撐還原氧化石 墨烯薄膜樣品，不同之處在于：熱處理過程的氣壓保持在50pa，1000℃的熱處理時間為2h。制得與硅納米線陣列基底相同形狀、相同面積的自支撐還原氧化石墨烯薄膜，該薄膜表現(xiàn)出的各種性能與實施例1的產(chǎn)品類似。實施例6采用與實施例1中相同的實驗步驟和實驗條件，制備自支撐還原氧化石墨烯薄膜樣品，不同之處在于：將硅納米線陣列基底改為具有微米凸起的石英基底，仍能夠得到與基底相同形狀、相同面積的自支撐還原氧化石墨烯薄膜。該薄膜表現(xiàn)出的各種性能略遜于實施例1的產(chǎn)品。實施例7采用與實施例1中相同的實驗步驟和實驗條件，制備自支撐還原氧化石墨烯薄膜樣品，不同之處在于：將硅納米線陣列基底改為具有微米凸起的氧化鋁陶瓷基底，仍能夠得到與基底相同形狀、相同面積的自支撐還原氧化石墨烯薄膜。該薄膜表現(xiàn)出的各種性能略遜于實施例1的產(chǎn)品。對比例1采用與實施例1中相同的實驗步驟和實驗條件，制備自支撐還原氧化石墨烯薄膜樣品，不同之處在于：將硅納米線陣列基底改為硅片基底，能夠得到破碎的石墨烯薄膜，但是不能夠得到完整的石墨烯薄膜，見圖9所示的數(shù)碼照片。對比例2采用與實施例1中相同的實驗步驟和實驗條件，制備自支撐還原氧化石墨烯薄膜樣品，不同之處在于：滴涂的過程為一次性滴涂，發(fā)現(xiàn)滴涂過程中有溶液從基底表面溢出，經(jīng)熱處理后，雖然能夠得到自支撐石墨烯薄膜，但是薄膜很疏松易碎，并且薄膜表面有很多孔洞，導(dǎo)致該薄膜的導(dǎo)電性很差，表現(xiàn)為薄膜電阻高達(dá)幾千ω/sq，比實施例1中相同熱處理溫度制得的薄膜的電阻高二個數(shù)量級。對比例3采用與實施例1中相同的實驗步驟和實驗條件，制備自支撐還原氧化石墨烯薄膜樣品，不同之處在于：配制氧化石墨烯分散液的濃度為0.1mg/ml， 由于石墨烯濃度較低，能夠得到離散的石墨烯碎片，但是不能夠得到完整的自支撐薄膜。對比例4采用與實施例1中相同的實驗步驟和實驗條件，制備自支撐還原氧化石墨烯薄膜樣品，不同之處在于：配制氧化石墨烯分散液的濃度為1.2mg/ml，由于石墨烯濃度較高，導(dǎo)致薄膜均勻性差，不能完整的脫離基底形成自支撐薄膜。，對比例5采用與實施例1中相同的實驗步驟和實驗條件，制備自支撐還原氧化石墨烯薄膜樣品，不同之處在于：高溫?zé)崽幚磉^程的氣壓變?yōu)榇髿鈮毫?，由于沒有控制一定的真空度導(dǎo)致氧的混入，石墨烯被氧化成二氧化碳，不能得到石墨烯薄膜。顯然，本發(fā)明的上述實施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非是對本發(fā)明的實施方式的限定，對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動，這里無法對所有的實施方式予以窮舉，凡是屬于本發(fā)明的技術(shù)方案所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之列。當(dāng)前第1頁12