1.一種碳化硅外延生長的噴淋裝置，包括：噴頭，以及位于噴頭下方的襯底托，所述噴頭和所述襯底托均采用石墨材料制成，其特征在于，所述噴頭上方連通進(jìn)氣通道，所述噴頭的至少部分在沿所述進(jìn)氣通道的進(jìn)氣方向上具有逐漸擴張的內(nèi)徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅外延生長的噴淋裝置，其特征在于：所述噴頭包括與所述進(jìn)氣通道相連的上噴頭本體以及與所述上噴頭本體聯(lián)接的下噴頭本體，所述上噴頭本體在沿所述進(jìn)氣通道的進(jìn)氣方向上具有逐漸擴張的內(nèi)徑，所述下噴頭本體在沿所述進(jìn)氣通道的進(jìn)氣方向上內(nèi)徑不變。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種碳化硅外延生長的噴淋裝置，其特征在于：所述襯底托上表面與所述下噴頭本體之間存在軸向間隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項權(quán)利要求所述的一種碳化硅外延生長的噴淋裝置，其特征在于：所述襯底托連接在旋轉(zhuǎn)裝置上，所述旋轉(zhuǎn)裝置用于驅(qū)動所述襯底托旋轉(zhuǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳化硅外延生長的噴淋裝置，其特征在于：所述襯底托上表面設(shè)有用于放置襯底的圓盤形凹槽。
6.一種使用如權(quán)利要求1所述噴淋裝置進(jìn)行碳化硅生長的工藝方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
通過所述進(jìn)氣通道向所述噴頭通入按照預(yù)設(shè)速度噴流的氣體；
調(diào)整所述氣體的流速直到所述氣體在所述噴頭內(nèi)出現(xiàn)邊界層分離效應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的碳化硅生長的工藝方法，其特征在于：所述噴淋裝置設(shè)置在密封的腔室內(nèi)，所述腔室外周環(huán)繞的設(shè)有感應(yīng)線圈。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的碳化硅生長的工藝方法，其特征在于：所述氣體為氫氣攜帶C3H8、HCL和SiH4的混合氣體。