技術(shù)編號(hào)：12744183
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域，具體涉及一種碳化硅外延生長(zhǎng)的噴淋裝置及碳化硅生長(zhǎng)工藝方法。背景技術(shù)碳化硅(SiC)是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有寬禁帶、高擊穿電壓、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速率、高電子遷移率、小介電常數(shù)、強(qiáng)抗輻射性、高化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，是制造高溫、高頻、大功率、抗輻射、非揮發(fā)存儲(chǔ)器件及光電集成器件的關(guān)鍵材料。碳化硅電力電子器件具有轉(zhuǎn)換效率高、耐高溫、抗輻射等特點(diǎn)，已經(jīng)逐漸在電力轉(zhuǎn)換、太陽(yáng)能光伏、電動(dòng)汽車、高效馬達(dá)等領(lǐng)域取代硅器件，開(kāi)始嶄露頭角。碳化硅電力電子器件的性能主要取決于碳化硅外延...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。