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二氧化硅粉體制備方法及二氧化硅粉體與流程

文檔序號:12338916閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種二氧化硅粉體的制備方法,包括以下步驟:

提供含氟離子溶液和硅的鹵化物;

將硅的鹵化物加入到上述的含氟離子溶液中,產(chǎn)生二氧化硅沉淀并得到含有二氧化硅沉淀的懸浮液;

過濾上述的含有二氧化硅沉淀的懸浮液并洗滌所得的二氧化硅沉淀,得到二氧化硅濾餅;

干燥上述的二氧化硅濾餅,得到二氧化硅粉體。

2.如權(quán)利要求1所述的二氧化硅粉體的制備方法,其特征在于,

在過濾上述的含有二氧化硅沉淀的懸浮液之前,還包括陳化的步驟。

3.如權(quán)利要求1所述的二氧化硅粉體的制備方法,其特征在于,

所述的硅的鹵化物為氟化硅、氯化硅、溴化硅、碘化硅中的任一種或它們的任意組合。

4.如權(quán)利要求3所述的二氧化硅粉體的制備方法,其特征在于,

所述氯化硅為四氯化硅,所述四氯化硅為化學反應合成的或化學反應中的副產(chǎn)物四氯化硅。

5.如權(quán)利要求1所述的二氧化硅粉體的制備方法,其特征在于,

所述的含氟離子溶液為能夠提供氟離子的含氟有機化合物、含氟無機物、含氟離子的可溶性水溶液、含氟離子的酸溶液、含氟離子的堿溶液中的任一種或它們的任意組合。

6.如權(quán)利要求5所述的二氧化硅粉體的制備方法,其特征在于,

所述的含氟離子溶液為氟離子濃度為大于0.001mol/L的所有溶液。

7.如權(quán)利要求6所述的二氧化硅粉體的制備方法,其特征在于,

所述氟離子濃度為0.02mol/L~0.8mol/L。

8.如權(quán)利要求5所述的二氧化硅粉體的制備方法,其特征在于,

所述的含氟離子溶液添加有添加劑。

9.如權(quán)利要求8所述的二氧化硅粉體的制備方法,其特征在于,

所述添加劑為陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、兩性表面活性劑、非離子表面活性劑中的任一種或它們的任意組合。

10.如權(quán)利要求9所述的二氧化硅粉體的制備方法,其特征在于,

所述添加劑為聚乙烯吡咯烷酮、曲拉通、吐溫20、吐溫80、十六烷基三甲基溴化銨中任一種或它們的任意組合。

11.如權(quán)利要求8所述的二氧化硅粉體的制備方法,其特征在于,

所述添加劑的添加量從0~對應添加劑的臨界膠束濃度。

12.如權(quán)利要求11所述的二氧化硅粉體的制備方法,其特征在于,所述添加劑的溶度為0-10g/L。

13.如權(quán)利要求1所述的二氧化硅粉體的制備方法,其特征在于,

每升含氟溶液中四氯化硅的加入量為150~600g。

14.如權(quán)利要求1所述的二氧化硅粉體的制備方法,其特征在于,

將硅的鹵化物加入到上述含氟溶液中的反應溫度為25℃~55℃。

15.如權(quán)利要求2所述的二氧化硅粉體的制備方法,其特征在于,

所述洗滌二氧化硅沉淀的步驟中,當濾液中測不出氯離子和氟離子時,停止洗滌上述的二氧化硅沉淀。

16.如權(quán)利要求1所述的二氧化硅粉體的制備方法,其特征在于,

干燥可采用噴霧干燥、離心干燥、真空干燥、鼓風干燥箱。。

17.一種根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所制備的二氧化硅粉體,其中所述二氧化硅粉體具有中孔結(jié)構(gòu)而沒有微孔。

18.一種根據(jù)權(quán)利要求8-12中任一項所制備的二氧化硅粉體,其中所述二氧化硅粉體以微孔為主。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的二氧化硅粉體,其中所述二氧化硅粉體孔隙結(jié)構(gòu)通過加入表面活性劑,同時控制表面活性劑在二氧化硅制備過程中的不同階段添加進行調(diào)整。

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