本發(fā)明涉及一種用于制造可選地?zé)Y(jié)的制品的方法，該制品通過以下來獲得：將粉漿取向凝固，然后去除通過所述凝固獲得的晶體。本發(fā)明還涉及具有截頭管狀孔的制品、以及從這種具有截頭管狀孔的制品獲得的致密制品。
背景技術(shù)：
：一種通過將粉漿取向凝固、然后去除通過所述凝固獲得的晶體而獲得的可選地?zé)Y(jié)的制品，該制品具有截頭管狀孔且通常用在許多應(yīng)用中，特別是在燃料電池中用作催化劑載體，或用在熱交換器中。始終需要這樣的一種制品，其具有適于這些應(yīng)用的截頭管狀孔且在該截頭管狀孔(“大孔”)的壁中顯示出低的開孔孔隙度，以獲得特別高的機械性能。還需要一種在各種機械性能之間、特別在韌性和三點彎曲強度之間具有良好折中的致密制品。本發(fā)明的一個目的在于至少部分地滿足這些需求。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明涉及一種用于制造制品(可選地，燒結(jié)制品)的方法，所述方法包括以下步驟：a)制備粉漿，該粉漿包括在液相中懸浮的陶瓷顆粒的集合體，所述陶瓷顆粒的集合體占所述粉漿的體積的大于4％且小于50％且包括：-第一粒狀部分，所述第一粒狀部分由中值長度為l’50的可取向的、優(yōu)選地各向異性的顆粒構(gòu)成且基于陶瓷顆粒的集合體按體積百分比計占所述陶瓷顆粒的大于1％；和-第二粒狀部分，所述第二粒狀部分的中值長度d50不大于l’50的十分之一(即，d50<l’50/10)且基于陶瓷顆粒的集合體按體積百分比計占所述陶瓷顆粒的大于1％；按體積百分比計，所述第一粒狀部分和第二粒狀部分總共占所述陶瓷顆粒的集合體的大于80％；b)可選地，將粉漿倒入模具中和/或去除在粉漿中包含的氣泡；c)通過固化前沿的位移對所述粉漿進行取向凝固以形成凝固的粉漿的塊體，所述固化前沿的速度vp小于所述陶瓷顆粒的包封速度vc，并且調(diào)節(jié)所述固化前沿的速度vp以形成由壁隔開的固化的液相的晶體，所述壁的平均厚度“e”大于或等于所述可取向的陶瓷顆粒的平均厚度w150；d)可選地，從所述模具中去除所述塊體；e)從所述塊體、可選地從所述模具中去除的所述塊體中去除所述固化的液相的晶體，優(yōu)選地通過升華去除所述固化的液相的晶體，以獲得大孔預(yù)成型體；f)可選地，從步驟e)結(jié)束時獲得的所述大孔預(yù)成型體中去除粘結(jié)劑；g)可選地，將所述大孔預(yù)成型體燒結(jié)以獲得燒結(jié)制品；h)可選地，機械加工和/或浸漬所述燒結(jié)制品。所述陶瓷顆粒能夠部分地或完全地被當(dāng)量的前體所替代，所述前體被轉(zhuǎn)化成陶瓷顆粒以在步驟c)之前獲得所述陶瓷顆粒的集合體，和/或所述陶瓷顆粒能夠部分地或完全地被當(dāng)量的相同形式的陶瓷前體的顆粒所替代，所述陶瓷前體在步驟f)或步驟g)中轉(zhuǎn)化成陶瓷。如將在說明書的其余部分更詳細(xì)地看到，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，根據(jù)本發(fā)明的方法可以制造出大孔預(yù)成型體，其中大孔的壁在其厚度的至少一部分上包括可取向的陶瓷顆粒的整體取向的疊層。值得注意的是，中值長度d50不大于l’50的十分之一的顆粒的存在顯著地改善了這些壁的表觀密度。不束縛于該理論，本發(fā)明人在根據(jù)本發(fā)明的基礎(chǔ)上解釋制品的特別結(jié)構(gòu)，其固化前沿的位移速度vp小于陶瓷顆粒的包封速度，固化前沿推回可取向的顆粒。在它們位移期間，這些可取向的陶瓷顆粒成為取向的，因此可以形成大致沿固化前沿的位移方向的疊層。在可取向的顆粒的位移和取向期間，第二粒狀部分的顆粒被逐漸地困在可取向的顆粒之間的空間中。這導(dǎo)致特別高的表觀密度，尤其是燒結(jié)之后。此外，尤其當(dāng)各向異性的陶瓷顆粒的量足夠多時，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)第二粒狀部分的顆粒在燒結(jié)期間可與相鄰的各向異性的顆粒結(jié)合以形成更大尺寸的各向異性的顆粒。這導(dǎo)致令人吃驚的各向異性的顆粒的疊層，其對應(yīng)于顯著的表觀密度。因此燒結(jié)步驟g)是優(yōu)選的。優(yōu)選地，可取向的陶瓷顆粒屬于具有取向功能的材料。在一個實施方式中，選擇與功能的取向相關(guān)的可取向的顆粒的形式，使得擇優(yōu)取向可以獲得根據(jù)所考慮的方向其強度可變的性能。更具體地，這種可取向的顆粒的具體布置，例如以疊層的形式，當(dāng)這種布置與所述顆粒的功能的取向相關(guān)聯(lián)時可以增加性能的響應(yīng)。因此根據(jù)具有大致相同取向的顆粒數(shù)量，在優(yōu)選的平面或方向上可以增加響應(yīng)。取向功能可顯著對應(yīng)于熱性能、電性能、壓電性能或磁性能。例如六方氮化硼、石墨、石墨烯為其導(dǎo)熱性是取向的陶瓷材料。六方石墨、石墨烯是其導(dǎo)電性是取向的陶瓷材料的例子。pmnpt、或(1-x)[pb(mg1/3nb2/3)o3]-x[pbtio3](其中x在0和1之間)、pbtio3、(li,na,k)(nb,ta,sb)o3、特別地鈮酸鉀鈉，是壓電材料的例子。赤鐵礦是其鐵磁性能是取向的陶瓷材料的例子。根據(jù)本發(fā)明的方法還可包括一個或多個下面的可選特征，其可以以全部可能的組合方式而進行組合：-基于陶瓷顆粒的集合體，所述陶瓷顆粒的集合體包括按體積百分比計大于80％的可取向的陶瓷顆粒。-按數(shù)量計，大于90％、優(yōu)選地大于95％且優(yōu)選地大于98％的第一粒狀部分的顆粒的長度小于70μm、優(yōu)選地小于50μm、優(yōu)選地小于40μm且優(yōu)選地小于25μm。-基于陶瓷顆粒的集合體，按體積百分比計，第二粒狀部分占陶瓷顆粒的大于2％、優(yōu)選地大于3％、優(yōu)選地大于4％、或者甚至大于5％。-在一個實施方式中，按數(shù)量計，大于90％、優(yōu)選地大于95％且優(yōu)選地大于98％的第二粒狀部分的顆粒的長度不大于l’50的五分之一、優(yōu)選地不大于l’50的七分之一。-在一個實施方式中，按數(shù)量計，大于90％、優(yōu)選地大于95％且優(yōu)選地大于98％的第二粒狀部分的顆粒的長度小于6μm、優(yōu)選地小于3μm、優(yōu)選地小于1μm、優(yōu)選地小于0.5μm。在一個實施方式中，基于陶瓷顆粒的集合體按體積百分比計，如果在第二粒狀部分中的顆粒的數(shù)量大于5％，則陶瓷顆粒的集合體包括小于1％、優(yōu)選地小于0.5％的具有取向功能的可取向的顆粒。-在一個實施方式中，基于陶瓷顆粒的集合體按體積百分比計，陶瓷顆粒的集合體包括小于1％、優(yōu)選地小于0.5％的具有取向功能的可取向的顆粒。-在優(yōu)選的實施方式中，第二粒狀部分包括玻璃顆粒。優(yōu)選地，玻璃顆粒的中值長度為d50v，其不大于l’50的1/50、優(yōu)選地不大于l’50的1/100、優(yōu)選地不大于l’50的1/150、優(yōu)選地不大于l’50的1/200、優(yōu)選地不大于l’50的1/300。優(yōu)選地，玻璃顆粒選自由以下構(gòu)成的組：基于二氧化硅的玻璃、基于硼的玻璃及其混合物。基于二氧化硅的玻璃可為包括sio2以及cao和/或na2o和/或tio2和/或k2o和/或al2o3的玻璃。優(yōu)選地，所述基于二氧化硅的玻璃的二氧化硅含量按質(zhì)量計大于10％、大于20％、大于30％、大于40％、大于50％、大于60％、大于70％、大于80％。優(yōu)選地，基于二氧化硅的玻璃包含sio2以及cao和/或al2o3。優(yōu)選地，基于二氧化硅的玻璃包含sio2以及cao和al2o3。在一個實施方式中，sio2/cao的摩爾比在2和4之間、優(yōu)選地在2.5和3.5之間，或者甚至基于上等于3?；谂鸬牟ＡЭ蔀榘╞2o3以及cao和/或na2o和/或tio2和/或k2o和/或al2o3的玻璃。優(yōu)選地，所述基于硼的玻璃的硼含量按質(zhì)量計大于10％、大于20％、大于30％、大于40％、大于50％、大于60％、大于70％、大于80％。優(yōu)選地，所述玻璃顆粒的玻璃的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度在致密化起始溫度和致密化結(jié)束溫度之間，致密化起始溫度和致密化結(jié)束溫度針對通過相同的方法且從相同的粉漿中獲得的制品測量，但是該制品不包括任何玻璃顆粒。致密化起始溫度和致密化結(jié)束溫度在膨脹儀上測量，且分別對應(yīng)于開始收縮時的溫度和結(jié)束收縮時的溫度。優(yōu)選地，在優(yōu)選的實施方式中，基于陶瓷顆粒的集合體按體積百分比計，玻璃顆粒的量高于0.5％、優(yōu)選地高于1％。更優(yōu)選地，基于懸浮形式的陶瓷顆粒的集合體按體積百分比計，玻璃顆粒的量低于20％、或甚至低于15％、或甚至低于10％、或甚至低于5％。玻璃顆?？梢圆糠值鼗蛲耆乇划?dāng)量的玻璃前體顆粒所替代。-在優(yōu)選的實施方式中，第二粒狀部分包括不是玻璃顆粒或者不是玻璃前體顆粒的陶瓷顆粒。優(yōu)選地，按體積計不是玻璃顆粒或者玻璃前體顆粒的數(shù)量與玻璃顆粒和玻璃前體顆粒的總量的比率高于0.5、優(yōu)選地高于1和/或低于4、優(yōu)選地低于3、優(yōu)選地低于2.5。更優(yōu)選地，不是玻璃顆?；蛘卟Ａ绑w顆粒的顆粒的中值長度d50c是基于陶瓷顆粒的集合體的第二粒狀部分的體積百分比與第一粒狀部分的顆粒的平均厚度w150的乘積的大于0.5倍、優(yōu)選地大于0.7倍、優(yōu)選地大于0.8倍，且優(yōu)選地是所述乘積的小于1.5倍、優(yōu)選地為1.3倍、優(yōu)選地為1.2倍。優(yōu)選地，第二粒狀部分的玻璃顆粒或玻璃前體顆粒的中值長度d50v不大于第二粒狀部分的不是玻璃顆?；蛘卟Ａ绑w顆粒的顆粒的中值長度的二分之一、優(yōu)選地不大于四分之一、優(yōu)選地不大于五分之一。-所述方法包括：在步驟a)之前的將第二粒狀部分的顆粒前體沉積在第一粒狀部分的顆粒表面上的步驟a’)。有利地，由此改善了在粒狀混合物中第二粒狀部分的顆粒的分布。所述方法包括燒結(jié)步驟g)。-在步驟c)中，固化前沿的速度vp與陶瓷顆粒的包封速度vc的比率vp/vc優(yōu)選地大于0.25且小于0.7，優(yōu)選地小于0.6、優(yōu)選地小于0.5。-所述方法優(yōu)選地包括燒結(jié)步驟g)，且在步驟c)中，取向凝固不包括線性固化的液相的晶體的引晶的操作以及所述晶體的外延生長的操作的依次操作。在實施方式中，在步驟c)中，取向凝固不包括線性固化的液相的晶體的引晶。在實施方式中，在步驟c)中，取向凝固不包括固化的液相的晶體的外延生長。在實施方式中，在步驟c)中，在取向凝固期間，粉漿是靜態(tài)的，即粉漿不運動，因此不經(jīng)受剪切梯度。令人吃驚地，利用簡單的方法獲得很好的結(jié)果。-所述方法包括步驟g)。-所述方法包括：優(yōu)選地在步驟d)之后的壓縮步驟e’)，該步驟e’)在步驟e)之后，該步驟e’)包括優(yōu)選地在大致橫向的方向上(與大孔的長度方向垂直)壓縮所述塊體以至少部分地、優(yōu)選地完全地壓碎大孔，更優(yōu)選地，當(dāng)大孔是扁平的時候，在與所述大孔的厚度方向大致平行的方向上壓縮所述塊體以至少部分地、優(yōu)選地完全地壓碎大孔。有利地，獲得特別致密的制品。所述方法包括燒結(jié)步驟g)，陶瓷顆粒的集合體包括按體積百分比計小于80％的可取向的陶瓷顆粒。-所述方法包括燒結(jié)步驟g)，陶瓷顆粒的集合體包括按體積百分比計小于80％的可取向的陶瓷顆粒、優(yōu)選地各向異性的陶瓷顆粒，不可取向的陶瓷顆粒的部分的中值長度小于各向異性的陶瓷顆粒的中值長度的十倍。-可取向的陶瓷顆粒屬于具有取向功能的材料。-第一粒狀部分占陶瓷顆粒的體積的大于50％；且第二粒狀部分占陶瓷顆粒的體積的大于1％、優(yōu)選地大于2％、優(yōu)選地大于3％、優(yōu)選地大于4％、或者甚至大于5％、或者甚至大于7％，并且，第二粒狀部分的大于90vol％的顆粒是不可取向的，第一粒狀部分和第二粒狀部分總共占陶瓷顆粒的集合體的體積的大于90％，陶瓷顆粒的粒度分布是雙峰的，該兩個主要波形分別對應(yīng)于第一粒狀部分和第二粒狀部分，所述方法優(yōu)選地包括燒結(jié)步驟g)。-第一粒狀部分占陶瓷顆粒的體積的小于50％且大于5％，第一粒狀部分的平均延伸因數(shù)rm大于10，第二粒狀部分的大于90vol％的顆粒是不可取向的，第一粒狀部分和第二粒狀部分總共占陶瓷顆粒的集合體的體積的大于90％，陶瓷顆粒的粒度分布是雙峰的，該兩個主要波形分別對應(yīng)于第一粒狀部分和第二粒狀部分，所述方法優(yōu)選地包括燒結(jié)步驟g)。-第一粒狀部分占陶瓷顆粒的體積的大于80％，第一粒狀部分的顆粒屬于具有取向功能的材料，且第二粒狀部分占陶瓷顆粒的集合體的體積的小于20％，第二粒狀部分的大于90vol％的顆粒是不可取向的，第一粒狀部分和第二粒狀部分總共占陶瓷顆粒的集合體的體積的大于90％，陶瓷顆粒的粒度分布是雙峰的，該兩個主要波形分別對應(yīng)于第一粒狀部分和第二粒狀部分，所述方法優(yōu)選地包括燒結(jié)步驟g)。-第一粒狀部分占陶瓷顆粒的體積的小于50％且大于5％，第一粒狀部分的顆粒屬于具有取向功能的材料，第二粒狀部分的大于90vol％的顆粒是不可取向的，第一粒狀部分和第二粒狀部分總共占陶瓷顆粒的集合體的體積的大于95％，陶瓷顆粒的粒度分布是雙峰的，該兩個主要波形分別對應(yīng)于第一粒狀部分和第二粒狀部分，所述方法包括燒結(jié)步驟g)。-第一粒狀部分占陶瓷顆粒的體積的小于15％，且第二粒狀部分的大于95vol％的顆粒是不可取向的。-可取向的陶瓷顆粒為各向異性的顆?；蚓哂卸嘤趦蓚€刻面的多刻面顆粒。-按體積百分比計，大于50％的可取向的顆粒屬于同一個形狀類別。-構(gòu)成可取向的或各向異性的陶瓷顆粒、和/或第二粒狀部分的陶瓷顆粒、和/或與可取向的顆粒或各向異性的顆?；パa的部分的顆粒的材料選自氧化物、氮化物、碳化物、羧基氮化物、石墨、石墨烯及其混合物。-所述材料選自：氧化鋯或二氧化鋯(zro2)；部分穩(wěn)定化的氧化鋯；穩(wěn)定化的氧化鋯；氧化釔(y2o3)；摻雜的氧化釔，優(yōu)選摻雜有氧化釤的氧化釔；二氧化鈦(tio2)；硅鋁酸鹽，如多鋁紅柱石、堇青石(al3mg2alsi5o18)；氧化鋁或三氧化二鋁(al2o3)；水合氧化鋁，特別為勃姆石；氧化鎂(mgo)；滑石(mg3si4o10(oh)2)；氧化鎳(nio)；鐵氧化物(feo、fe2o3、fe3o4)；氧化鈰；摻雜的氧化鈰；具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化物，特別為沒食子酸鹽；包括laalo3或lagao3或la(1-x)srxmo3形式的鑭的化合物，其中0≤x≤1，m為選自鉻、鈷、鎂、鐵、釓、錳及其混合物的元素；具有摻雜有鉑和/或鈀和/或銠和/或金和/或銀的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化物，例如la(1-x)srxm(1-y)m’yo3，其中0≤x≤1，0≤y≤0.15，m為選自鉻、鈷、鎂、鐵、釓、錳及其混合物的元素，m’為選自鉑、鈀、銠、金、銀及其混合物的元素；包括la4sr8ti11mn1-xgaxo38和la4sr8ti12-nmnno38形式的鈦的化合物，其中0≤x≤1，0≤n≤1；batio3、bazro3、(1-x)[pb(mg1/3nb2/3)o3]-x[pbtio3](x在0和1之間)、pb(mg0.25nb0.75)o3、ba(zn0.25nb0.75)o3、pb(zn0.25nb0.75)o3、pbtio3、cacu3ti4o12形式的化合物；具有鉍金屬釩氧化物(bimevox)形式的結(jié)構(gòu)的化合物，例如bi2v1-xmexoz，其中0≤x≤1，z用以確保電中性，me為選自鎂、鋁、硅、鈦、鈷、鎳、銅、鋅、錳、銻、鉭、鈮、鉻、鉬、鎢、鈾及其混合物的元素；具有鑭鉬氧化物(lamox)形式的結(jié)構(gòu)的化合物，例如la2mo2o9；具有磷灰石結(jié)構(gòu)的化合物，例如me’10(xo4)6y’2，其中me’為選自ca2+、cd2+、sr2+、ba2+、pb2+、na+、k+、稀土陽離子(優(yōu)選la3+和nd3+)、al3+、u4+、th4+的金屬陽離子，(xo4)為選自po43-、sio44-、aso43-、mno4-、so42-、co32-、hpo42-、sio44-、geo44-及其混合物的陰離子基團，y’為選自f-、cl-、oh-、br-、i-、co32-、o2-及其混合物的陰離子；srce1-xmxo3形式的化合物，其中0≤x≤1，m為稀土，m優(yōu)選為鐿；bace1-xmxo3形式的化合物，其中0≤x≤1，m為稀土，例如化合物baceo3；laxsr1-xsco3家族的化合物(0≤x≤1)，例如la0.9sr0.1sco3；nax1cax2mgx3bax4kx5alx6(six7ox8)·x9h2o結(jié)構(gòu)的沸石，x1至x9為滿足以下條件的正整數(shù)或零：x6>0、x7>0、x8>0、x9>0且x1+x2+x3+x4+x5>0；(li,na,k)(nb,ta,sb)o3；knbo3，可選地優(yōu)選摻雜有鋰和/或鉭和/或鋇的knbo3；nanbo3，可選地優(yōu)選摻雜有鋰和/或鉭和/或鋇的nanbo3；(k0.5na0.5)nbo3，可選地優(yōu)選摻雜有鋰和/或鉭和/或鋇的(k0.5na0.5)nbo3；赤鐵礦；氮化鋁；氮化硼，優(yōu)選六方氮化硼；氮化硅；氮化鈦；碳化鈦；碳化硅；碳化鎢；碳化鋯；石墨；石墨烯；及其混合物。本發(fā)明還涉及所獲得的預(yù)成型體或在包括以上步驟a)到步驟e)的方法結(jié)束時已獲得的預(yù)成型體。本發(fā)明還涉及所獲得的制品，或通過根據(jù)本發(fā)明的方法已獲得的制品。本發(fā)明還涉及一種制品，可選地?zé)Y(jié)制品，該制品包括多個在長度方向上大致彼此平行延伸的大孔徑截頭管狀孔，每個截頭管狀孔由壁限定，在所述截頭管狀孔之間的壁按體積百分比計包括大于5％的可取向的陶瓷晶粒且具有低于50％、優(yōu)選地低于40％、優(yōu)選地低于30％、優(yōu)選地低于20％、或者甚至低于10％的表觀密度。在說明書的其余部分將變得清晰，根據(jù)本發(fā)明的方法導(dǎo)致在制品制造期間可取向的陶瓷顆粒的取向。對應(yīng)于粉漿的可取向的顆粒的該制品的可取向的晶粒因此是取向的。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的制品還包括以下可選的特征中的一個、優(yōu)選幾個：-壁具有低于30％的開孔孔隙度。-壁包括由一層或多層可取向的陶瓷晶粒組成的外圍層。-晶粒邊界的取向分散度小于30°，優(yōu)選小于15°。本發(fā)明還涉及選自以下的裝置：陶瓷電化學(xué)電池；燃料電池，特別是固體氧化物燃料電池(sofc電池)、中溫固體氧化物燃料電池(it-sofc電池)、陶瓷燃料電池(pcfc電池)；用于過濾液態(tài)或氣態(tài)流體的元件；用于在大孔中存儲物質(zhì)的存儲微結(jié)構(gòu)；催化劑載體；熱交換器；熱絕緣體；允許流體輸送的流體分配器，尤其為氣體分配器；用于空調(diào)系統(tǒng)的液滴分離器或滴濾單元；蓄電池，尤其蓄電池的電解質(zhì)；超級電容器；濕氣吸附器；微燃燒室；換能器；運動傳感器；超聲探針；烘焙支撐件；燒結(jié)馬弗爐，特別燒結(jié)氮化鋁(aln)的馬弗爐，所述裝置包括根據(jù)本發(fā)明的制品或通過根據(jù)本發(fā)明的方法制造的制品。此制品可以特別用作在上述電池中的浸漬電解質(zhì)。在另外的發(fā)展中，本發(fā)明涉及一種根據(jù)本發(fā)明的方法獲得的致密制品，可選地?zé)Y(jié)致密制品，該方法包括在步驟d)之后的壓縮步驟e’)，該壓縮步驟e’)在步驟e)之后，步驟e’)包括在優(yōu)選大致平行于固化的液相的晶體的厚度方向的方向上壓縮所述塊體，從而獲得根據(jù)本發(fā)明的致密制品。根據(jù)本發(fā)明的致密制品可尤其具有大于85％、優(yōu)選地大于90％、優(yōu)選地大于95％的相對密度，包括按體積百分比計大于50％的可取向的陶瓷晶粒，并且可選地包括按體積百分比計大于5％的具有取向功能的可取向的陶瓷晶粒，優(yōu)選小棒或薄片，大于80％的可取向的陶瓷晶粒彼此大致平行。在一個實施方式中，按體積百分比計，大于50％、大于70％、大于80％、大于90％、大于99％、大于99.5％、或者甚至大約100％的可取向的陶瓷晶粒不具有取向功能。優(yōu)選地，致密制品的厚度大于50μm、優(yōu)選大于100μm、優(yōu)選大于500μm、或甚至大于1mm、或甚至大于5mm、或甚至大于1cm、或甚至大于5cm。有利地，根據(jù)本發(fā)明的致密制品具有良好的機械性能，尤其具有良好的斷裂應(yīng)力和韌性，尤其是對比于在不包括步驟e’)的方法的步驟e)、步驟f)或步驟g)結(jié)束時獲得的多孔制品。定義-“陶瓷材料”是指任何非金屬的無機材料。-元素的“前體”指通過執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的方法轉(zhuǎn)化成所述元素的對象。-“陶瓷顆粒的包封速度”vc是指固化前沿的速度，超過該速度，則所述固化前沿的通道中，陶瓷顆粒不再被固化的液相的晶體之間的固化前沿推回，但仍困在這些固化的液相的晶體中。粉漿的陶瓷顆粒的包封速度顯著取決于在粉漿中的懸浮的顆粒的量、它們的尺寸、以及所述粉漿的粘度。存在簡單的測試來確定這個包封速度。例如在“theencapsulationofparticlesandbubblesbyanadvancingsolidificationfront”(park等，journaloffluidmechanics，2006年，第560卷，第415-436頁)描述了包封速度。特別地，此出版物的圖9總結(jié)了粒徑對包封速度的影響。-“取向”凝固是指在限定方向上逐漸進行凝固。-“升華”是通常在真空條件下的操作，其包括蒸發(fā)固化的液相而不將其熔化。-“熔化”是包括將固化的液相熔化的操作。-“臨時的”是指“在去除粘結(jié)劑或燒結(jié)期間中從制品中去除”。-顆?；蚩椎恼袡M截面為在橫斷面中的截面，即垂直于顆?；蚩椎拈L度方向(或“縱向方向”)的截面，其延伸到所述顆?；蛩隹椎闹兄甸L度。為清楚起見，在第一粒狀部分和第二粒狀部分的顆粒的長度分別用l和d標(biāo)記。-“扁平的”描述了寬度為厚度的多于5倍、優(yōu)選多于10倍、或甚至多于20倍的孔，在孔的正中橫截面(即與孔長度的方向垂直)中測量寬度和厚度。-“顆?！笔窃诜蹪{中構(gòu)成粉末或懸浮的固體成分。因此在溶膠中，溶解的物質(zhì)不構(gòu)成顆粒。由溶膠的凝膠化獲得的凝膠結(jié)構(gòu)中，幾乎不包括任何顆粒。在成型后并為了清楚起見，粉漿的顆粒被稱為“晶?！薄Ｅc晶粒相關(guān)的尺寸特征為相應(yīng)的顆粒的那些尺寸特征。特別地，晶粒對應(yīng)于各向異性的顆粒時，它被認(rèn)為是“各向異性的”。當(dāng)顆粒在固化前沿的通道作用下以特定方式被取向時，顆粒是“可取向的”?？扇∠虻男螤?例如薄片或小棒或稻粒的形狀)或者多刻面的形狀(具有大于2個且小于35個面)形成可取向的顆粒。當(dāng)多刻面顆粒只有兩個面時，測試已經(jīng)表明，它一定是各向異性的以成為可取向的。存在簡單的測試來驗證顆粒是否是可取向的。當(dāng)顆粒(或晶粒)具有至少2個刻面(刻面是由邊緣界定的表面)時，它被認(rèn)為是“多刻面的”。“螺母”的形狀是具有兩個刻面的形狀的例子。多刻面顆粒(或晶粒)可特別是“多面體”，即由平面多邊形限定所有的側(cè)面。如果多刻面顆粒(或晶粒)的所有面都是相同類型的規(guī)則多邊形且如果它的所有頂點具有相同角度，則多刻面顆粒(或晶粒)可以特別是“規(guī)則”多面體。規(guī)則多面體在其中心具有與各個面相切的球?！傲⒎襟w”是包括6個正方形面的規(guī)則多面體。-“可取向顆粒的取向方向”是可取向的顆粒在固化前沿的通道作用下被取向的方向。-“形狀類別”為將具有特定形狀的可取向顆粒統(tǒng)一的部分，例如其將具有薄片形狀的所有顆粒統(tǒng)一(無論這些薄片的尺寸如何)。-當(dāng)顆粒在它的長度l和它的厚度w1之間的延伸因數(shù)r(即r＝l/w1)大于4時，顆粒被認(rèn)為是“各向異性的”。-顆粒的“長度”l是在垂直于所述顆粒擱置的平面的方向上拍攝的照片上可觀察的最大尺寸。顆粒的“寬度”w2與“厚度”w1分別是最小可能橢圓的長軸和短軸的長度，其中所述顆粒的正中橫截面可以是內(nèi)切的。當(dāng)滿足以下三個條件時，顆粒具有“小棒”形狀：1)4≤l/w≤10且w＝(w1+w2)/2，2)4≤l/w1，和3)w2<1.5*w1。圖1示出具有小棒形狀的顆粒的示意圖。當(dāng)滿足以下兩個條件時，顆粒具有“薄片”的形狀：1)4≤l/w1，和2)w2≥1.5w1，優(yōu)選w2≥2w1。優(yōu)選地，薄片的橫截面沿薄片的整個長度是大致恒定的，薄片的橫截面大致為多邊形，并具有至少4個邊。圖2示出薄片形狀的顆粒的示意圖。因此以薄片或小棒的形式的顆粒明顯不同于球狀或纖維狀的形狀、線、絲、針或立方體。-顆粒集合體的顆粒性能的“中”值是將所述集合體的顆粒劃分成相等數(shù)量的第一群體和第二群體的該性能的值，這些第一群體和第二群體僅包括所述性能的值分別大于或等于中值或小于中值的顆粒。例如，顆粒集合體的中值長度是將顆粒劃分成相等數(shù)量的第一群體和第二群體的長度，這些第一群體和第二群體僅包括具有分別大于或等于中值長度或小于中值長度的長度的顆粒。-“管狀孔”是指在孔的兩個端部中的一個端部處具有大致管狀開口的形狀的孔(“盲孔”)或在孔的兩個端部處具有大致管狀開口的形狀的孔(“通孔”)。在根據(jù)本發(fā)明的制品中，截頭管狀孔的方向被稱為“縱向方向”，并且該方向是固化前沿的行進方向的函數(shù)。-如果截頭管狀孔具有大于0.15μm且小于450μm的當(dāng)量直徑的正中橫截面，則其被稱為“大孔道(macroscopic)”，或者被稱為“大孔”。對于平行截頭管狀孔的集合體，平均正中橫斷面是垂直于截頭管狀孔的方向且(對所有的孔取平均)穿過所述截頭管狀孔的長度中點處的平面，長度中點被定義為所有截頭管狀孔的平均值。截頭管狀孔的“橫截面”是該孔在橫向切割平面中的截面。截頭管狀孔的長度是在其兩個端部之間沿其軸線所測量的尺寸?？椎摹肮軤睢碧卣骺梢酝ㄟ^觀察孔的照片特別是以透視或以縱向截面來確定。-孔的開口或截面的“當(dāng)量直徑”或“大小”是具有與所述開口或所述截面同樣面積的圓盤的直徑。-在橫向切割平面上孔的凸性指數(shù)ic是sp/sc的比，其中sp表示該孔通過其周界限定的橫截面的面積，以及sc表示該橫截面的凸面，即該橫截面的凸包絡(luò)線的表面。通常，“凸包絡(luò)線”是向外凸的封閉形狀的、具有最小長度且包含所述孔的周界的線，該周界通常表示封閉該孔截面的形狀線。因此，該凸包絡(luò)線疊置在周界的凸部或直線部上，并沿著在每種情況下連接被凹部(從外部看)隔開的兩個凸部或直線部的弦。凸包絡(luò)線可以相當(dāng)于將由唯一擱置在周界上的拉伸彈性帶限定的區(qū)域。例如，圖10示出孔的橫截面的周界10，以及該孔的凸包絡(luò)線12。用sp表示該孔的由周界10界定的表面，sc表示所述孔的對應(yīng)于由凸包絡(luò)線12界定的表面的凸面，則凸性指數(shù)ic等于sp/sc。因此對于圓形、橢圓形或卵形，而且對于多邊形如三角形、平行四邊形、六邊形、五邊形，凸性指數(shù)ic等于100％。對于從外部觀看周界具有一個或多個凹部的孔，凸性指數(shù)ic小于100％。圖11示出周界具有凹部161-4和凸部141-4的孔。在該圖中，凸包絡(luò)線12連接兩個凸部141和143。凸部141-2被忽略。凸性指數(shù)ic可以用以下的非限制性方法評價：將待分析的樣品用樹脂浸潤，該樹脂例如為環(huán)氧樹脂。待分析的切片垂直于固化方向被切割，然后為了獲得良好的表面狀況將其拋光，至少用1200等級紙，優(yōu)選用金剛石研磨膏來進行所述拋光。然后用掃描電子顯微鏡(sem)獲得圖像，優(yōu)選以使用背散射電子的模式(bse模式)，以獲得在陶瓷相和樹脂之間非常好的對比度。除比例尺之外，每個圖像有至少1280×960像素。所使用的放大倍率使得圖像的寬度為平均孔徑的50倍和100倍之間?；谄骄讖降目梢暪烙?，可記錄第一圖像。然后使用在網(wǎng)站http://rsbweb.nih.gov/ij/可以獲取的imagej軟件通過以下方法分析該圖像：-在imagej中打開圖像；-裁切圖像(“crop”功能)，以去除存在于圖像上的比例尺或任何其他補充信息；-用“image>adjust>brightness/contrast”功能調(diào)節(jié)亮度，然后點擊“auto”；-用multithresholder功能(“plugin>filter>multithresholder”)使圖像數(shù)字化，然后選擇“isodata”模式固定該閾值使得從浸潤的樹脂中可以區(qū)別出待分析的材料；-確保待分析的孔以黑色合適地顯示在圖像上(值255為白色，值0為黑色)。否則，使用“edit>invert”功能反轉(zhuǎn)圖像；-使用“analyse>analyseparticles”功能分析該孔。用于分析孔的合適參數(shù)如下：“最小尺寸”：0.2×先前測量的孔的平均尺寸；“最大尺寸”：無，“在邊緣上排除”以免分析被圖像的邊緣截斷的孔，不勾選選項“includeholes(包括洞)”；-檢查已分析的至少50個孔?？v然如此，以這種方式分析其他圖像，使被分析的孔的總數(shù)大于或等于50；-在結(jié)果的表中，對于每個孔，記錄完整性指數(shù)(“完整性”)；-通過增加完整性指數(shù)，對孔分類；-根據(jù)完整性指數(shù)is按編號繪制累積分?jǐn)?shù)。以這種方式測量的完整性指數(shù)給出了平均凸性指數(shù)ic非常好的近似值。-“完全穩(wěn)定化的氧化鋯”是指具有單斜晶型氧化鋯的量小于1wt％的氧化鋯，補充物包括二次晶型、穩(wěn)定的和/或亞穩(wěn)定的、和/或立方的氧化鋯。-當(dāng)材料具有至少一種與機械性能不同的“取向的”性能(即，該性能的強度根據(jù)測量的取向成比例地變化，使得存在其中所述性能為在其他方向上的所述性能的平均值的至少1.1倍的至少一個方向”)時，材料被認(rèn)為具有“取向功能”。這種性能例如可以是電性能、熱性能、介電性能、磁性能或其他光學(xué)性能。因此，在具有取向功能的材料中的顆粒具有至少一個性能，其強度隨著進行該性能的測量的方向而變化。與熱擴散率隨著測量方向而變化的氮化硼相比，氧化鋁和二氧化硅不是具有取向功能的材料。-“功能的方向”是指具有取向功能的材料的特征功能顯示強度極值的方向。-按照定義，“雙峰”分布顯示了具有最高值且不連續(xù)的兩個范疇，被稱為“主峰”或“主要波形”。-除非另外說明，否則平均值是算術(shù)平均值。-除非另外說明，否則涉及根據(jù)本發(fā)明的粉漿的組合物的所有百分比是相對于所述粉漿的體積的體積百分比。-顆粒的集合體的體積百分比對應(yīng)于考慮每個所考慮的顆粒的體積之和的百分比。這些體積總和通常用所述顆粒的集合體的質(zhì)量除以所述顆粒的材料的絕對密度的比率來計算。例如，如果第二粒狀部分占“陶瓷顆粒的集合體的體積”的小于20％，或以等效方式占“陶瓷顆粒的體積”的小于20％，或“基于陶瓷顆粒的集合體按體積百分比計”占小于20％，或“基于陶瓷顆粒按體積百分比計”占小于20％，則待比較的體積是構(gòu)成第二粒狀部分的粉末顆粒的體積和陶瓷顆粒的集合體的體積。-“制品的相對密度”對應(yīng)于等于制品的表觀密度除以制品的絕對密度的比率，以百分比表示。-“制品的表觀密度”是指在本發(fā)明的意義上，等于制品的質(zhì)量除以由所述制品所占據(jù)的體積的比率。它可以根據(jù)靜水浮力的原理通過滲吸來測量。-“制品的絕對密度”是指在本發(fā)明的意義上，等于所述制品在研磨成使得幾乎沒有留下任何封閉的孔隙的細(xì)度后的干物質(zhì)的質(zhì)量除以研磨后所述質(zhì)量的干物質(zhì)的體積的比率。它可以用氦比重瓶來測量。-根據(jù)本發(fā)明的制品的各種特性可通過下面給出的實施例使用的表征方法來確定。附圖說明參考附圖，本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將變得更清楚，為了說明和非限制性的目的提供了附圖，其中：-圖1和圖2分別示意性示出了小棒和薄片；-圖3示意性示出了根據(jù)本發(fā)明的制品的截頭管狀孔的壁的橫截面；-圖4、圖5、圖6、圖7、圖8a、圖8b、圖9分別為實施例1、實施例2、燒結(jié)前的實施例1、燒結(jié)前的實施例2、燒結(jié)前的實施例4、燒結(jié)后的實施例4、和實施例8的制品的用掃描電子顯微鏡(sem)拍攝的圖像；-圖10和圖11示出了用于評估凸性指數(shù)的方法；-圖12至圖28分別示出了立方體、鋸齒纖維、棱柱鏈、偽立方-八面體、方柱、四角體、尖四角體、八角體、截頭立方體、立方-八面體、截頭八面體、八面體、星形、柱、二十面體、六方雙錐體、微管；-圖29示出了對實施例5的制品進行的汞孔隙度測量的曲線；和-圖30和圖31分別示出了包括在步驟e)之后被扁平的孔的制品、以及在圖30中所示的制品通過在步驟e’)中壓縮所獲得的致密制品。在圖中，相同的標(biāo)記被用來表示相同或相似的對象。具體實施方式根據(jù)本發(fā)明的方法根據(jù)本發(fā)明的制品可以通過包括上面給出的步驟a)至步驟h)的方法來制造。在制備粉漿的步驟a)中，制備陶瓷顆粒的粉末的懸浮液。按體積百分比計，懸浮的顆粒的量為粉漿的優(yōu)選大于8％和/或小于40％，優(yōu)選小于25％。陶瓷顆粒優(yōu)選占懸浮中的顆粒的體積的大于90％，優(yōu)選大于95％，或甚至大于99％，或甚至約100％。在一個實施方式中，粉漿包括二氧化硅，基于二氧化硅的總重量按重量百分比計，二氧化硅優(yōu)選大于50％、優(yōu)選大于60％、優(yōu)選大于70％、優(yōu)選大于80％、優(yōu)選大于90％、優(yōu)選大于95％、優(yōu)選大于99％、或甚至大致全部以顆粒的形式。陶瓷顆粒的集合體包括：-第一粒狀部分，由可取向的、優(yōu)選各向異性的顆粒構(gòu)成，第一粒狀部分具有中值長度l’50，基于陶瓷顆粒的集合體按體積百分比計，第一粒狀部分占陶瓷顆粒的大于1％；和-第二粒狀部分，第二粒狀部分的中值長度d50不大于l’50的十分之一(即d50<l’50/10)，基于陶瓷顆粒的集合體按體積百分比計，第二粒狀部分占陶瓷顆粒的大于5％。第一粒狀部分由可取向的、優(yōu)選各向異性的顆粒構(gòu)成，但不一定包括陶瓷顆粒的集合體所有可取向的、或各向異性的顆粒。第一粒狀部分由可取向的、優(yōu)選各向異性的顆粒構(gòu)成，但不一定分別表示陶瓷顆粒的集合體所有可取向的、或各向異性的顆粒。根據(jù)本發(fā)明，必須具有至少一種這樣的第一粒狀部分，但可以是它們中的多種。然而第一粒狀部分必須占陶瓷顆粒的集合體的大于1％。此外，第二粒狀部分由任何必須具有的中值長度d50不大于l’50的十分之一的顆粒一起構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明，必須有至少一種這樣的第二粒狀部分，但可以是它們中的多種。然而第二粒狀部分必須占陶瓷顆粒的集合體的大于5％。第一粒狀部分優(yōu)選占陶瓷微粒的體積或甚至可取向的陶瓷顆粒的體積、或甚至各向異性的陶瓷顆粒的體積的大于2％，優(yōu)選大于3％，優(yōu)選大于5％。然而，第一粒狀部分的比例不限于這些范圍，這個比例可以是陶瓷微粒的體積或甚至可取向的陶瓷顆粒的體積、或甚至各向異性的陶瓷顆粒的體積的大于10％、大于20％、大于30％、大于40％、大于50％、大于60％、大于70％、大于80％、或大于90％、或甚至100％。第二粒狀部分具有的中值長度d50優(yōu)選不大于l’50的十五分之一，優(yōu)選不大于l’50的二十分之一，優(yōu)選不大于l’50的三十分之一，優(yōu)選不大于l’50的五十分之一。第二粒狀部分特別可以包括在第一粒狀部分內(nèi)。第二粒狀部分的比例可以優(yōu)選是陶瓷微粒的體積或甚至可取向的陶瓷顆粒的體積、或甚至各向異性的陶瓷顆粒的體積的大于7％、優(yōu)選大于10％、優(yōu)選大于15％、或甚至大于20％、大于30％、大于40％、大于50％、大于60％、大于70％、大于80％、大于90％、大于95％、大于98％。第二粒狀部分的比例可以為非各向異性的陶瓷顆粒的體積的大于7％、大于10％、優(yōu)選大于15％、或甚至大于20％、大于30％、大于40％、大于50％、大于60％、大于70％、大于80％、大于90％、大于95％、大于98％。在一個實施方式中，第一粒狀部分和第二粒狀部分被確定，使得它們一起按體積百分比計占陶瓷顆粒的集合體的大于90％、大于95％、或甚至100％。補充至100％的補充物優(yōu)選由具有中值長度小于第一粒狀部分的中值長度l’50、優(yōu)選是第一粒狀部分的中值長度l’50的二分之一、是第一粒狀部分的中值長度l’50的五分之一的陶瓷顆粒組成。在一個實施方式中，第一粒狀部分使可取向的或各向異性的顆粒的集合體結(jié)合，而第二粒狀部分使具有長度d不大于l’50的五分之一、優(yōu)選不大于l’50的十分之一、或甚至不大于l’50的十五分之一的顆粒的集合體結(jié)合。在一個實施方式中，第一粒狀部分使可取向的或各向異性的顆粒的集合體結(jié)合，而第二粒狀部分只包括不可取向的、或甚至非各向異性的顆粒。優(yōu)選地，中值長度d50不大于l’50的十二分之一、優(yōu)選不大于l’50的十五分之一、優(yōu)選不大于l’50的二十分之一、優(yōu)選不大于l’50的三十分之一、優(yōu)選不大于l’50的五十分之一。在一個實施方式中，-第一粒狀部分由可取向的、優(yōu)選各向異性的顆粒構(gòu)成，該顆粒占陶瓷顆粒的體積的大于50％、優(yōu)選大于60％、優(yōu)選大于70％、優(yōu)選大于80％、或甚至大于90％，和-第二粒狀部分優(yōu)選占陶瓷顆粒的大于7％、優(yōu)選大于10％、優(yōu)選大于15％，和-按體積計大于90％、大于95％、或甚至約100％的第二粒狀部分的顆粒優(yōu)選為非各向異性的、或甚至為不可取向的，和-第一粒狀部分和第二粒狀部分一起占陶瓷顆粒的集合體的體積的優(yōu)選大于90％、優(yōu)選大于95％、或甚至100％，和-陶瓷顆粒的粒度分布是雙峰的，這兩個波形以長度da和長度db為中心，da優(yōu)選小于db/10，db和da優(yōu)選分別以長度l’50和d50為中心。在本實施方式中，該方法優(yōu)選包括燒結(jié)步驟g)。在一個實施方式中，-第一粒狀部分由可取向的、優(yōu)選各向異性的顆粒構(gòu)成，該顆粒占陶瓷顆粒的體積的小于50％、優(yōu)選小于30％、優(yōu)選小于15％、且大于5％，和-第一粒狀部分具有平均延伸因數(shù)rm優(yōu)選大于10、或甚至大于15，和-按體積計大于90％、大于95％、或甚至約100％的第二粒狀部分的顆粒優(yōu)選為非各向異性的、或甚至為不可取向的，和-第一粒狀部分和第二粒狀部分一起占陶瓷顆粒的集合體的優(yōu)選大于95％、或甚至100％，和-陶瓷顆粒的粒度分布是雙峰的，這兩個波形以長度da和長度db為中心，da優(yōu)選小于db/10，db和da優(yōu)選分別以長度l’50和d50為中心。在本實施方式中，該方法優(yōu)選包括燒結(jié)步驟g)。在一個實施方式中，-第一粒狀部分由可取向的、優(yōu)選各向異性的顆粒構(gòu)成，該顆粒占陶瓷顆粒的體積的大于80％、優(yōu)選大于90％，和-第一粒狀部分的顆粒是具有取向功能的材料，和-第二粒狀部分占陶瓷顆粒的集合體的體積的小于20％、優(yōu)選小于15％、優(yōu)選小于10％，和-按體積計大于90％、大于95％、或甚至約100％的第二粒狀部分的顆粒優(yōu)選為非各向異性的、或甚至為不可取向的，和-第一粒狀部分和第二粒狀部分一起占陶瓷顆粒的集合體的體積的優(yōu)選大于90％、優(yōu)選大于95％、或甚至100％，和-陶瓷顆粒的粒度分布是雙峰的，這兩個波形以長度da和長度db為中心，da優(yōu)選小于db/10，db和da優(yōu)選分別以長度l’50和d50為中心。在本實施方式中，該方法優(yōu)選包括燒結(jié)步驟g)。在一個實施方式中，-第一粒狀部分由可取向的、優(yōu)選各向異性的顆粒構(gòu)成，該顆粒占陶瓷顆粒的體積的小于50％、優(yōu)選小于30％、優(yōu)選小于15％、且大于5％，和-第一粒狀部分由可取向的、優(yōu)選各向異性的顆粒構(gòu)成，該顆粒是具有取向功能的材料，和-按體積計大于90％、大于95％、或甚至約100％的第二粒狀部分的顆粒優(yōu)選為非各向異性的、或甚至為不可取向的，和-第一粒狀部分和第二粒狀部分總計占陶瓷顆粒的集合體的體積的優(yōu)選大于95％、或甚至100％，和-陶瓷顆粒的粒度分布是雙峰的，這兩個波形以長度da和長度db為中心，da優(yōu)選小于db/10，db和da優(yōu)選分別以長度l’50和d50為中心。在本實施方式中，該方法包括燒結(jié)步驟g)?？扇∠虻念w粒在一個實施方式中，基于陶瓷顆粒的集合體的體積，可取向的、或甚至各向異性的顆粒的量小于50％、優(yōu)選小于30％、優(yōu)選小于15％。有利地，在燒結(jié)期間，從而促進由不可取向的或非各向異性的第二粒狀部分的顆粒分別轉(zhuǎn)化成可取向的或各向異性的顆粒。該被轉(zhuǎn)化的可取向的或各向異性的顆粒的形狀可以類似于其周圍可取向的或各向異性的顆粒的形狀。在說明書的其余部分將更詳細(xì)地示出，這將導(dǎo)致大孔壁的表觀密度的明顯增加和/或該性能的明顯變化，當(dāng)具有可取向的功能的材料制成在燒結(jié)后形成的可取向的、優(yōu)選各向異性的顆粒時，該性能強度隨著所考慮的方向是可變的。在一個實施方式中，陶瓷顆粒的粒度分布是雙峰的，這兩個波形分別以長度da和長度db為中心，da優(yōu)選小于db/10。在一個優(yōu)選的實施方式中，db等于l’50且da等于d50。優(yōu)選地，尤其如果陶瓷顆粒的集合體按體積百分比計分別包括小于80％的各向異性的、或可取向的陶瓷顆粒時，則非各向異性的、或甚至不可取向的陶瓷顆粒的部分具有的中值長度分別小于各向異性的、或甚至可取向的陶瓷顆粒的中值長度l50的十倍。在一個實施方式中，可取向的、或甚至各向異性的陶瓷顆粒的粒度分布是雙峰的，這兩個波形分別以長度la和長度lb為中心，la優(yōu)選小于lb/10。在一個實施方式中，lb等于l’50且la等于d50?？扇∠虻?、優(yōu)選各向異性的陶瓷顆粒的中值長度、或第一粒狀部分的顆粒的中值長度優(yōu)選大于0.1μm、優(yōu)選大于0.2μm、優(yōu)選大于0.3μm、優(yōu)選大于0.5μm、優(yōu)選大于1μm、和/或小于50μm、優(yōu)選小于30μm、優(yōu)選小于25μm、優(yōu)選小于10μm、或甚至小于5μm、或甚至小于1μm。可取向的、優(yōu)選各向異性的顆粒的平均厚度、或甚至第一粒狀部分的顆粒的平均厚度w150優(yōu)選大于0.02μm、優(yōu)選大于0.05μm、優(yōu)選大于0.1μm、優(yōu)選大于0.3μm、和/或小于20μm、優(yōu)選小于10μm、優(yōu)選小于5μm、優(yōu)選小于3μm、或甚至小于2μm、或甚至小于1μm?？扇∠虻?、優(yōu)選各向異性的陶瓷顆粒的集合體的平均延伸因數(shù)、或甚至第一粒狀部分的顆粒的平均延伸因數(shù)rm(延伸因數(shù)r的算術(shù)平均值，分別用于可取向的、或各向異性的陶瓷顆粒的集合體)優(yōu)選大于10、或甚至大于15、和/或小于900、或甚至小于500、或甚至小于200。在一個實施方式中，尤其當(dāng)w250<1.5*w150時，rm≤15。在一個優(yōu)選的實施方式中，按數(shù)量計大于50％、大于70％、大于90％、大于95％、或甚至約100％的可取向的陶瓷顆粒、或甚至第一粒狀部分的顆粒為薄片。陶瓷顆粒的集合體、或甚至第一粒狀部分的顆粒的集合體的可取向的多刻面顆粒，包括優(yōu)選小于30個刻面、優(yōu)選小于20個刻面、優(yōu)選小于15個刻面、或甚至小于10個刻面、和/或優(yōu)選大于3個刻面、優(yōu)選大于4個刻面。陶瓷顆粒的集合體、或甚至第一粒狀部分的顆粒的集合體的可取向的多刻面顆粒，優(yōu)選選自立方體、鋸齒纖維、棱柱鏈、偽立方-八面體、方柱、四角體、尖四角體、八角體、截頭立方體、立方-八面體、截頭八面體、八面體、偽八面體、星形、柱、二十面體、六方柱、薄片、透鏡、三角薄片、微棱柱、六方雙錐體、微管、小棒及其混合物。優(yōu)選地，在步驟a)中，按數(shù)量計大于80％、優(yōu)選大于90％、優(yōu)選大于95％的可取向的、或甚至各向異性的陶瓷顆粒、或甚至第一粒狀部分的顆粒，可以被分類成小于5個、優(yōu)選小于4個、優(yōu)選小于3個形狀類別，優(yōu)選為一個形狀類別，形狀類別使具有特定形狀的可取向顆粒的集合體組合。優(yōu)選地，僅一種具有相同形狀的可取向顆粒的粉末(例如以薄片的形式的顆粒的粉末)被引入至粉漿內(nèi)。通常，形狀類別對應(yīng)原料的一個來源，例如氮化硼的薄片粉末。因此形狀類別的優(yōu)選數(shù)量的限制意味著可取向的、或甚至各向異性的顆粒的形狀不是隨機的，這些顆粒的大多數(shù)具有從至多限于5種形狀的形狀“目錄”中選擇的形狀。在一個實施方式中，按體積百分比計，大于50％、大于60％、大于70％、大于80％、大于90％、或甚至約100％的可取向的、或甚至各向異性的顆粒、或甚至第一粒狀部分的顆粒，屬于同一種形狀類別。優(yōu)選地，一種形狀類別的顆粒通過相同的制造方法制造，并且由相同的材料構(gòu)成。優(yōu)選地，在可取向顆粒的取向方向和至少一個功能方向之間的最小角度大致恒定。它可以小于25°、或甚至小于10°、或甚至小于5°、優(yōu)選大約為零。作為變型，它可以大于65°、或甚至大于80°、或甚至大于85°、優(yōu)選大約等于90°。具有取向功能的材料的可取向的顆粒在一個實施方式中，第一粒狀部分的顆粒、或甚至各向異性的陶瓷顆粒、或甚至可取向的陶瓷顆粒、或甚至所有的陶瓷顆粒屬于具有可取向功能的材料。優(yōu)選地，所述具有取向功能的材料具有至少一個除機械性能以外的性能，使得存在至少一個方向，在該方向上所述性能是在其他方向上所述性能的平均值的至少1.2倍、優(yōu)選1.5倍、優(yōu)選2倍、優(yōu)選3倍、優(yōu)選5倍、或甚至10倍。取向功能可以尤其對應(yīng)于熱性能、電性能、壓電性能或磁性能。優(yōu)選地，可取向顆粒的形狀被選擇成使得這些從凝固步驟c)產(chǎn)生的顆粒的取向?qū)е略趦?yōu)選方向或平面上取向該取向功能，即增加或降低在此方向或此平面上的此功能。此外，取向顆粒的數(shù)量或密度從而允許改變所述性能的強度。例如，存在具有取向功能的材料，其導(dǎo)熱率根據(jù)所考慮的方向而不同，并且沿著特定平面最大，該材料例如是氮化硼顆粒。這種顆?？梢詾楸∑问?，在薄片的總平面，導(dǎo)熱率最大。由這種薄片的疊層構(gòu)成壁，使得顆粒的最大傳導(dǎo)率的平面大致平行，因此允許熱量在壁內(nèi)沿著這些平面最大擴散。也存在可取向的顆粒，其壓電響應(yīng)根據(jù)所考慮的方向而不同，并且沿著特定平面最大，該顆粒尤其為鈮酸鉀鈉顆粒。由這種顆粒的疊層構(gòu)成壁，使得顆粒的最大壓電響應(yīng)的平面大致平行，從而可以有利于在壁內(nèi)沿著這些平面的這種響應(yīng)。第二粒狀部分的顆粒第二粒狀部分的顆?？梢酝耆鼗虿糠值厥强扇∠虻幕虿豢扇∠虻摹⒏飨虍愋缘幕蚍歉飨虍愋缘?。在一個實施方式中，第二粒狀部分優(yōu)選占陶瓷顆粒的大于80％、大于90％、或甚至大于95％。與可取向的顆?；蚋飨虍愋缘念w?；パa的部分與可取向的顆?；蚋飨虍愋缘念w?；パa的陶瓷顆粒的部分可以完全地或部分地由第二粒狀部分的顆粒以及粗顆粒構(gòu)成。此互補粒狀部分的陶瓷顆粒的中值長度優(yōu)選小于第一粒狀部分的中值長度l’50、優(yōu)選小于第一粒狀部分的中值長度l’50的二倍、小于第一粒狀部分的中值長度l’50的五倍。因此有利地改善了可取向的、優(yōu)選各向異性的顆粒的疊層的質(zhì)量。在一個實施方式中，與可取向的顆粒或各向異性的顆粒的互補的部分由第二粒狀部分構(gòu)成。構(gòu)成可取向的或甚至各向異性的陶瓷顆粒、第二粒狀部分的陶瓷顆粒、與可取向顆?；パa或與各向異性顆?；パa的部分的顆粒、以及第一粒狀部分的顆粒的材料可以分別為材料ma、mb、mc和md，這些材料可以相同或不同。在一個實施方式中，第二粒狀部分的陶瓷顆粒的材料具有高于燒結(jié)溫度的熔點。優(yōu)選地，材料ma和/或材料mb和/或材料mc和/或材料md包括或選自氧化物、氮化物、碳化物、羧基氮化物、石墨、石墨烯及其混合物，優(yōu)選選自組a，組a包括：氧化鋯或二氧化鋯(zro2)；部分穩(wěn)定化的氧化鋯；穩(wěn)定化的氧化鋯；氧化釔(y2o3)；摻雜的氧化釔，優(yōu)選摻雜有氧化釤的氧化釔；二氧化鈦(tio2)；硅鋁酸鹽，如多鋁紅柱石、堇青石(al3mg2alsi5o18)；氧化鋁或三氧化二鋁(al2o3)；水合氧化鋁，特別為勃姆石；氧化鎂(mgo)；滑石(mg3si4o10(oh)2)；氧化鎳(nio)；鐵氧化物(feo、fe2o3、fe3o4)；氧化鈰；摻雜的氧化鈰；具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化物，特別為沒食子酸鹽；包括laalo3或lagao3或la(1-x)srxmo3形式的鑭的化合物，其中0≤x≤1，m為選自鉻、鈷、鎂、鐵、釓、錳及其混合物的元素；具有摻雜有鉑和/或鈀和/或銠和/或金和/或銀的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化物，例如la(1-x)srxm(1-y)m’yo3，其中0≤x≤1，0≤y≤0.15，m為選自鉻、鈷、鎂、鐵、釓、錳及其混合物的元素，m’為選自鉑、鈀、銠、金、銀及其混合物的元素；包括la4sr8ti11mn1-xgaxo38和la4sr8ti12-nmnno38形式的鈦的化合物，其中0≤x≤1，0≤n≤1；batio3、bazro3、(1-x)[pb(mg1/3nb2/3)o3]-x[pbtio3]、pb(mg0.25nb0.75)o3、ba(zn0.25nb0.75)o3、pb(zn0.25nb0.75)o3、pbtio3、cacu3ti4o12形式的化合物，其中x在0和1之間；具有鉍金屬釩氧化物(bimevox)形式的結(jié)構(gòu)的化合物，例如bi2v1-xmexoz，其中0≤x≤1，z用以確保電中性，me為選自鎂、鋁、硅、鈦、鈷、鎳、銅、鋅、錳、銻、鉭、鈮、鉻、鉬、鎢、鈾及其混合物的元素；具有鑭鉬氧化物(lamox)形式的結(jié)構(gòu)的化合物，例如la2mo2o9；具有磷灰石結(jié)構(gòu)的化合物，例如me’10(xo4)6y’2，其中me’為選自ca2+、cd2+、sr2+、ba2+、pb2+、na+、k+、稀土陽離子(優(yōu)選la3+和nd3+)、al3+、u4+、th4+的金屬陽離子，(xo4)為選自po43-、sio44-、aso43-、mno4-、so42-、co32-、hpo42-、sio44-、geo44-及其混合物的陰離子基團，y’為選自f-、cl-、oh-、br-、i-、co32-、o2-及其混合物的陰離子；srce1-xmxo3形式的化合物，其中0≤x≤1，m為稀土，m優(yōu)選為鐿；bace1-xmxo3形式的化合物，其中0≤x≤1，m為稀土，例如化合物baceo3；laxsr1-xsco3家族的化合物(0≤x≤1)，例如la0.9sr0.1sco3；nax1cax2mgx3bax4kx5alx6(six7ox8)·x9h2o結(jié)構(gòu)的沸石，x1至x9為滿足以下條件的正整數(shù)或零：x6>0、x7>0、x8>0、x9>0且x1+x2+x3+x4+x5>0；(li,na,k)(nb,ta,sb)o3；knbo3，可選地優(yōu)選摻雜有鋰和/或鉭和/或鋇的knbo3；nanbo3，可選地優(yōu)選摻雜有鋰和/或鉭和/或鋇的nanbo3；(k0.5na0.5)nbo3，可選地優(yōu)選摻雜有鋰和/或鉭和/或鋇的(k0.5na0.5)nbo3；赤鐵礦；氮化鋁；氮化硼，優(yōu)選六方氮化硼；氮化硅；氮化鈦；碳化鈦；碳化硅；碳化鎢；碳化鋯；石墨；石墨烯；及其混合物。優(yōu)選地，氧化鋯采用氧化釔和/或氧化鈣和/或氧化鎂和/或氧化鈰和/或氧化鈧和/或氧化釤和/或氧化鍶和/或氧化鈦，優(yōu)選地采用氧化釔部分地和優(yōu)選全部地穩(wěn)定化。優(yōu)選地，氧化鈰被摻雜有氧化釤和/或氧化釓和/或氧化釔和/或鐵氧化物，優(yōu)選地被摻雜有氧化釓。在一個實施方式中，材料ma和/或材料mb和/或材料mc和/或材料md是無磁性的，和/或各向異性的陶瓷顆粒、或甚至可取向的顆粒、或甚至陶瓷顆粒沒有被具有磁性的涂層覆蓋(甚至沒有部分地被具有磁性的涂層覆蓋)。液相按體積百分比計，液相的量、或水的量，為粉漿的優(yōu)選大于50％、優(yōu)選大于60％、優(yōu)選大于70％、優(yōu)選大于80％、優(yōu)選大于90％?；谝合喟大w積百分比計，液相優(yōu)選含有大于50％、優(yōu)選大于60％、優(yōu)選大于70％、優(yōu)選大于80％、優(yōu)選大于90％的水，優(yōu)選大于95％的水。液相可以由水構(gòu)成。在一個實施方式中，液相可以包括醇，基于液相的重量按重量計，醇的量優(yōu)選大于0.5％、優(yōu)選大于1％、優(yōu)選大于2％、優(yōu)選大于3％、和/或小于10％、或甚至小于5％。優(yōu)選地，所述醇選自甲醇、乙醇、叔丁醇及其混合物。在一個實施方式中，液相不包括醇。在一個實施方式中，液相為2-甲基-2-丙醇。優(yōu)選地，液相包括纖維素醚，尤其當(dāng)可取向的、或甚至各向異性的陶瓷顆粒為氮化硼顆粒時，液相包括纖維素醚。優(yōu)選地，纖維素醚的量是使得(纖維素醚的重量，以克計)/[(陶瓷顆粒的比表面積，以m2/g計)×(可取向的陶瓷顆粒的重量，以克計)的比率大于0.0003g/m2、大于0.0004g/m2、優(yōu)選大于0.0005g/m2、優(yōu)選大于0.0006g/m2且小于0.004g/m2、小于0.035g/m2、優(yōu)選小于0.003g/m2、優(yōu)選小于0.002g/m2、或甚至小于0.0015g/m2。出乎意料地，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，纖維素醚的存在可以制備具有非常低的粘度的懸浮液，而不管剪切梯度如何。纖維素醚優(yōu)選為烷基家族的纖維素醚，優(yōu)選甲基纖維素，或羥烷基家族的纖維素醚，優(yōu)選羥乙基纖維素?；谒鎏沾深w粒的重量按重量百分比計，纖維素醚的量優(yōu)選大于0.1％、或甚至大于0.3％、或甚至大于0.4％、和/或小于5％、或甚至小于4％、或甚至小于2.5％、或甚至小于2％、或甚至小于1.5％、或甚至小于1％。在混合期間，粉漿的ph優(yōu)選在3至12之間。從而纖維素醚的降解被有利地減小、或甚至消除。ph可以通過加入酸和/或堿進行調(diào)節(jié)。粉漿優(yōu)選含有至少一種粘結(jié)劑，優(yōu)選臨時的粘結(jié)劑。優(yōu)選地，基于陶瓷顆粒的量，粘結(jié)劑的含量在0.5wt％至5wt％(重量百分比)之間。有利地，由此提高燒結(jié)前的機械強度。可以使用在燒結(jié)制品的制造中通常使用的臨時的粘結(jié)劑，例如聚乙烯醇(pva)、聚乙二醇(peg)。粉漿還可以含有促進生成均勻懸浮液的分散劑。優(yōu)選地，基于陶瓷顆粒的粉末的量，分散劑的含量在0.1wt％和10wt％之間?？梢圆捎迷谕ㄟ^粉漿澆注制造燒結(jié)制品中通常使用的分散劑，例如聚甲基丙烯酸銨，如由vanderbilt公司制作的darvanc。粉漿也可含有消泡劑。優(yōu)選地，基于陶瓷顆粒的粉末的量，消泡劑的含量在0.1wt％和10wt％之間?？梢圆捎迷谕ㄟ^粉漿澆注制造燒結(jié)制品中通常使用的消泡劑，例如contraspumconc，其由zschimmer和schwarz公司銷售。在一個實施方式中，陶瓷顆粒、水、可選的粘結(jié)劑、可選的分散劑、可選的消泡劑一起占粉漿的重量的大于80％、大于90％、大于95％、大于99％、或甚至約100％。粉漿還可以包括添加劑。優(yōu)選地，基于陶瓷顆粒和/或陶瓷顆粒的前體的重量，添加劑的含量在0.01wt％和20wt％之間。該添加劑可以選自通常用作防凍劑的化合物，特別選自氯化鈉(nacl)、甘油、如蔗糖和海藻糖的碳水化合物的化合物。優(yōu)選地，當(dāng)可取向的陶瓷顆粒是氮化硼顆粒時，優(yōu)選的添加劑是碳水化合物，優(yōu)選蔗糖。該添加劑也可以是醋酸鋯。優(yōu)選地，粉漿的各種成分在攪拌下加入。粉漿的各種成分的混合可以通過本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何技術(shù)來進行，例如，在混合器中、在turbulat混合器、在滾筒式球磨機中，優(yōu)選在具有與在懸浮液中的陶瓷粉末相同種類的混合器、turbulat混合器、滾筒式球磨機中。混合的強度和/或混合時間優(yōu)選被調(diào)節(jié)，以不破壞可取向的顆粒。為了這個目的，可取向的顆粒可以最后引入至預(yù)先混合的粉漿中。如果使用轉(zhuǎn)鼓研磨機，則混合時間優(yōu)選大于0.5小時且小于20小時。優(yōu)選地，使用轉(zhuǎn)鼓研磨機的情況下，將可取向的顆粒添加到預(yù)先混合24小時的粉漿中，從加入可取向的顆粒至粉漿中開始混合時間大于30分鐘且優(yōu)選小于2小時?？梢酝ㄟ^用超聲處理粉漿來有助于混合，超聲的能量優(yōu)選大于70wh/kg的粉漿、優(yōu)選大于100wh/kg、優(yōu)選大于150wh/kg，同時防止粉漿溫度超過30℃。可以提供例如水循環(huán)的冷卻系統(tǒng)以限制溫度上升。所述方法可包括在步驟a)之前的可選步驟a')，其為將第二粒狀部分的顆粒和/或顆粒前體沉積在第一粒狀部分的顆粒的表面上。沉積物在所述表面上產(chǎn)生固結(jié)，保持該固結(jié)至少直到形成大孔。所述沉積可通過諸如異質(zhì)凝聚的技術(shù)或通過將顆粒前體(例如醇鹽)施加到第一粒狀部分的顆粒的表面上來實施?？刹捎迷趕chehl等的《aluminananocompositesfrompowder-alkoxidemixtures》，actamaterialia50(2002)，第1125至1139頁中描述的沉積方法(在此通過引用方式并入文中)。步驟a”)可在步驟a')之后且在步驟a)之前實施，以將第二粒狀部分的顆粒前體轉(zhuǎn)化成顆粒。步驟a”)可例如是熱處理，例如在schehl等的文章《aluminananocompositesfrompowder-alkoxidemixtures》，actamaterialia50(2002)，第1125至1139頁中描述的熱處理。在步驟b)中，將粉漿優(yōu)選倒入適用于下一步驟的取向凝固的模具中。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的方法還包括去除氣泡的操作，優(yōu)選在將粉漿倒入模具之前去除氣泡。氣泡優(yōu)選通過在真空下脫氣或使用超聲來去除。在步驟c)中，將粉漿冷卻以固化液相并形成固化的液相的晶體。之所以各種晶體生長的方向大致平行，是因為通過在粉漿中創(chuàng)建然后位移在上游區(qū)域和下游區(qū)域之間的具有快速熱過渡的區(qū)域來逐漸固化粉漿，在該上游區(qū)域中液相已經(jīng)固化，在該下游區(qū)域中液相仍然是液體。該區(qū)域穿過粉漿的通道導(dǎo)致液相的固化。這就是為什么這個區(qū)域通常被稱為“固化前沿”。對于粉漿的取向凝固所要求的固化前沿的創(chuàng)建和運動是常用于“冰模板法”領(lǐng)域中的技術(shù)。這種技術(shù)是“凝固/去除凝固的晶體”的一般過程的特定的實施方式，被稱為“凝固澆注”。優(yōu)選地，液體尤其是液態(tài)氮，用于創(chuàng)建固化前沿。優(yōu)選地，固化前沿的速度vp被調(diào)節(jié)以使e≤100.w150，優(yōu)選地e<50.w150，優(yōu)選地e<30.w150，優(yōu)選地e<25.w150。在一個實施方式中，固化前沿的速度vp被調(diào)節(jié)以使w150≤e≤16.w150，優(yōu)選地w150≤e≤12.w150，優(yōu)選地w150≤e≤4.w150。優(yōu)選地，在所述實施方式中，-按體積計，大于90％、大于95％、或甚至約100％的可取向的陶瓷顆粒、優(yōu)選各向異性的陶瓷顆粒具有7μm至16μm的長度l，0.5μm至1μm的厚度w1，以及10至20的延伸因數(shù)l/w1，-陶瓷顆粒占粉漿的體積的8vol％至11vol％(體積百分比)，-可取向的陶瓷顆粒、優(yōu)選各向異性的陶瓷顆粒占陶瓷顆粒的大于90vol％，和-固化前沿的速度在15μm/s和25μm/s之間。在一個實施方式中，w150≤e≤16.w150，優(yōu)選地3.w150≤e≤15.w150，優(yōu)選地5.w150≤e≤15.w150，優(yōu)選地10.w150≤e≤15.w150。優(yōu)選地，在所述實施方式中，-按體積計，大于90％、大于95％、或甚至約100％的可取向的陶瓷顆粒、優(yōu)選各向異性的陶瓷顆粒具有7μm至16μm的長度l，0.5μm至1μm的厚度w1，以及10至20的延伸因數(shù)l/w1，-陶瓷顆粒占粉漿的體積的14vol％至19vol％，-可取向的陶瓷顆粒、優(yōu)選各向異性的陶瓷顆粒占陶瓷顆粒的大于90vol％，和-固化前沿的速度在10μm/s和20μm/s之間。在一個實施方式中，17.w150≤e≤100.w150，優(yōu)選地20.w150≤e≤50.w150。優(yōu)選地，在所述實施方式中，-按體積計，大于90％、大于95％、或甚至約100％的可取向的陶瓷顆粒、優(yōu)選各向異性的陶瓷顆粒具有5μm至8μm的長度l，0.2μm至1μm的厚度w1，以及10至20的延伸因數(shù)l/w1，-陶瓷顆粒占粉漿的體積的14vol％至19vol％，-可取向的陶瓷顆粒、優(yōu)選各向異性的陶瓷顆粒占陶瓷顆粒的大于90vol％，和-固化前沿的速度在7μm/s和15μm/s之間。通過固化前沿的通道，固化的液相的新晶體是取向的，然后大致沿通過熱梯度施加的固化方向生長。固化方向大體對應(yīng)于固化前沿的行進方向。固化的液相的晶體的尺寸主要取決于固化前沿的位移速度和與此固化前沿有關(guān)的熱梯度。固化前沿的速度越快，固化的液相的晶體越小。固化的液相的晶體的尺寸，也可以由粉漿的組成來改變，尤其由可選的粘結(jié)劑的存在和/或由陶瓷顆粒的尺寸來改變。因此本領(lǐng)域的技術(shù)人員知道如何調(diào)整該方法以獲得所需的壁厚。具體地，本領(lǐng)域的技術(shù)人員知道，為了減小厚度e，充分增加在固化前沿的通道上的溫度梯度和/或增加冷卻速率和/或減少懸浮液中的顆粒的長度和/或減少在粉漿中在懸浮液中顆粒的量，反之亦然。對比通過共擠出法形成的孔，取向凝固導(dǎo)致了大孔道截頭管狀孔(除了在“solidificationofcolloidalsuspensions”(peppin等，j.fluidmech，(2006)，第554卷，第147-166頁)中所述特定的條件下之外)。當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的制品意圖用浸漬材料滲透時，管狀孔的截頭形狀改善了浸漬。固化前沿的形狀是非限制性的。特別地，固化前沿在所制造的塊體的規(guī)模上可以是扁平的。固化前沿的位移的方向優(yōu)選是直的，從而導(dǎo)致大體為直線的晶體。有利地，由此可以形成固化的液相的長晶體，其大致彼此平行。液相的固化導(dǎo)致在固化的液相的晶體之間的空間中陶瓷顆粒的集中。在該運動期間，第二粒狀部分的顆粒被困在粗顆粒之間，從而導(dǎo)致表觀密度的增大，尤其是在燒結(jié)后。一些具有相同或不同的熱梯度和/或形狀的固化前沿，可以依次或同時、在相同的或不同的方向、以相同的或不同的速度被創(chuàng)建和位移。具體地，當(dāng)已將粉漿倒入模具中時，一些固化前沿可以從模具的不同的面開始，例如從模具的每個面開始。然后固化的液相的晶體從固化粉漿的塊體的外側(cè)朝向中心取向。優(yōu)選地，固化前沿的位移方向大致垂直于開始處的表面。在一個實施方式中，取向凝固的條件適合于形成具有在正中橫斷面內(nèi)的寬度為固化的液相的晶體的厚度的多于5倍、優(yōu)選多于10倍、甚至多于20倍。當(dāng)在正中橫斷面中觀察時，固化的液相的晶體于是具有小厚度的薄片大致形狀。在本實施方式中，按數(shù)量計優(yōu)選大于50％、優(yōu)選大于70％、優(yōu)選大于80％、優(yōu)選大于90％、優(yōu)選大于95％、優(yōu)選大約所有固化的液相的晶體大致彼此平行。在取向凝固的步驟期間，隨著固化前沿的移動，固化前沿推回在位于固化的液相的結(jié)晶片層之間的壁內(nèi)粉漿的顆粒，因此形成優(yōu)選大致扁平且平行于彼此的壁，這取決于所述片層的寬度。此外，固化的液相的晶體的形狀取決于在步驟c)中初始形成的固化的液相的第一晶體的引晶和生長條件。本領(lǐng)域的技術(shù)人員知道如何確定引晶的這些條件。例如，他可以用一個表面，引晶發(fā)生從該表面開始，該表面包括隔開的、平行的直線突起的圖案，如在文章“architecturalcontroloffreezecastceramicsthroughadditivesandtemplating”(e.munch，e.saiz，a.p.tomsia，s.deville，j.am.ceram.soc.，第92卷，第7期，第1534頁至1539頁(2007年))中所描述，其通過引用并入本文。然后固化的液相的晶體在取決于直線突起的圖案的方向上外延地生長。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員知道如何確定固化的液相的晶體的所期望的厚度，尤其通過改變在直線突起的圖案之間的間距。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以由此部分地獲得孔的期望的形狀(該孔在去除固化的液相的晶體之后保持)，和尤其在正中橫截面中的扁平形狀。作為變型，為了獲得具有薄片形狀的固化的液相的晶體，在步驟e)之后，能夠形成扁平孔，可使用取向凝固的方法，諸如線性地開始固化的液相的晶體的引晶。這種方法例如可以是如在文章“fabricationoffunctionallygradedandalignedporosityinthinceramicsubstrateswiththenovelfreeze-tapecastingprocess”(s.w.sofie，j.am.ceram.soc，第90卷，第7期，第2024頁至第2031頁，(2007))中描述的“凝固流延成型(freeze-tapecasting)”方法，該文章通過引用并入本文。在實施方式中，取向凝固不包括線性固化的液相的晶體的引晶的操作和所述晶體的外延生長的操作的依次操作。這種凝固可例如為如在《controloflamellaespacingduringfreezecastingofceramicsusingdouble-sidecoolingasanovelprocessingroute》(waschlies等，j.am.ceram.soc.，92[s1]s79-s84(2009))中描述的凝固，其在此通過引用并入本文，所述凝固可尤其是“單側(cè)”模式的凝固?？椎臋M截面的形狀主要取決于固化前沿的速度?？椎臋M截面的形狀也可通過在粉漿中存在的如上所述的添加劑來改變，正如也在文章“architecturalcontroloffreezecastceramicsthroughadditivesandtemplating”(e.munch，e.saiz，a.p.tomsia，s.deville，j.am.ceram.soc.，第92卷，第7期，第1534頁至第1539頁(2007))中所描述，其通過引用并入本文。優(yōu)選地，在步驟c)中整個粉漿被固化。在步驟d)中，將固化粉漿的塊體從模具中取出。優(yōu)選地，溫度條件被調(diào)節(jié)，以避免固化的液相的晶體的任何熔化。在步驟e)中，將固化粉漿的塊體放置在導(dǎo)致去除固化的液相的晶體的壓力和溫度條件下。優(yōu)選地，去除起因于固化的液相的晶體的升華。有利地，升華發(fā)生而幾乎沒有引起設(shè)置這些晶體之間的顆粒的任何位移。例如，固化的液相的晶體可以通過在非常低的壓力下加熱它們來升華，一般在低于0.5mbar的壓力下。還可以熔化固化的液相的晶體，并允許所得液體流走。固化的液相的晶體的消失為主要由最初在粉漿中懸浮液中的顆粒形成的壁限定的大孔道孔留出空間，該孔的形狀大致對應(yīng)于去除的晶體的形狀。因此，固化的液相的大致彼此平行的伸長晶體的形成，導(dǎo)致管狀孔的形成，該管狀孔也彼此平行。因此，獲得大孔預(yù)成型體。粘結(jié)劑的存在可以增大大孔預(yù)成型體的機械強度。步驟e)優(yōu)選持續(xù)到固化的液相的所有晶體已被去除。在上述的實施方式中，其中在步驟c中形成的塊體包括固化的液相的薄片晶體，制造過程可以包括步驟e’)，優(yōu)選步驟e’)跟隨步驟e)，步驟e’)包括在大致平行于固化的液相的薄片晶體的厚度方向的方向上壓縮所述塊體，以獲得具有相對密度大于85％、優(yōu)選大于90％、或甚至大于95％的制品。壓縮的強度優(yōu)選地適于壓碎大孔，直到它們差不多消失。有利地，這種步驟可以制造出致密制品，該制品包括可選地具有取向功能的取向的晶粒。該致密制品(可選地分別被燒結(jié))的機械性能(斷裂應(yīng)力、韌性)以及視情況所述制品的每單位體積的取向功能的強度，相對于那些始于由壓縮形成的塊體而增加，或相對于在步驟c)中獲得然后燒結(jié)的塊體而增加。如圖30和圖31所示，其示出了在壓縮步驟c)期間在正中橫截面上觀察到的制品90，該壁102包括可取向的顆粒104，位于扁平孔105(大孔)之間，扁平孔105是由于去除固化的液相的薄片晶體而產(chǎn)生，壁102相對彼此移位，并更靠近在一起直到它們接觸。然后該壓縮步驟導(dǎo)致部分地或甚至完全地去除扁平孔，然后僅保留殘余孔隙110。換句話說，通過壓縮步驟獲得的致密制品包括壁的疊層。致密制品120的厚度優(yōu)選為在正中橫斷面內(nèi)分隔兩個孔的壁的厚度的多于2倍、優(yōu)選多于5倍、優(yōu)選多于10倍、優(yōu)選多于50倍、優(yōu)選多于100倍、優(yōu)選多于500倍、或甚至多于1000倍。優(yōu)選地，致密制品的厚度大于50μm、優(yōu)選大于100μm、優(yōu)選大于500μm、或甚至大于1mm、或者甚至大于5mm、或甚至大于1cm、或甚至大于5cm。在步驟c)或步驟d)或步驟e)中，該塊體部分包括大于50％、優(yōu)選大于60％、優(yōu)選大于70％、優(yōu)選大于80％、優(yōu)選大于90％、優(yōu)選大于95％、優(yōu)選大致100％的固化的液相的薄片晶體，該薄片晶體優(yōu)選大致彼此平行，該塊體部分例如可通過切割或沖壓來選擇，然后提取。然后可以在大致平行于固化的液相的薄片晶體的厚度方向的方向上對所述塊體部分執(zhí)行上述的壓縮操作。在步驟f)中，大孔預(yù)成型體被以能夠被加熱的方式布置。然后去除任何存在的粘結(jié)劑。用于粘結(jié)劑去除處理的穩(wěn)定時間、溫度和氣氛是由所使用的粘結(jié)劑的性質(zhì)來確定。優(yōu)選地，方法包括燒結(jié)步驟g)，其導(dǎo)致機械強度的增加。有利地，所得的多孔燒結(jié)制品即使在去除粘結(jié)劑后仍具有良好的機械強度。用于燒結(jié)的穩(wěn)定時間、溫度和氣氛根據(jù)待制造的制品的性質(zhì)和特征來確定。這些參數(shù)對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是公知的。在一個優(yōu)選的實施方式中，粘結(jié)劑去除和燒結(jié)是在相同熱處理期間進行，步驟f)和步驟g)被組合。在一個優(yōu)選的實施方式中，在粘結(jié)劑去除的步驟f)和/或燒結(jié)步驟g)之前、和/或與粘結(jié)劑去除的步驟f)和/或燒結(jié)步驟g)一起，可以進行該塊體的壓縮的步驟e’)。優(yōu)選地，然后粘結(jié)劑去除的步驟f)和/或燒結(jié)步驟g)通過在壓力(“熱壓”，hp)下燒結(jié)的方法或通過sps(“放電等離子燒結(jié)”)方法來進行，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的。于是燒結(jié)允許通過壓縮步驟接觸的壁的剛性結(jié)合。在大孔預(yù)成型體安置在其操作位置之后也可以進行燒結(jié)，例如，如果根據(jù)本發(fā)明的制品用作在高溫下操作的反應(yīng)器中的催化劑載體，則在大孔預(yù)成型體安置在其操作位置之后也可以進行燒結(jié)。燒結(jié)可以轉(zhuǎn)化設(shè)置在可取向的、特別是各向異性的晶粒之間的精細(xì)晶粒(對應(yīng)于第二粒狀部分的顆粒)的形態(tài)。在這種轉(zhuǎn)化作用下，精細(xì)顆?？捎绕渑c可取向的晶粒聚結(jié)，例如以形成更大的可取向的晶粒，改善晶粒的疊層并減少在所述晶粒之間的空隙。這顯著導(dǎo)致了明顯的表觀密度和機械性能。圖8b示出了由于第二粒狀部分的顆粒的存在而產(chǎn)生的壁的結(jié)構(gòu)。表明在燒結(jié)之后，第二粒狀部分的顆粒與初始存在的薄片聚結(jié)以形成薄片，有時其形狀與初始的薄片形狀互補。因此有利地，殘余的微孔隙(黑點)大大減少了。該壁結(jié)構(gòu)與圖6的壁結(jié)構(gòu)對比，對于圖6的壁結(jié)構(gòu)，粉漿實際上不含有第二粒狀部分的顆粒。在步驟h)中，多孔制品可以通過用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何技術(shù)進行加工。優(yōu)選地，多孔制品被加工以去除對應(yīng)于固化前沿的起始和穩(wěn)定的固化條件的建立的過渡區(qū)，當(dāng)固化的液相的晶體的生長速率的大體不變時，固化條件被稱為“穩(wěn)定的”。浸漬可通過由本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何技術(shù)來進行。優(yōu)選地，浸漬為使用液體介質(zhì)的浸漬。該浸漬材料可以選自陶瓷、金屬、有機材料及其混合物，尤其選自：-以上組a的材料，-催化涂層，該催化涂層包含選自以下的催化劑材料或由選自以下的催化劑材料組成：-金屬，優(yōu)選鐵(fe)、鈷(co)、鎳(ni)、鉬(mo)、銅(cu)、釕(ru)、銠(rh)、鉑(pt)、鈀(pd)、金(au)、銀(ag)、銥(ir)、鋨(os)、錸(re)及其混合物；-氧化物，優(yōu)選鈧(sc)的氧化物、鈦(ti)的氧化物、釩(v)的氧化物、鉻(cr)的氧化物、鈷(co)的氧化物、銅(cu)的氧化物、鈀(pd)的氧化物、鉬(mo)的氧化物、鐵(fe)的氧化物、鎳(ni)的氧化物、鎢(w)的氧化物、錸(re)的氧化物、具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化物、具有螢石結(jié)構(gòu)的氧化物、沸石、鑭系氧化物(優(yōu)選ceo2)、及其混合物；-碳化物，式(碳化物)1-xox的碳氧化物，其中0<x<1；-以及它們的混合物；-鋁、銅、鋁的合金和銅的合金，-聚合物，尤其是樹脂，-以及它們的混合物。優(yōu)選地，浸漬材料與其浸潤根據(jù)本發(fā)明的制品的材料不同。浸漬可導(dǎo)致簡單涂敷在截頭管狀孔的表面上或?qū)е滤隹妆徊糠只蛲耆畛?。大孔道管狀孔的特殊形狀意味著它們可以非常有效地被浸漬材料浸潤，特別是構(gòu)成復(fù)合材料。這個效率是明顯的，當(dāng)浸漬材料的顆粒的集合體通常在懸浮液中具有中值長度小于截頭管狀孔的寬開口的平均當(dāng)量直徑的0.1倍，優(yōu)選小于所述孔的窄開口的平均當(dāng)量直徑的0.1倍。浸漬材料的顆粒的集合體的中值長度通?？稍?.01μm和4μm之間。截頭管狀孔優(yōu)選在兩端開口，其進一步促進浸漬材料的滲透。優(yōu)選地，當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的制品用浸漬材料浸漬時，浸漬材料的滲透通過孔的寬開口發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明的方法可以制造陶瓷材料的制品，因此其特別能夠承受高溫及熱沖擊。根據(jù)本發(fā)明的制品根據(jù)本發(fā)明的制品可以通過根據(jù)本發(fā)明的方法來制造。構(gòu)成可取向的、或甚至各向異性的陶瓷晶粒的材料、構(gòu)成精細(xì)陶瓷晶粒(即對應(yīng)于第二粒狀部分的顆粒)的材料以及構(gòu)成與可取向的晶?；蚋飨虍愋缘木Я；パa的部分的晶粒的材料可以分別由材料ma、構(gòu)成mb和構(gòu)成mc制成，材料ma、構(gòu)成mb和構(gòu)成mc可以相同或不同。在一個實施方式中，精細(xì)陶瓷晶粒的材料具有高于燒結(jié)溫度的熔點。優(yōu)選地，材料ma和/或材料mb和/或材料mc包括或選自氧化物、氮化物、碳化物、羧基氮化物及其混合物。它們尤其可選自組a。在一個實施方式中，該制品包括小于10vol％、或甚至小于5％、或甚至小于3％、或甚至小于1％的精細(xì)晶粒、或甚至幾乎沒有精細(xì)晶粒，第二粒狀部分的顆粒在燒結(jié)期間已被轉(zhuǎn)化成粗晶粒。陶瓷晶粒的形狀和尺寸，特別是可取向的或甚至各向異性的陶瓷晶粒的形狀和尺寸，可對應(yīng)于粉漿的陶瓷顆粒、特別是粉漿的可取向的或甚至各向異性的陶瓷顆粒的形狀和尺寸。基于構(gòu)成壁的晶粒按體積計，陶瓷晶粒的量和可取向的或甚至各向異性的陶瓷晶粒的量，可以分別對應(yīng)于分別基于粉漿的顆粒的體積按體積計和基于粉漿的陶瓷顆粒的體積按體積計陶瓷顆粒的量和可取向的或甚至各向異性的陶瓷顆粒的量。優(yōu)選地，非各向異性的、或甚至是不可取向的陶瓷晶粒的部分具有的中值長度分別小于各向異性的或甚至可取向的陶瓷晶粒的中值長度的十倍，特別是按體積百分比計，當(dāng)所述壁中陶瓷晶粒的集合體包括分別小于80％的各向異性的或可取向的陶瓷晶粒。在實施方式中，所述制品包括玻璃相。優(yōu)選地，所述玻璃相包含sio2和/或b2o3。sio2+b2o3的含量按質(zhì)量計優(yōu)選地大于10％、大于20％、大于30％、大于40％、大于50％、大于60％、大于70％、大于80％。所述玻璃相還包含cao和/或na2o和/或tio2和/或k2o和/或al2o3。在實施方式中，所述玻璃相包含sio2以及cao和al2o3。截頭管狀孔優(yōu)選地，所述截頭管狀孔大致彼此相鄰，以使限定它們各自的正中橫截面的橫斷面大致與平均正中橫斷面重合。于是有利地，對于所述截頭管狀孔的集合體，正中橫截面的平均當(dāng)量直徑可以通過制品沿著該平均正中橫斷面的截面的圖像的分析來容易確定。截頭管狀孔的正中橫截面的平均當(dāng)量直徑優(yōu)選大于0.5μm、優(yōu)選大于1μm、或甚至大于2μm、或甚至大于5μm和/或優(yōu)選小于400μm、優(yōu)選小于300μm、優(yōu)選小于270μm、優(yōu)選小于200μm、或甚至小于150μm、或甚至小于100μm、或甚至小于50μm、或甚至小于15μm、或甚至小于10μm。在一個優(yōu)選的實施方式中，在該平均正中橫斷面中，按數(shù)量計至少50％的截頭管狀孔(考慮在平均正中橫向切割平面內(nèi)可視的截頭管狀孔的集合體)具有大于87％的凸性指數(shù)ic，孔的凸性指數(shù)等于分別被所述孔的周界和凸包絡(luò)線限定的表面區(qū)域sp和表面區(qū)域sc的sp/sc的比率。換句話說，這些截頭管狀孔大致平滑。截頭管狀孔的形狀優(yōu)選是這樣的，在該平均正中橫向切割平面內(nèi)：-按數(shù)量計，至少60％、優(yōu)選至少70％的孔具有大于87％的凸性指數(shù)ic和/或完整性指數(shù)is，和/或-按數(shù)量計，至少40％、優(yōu)選至少44％、優(yōu)選至少54％的孔具有大于88％的凸性指數(shù)ic和/或完整性指數(shù)is，和/或-按數(shù)量計，至少30％、優(yōu)選至少36％、優(yōu)選至少40％、優(yōu)選至少44％、優(yōu)選至少50％的孔具有大于89％的凸性指數(shù)ic和/或完整性指數(shù)is，和/或-按重量計，至少24％、優(yōu)選至少30％、優(yōu)選至少36％、優(yōu)選至少40％、優(yōu)選至少44％、優(yōu)選至少50％的孔具有大于90％的凸性指數(shù)ic和/或完整性指數(shù)is，和/或-按數(shù)量計，至少20％、優(yōu)選至少24％、優(yōu)選至少30％、優(yōu)選至少35％、優(yōu)選至少40％、優(yōu)選至少45％的孔具有大于91％的凸性指數(shù)ic和/或完整性指數(shù)is，和/或-按數(shù)量計，至少16％、優(yōu)選至少20％、優(yōu)選至少24％、優(yōu)選至少30％、優(yōu)選至少40％的孔具有大于92％的凸性指數(shù)ic和/或完整性指數(shù)is，和/或-按數(shù)量計，至少4％、優(yōu)選至少8％、優(yōu)選至少10％、優(yōu)選至少20％的孔具有大于93％的凸性指數(shù)ic和/或完整性指數(shù)is。截頭管狀孔的橫截面可以是圓形的或可以不是圓形的。特別地，它可以是多邊形，并且特別是凸六邊形。在一個實施方式中，截頭管狀孔的橫截面是扁平的。這種扁平孔可通過去除在根據(jù)本發(fā)明的方法的步驟c)中形成的薄片形狀的固化的液相的晶體來獲得。優(yōu)選地，按數(shù)量計，大于50％、或甚至大于70％、或甚至大于90％、或甚至大于95％、或甚至大于99％、或甚至約100％的截頭管狀孔被扁平化。截頭管狀孔的橫截面的幾何形狀可以是大致恒定的，而不管所考慮的橫截面。例如，孔可具有一般凸六邊形的橫截面，而不管所考慮的橫向切割平面，該截面的面積是可變的。優(yōu)選地，按數(shù)量計，至少70％、優(yōu)選至少80％、優(yōu)選至少90％的孔為在其兩端分別開有大開口和窄開口的截頭管狀孔。這些孔被稱為“通孔”。因此尤其容易用催化劑浸漬它們。當(dāng)它們被用作催化劑載體時，催化反應(yīng)也由此改善。更優(yōu)選地，窄開口的平均當(dāng)量直徑(平均到所述截頭管狀通孔的集合體)和寬開口的平均當(dāng)量直徑(平均到所述截頭管狀通孔的集合體)的比率小于0.99、優(yōu)選小于0.95、或甚至小于0.90、或甚至小于0.85、或甚至小于0.80、或甚至小于0.75。壁優(yōu)選地，大于40％、大于70％、大于90％、或甚至約100％的體積的根據(jù)本發(fā)明的制品的壁具有大致相同的結(jié)構(gòu)，特別是具有一種或多種以下描述的特征。優(yōu)選地，在所述截頭管狀孔之間的壁包括大于10％、優(yōu)選大于20％、優(yōu)選大于30％、優(yōu)選大于50％、優(yōu)選大于70％、優(yōu)選大于80％、優(yōu)選大于90％的可取向的、優(yōu)選各向異性的陶瓷晶粒。在一個實施方式中，壁幾乎完全由可取向的或甚至各向異性的陶瓷晶粒構(gòu)成。在一個實施方式中，可取向的陶瓷晶粒、或甚至各向異性的陶瓷晶粒、或甚至陶瓷顆粒未被磁涂層覆蓋，甚至未部分地被磁涂層覆蓋。優(yōu)選地，大于50％、或甚至大于60％、或甚至大于70％、或甚至大于80％、或甚至大于90％、或甚至大于95％、或甚至約100％的重量的壁包括晶粒，優(yōu)選為陶瓷晶粒。陶瓷晶粒的布置可取向的陶瓷晶粒優(yōu)選地以有序的方式進行布置。優(yōu)選地，它們有一個或多個優(yōu)選的取向，即它們的取向不是隨機的。特別地，它們可以以層的形式疊置，優(yōu)選地為大致平行于所考慮的壁的外表面(它們在該外表面的附近延伸)。在一個實施方式中，以有序的方式布置的可取向的陶瓷晶粒的濃度在所述壁的周圍(即在壁的與截頭管狀孔的內(nèi)部容積接觸的外表面的附近)比在所述壁的中心(在它們的正中平面的附近)高。這些特性可以由所考慮的壁的橫截面的圖像分析來證實，所述圖像具有至少10個晶粒邊界，例如使用fiji軟件和標(biāo)準(zhǔn)“方向性”。根據(jù)本發(fā)明的陶瓷晶粒的取向?qū)е掠绍浖傻闹狈綀D的峰具有較高的強度(給出晶粒邊界的數(shù)量作為方向的函數(shù)(以度為單位))。該峰可通過gaussian來近似，“分散度”等于該gaussian的標(biāo)準(zhǔn)偏差的兩倍。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明，該分散度(值在軟件中也被稱為“dispersion”)小于30°、優(yōu)選小于20°、優(yōu)選小于15°。由軟件生成的直方圖可以包括幾個峰。優(yōu)選地，對應(yīng)于較高的強度的峰的被晶粒邊界覆蓋的區(qū)域，通過軟件進行分析該區(qū)域的百分比(該值在軟件中被稱為“amount”)為大于2％、優(yōu)選大于5％、或甚至大于10％、或甚至大于20％、或甚至大于40％、或甚至大于50％、或甚至大于60％、或甚至大于70％、或甚至大于80％。在一個實施方式中，所考慮的壁包括一外圍層，即外圍層至少部分地限定壁的外表面，該層由一層可取向的優(yōu)選各向異性的陶瓷晶粒構(gòu)成，或通過至少2層的可取向的優(yōu)選各向異性的陶瓷晶粒的疊層構(gòu)成，優(yōu)選通過2層至20層、或甚至2層至10層、或甚至2層至8層、或甚至2層至7層的可取向的優(yōu)選各向異性的陶瓷晶粒的疊層構(gòu)成，“晶粒的層”由多個相鄰的未疊覆的晶粒構(gòu)成。在一個實施方式中，所考慮的壁包括兩個各自至少部分地限定壁的外表面的外圍層，這些層分別由一層可取向的優(yōu)選各向異性的陶瓷晶粒構(gòu)成，或通過至少2層的可取向的優(yōu)選各向異性的陶瓷晶粒的疊層構(gòu)成，優(yōu)選通過2層至20層、或甚至2層至10層、或甚至2層至8層、或甚至2層至7層的可取向的優(yōu)選各向異性的陶瓷晶粒的疊層構(gòu)成。在一個實施方式中，所考慮的壁包括中心層，中心層在所述兩個外圍層之間延伸，并由其布置是無序的晶粒的集合體構(gòu)成。在一個實施方式中，陶瓷晶粒是氮化硼晶粒，所考慮的壁包括一個外圍層，即外圍層至少部分地限定壁的外表面，該層由一層可取向的優(yōu)選各向異性的陶瓷晶粒構(gòu)成，或通過2層至10層、優(yōu)選2層至8層、優(yōu)選2層至7層的可取向的優(yōu)選各向異性的氮化硼晶粒的疊層構(gòu)成。中心層的厚度可以占壁的厚度的小于30％、小于10％、小于5％。壁也可以不包括中心層。圖3示意性地示出了說明這種結(jié)構(gòu)的壁10的橫截面。具有厚度“e”的壁10包括兩個外表面12a和12b，其分別限定兩個截頭管狀孔14a和14b的內(nèi)部容積。構(gòu)成壁10的晶粒16是薄片，其形成分別限定兩個外表面12a和12b的兩個外圍層18a和18b以及一個中心層18c。兩個外圍層18a和18b的每個包括多個大致平行的晶粒的層20，在這種情況下為七層。在這些層中，晶粒被布置為扁平的。層的平面大致平行于固化前沿d的位移方向。在中心層18c中，顆粒不具有擇優(yōu)取向。采用根據(jù)本發(fā)明的方法，通過改變固化前沿的速度vp可以改變厚度e，由此改變壁的微結(jié)構(gòu)。尤其當(dāng)顆粒是薄片時，例如是具有用于實施例的類型的薄片時，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在固化前沿的通道的作用下可取優(yōu)選取向的薄片的量是有限的。特別地，每個外圍層的厚度不超過約8層氮化硼的薄片。因此，如果厚度e小于16層薄片的厚度，則實際上所有薄片在大致平行于固化前沿的位移的方向的平面上被取向進而以層的形式疊置。如果厚度e大于16層薄片的厚度，則中心層出現(xiàn)，在該中心層中，薄片不再被取向。增加或減小壁厚從而可以增加或減小由氮化硼的取向薄片構(gòu)成的壁的厚度的百分比。在一個實施方式中，壁不包括中心層，實際上所有的取向的優(yōu)選各向異性的陶瓷晶粒以有序的方式被布置。優(yōu)選地，所述壁由多于20層、或甚至多于30層的可取向的、優(yōu)選各向異性的陶瓷晶粒制成。厚度“e”的壁和可取向的陶瓷晶粒優(yōu)選使得e<25.l50，優(yōu)選e<20.l50，優(yōu)選e<16.l50，優(yōu)選e≤15.l50。在一個實施方式中，壁包括單個層，該單個層由一層可取向的優(yōu)選各向異性的陶瓷晶粒構(gòu)成，或通過至少2層可取向的優(yōu)選各向異性的陶瓷晶粒的疊層構(gòu)成，優(yōu)選通過2層至10層、或甚至2層至20層、或甚至2層至50層可取向的優(yōu)選各向異性的陶瓷晶粒的疊層構(gòu)成。優(yōu)選地，按數(shù)量計，至少70％、優(yōu)選至少80％、優(yōu)選至少90％、優(yōu)選至少95％、優(yōu)選基本上100％的所述單個層的晶粒大致彼此平行并大致平行于所述壁的外表面。優(yōu)選地，構(gòu)成單個層的可取向的陶瓷晶粒是薄片或小棒。優(yōu)選地，在孔的正中橫截面的寬度上，疊覆的晶粒的數(shù)量(根據(jù)厚度)大致恒定。優(yōu)選地，疊覆的晶粒的數(shù)量相對于疊覆的晶粒的平均數(shù)量通過加或減10％而變化。優(yōu)選地，當(dāng)在正中橫截面觀察時，截頭管狀孔具有扁平部分，并且按數(shù)量計，大于80％的壁的在兩個扁平相鄰孔之間延伸的部分的晶粒以一個在另一之上的方式扁平地疊置。一種包括這種壁的制品，其顯示取向功能的優(yōu)化響應(yīng)。在位于根據(jù)本發(fā)明的制品的截頭管狀孔之間的壁中，按數(shù)量計，優(yōu)選大于10％、優(yōu)選大于20％、優(yōu)選大于30％、優(yōu)選大于50％、優(yōu)選大于70％、優(yōu)選大于80％、優(yōu)選大于90％的晶粒是可取向的、優(yōu)選各向異性的陶瓷晶粒。在位于根據(jù)本發(fā)明的制品的截頭管狀孔之間的壁中，在正中橫截面上測量的可取向的陶瓷晶粒的面積分?jǐn)?shù)，優(yōu)選占所述壁的總面積的大于10％、優(yōu)選大于20％、或甚至大于30％。在優(yōu)選的實施方式中，與所述可取向的陶瓷晶粒的面積分?jǐn)?shù)互補的是孔隙度。在一個實施方式中，據(jù)本發(fā)明的制品的壁(即在截頭管狀孔之間的材料)是大孔的(壁的孔隙度通常大于或等于10vol％)。在截頭管狀孔之間的壁的開孔孔隙度優(yōu)選大于30％、或甚至大于40％、和/或小于90％、優(yōu)選小于80％、優(yōu)選小于70％、或甚至小于60％、或甚至小于50％。有利地，機械性能由此被改善。實施例不是根據(jù)本發(fā)明的實施例標(biāo)記為(*)。在實施例中的制品通過根據(jù)本發(fā)明的方法來制造。使用以下原料：-六方氮化硼的薄片粉末trèsbnpuhp3016，由saint-gobain公司銷售，具有等于16μm的中值粒徑和等于2m2/g的比表面積，-六方氮化硼的薄片粉末trèsbnpuhp500，由saint-gobain公司銷售，具有等于6μm的中值粒徑和等于7m2/g的比表面積，-氧化鋁粉末tm-dartaimicron，由krahnchemiegmbh公司銷售，-氧化鋁薄片粉末ronaflairwhitesapphire，由merck公司銷售，-二氧化硅的膠體溶液nexsil20k，由nyacol公司銷售，-k2co3粉末、na2co3粉末、nb2o5粉末、bi2o3粉末，由sigma-aldrich公司銷售，-氧化銅(cuo)粉末，由sigma-aldrich銷售，-硝酸鈣粉末，由sigma-aldrich公司銷售，-聚乙二醇peg20m，由merck公司銷售，-darvan811溶液，由vanderbilt公司銷售，-darvan7ns粉末，由vanderbilt公司銷售，-tyloseh4000p2粉末，由shin-etsu銷售，-具有活性物質(zhì)的比例等于32％的聚乙二醇4000或peg4000溶液，-蔗糖粉末，由sigma-aldrich銷售，-nacl粉末，由sigma-aldrich銷售，-乙酸鋯，在乙酸中稀釋至22wt％，由saint-gobain公司銷售，-純度大于或等于99％的碳酸鈣粉末caco3，由sigma-aldrich銷售，-卡波姆edt2691粉末，由lubrizol公司銷售。使用以下方法表征：通過以下方法測定孔的橫截面的平均當(dāng)量直徑：將待分析的樣品用樹脂(例如環(huán)氧樹脂)浸潤。在所述截頭管狀孔的長度中點、垂直于固化方向制備切片，然后拋光以獲得良好的表面狀態(tài)，至少用1200等級紙，優(yōu)選用金剛石研磨膏來進行所述拋光。用掃描電子顯微鏡(sem)，優(yōu)選以使用背散射電子的模式(bse模式)，記錄圖像以獲得在陶瓷相和樹脂之間非常好的對比度。除比例尺之外，每個圖像有至少1280×960像素。所使用的放大倍率使得圖像的寬度為平均孔徑的50倍和100倍之間?；谄骄讖降目梢暪烙?，可記錄第一圖像。在“characterizationofthemorphologyofcellularceramicsby3dimageprocessingofx-raytomography”(maire等，j.eur.ceram.soc.，27[4]1973-1981(2007))中描述了通過分析這些由侵蝕/擴張的方法得到的圖像來確定平均孔徑。制品的壁的厚度e由以下方法來測定。如果制品是非燒結(jié)的制品，則所述制品的樣品在垂直于截頭管狀孔的長度方向的方向上被截斷。至少一部分所述樣品必須具有在破裂后不被外部操作改變的表面，以避免改變晶粒的取向。如果該制品為燒結(jié)制品，則垂直于截頭管狀孔的長度方向切割一片所述待分析的制品。使用掃描電子顯微鏡(sem)記錄圖像。除比例尺之外，每個圖像有至少1280×960像素。放大倍率使得圖像的寬度允許2個至50個待成像的孔。然后通過使用fiji軟件，繪制橫向限定壁的線條，然后使用所述軟件的工具“analyse>measure”分析這些圖像來測量壁的平均厚度；結(jié)果表中的“長度”列給出了壁的平均厚度。事先使用工具“setscale”并測量比例尺的像素數(shù)目可以獲得像素和長度單元之間的對應(yīng)關(guān)系。顆粒的厚度w1、長度l或d、和延伸因數(shù)r、以及顆粒粉末的平均厚度w150和平均延伸因數(shù)rm通過以下方法來測定。將一些顆粒的粉末懸浮于乙醇中，充分分散該顆粒。然后將該懸浮液涂布在導(dǎo)電性支撐物上，例如在電子成像中使用的碳膠帶。使用掃描電子顯微鏡(sem)記錄至少5個圖像，除比例尺之外，每個圖像具有最低1280×960像素。放大倍率使得圖像的寬度可以使2個至20個單個(即不聚集的)顆?？梢暬?。如果不是這種情況，則有必要用具有較低的顆粒體積對乙醇體積的比率的懸浮液再次開始。圖像必須具有厚度呈現(xiàn)大致平行于成像平面的顆粒。然后通過使用fiji軟件，繪制限定顆粒的線條，然后使用所述軟件的工具“analyse>measure”分析所述圖像來測量顆粒的厚度w1。結(jié)果表中的“長度”列給出了壁的平均厚度。事先使用工具“setscale”并測量比例尺的像素數(shù)目可以獲得像素和長度單元之間的對應(yīng)關(guān)系。粉末顆粒的平均厚度w150為所測量的厚度w1的平均值。每個顆粒的長度也被測量。計算延伸因數(shù)r，等于顆粒的長度除以所述顆粒的寬度，以及計算顆粒粉末的平均延伸因數(shù)rm，等于延伸因數(shù)r的算術(shù)平均值。制品的壁中的晶粒的對準(zhǔn)通過以下方法來測量。如果制品是非燒結(jié)的制品，則所述制品的樣品在垂直于截頭管狀孔的長度方向的方向上被截斷。至少一部分所述樣品必須具有在斷裂后不被外部操作改變的表面，以避免改變晶粒的取向。如果該制品為燒結(jié)制品，則垂直于截頭管狀孔的長度方向切割一片所述待分析的制品，然后以露出的晶粒邊界為目的進行熱處理。使用掃描電子顯微鏡(sem)記錄圖像。除比例尺之外，每個圖像具有至少1280×960像素。放大倍率使得圖像的高度等于具有厚度e的壁的尺寸。然后借助fiji軟件的工具“analyse>directionality”，選擇“l(fā)ocalgradientorientation”測量方法，“nbins”等于90且“histogramstart”等于-90°測量晶粒的取向。在此表征中這兩個量是“分散度”(其量化圖像中的對準(zhǔn)的角分散)和數(shù)量的“量”(其量化具有優(yōu)先對準(zhǔn)的圖像的部分)。構(gòu)成該制品材料的絕對密度為等于所述材料在研磨至使得幾乎沒有封閉的孔殘留的細(xì)度之后的干物質(zhì)的質(zhì)量除以研磨后該物質(zhì)的體積的比率。它可以用氦比重瓶測量。壁中的開孔孔隙度通過壓汞法來測量。將具有已知質(zhì)量和絕對密度的燒結(jié)樣品放入適于待測量的孔隙度的大小和體積的透度計中。施加汞的最小壓力被調(diào)節(jié)，以能夠迫使汞進入不大于樣品中的晶粒的中值長度的十五分之一的孔中。如圖29所示，其中橫軸示出以微米表示的孔的直徑，縱軸示出以ml/g表示的引入的汞的體積，獲得對應(yīng)于截頭管狀的大孔隙度的主峰以及其他峰，其他峰的總和對應(yīng)在壁中開孔的孔的體積。用于填充壁中開孔孔隙度的汞的體積由以下公式來計算：在壁的開孔孔隙度中汞的體積＝引入的汞的總體積中-引入樣品中對應(yīng)于主峰的汞的體積v1。然后可以由以下公式計算在樣品的壁中開孔孔隙度的百分比：100×在壁的開孔孔隙度中汞的體積/[(在壁的開孔孔隙度中汞的體積)+(樣品的質(zhì)量/樣品的絕對密度]。壁的相對表觀密度等于(100-壁中的開孔孔隙度)。如在《strong,toughandstiffbioinspiredceramicsfrombrittleconstituents–supplementaryinformation》(bouville等，naturematerials，第13卷，第508-514頁(2014))中所述(其在此通過引用并入本文)，在室溫下實施斷裂韌性和裂紋擴展強度測量。在實施例1、實施例2和實施例3中的制品為氮化硼制品，其由以下方法制造。在步驟a)中，在燒杯中使用磁力攪拌器對表1中給出的混合物(基于制備的各個粉漿的總體積按體積百分比計)攪拌5小時。表1然后將獲得的每個粉漿超聲處理，具體如下：將含有懸浮液的容器放在digitalsonifier250超聲波裝置(由branson公司銷售)的充滿水的槽中。超聲波的強度被設(shè)置為最大強度的50％，即設(shè)定為等于100w的功率。超聲波被施加1.5s，然后停止1.5s，該循環(huán)被重復(fù)14分鐘，在此之后，槽中的水達到30℃的溫度。施加到懸浮液中的能量在150wh/kg懸浮液和160wh/kg懸浮液之間。然后將懸浮液用磁力攪拌器攪拌12小時。在步驟b)中，將每個粉漿倒入模具中，其底部與由冷藏液體冷卻的銅板接觸。銅板的冷卻速率控制懸浮液中固化前沿位移的速度vp。在步驟c)中，對于實施例1和實施例2，粉漿經(jīng)受凝固速率等于-1℃/min的取向凝固或經(jīng)受固化前沿位移的速度大約等于15μm/s的取向凝固，并且對于實施例3，粉漿以-0.5℃/min的速率被凝固，導(dǎo)致固化前沿位移的速度大約等于8μm/s。在步驟d)脫模后，通過將凝固的粉漿的塊體放置在凍干器中以0.42mbar的壓力凍干48小時來進行步驟e)中的升華。在實施例1、實施例2和實施例3中的制品沒有經(jīng)歷其他步驟。在實施例4中的氧化鋁制品如下制備：將在下表2中所示的成分在滾筒研磨機中混合6小時，以形成粉漿：表2在實施例4中制品的制備步驟b)至步驟e)除了步驟c)之外與在實施例1、實施例2和實施例3中制品的制備的那些步驟是相同的，在實施例4中制品的制備步驟c)中，粉漿經(jīng)受凝固速率等于-1℃/min的取向凝固或經(jīng)受固化前沿位移的速度大約等于15μm/s的取向凝固。然后實施例4中的制品經(jīng)受具有以下循環(huán)的燒結(jié)步驟：以50℃/h升高溫度至490℃，在490℃下穩(wěn)定1h，以30℃/h升高溫度至550℃，在550℃下穩(wěn)定30分鐘，以300℃/h升高溫度到1550℃，在1550℃下穩(wěn)定1.5h，溫度以300℃/h的速率降低至室溫。在制作實施例4中的制品的樣品后，這些樣品經(jīng)受根據(jù)以下循環(huán)的熱處理：以300℃/h升高溫度至1450℃，在1450℃下穩(wěn)定20分鐘，以300℃/h的速率降低溫度至室溫。所獲得的結(jié)果在下表3中示出：實施例1(*)2(*)3(*)4壁的厚度e(μm)2128297量(％)79637053分散度(°)20.9219.9123.3811.29表3在實施例1至實施例4中的制品具有顯著的量的可取向的晶粒，該可取向的晶粒以擇優(yōu)方向被取向。在實施例5和實施例6和實施例7中的制品如下進行制備：將在下表4中所示的成分在滾筒研磨機中混合6小時，以形成粉漿：表4在實施例5、實施例6和實施例7中制品的制備步驟b)至步驟e)除了步驟c)之外與在實施例1、實施例2和實施例3中制品的制備的那些步驟是相同的，在實施例5、實施例6和實施例7中制品的制備步驟c)中，粉漿經(jīng)受凝固速率等于-2℃/min的取向凝固或經(jīng)受固化前沿位移的速度大約等于25μm/s的取向凝固。然后實施例5、實施例6和實施例7中的制品經(jīng)受具有以下循環(huán)的燒結(jié)步驟：以50℃/h升高溫度至550℃，在550℃下穩(wěn)定2h，以300℃/h升高溫度至1550℃，在1550℃下穩(wěn)定2h，以300℃/h的速率降低溫度至室溫。在下表5中示出關(guān)于機械特性的結(jié)果：實施例5(*)67材料的絕對密度(g/cm3)3.93.823.74壁的開孔孔隙度(％)59.617.84.4壁的相對表觀密度(％)40.482.295.6表5對于實施例6和實施例7中的制品，壁的開孔孔隙度明顯地較低。對于實施例6和實施例7中的制品，壁的相對表觀密度明顯地較高。如下制備實施例8中的制品。從前體k2co3、na2co3、nb2o5開始，在乙醇中通過混合摩爾比為1：1：2的k2co3、na2co3和nb2o5在滾筒研磨機中混合三天來合成knn(k0.5na0.5nbo3)粉末。然后將所獲得的懸浮液干燥直至溶劑完全蒸發(fā)，然后經(jīng)受以下熱處理的循環(huán)：以4℃/min升高溫度至800℃，在800℃下穩(wěn)定6小時，然后以自然速率降低溫度。所獲得的粉末為大致球形的顆粒，具有等于0.5μm的中值長度d50。從前體na2co3、nb2o5、bi2o3開始，通過微晶局部化學(xué)轉(zhuǎn)化的方法合成nn(na0.5nbo3)的粉末：將前體na2co3、nb2o5和bi2o3以摩爾比1.75：2.5：1.25混合，然后以以下比例加入nacl，nacl：混合物(na2co3、nb2o5和bi2o3)的重量比等于2:1。將整體放入乙醇中，然后在滾筒研磨機中研磨15小時，最后在turbulat混合器中混合3小時。然后將所獲得的混合物干燥直至溶劑完全蒸發(fā)，然后經(jīng)受以下循環(huán)的熱處理：以3℃/min升高溫度至700℃，然后以4℃/min升高溫度至1125℃，在1125℃下穩(wěn)定6小時，然后以等于1.8℃/min的速率降低溫度。然后將所獲得的bi2.5na3.5nb5o18的粉末用熱水洗滌數(shù)次以去除之前添加的鹽nacl。將摩爾比為1：0.75的na2co3和bi2.5na3.5nb5o18與鹽nacl混合，鹽：混合物(na2co3、bi2.5na3.5nb5o18)的重量比等于1.5：1。將所獲得的混合物放入乙醇中并在滾筒研磨機中研磨14小時，然后將bi2.5na3.5nb5o18的顆粒加入到該懸浮液中，并且將整體在旋轉(zhuǎn)滾筒研磨機中研磨5小時。然后將所獲得的混合物干燥直至溶劑完全蒸發(fā)，然后進行以下循環(huán)的熱處理：以4℃/min升高溫度至975℃，在975℃下穩(wěn)定6小時，然后以等于1.8℃/min的速率降低溫度。用熱水將所獲得的粉末洗滌數(shù)次以去除之前添加的nacl，然后用硝酸將其洗滌四次以去除殘留的鉍。nanbo3的最終粉末為薄片粉末的形式，其中值長度l’50等于15μm，平均厚度w150等于1.5μm。在步驟a)中，然后將下表6中所示的除nn的粉末的成分在滾筒研磨機中混合12小時，然后加入nn的粉末在滾筒研磨機中混合1小時，以形成粉漿：表6在步驟b)中，將粉漿倒入模具中，其底部與由冷藏液體冷卻的銅板接觸。銅板的冷卻速率控制懸浮液中固化前沿位移的速度vp。在步驟c)中，粉漿經(jīng)受凝固速率等于-1℃/min的取向凝固或經(jīng)受固化前沿位移的速度大約等于15μm/s的取向凝固。在步驟d)脫模后，通過將凝固的粉漿的塊體放置在凍干器中以0.42mbar的壓力持續(xù)48小時，進行步驟e)中的升華。然后將所獲得的大孔預(yù)成型體放入氧化鋁坩堝內(nèi)，封閉，放置在knn粉末的床上，然后經(jīng)受具有以下循環(huán)的燒結(jié)步驟：以等于50℃/h速率升高溫度至550℃，在550℃下穩(wěn)定1小時，以等于4℃/h的速率升高溫度至1115℃，在1115℃下穩(wěn)定4小時，以等于1℃/h的速率升高溫度至1125℃，在1125℃下穩(wěn)定3小時，以等于300℃/h的速率降低溫度至室溫。在實施例8中獲得的制品為k0.4na0.6nbo3的大孔制品，具有由大致立方晶粒構(gòu)成的壁。如下制備實施例9至實施例11中的制品：將下表7中所示的成分在滾筒研磨機中混合21小時，然后加入薄片的ronalflairwhitesapphire粉末，將全部材料再混合3小時，以形成粉漿：表7確定二氧化硅的膠體溶液nexsil20k以及碳酸鈣的量，使得sio2:cao的摩爾比為75:25。在步驟b)和步驟c)中，如在《templatedgraingrowthinmacroporousmaterials》(bouville等，j.am.ceram.soc.，1-7(2014))的《試驗步驟》部分所述(其在此通過引用并入本文)，澆鑄和凝固各個粉漿。在實施例9至實施例11中制品的制備步驟b)至步驟e)與在實施例1和實施例2中制品的制備的那些步驟是相同的。然后，通過sps(放電等離子體燒結(jié))在100mpa的壓力下，在1500℃將實施例9至實施例11中制品的樣品(直徑等于20mm)燒結(jié)5分鐘，其中以等于100℃/min的速率升高溫度至1500℃。在來自fctsystemegmbh公司的型號hpd25/2的設(shè)備上進行通過sps的這些燒結(jié)處理。在下表8中給出了機械特性的結(jié)果：實施例9101112(*)材料的相對密度(％)98.998.498.899.8三點彎曲強度(mpa)270340460330裂紋擴展強度k1c(mpa.m1/2)3.55.36.23.5斷裂韌性kjc(mpa.m1/2)10.75.3223.5表8根據(jù)不是根據(jù)本發(fā)明的實施例12的制品為平均粒徑為0.4μm的氧化鋁制品。實施例9至實施例11中制品的斷裂韌性kjc顯著地高于實施例12中制品的斷裂韌性，且實施例10和實施例11中制品的裂紋擴展強度k1c顯著地高于實施例12中制品的裂紋擴展強度。根據(jù)實施例9和實施例10的制品的三點彎曲強度與實施例12中制品的三點彎曲強度大致處于相同的數(shù)量級；而實施例11中制品的三點彎曲強度則顯著較高。因此實施例9至實施例11中的制品與實施例12的氧化鋁制品相比具有顯著改善的韌性，同時保持良好的三點彎曲強度。實施例11中的制品是優(yōu)選的制品。除了步驟c)外，實施例13中的制品以與實施例11中制品相同的方式進行生產(chǎn)，在實施例13的步驟c)中，粉漿以與實施例1的制品相同的方式進行凝固(無線性引晶或外延生長)。令人吃驚地，盡管通過更為簡單的方法進行制造，但是該實施例顯現(xiàn)出在韌性kjc和三點彎曲強度之間的極好的折中。在燒結(jié)后，實施例13的制品具有97.5％的相對密度。然后將根據(jù)實施例3的制品在真空下通過浸漬處理用硅酮樹脂tse3033浸漬。將樹脂和樣品放入聚合物模具內(nèi)，然后在0.11bar的真空下保持10分鐘。真空被破壞，然后恢復(fù)20分鐘。由此浸漬有樹脂的主體在爐中在110℃下加熱2小時，以完成硅酮的交聯(lián)。在比較實施例中的制品通過在用于浸漬根據(jù)實施例3的制品的樹脂中混合18vol％的trèsbnpuhp3008粉末來制備。用于制備比較實施例的方法的后續(xù)步驟與在實施例3中的浸漬制品的那些步驟相同，但沒有凝固步驟，因此也沒有去除晶體的步驟。在比較實施例中使用的氮化硼顆粒的量高于滲流閾值。因此，這些顆粒形成在所使用的樹脂中浸沒的顆粒的連續(xù)網(wǎng)絡(luò)。然后通過閃光法對上述兩種制品中的每一種制品測量熱擴散率。以下表9列出所獲得的結(jié)果：實施例比較實施例的制品實施例3(*)的浸漬制品在20℃下的熱擴散率(mm2/s)0.351.03表9根據(jù)本發(fā)明在實施例3中的浸漬制品具有的熱擴散率為在比較實施例中的制品的熱擴散率的大于3倍，在比較實施例中，顆粒被隨機取向。正如現(xiàn)在清楚地，根據(jù)本發(fā)明的方法可以獲得具有截頭管狀大孔的多孔制品，其具有特別低的壁開孔孔隙度。有利地，壁也可顯示出明顯的功能取向。當(dāng)然，本發(fā)明并不限于作為實施例給出的實施方式。特別地，在步驟a)中在粉漿中可以混合多種不同的陶瓷粉末。另外，在實施方式中，在fr1261786、fr1261777和pct/ib2013/060700中描述的制品和方法被排除在本發(fā)明之外。在一個實施方式中，在本發(fā)明的說明書中描述的實施例4、或者甚至實施例1至實施例8中的每一者排除在本發(fā)明之外。在實施方式中，基于陶瓷顆粒的集合體按體積百分比計，第二粒狀部分占陶瓷顆粒的大于91％、或大于95％、或小于89％、或小于85％。在實施方式中，粉漿不包括darvan7ns或者不包括peg20m。當(dāng)前第1頁12