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一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置的制作方法

文檔序號:3448911閱讀:179來源:國知局
專利名稱:一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及絕緣密封裝置,具體地,涉及一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置。
背景技術(shù)
目前,在多晶硅生產(chǎn)中,每生產(chǎn)I噸“多晶硅”約生成20噸的副產(chǎn)物四氯化硅。因此,對四氯化硅進行有效的回收利用,是降低環(huán)境污染,降低生產(chǎn)成本的關(guān)鍵。熱氫化處理工藝是將四氯化硅通入氫化爐中,與氫氣在一定的溫度、配比下反應(yīng)轉(zhuǎn)化成三氯氫硅的方法。處理后不僅有效地減少了四氯化硅量,且生成了雜質(zhì)很少、純度較高的精制三氯氫硅,簡單提純后就可作為生產(chǎn)多晶硅的原料,且整個處理過程中污染較小,對環(huán)境危害小,因此,熱氫化工藝在行業(yè)里得到了較為廣泛的應(yīng)用。但是,氫化爐內(nèi)高達1250-1400°C的反應(yīng) 溫度,以及氫化爐長周期的運行,對于底盤與電極之間的密封和絕緣材料是個嚴峻的考驗。通常,良好的密封材料如聚四氟乙烯、橡膠等,都不具備耐高溫的性能,而良好的絕緣材料通常硬度較低,因此,選擇合適的絕緣、密封材料進行組合搭配,才能實現(xiàn)氫化爐長周期穩(wěn)定運行的生產(chǎn)要求。綜上所述,現(xiàn)有技術(shù)中至少存在以下缺陷不耐高溫、絕緣等級低且易損壞。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于,針對上述問題,提出一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置,以實現(xiàn),耐高溫、延長使用周期、避免電極和底盤間造成短路停爐事故的優(yōu)點。為實現(xiàn)上述目的,本實用新型采用的技術(shù)方案是一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置,用于隔絕電極與氫化爐底盤,其特征在于,包括大瓷環(huán)、小瓷環(huán)、絕緣套、絕緣瓷、絕緣墊、環(huán)形絕緣瓷及O形圈,所述電極為“T”形圓柱,所述絕緣套為“T”形套,絕緣套套在電極下圓柱外部,絕緣套臺階頂部與電極臺階底部貼合,所述環(huán)形絕緣瓷套于絕緣套外部,絕緣瓷頂部與絕緣套臺階底部貼合,所述絕緣墊套于絕緣套外部,并位于絕緣瓷與氫化爐底盤之間,所述絕緣墊上表面與絕緣瓷下表面貼合,絕緣墊下表面與氫化爐底盤上表面貼合,所述環(huán)形絕緣瓷和所述O形圈均為兩個,所述環(huán)形絕緣瓷和所述O形圈間隔套于電極柱體外部的下半部,按O形圈、環(huán)形絕緣瓷的順序排列于絕緣套下方,所述小瓷環(huán)及大瓷環(huán)依次套于電極臺階外部,小瓷環(huán)及大瓷環(huán)下表面與氫化爐底盤相貼合。進一步地,所述絕緣套為聚四氟乙烯材質(zhì),所述絕緣套上表面有兩條密封水線。進一步地,所述絕緣墊為聚四氟乙烯墊,所述絕緣墊的下表面有兩條密封水線。進一步地,所述絕緣瓷為環(huán)形,所述絕緣瓷上下表面的外緣處有凸臺。進一步地,所述絕緣套與所述絕緣墊的外徑均小于所述絕緣瓷上下表面的“凸臺”內(nèi)徑,所述絕緣套及所述絕緣墊分別嵌于絕緣瓷上下表面凸臺形成的圈內(nèi)。進一步地,所述小瓷環(huán)的內(nèi)圈與電極凸起之間的距離為lmm-3mm,所述小瓷環(huán)的厚度為8mm-10mm,所述小瓷環(huán)的高度不高于電極的上端面,所述大瓷環(huán)的內(nèi)圈與小瓷環(huán)的外圈之間的距離為O. 5mm-1. 5mm,所述大瓷環(huán)的高度高于小瓷環(huán)15mm-20mm,所述O形圈的截面直徑為5mm,所述O形圈內(nèi)圈與電極柱體之間的距離為0-0. 5mm,所述絕緣套及所述絕緣墊厚度為3mm。本實用新型一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置,由于包括大瓷環(huán)、小瓷環(huán)、絕緣套、絕緣瓷、絕緣墊、環(huán)形絕緣瓷及O形圈,可以產(chǎn)生良好的絕緣密封性能且可以耐高溫;從而可以克服現(xiàn)有技術(shù)中不耐高溫、絕緣等級低且易損壞的缺陷,以實現(xiàn)耐高溫、延長使用周期、避免電極和底盤間造成短路停爐事故的優(yōu)點。本實用新型的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述,并且,部分地從說明書中變得顯而易見,或者通過實施本實用新型而了解。本實用新型的目的和其他優(yōu)點可通過在所寫的說明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。下面通過附圖和實施例,對本實用新型的技術(shù)方案做進一步的詳細描述。

圖I為根據(jù)本實用新型一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置剖視圖。結(jié)合附圖,本實用新型實施例中附圖標記如下I-電極;2_氫化爐底盤;3_大瓷環(huán);4_小瓷環(huán);5_絕緣套;6_絕緣瓷;7_絕緣墊;8-環(huán)形絕緣瓷;9-0形圈。
具體實施方式
根據(jù)本實用新型實施例,提供了一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置。如圖I所示,本實施例包括一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置,用于隔絕電極I與氫化爐底盤2,其特征在于,包括大瓷環(huán)3、小瓷環(huán)4、絕緣套5、絕緣瓷6、絕緣墊7、環(huán)形絕緣瓷8及O形圈9,電極I為“T”形圓柱,絕緣套5為“T”形套,絕緣套5套在電極I下圓柱外部,絕緣套5臺階頂部與電極I臺階底部貼合,環(huán)形絕緣瓷6套于絕緣套5外部,絕緣瓷6頂部與絕緣套5臺階底部貼合,絕緣墊7套于絕緣套5外部,并位于絕緣瓷6與氫化爐底盤2之間,絕緣墊7上表面與絕緣瓷6下表面貼合,絕緣墊7下表面與氫化爐底盤2上表面貼合,環(huán)形絕緣瓷8和所述O形圈9均為兩個,環(huán)形絕緣瓷8和所述O形圈9間隔套于電極I柱體外部的下半部,按O形圈9、環(huán)形絕緣瓷8的順序排列于絕緣套5下方,O形圈9的截面直徑為5mm,O形圈9內(nèi)圈與電極I柱體之間的距離為O. 3mm,小瓷環(huán)4及大瓷環(huán)3依次套于電極I臺階外部,小瓷環(huán)4及大瓷環(huán)3下表面與氫化爐底盤2相貼合,小瓷環(huán)4的內(nèi)圈與電極I凸起之間的距離為2mm,小瓷環(huán)4的厚度為9mm,小瓷環(huán)4的高度不高于電極I的上端面。氫化爐用組合式絕緣密封裝置安裝于電極I與氫化爐底盤2之間,電極I為圓柱體,且電極頂部邊沿設(shè)有凸起,小瓷環(huán)4套于電極I頂部凸起外側(cè),小瓷環(huán)4的內(nèi)圈與電極I凸起之間的距離為2_,小瓷環(huán)4的厚度為9_,小瓷環(huán)4的高度不高于電極I的上端面,絕緣套5、絕緣瓷6及絕緣墊7套于電極I柱體外側(cè),絕緣套5上表面與電極I的底面貼合,小瓷環(huán)4下表面、大瓷環(huán)3下表面及絕緣墊7下表面與底盤2上表面貼合,O形圈9與環(huán)形絕緣瓷8套于電極I柱體外側(cè),O形圈9的截面直徑為5mm,O形圈9內(nèi)圈與電極I柱體之間的距離為O. 3mm。絕緣套5為聚四氟乙烯材質(zhì),絕緣套5上表面有兩條密封水線,絕緣套5厚度為3mm ο絕緣墊7為聚四氟乙烯墊,絕緣墊7的下表面有兩條密封水線,絕緣墊7厚度為3mm絕緣瓷6為環(huán)形,絕緣瓷6上下表面的外緣處有凸臺。絕緣套5與所述絕緣墊7的外徑小于絕緣瓷6上下表面的凸臺內(nèi)徑,絕緣套5及所述絕緣墊7分別嵌于絕緣瓷6上下表面凸臺形成的圈內(nèi)。綜上所述,本實用新型本發(fā)明的氫化爐用組合式絕緣密封裝置,在電極I與絕緣 瓷6外部套有大瓷環(huán)3和小瓷環(huán)4,構(gòu)成了雙層隔熱結(jié)構(gòu),用于隔絕氫化爐內(nèi)熱量對絕緣瓷6的直接熱輻射,有效降低了絕緣瓷6的表面溫度,從而防止了絕緣套5等材料的損壞,大瓷環(huán)3比小瓷環(huán)4高至少15mm,延長了電極I至氫化爐底盤2間的短路距離,從而避免碳纖維搭接在電極I和氫化爐底盤2間,造成短路停爐事故,大瓷環(huán)3及小瓷環(huán)4的機構(gòu)簡單,加工方便,通過它們的組合使用,有效保證了氫化爐長期穩(wěn)定運行。小瓷環(huán)4與電極I之間間隙小于3_,能防止加熱器表面掉落的較小的碳粉、碳纖維等沉積在絕緣瓷周圍,造成瞬間的短路停車故障,同時留給小瓷環(huán)4和電極I 一定的膨脹間隙,防止小瓷環(huán)4破損,且小瓷環(huán)4的厚度不大于10mm,能有效減少小瓷環(huán)4的受熱裂開,導(dǎo)致絕緣套5受損,小瓷環(huán)4的高度不高于電極的上表面,以防影響發(fā)熱體的安裝。大瓷環(huán)3與小瓷環(huán)4之間均有膨脹余量,有效防止了瓷環(huán)的破損。絕緣瓷6主要起絕緣作用,絕緣套5、絕緣墊7、環(huán)形絕緣瓷8和O形圈9主要起密封作用,將它們組合形成絕緣、密封組件,使得絕緣效果和密封效果良好,且絕緣性能維持時間長,兩個O形圈9為雙重保障,且O形圈9收縮性能較強,能抵抗微小的形變量,在約500N · m的力矩下,能擠壓成較規(guī)則的四方型,填滿電極I與氫化爐底盤2側(cè)壁之間的空隙,從而保證了滿意的密封效果,從而保證了氫化爐長期穩(wěn)定運行。絕緣套5和絕緣墊7為良好的絕緣和密封材料,且緊貼電極I和氫化爐底盤2,能夠迅速將熱量轉(zhuǎn)移,從而長期保持有效的密封和絕緣效果,絕緣套5穿過絕緣瓷6和絕緣墊7結(jié)構(gòu)使絕緣瓷6與電極I之間增加了絕緣層,防止由于四氟套融化導(dǎo)致的電流在絕緣瓷6內(nèi)側(cè)沿電極I體表面的短路,絕緣套5同時起到支撐和骨架的作用,防止絕緣套5受熱形變較大后影響密封性能。盡可能用電極I和絕緣瓷6包覆絕緣套5和絕緣墊7,避免熱輻射從任意角度輻射到絕緣套5和絕緣墊7上,且絕緣套5和絕緣墊7本身厚度小,便于及時導(dǎo)走熱量,防止自身受熱損壞。絕緣套5和絕緣墊7均有受熱膨脹的空間,且避免絕緣墊7緊貼絕緣套5,防止絕緣墊7損壞后進一步損壞絕緣套5,密封水線的設(shè)計進一步保證了密封效果。最后應(yīng)說明的是以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已,并不用于限制本實用新型,盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明,對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改,或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換。凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進等,均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置,用于隔絕電極(I)與氫化爐底盤(2),其特征在于,包括大瓷環(huán)(3)、小瓷環(huán)(4)、絕緣套(5)、絕緣瓷(6)、絕緣墊(7)、環(huán)形絕緣瓷(8)及O形圈(9),所述電極(I)為“T”形圓柱,所述絕緣套(5)為“T”形套,絕緣套(5)套在電極(I)下圓柱外部,絕緣套(5)臺階頂部與電極(I)臺階底部貼合,所述絕緣瓷(6)套于絕緣套(5)外部,絕緣瓷(6)頂部與絕緣套(5)臺階底部貼合,所述絕緣墊(7)套于絕緣套(5)外部,并位于絕緣瓷(6)與氫化爐底盤(2)之間,所述絕緣墊(7)上表面與絕緣瓷(6)下表面貼合,絕緣墊(7 )下表面與氫化爐底盤(2 )上表面貼合,所述環(huán)形絕緣瓷(8 )和所述O形圈(9 )均為兩個,所述環(huán)形絕緣瓷(8)和所述O形圈(9)間隔套于電極(I)柱體外部的下半部,按O形圈(9)、環(huán)形絕緣瓷(8)的順序排列于絕緣套(5)下方,所述小瓷環(huán)(4)及大瓷環(huán)(3)依次套于電極(I)臺階外部,小瓷環(huán)(4)及大瓷環(huán)(3)下表面與氫化爐底盤(2)相貼合。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氫化爐用組合式絕緣密封裝置,其特征在于,所述絕緣套(5)為聚四氟こ烯材質(zhì),所述絕緣套(5)上表面有兩條密封水線。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氫化爐用組合式絕緣密封裝置,其特征在于,所述絕緣墊(7)為聚四氟こ烯墊,所述絕緣墊(7)的下表面有兩條密封水線。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氫化爐用組合式絕緣密封裝置,其特征在于,所述絕緣瓷(6)為環(huán)形,所述絕緣瓷(6)上下表面的外緣處有凸臺。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氫化爐用組合式絕緣密封裝置,其特征在于,所述絕緣套(5)與所述絕緣墊(7 )的外徑均小于所述絕緣瓷(6 )上下表面的凸臺內(nèi)徑,所述絕緣套(5 )及所述絕緣墊(7 )分別嵌于絕緣瓷(6 )上下表面凸臺形成的圏內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氫化爐用組合式絕緣密封裝置,其特征在于,所述小瓷環(huán)(4)的內(nèi)圈與電極(I)凸起之間的距離為;所述小瓷環(huán)(4)的厚度為所述小瓷環(huán)(4)的高度不高于電極(I)的上端面;所述大瓷環(huán)(3)的內(nèi)圈與小瓷環(huán)(4)的外圈之間的距離為0. 5mm-1. 5mm,所述大瓷環(huán)(3)的高度高于小瓷環(huán)(4) 15mm-20mm ;所述O形圈(9)的截面直徑為5mm ;所述O形圈(9)內(nèi)圈與電極(I)柱體之間的距離為0-0. 5mm ;所述絕緣套(5)及所述絕緣墊(7)厚度為3mm。
專利摘要本實用新型公開了一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置,包括大瓷環(huán)、小瓷環(huán)、絕緣套、絕緣瓷、絕緣墊、環(huán)形絕緣瓷及O形圈,小瓷環(huán)外套有大瓷環(huán),絕緣套為T型套,絕緣套外部套有絕緣瓷及絕緣墊,絕緣套邊沿下表面與絕緣瓷的上表面貼合,絕緣墊上表面與絕緣瓷下表面貼合,環(huán)形絕緣瓷和O形圈均為兩個,O形圈與環(huán)形絕緣瓷間隔排列于絕緣套下方,環(huán)形絕緣瓷與所述絕緣套下表面貼合。本實用新型所述氫化爐用組合式絕緣密封裝置,可以克服現(xiàn)有技術(shù)中不耐高溫、絕緣等級低且易損壞等缺陷,以實現(xiàn)耐高溫、延長使用周期、避免電極和底盤間造成短路停爐事故的優(yōu)點。
文檔編號C01B33/107GK202558646SQ20122020299
公開日2012年11月28日 申請日期2012年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月8日
發(fā)明者李長生, 王文, 劉微玲, 馬蕊蕊, 周琴, 其他發(fā)明人請求不公開姓名 申請人:特變電工新疆硅業(yè)有限公司
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