專利名稱：多晶硅尾氣噴淋塔的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于化工行業(yè)的多晶硅生產(chǎn)過程中配套設(shè)備，即多晶硅生產(chǎn)干法尾氣噴淋塔。
背景技術(shù)：
多晶硅工業(yè)生產(chǎn)過程中會產(chǎn)生大量氯硅烷尾氣，其成分和結(jié)構(gòu)復(fù)雜，主要是三氯氫硅、四氯化硅等易水解的物質(zhì)，其水解產(chǎn)物為HC1、Si02、H2等，同時(shí)還放出大量的熱。然而在實(shí)際生產(chǎn)中，往往采用簡單的噴頭噴淋方式來水解三氯氫硅等氣體，由于噴頭噴淋方式會使得噴淋不均勻而容易造成管道堵塞，同時(shí)也由于水與廢氣接觸時(shí)間短，使得水解不完全，造成環(huán)境污染，甚至可能產(chǎn)生爆炸等嚴(yán)重后果。

實(shí)用新型內(nèi)容鑒于上述不足之處，本實(shí)用新型的目的是提供一種多晶硅尾氣噴淋塔，該噴淋塔噴管能產(chǎn)生湍流，使得噴淋均勻且與氯硅烷等尾氣接觸時(shí)間加長，還克服了堵管等情況的發(fā)生。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種多晶硅尾氣噴淋塔，包括塔體，塔體上設(shè)置有進(jìn)氣口、出氣口、出液口，一噴淋管穿過塔體置于噴淋腔中上部，所述噴淋管末端還設(shè)置有葉片式湍流發(fā)生器，所述葉片式湍流發(fā)生器由殼體、內(nèi)芯和葉片組成，所述內(nèi)芯設(shè)置在殼體軸心部，所述葉片寬端連接在殼體內(nèi)周面上，窄端連接在內(nèi)芯外周面上，且均勻排列于殼體內(nèi)周面和內(nèi)芯外周面，所述的葉片與水平面夾角呈30度。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型中，噴淋液經(jīng)噴淋管至葉片式湍流發(fā)生器產(chǎn)生湍流，使得噴淋液噴淋均勻(產(chǎn)生的湍流與進(jìn)氣口的廢氣充分混合)，同時(shí)也加長了水與三氯氫硅等氣體接觸的時(shí)間，使得三氯氫硅等氣體水解更充分，大大提高了工作效率，克服了堵管情況的發(fā)生，降低爆管等危險(xiǎn)事故的發(fā)生。

圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是葉片式湍流發(fā)生器結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是圖2的主視剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是圖2的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是圖2的葉片結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1.塔體；2.進(jìn)氣口 ； 3.出氣口 ； 4.出液口 ； 5.噴淋管；6.噴淋腔； 7.葉片式湍流發(fā)生器；8.殼體；9.內(nèi)芯；10.葉片。
具體實(shí)施方式
下面我們將結(jié)合附圖對本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說明。[0013] 如圖1所示，一種多晶硅尾氣噴淋塔，包括塔體1，塔體1上設(shè)置有進(jìn)氣口 2、出氣口 3以及出液口 4，一噴淋管5穿過塔體1置于噴淋腔6中上部，噴淋管5末端還設(shè)置有葉片式湍流發(fā)生器7 ；結(jié)合圖2、圖3、圖4以及圖5所示，葉片式湍流發(fā)生器7由殼體8、內(nèi)芯 9和葉片10組成，內(nèi)芯9設(shè)置在殼體8軸心部，葉
權(quán)利要求1.一種多晶硅尾氣噴淋塔，包括塔體(1)，塔體(1)上設(shè)置有進(jìn)氣口(2)、出氣口(3)以及出液口(4)，一噴淋管(5)穿過塔體(1)置于噴淋腔(6)中上部，其特征在于所述噴淋管 (5)末端還設(shè)置有葉片式湍流發(fā)生器(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅尾氣噴淋塔，其特征在于所述葉片式湍流發(fā)生器(7) 由殼體(8)、內(nèi)芯(9)和葉片(10)組成，所述內(nèi)芯(9)設(shè)置在殼體(8)軸心部，所述葉片(10) 寬端連接在殼體(8)內(nèi)周面上，窄端連接在內(nèi)芯(9)外周面上，且均勻排列于殼體(8)內(nèi)周面和內(nèi)芯(9)外周面，所述的葉片(10)與水平面夾角呈30度。
專利摘要一種多晶硅尾氣噴淋塔，包括塔體，塔體上設(shè)置有進(jìn)氣口、出氣口、出液口，一噴淋管穿過塔體置于噴淋腔中上部，所述噴淋管末端還設(shè)置有葉片式湍流發(fā)生器，本實(shí)用新型中，噴淋液經(jīng)噴淋管至葉片式湍流發(fā)生器產(chǎn)生湍流，使得噴淋液噴淋均勻(產(chǎn)生的湍流與進(jìn)氣口的廢氣充分混合)，同時(shí)也加長了水與三氯氫硅等氣體接觸的時(shí)間，使得三氯氫硅等氣體水解更充分，大大提高了工作效率，克服了堵管情況的發(fā)生，降低爆管等危險(xiǎn)事故的發(fā)生。
文檔編號C01B33/12GK202191839SQ201120330419
公開日2012年4月18日 申請日期2011年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月5日
發(fā)明者羅明樹, 趙振元 申請人:信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計(jì)研究院科技工程股份有限公司