專利名稱：還原爐矩形硅芯沉積基體的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種還原爐矩形硅芯沉積基體，它屬于多晶硅生產(chǎn)領域。
二背景技術：
傳統(tǒng)的還原爐硅芯沉積基體為兩根長硅芯下端分別插在兩個石墨電極，上端丫口 成弧形，用一短硅芯(通常稱為橋架)放置在兩長硅芯頂端，形成一閉合回路，生產(chǎn)時分別在兩硅芯沉積基體上加載高壓電源，對硅芯進行加熱，硅芯表面溫度達1000°c左右時，氫氣與三氯氫硅反應生成的硅在硅芯表面沉積，使得硅芯逐漸長粗，最終長成直徑180mm左右的成品。對于硅芯沉積基體工藝目前國內(nèi)普遍面臨以下問題1、長硅芯弧形丫口與硅芯橋架的接觸面積小，電阻大，擊穿困難，導致電耗高；同時，擊穿過程中局部溫度過高，易倒爐，致多晶硅生產(chǎn)成本居高不下。2、長硅芯頂端的弧形丫口對硅芯橋架固定效果欠佳，還原爐進料時，氣流大，可能把橋架吹落導致停爐。3、長硅芯與硅芯橋架需要的硅芯生產(chǎn)方法不同，使得生產(chǎn)工藝復雜，致生產(chǎn)成本提尚。
三
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種新型的還原爐矩形硅芯沉積基體，其具有優(yōu)點一、 增大長硅芯與硅芯橋架的接觸面積，降低長硅芯和硅芯橋架的接觸電阻，縮短預熱時間，降低功耗，減少倒爐；二、硅芯橋架兩端的孔固定住兩根長硅芯，保證硅芯橋架的穩(wěn)定性，減少倒爐率；三、長硅芯和硅芯橋架加工容易，降低生產(chǎn)成本。本實用新型的目的是這樣來實現(xiàn)的它包括硅芯橋架、兩根相同的長硅芯，硅芯橋架的兩端加工成側“T”形孔，在長硅芯頂端設有丫口，其丫口是在長硅芯的一端設一矩形開口，硅芯橋架兩端側“T”形孔形成的“一”字形薄壁分別置入兩根長硅芯的丫口內(nèi)。所述的長硅芯的底部可為錐形或為平面形。本實用新型還原爐錐形硅芯沉積基體，其具有以下優(yōu)點其一、長硅芯和硅芯橋架采用同一硅芯制備爐拉制的硅芯，工藝簡單。其二、長硅芯與硅芯橋架的接口完全接觸，使得接觸電阻降低，縮短擊穿時間，降低能耗。其三、硅芯橋架兩端各有一卡瓣，保證了進料時硅芯橋架的穩(wěn)定性，大大降低了還原爐的倒爐率。其四、長硅芯下端可以按照生產(chǎn)實際靈活選擇，在有相配合的石墨底座的前提下， 為減少擊穿時間可以采用錐形底面，為減少加工時間，操作簡單，可選用下端磨成平面的長娃芯。其五、整套硅芯結構簡單，生產(chǎn)方便，安裝容易。四
圖1為本實用新型長硅芯底部為平面形的組裝圖。圖2為本實用新型長硅芯底部為平面形的分解圖。圖3為本實用新型長硅芯底部為錐形的組裝圖。圖4為本實用新型長硅芯底部為錐形的組裝圖。其中1――硅芯橋架，2――側 “T” 形孔，3―― 丫口，4底部為錐形的兩根長硅芯5底部為平面形的兩根長硅芯，
五具體實施方式
以下結合附圖，來對本實用新型作進一步的詳細描述參照附圖，本實用新型還原爐錐形硅芯沉積基體，它包括硅芯橋架1、兩根相同的長硅芯4，硅芯橋架1的兩端加工成側“T”形孔2，在長硅芯4頂端設有丫口 3，其丫口 3 是在長硅芯的一端設一矩形開口，硅芯橋架1兩端側“T”形孔2形成的“一”字形薄壁分別置入兩根長硅芯的丫口 3內(nèi)；所述的長硅芯4的底部可為錐形或為平面形。長硅芯主要功能是提供大面積的沉積基體，頂端為硅芯橋架提供搭接的丫口位置，硅芯橋架把兩根長硅芯連接成一閉合回路，加載到長硅芯底端的電流把整套硅芯沉積基體加熱到合適的反應溫度，硅芯橋架兩端的卡瓣卡在長硅芯的兩端，使得整套硅芯沉積基體結構穩(wěn)定，實際生產(chǎn)中，倒爐率接近于零。
權利要求1.一種還原爐矩形硅芯沉積基體，它包括硅芯橋架(1)、兩根相同的長硅芯(4)，其特征在于硅芯橋架(1)的兩端加工成側“T”形孔(2)，在長硅芯(4)頂端設有丫口(3)，其丫口(3)是在長硅芯的一端設一矩形開口，硅芯橋架(1)兩端側“T”形孔(2)形成的“一”字形薄壁分別置入兩根長硅芯的丫口(3)內(nèi)。
2.如權利要求1所述的還原爐矩形硅芯沉積基體，其特征在于所述的長硅芯(4)的底部可為錐形或為平面形。
專利摘要本實用新型涉及一種還原爐矩形硅芯沉積基體，它包括硅芯橋架、兩根相同的長硅芯，硅芯橋架的兩端加工成側“T”形孔，在長硅芯頂端設有丫口，其丫口是在長硅芯的一端設一矩形開口，硅芯橋架兩端側“T”形孔形成的“一”字形薄壁分別置入兩根長硅芯的丫口內(nèi)。硅芯橋架把兩根長硅芯連接成一閉合回路，加載到長硅芯兩端的電流把整套硅芯沉積基體加熱到合適的反應溫度，整套硅芯沉積基體結構穩(wěn)定。1.降低長硅芯和硅芯橋架的接觸電阻，縮短預熱時間，降低功耗，減少倒爐；2.硅芯橋架兩端增加卡扣，保證硅芯橋架的穩(wěn)定性，減少倒爐率；3.長硅芯和硅芯橋架采用區(qū)熔法拉制或切割成的硅芯，使得生產(chǎn)容易，降低生產(chǎn)成本；4.長硅芯底部可以做成平面也可以磨成錐面，按照生產(chǎn)的需要可以優(yōu)化變動。
文檔編號C01B33/03GK202297149SQ20112032670
公開日2012年7月4日 申請日期2011年8月24日 優(yōu)先權日2011年8月24日
發(fā)明者劉建中, 劉松林, 劉毅, 葉軍, 張玉泉, 李偉, 李波, 翁博豐 申請人:陜西天宏硅材料有限責任公司