專利名稱：：制備含雜原子的硅酸鹽的方法制備含雜原子的硅酸鹽的方法本發(fā)明涉及一種制備硅酸鹽的方法，所述硅酸鹽具有RUB-39或RR0(RUB-41)沸石結(jié)構(gòu)并在硅酸鹽晶格中含有至少Ga和/或Zn作為雜原子。本發(fā)明還涉及Si-RUB-39結(jié)構(gòu)的硅酸鹽作為結(jié)晶助劑用于含雜原子的硅酸鹽的水熱合成中的優(yōu)選用途。本發(fā)明還涉及通過(guò)本發(fā)明方法制得的硅酸鹽，涉及這些硅酸鹽本身以及這些硅酸鹽的用途。在化學(xué)生產(chǎn)或提純工藝中，通常遇到的任務(wù)是從物質(zhì)混合物除去至少一種物質(zhì)，或一般是分離這些物質(zhì)混合物。原則上，這種分離可以通過(guò)蒸餾工藝實(shí)現(xiàn)。但是，特別在沸點(diǎn)非常接近的混合物的情況下，這些蒸餾工藝僅僅能在使用助劑的情況(如果有的話)下才能以經(jīng)濟(jì)可行的方式進(jìn)行。分離沸點(diǎn)接近的混合物的例子是分離烷烴或烯烴，例如分離異構(gòu)的烷烴或烯烴。另一個(gè)在化學(xué)生產(chǎn)工藝中經(jīng)常遇到的任務(wù)，不論是實(shí)驗(yàn)室規(guī)模、中試規(guī)?；蚬I(yè)規(guī)模，是提供適用于具體反應(yīng)的催化劑。WO2005/100242Al描述了微孔架狀硅酸鹽及其制備方法。這涉及將來(lái)自在不添加任何結(jié)晶助劑的情況下結(jié)晶的架狀硅酸鹽的前體的反應(yīng)物混合，隨后進(jìn)行水熱處理。這導(dǎo)致在特定應(yīng)用領(lǐng)域中的結(jié)晶時(shí)間過(guò)長(zhǎng)。WO2005/100242A1所述的架狀硅酸鹽也在Y.X.Wang等，Chem.Mater.17，2005，第43-49頁(yè)有描述，在其中描述的合成方法也是在不使用結(jié)晶助劑的情況下進(jìn)行的，公開了結(jié)晶時(shí)間是15-45天。所以，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供新化合物，它們能用作分子篩、吸附劑和/或催化劑。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供制備這些化合物的方法。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供新型硅酸鹽，特別是沸石，它們首先可以有利地用于上述預(yù)期用途，而且還可以用于其它合理目的或其它領(lǐng)域中。因此，本發(fā)明涉及一種制備含有至少硅、氧和至少一種選自Ga和Zn中的雜原子的硅酸鹽的方法，該方法包括(1)從至少一種二氧化硅源物質(zhì)、至少一種含有&121314^的四烷基銨化合物、至少一種堿、至少一種結(jié)晶助劑和至少一種選自Ga源物質(zhì)和Zn源物質(zhì)中的雜原子源物質(zhì)制備膠態(tài)水溶液，其中&和R2各自是甲基，R3和R4都是正丙基；(2)通過(guò)將從(1)獲得的膠態(tài)水溶液加熱到在從大于膠態(tài)水溶液在所選擇壓力下的沸點(diǎn)到標(biāo)準(zhǔn)壓力下180°C的范圍內(nèi)的溫度進(jìn)行水熱結(jié)晶，得到含有至少一種含硅、氧和至少一種選自Ga和Zn中的雜原子的硅酸鹽的懸浮液，其中在(1)中使用的結(jié)晶助劑是具有在(2)中獲得的硅酸鹽結(jié)構(gòu)的硅酸鹽。在(1)中制備膠態(tài)水溶液中的溫度優(yōu)選是10-4(TC，更優(yōu)選15-35t:，特別優(yōu)選20-30。C，再更優(yōu)選是室溫。四烷基銨化合物/堿除了至少一種含有&121314^的四烷基銨化合物之外，根據(jù)本發(fā)明還可以使用與此化合物不同的堿。這些堿例如包括氫氧化銨NH40H、堿金屬氫氧化物或堿土金屬氫氧化物，例如氫氧化鈉或氫氧化鉀，或兩種或多種這些化合物的混合物。在這種情況下，含有至少一個(gè)iyyy^N+的四烷基銨化合物具有一個(gè)或多個(gè)合適的陰離子，例如鹵陰離子，例如氟離子或氯離子或溴離子或碘離子。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，含有至少一個(gè)iyyy^N+的四烷基銨化合物還含有在(i)中使用的堿作為陰離子。在這方面，堿性陰離子包括氫氧根離子或鋁酸根。特別優(yōu)選的堿性陰離子是氫氧根離子。因此，本發(fā)明還涉及上述方法，其中至少一種含有&121314^的四烷基銨化合物含有堿性陰離子，優(yōu)選氫氧根離子。所以，本發(fā)明還涉及上述方法，其中在(1)中使用的水溶液含有二甲基二正丙基氫氧化銨(DMDPAH)。DMDPAH可以通過(guò)任何合理的方法制備。一種制備方法是例如通過(guò)膜的電化學(xué)滲析進(jìn)行。在本發(fā)明方法的一個(gè)實(shí)施方案中，DMDPAH是通過(guò)二丙基胺和甲基碘反應(yīng)、隨后進(jìn)行陰離子交換獲得的。在另一個(gè)實(shí)施方案中，二丙基胺和甲基碘彼此在合適的溶劑或溶劑混合物中反應(yīng)，優(yōu)選在乙醇中反應(yīng)。進(jìn)行此反應(yīng)的溫度優(yōu)選是20-75°C，更優(yōu)選30-60°C，特別優(yōu)選40-5(TC。在本發(fā)明方法的另一個(gè)實(shí)施方案中，DMDPAH可以通過(guò)二丙基胺和丙基碘在合適溶劑、例如并優(yōu)選乙醇中、在合適的溫度例如并優(yōu)選40-5(TC下反應(yīng)獲得。本發(fā)明的陰離子交換優(yōu)選在相應(yīng)的氫氧化銨被除去之后進(jìn)行，例如通過(guò)過(guò)濾、離心或其它固液分離方法，例如并優(yōu)選通過(guò)過(guò)濾進(jìn)行，并洗滌，例如和優(yōu)選用合適的醇洗滌，醇例如是乙醇，經(jīng)由合適的離子交換樹脂，例如Amberlyst樹脂或者AG1-X8型樹脂(BioRad)。也可以使用Ag20進(jìn)行離子交換。工業(yè)可得的DMDPAH也可以用于本發(fā)明方法中，例如來(lái)自Sachem的DMDPAH水溶液。DMDPAH優(yōu)選在(1)中作為溶液使用，特別優(yōu)選作為水溶液使用，其中水溶液中DMDPAH的濃度是例如10-20重量％，優(yōu)選15-20重量％。二氧化硅四烷基銨化合物水二氧化硅和/或從前體化合物在隨后獲得的硅酸鹽中在(2)中進(jìn)行水熱合成制得的二氧化硅、四烷基銨化合物(特別是四烷基氫氧化銨化合物和尤其是匿DPAH)和水之間的摩爾比可以基本上任意地調(diào)節(jié)，前提是確保在(2)中通過(guò)結(jié)晶獲得至少一種硅酸鹽。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，選擇二氧化硅和/或來(lái)自前體的二氧化硅、四烷基氫氧化銨化合物和水的用量，使得在(1)中獲得的膠態(tài)溶液含有重量比為l:(0.4-10):(4-12)的二氧化硅、四烷基氫氧化銨化合物和水。此外，關(guān)于上述范圍，最高15的水含量是可能的，其中例如水含量3可以作為下限。因此，在(1)中獲得的膠態(tài)溶液可以含有重量比為i:(o.4-io):(3-15)的二氧化硅、四烷基氫氧化銨化合物和水。此外，根據(jù)本發(fā)明，水含量可以在4-15的范圍內(nèi)，或是5-15，或6-15，或7-15，或8-15，或9-15，或10-15，或11-15，或12-15，或13-15，或14-15，或3-14，或3-13，或3-12，或3-11，或3-10，或3-9，或3-8，或3-7，或3-6，或3-5，或3-4。其它優(yōu)選的范圍是例如4-14.5，或5_14，或6-13.5，或7-13，或7.5-12.5。根據(jù)本發(fā)明，四烷基氫氧化銨化合物的含量可以是例如0.5-9，或0.6_8，或0.7-7，或0.8-6，或0.9-5，或1.0-4，或1.1-3，或1.2-2。在本發(fā)明的特別優(yōu)選的實(shí)施方案中，在(1)中獲得的膠態(tài)溶液含有重量比Si02:DMDPAH:水為1:(0.4-10):(4-12)的Si02、DMDPAH禾P水，更優(yōu)選1:(0.5-8):(4-12)，更優(yōu)選1:(0.6-6):(4-i2)，更優(yōu)選i:(0.8-4):(4-i2)，更優(yōu)選i:(l-2):(4-i2)，更優(yōu)選i:(i.i-i.s):(4-12)，其中在每種情況下的水含量更優(yōu)選在(5-12)的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在(6-12)的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在(7-12)的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在(8-12)的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在(9-12)的范圍內(nèi)，和更優(yōu)選在(10-12)的范圍內(nèi)。因此，在(1)中獲得的并要在(2)中加熱的膠態(tài)溶液含有重量比Si(^:DMDPAH:水更優(yōu)選為1:(1-2):(10-12)的Si02、DMDPAH和水。二氧化硅源物質(zhì)在本發(fā)明中，原則上，在(1)中使用的二氧化硅源物質(zhì)可以是任何合適的化合物，尤其是任何合適的含有二氧化硅的化合物或能形成二氧化硅的化合物(二氧化硅前體)。在這方面，可以提到膠態(tài)二氧化硅、合適的有機(jī)硅樹脂、"濕法二氧化硅"和"干法二氧化硅"。在這些情況下，二氧化硅最優(yōu)選是無(wú)定形的二氧化硅，其中二氧化硅粒子的尺寸是例如5-100nm，二氧化硅粒子的表面積是50-500m7g。可商購(gòu)的膠態(tài)二氧化硅的商品名包括Ludox⑧、Syton、Nalco⑧或Snowtex⑧?？缮藤?gòu)的"濕法"二氧化硅包括Hi-Sil、UltrasiI、Vulcasil、Santocei、Valron-EstersiI、Tokusil或Nipsil⑧?？缮藤?gòu)的"干法"二氧化硅包括Aerosil、Reolosil、Cab-0-Sil、Fransil⑧或ArcSilica⑧。前體化合物的一個(gè)例子是原硅酸四烷氧基酯。在本發(fā)明中，優(yōu)選使用無(wú)定形二氧化硅作為二氧化硅源物質(zhì)。因此，本發(fā)明還涉及上述方法，其中在(l)中使用的二氧化硅源物質(zhì)是無(wú)定形二氧化硅。原則上，可以使用任何合適的無(wú)定形二氧化硅。優(yōu)選使用的是具有10-400m2/g的比表面積(BET，Brunauer-Emmet-Teller，根據(jù)DIN66131由氮吸附法在77K檢測(cè))的無(wú)定形二氧化硅，優(yōu)選10-100m7g，特別優(yōu)選10-50m7g。其它優(yōu)選的范圍是50-100m7g或100-300m2/g或300-400m2/g。雜原子源物質(zhì)當(dāng)在一個(gè)實(shí)施方案中在(1)中使用鎵源物質(zhì)作為雜原子源物質(zhì)并由此在本發(fā)明制備硅酸鹽的過(guò)程中將鎵作為雜原子引入硅酸鹽晶格中時(shí)，一般可以使用這樣的鎵源物質(zhì)其由于它們?cè)?1)中在膠態(tài)溶液中的化學(xué)性質(zhì)，當(dāng)在(2)中的水熱結(jié)晶過(guò)程中加熱時(shí)，能將Ga引入硅酸鹽晶格中。原則上，根據(jù)本發(fā)明，可以在(1)中使用兩種或更多種合適的鎵源物質(zhì)。在本發(fā)明中特別優(yōu)選的是使用硝酸鎵作為鎵源物質(zhì)。當(dāng)在一個(gè)實(shí)施方案中在(1)中使用鋅源物質(zhì)作為雜原子源物質(zhì)并由此在本發(fā)明制備硅酸鹽的過(guò)程中將鋅作為雜原子引入硅酸鹽晶格中時(shí)，一般可以使用這樣的鋅源物質(zhì)其由于它們?cè)?1)中在膠態(tài)溶液中的化學(xué)性質(zhì)，當(dāng)在(2)中的水熱結(jié)晶過(guò)程中加熱時(shí)，能將Zn引入硅酸鹽晶格中。原則上，根據(jù)本發(fā)明，可以在(1)中使用兩種或更多種合適的鋅源物質(zhì)。在本發(fā)明中特別優(yōu)選的是使用硝酸鋅作為鋅源物質(zhì)。原則上，本發(fā)明還包括這樣的實(shí)施方案，其中制備在硅酸鹽晶格中同時(shí)具有鎵和鋅的硅酸鹽。在這種情況下，可以在(1)中同時(shí)使用至少一種合適的鎵源物質(zhì)和至少一種合適的鋅源物質(zhì)，特別優(yōu)選使用硝酸鎵和硝酸鋅。所以，本發(fā)明還涉及上述方法，其中所用的雜原子源物質(zhì)是硝酸鎵和/或硝酸鋅。結(jié)晶助劑所用的結(jié)晶助劑可以原則上是根據(jù)本發(fā)明從(2)獲得的具有優(yōu)選RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽，其在硅酸鹽晶格中含有Ga或Zn或者含有Ga和Zn;或根據(jù)本發(fā)明如下所述獲得的具有優(yōu)選RR0結(jié)構(gòu)的架狀硅酸鹽，其在硅酸鹽晶格中含有Ga或Zn或者含有Ga和Zn;或所述層狀硅酸鹽和架狀硅酸鹽的混合物。也可以使用具有與從(2)獲得的層狀硅酸鹽對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)、但不含雜原子或含有與Ga和/或Zn不同的雜原子的層狀硅酸鹽作為在(1)中的結(jié)晶助劑。此外，可以使用具有與如下所述根據(jù)本發(fā)明獲得的架狀硅酸鹽不同的結(jié)構(gòu)、但不含雜原子或含有與Ga和/或Zn不同的雜原子的架狀硅酸鹽作為在(1)中的結(jié)晶助劑。也可以使用至少一種這些層狀硅酸鹽和至少一種這些架狀硅酸鹽的合適混合物。優(yōu)選，在本發(fā)明中，在(1)中使用的結(jié)晶助劑是具有RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽，其不含雜原子；或含有Ga和/或Zn作為雜原子；或含有與Ga和/或Zn不同的雜原子作為雜原子，例如Al、B、Fe、Ti、Sn、Ge、Zr、V或Nb;或含有Ga和/或Zn作為雜原子并另外含有至少一種其它雜原子，例如Al、B、Fe、Ti、Sn、Ge、Zr、V或Nb。在本發(fā)明中，特別優(yōu)選使用具有RUB-39結(jié)構(gòu)且不含雜原子的層狀硅酸鹽作為在(1)中的結(jié)晶助劑。這種具有RUB-39結(jié)構(gòu)且不含雜原子的層狀硅酸鹽在本發(fā)明中稱為Si-RUB-39。所以，本發(fā)明還涉及上述方法，其中在(1)中使用的結(jié)晶助劑是具有Si-RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽。特別與其中沒有加入具有Si-RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽作為結(jié)晶助劑且結(jié)晶時(shí)間通常為約15-45天的方法(參見WO2005/100242Al或在Wang的文章)相比，可以驚奇地通過(guò)本發(fā)明的制備含Ga和/或Zn的硅酸鹽的方法實(shí)現(xiàn)將水熱結(jié)晶時(shí)間顯著縮短到小于15天，甚至小于IO天，例如7-9天。因此，本發(fā)明還涉及具有Si-RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽作為結(jié)晶助劑用于縮短在制備具有Si-RUB-39結(jié)構(gòu)且含Ga和/或Zn的硅酸鹽中的水熱合成的結(jié)晶時(shí)間的用途，優(yōu)選將水熱合成的結(jié)晶時(shí)間縮短到小于10天，特別是7-9天。關(guān)于結(jié)晶助劑的用量，原則上沒有任何限制，只要能確保本發(fā)明制備硅酸鹽和尤其是縮短水熱合成的結(jié)晶時(shí)間的優(yōu)勢(shì)即可。例如和優(yōu)選的是，在(1)中用做結(jié)晶助劑的硅酸鹽的添加量是最多5重量％，更優(yōu)選0.001-5重量％，更優(yōu)選0.005-1重量％，更優(yōu)選0.005-0.1重量％，尤其優(yōu)選0.01-0.05重量％，基于二氧化硅和/或在二氧化硅前體中存在的二氧化硅計(jì)。所以，本發(fā)明還涉及上述方法，其中基于二氧化硅和/或在二氧化硅前體中存在的二氧化硅計(jì)，在(1)中加入0.001-5重量％、更優(yōu)選0.01-0.05重量％的結(jié)晶助劑。制備具有Si-RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽原則上，關(guān)于具有Si-RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽的制備方法，不存在任何限制。例如和優(yōu)選的是，Si-RUB-39可以如Wang等，Chem.Mater.17，2005，第43-49頁(yè)所述制備。更具體地說(shuō)，在這方面，可以參見此文章的第44頁(yè)，其中在右欄以標(biāo)題"實(shí)驗(yàn)"中的"合成"小標(biāo)題的前兩段中描述了制備"合成的RUB-39"，其對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的Si-RUB-39。關(guān)于根據(jù)Wang等的文章制備的Si-RUB-39的特征，可以尤其參見此文章的圖1_4和相應(yīng)的段落。作為也優(yōu)選的制備方式，可以參見在本文引用的W02005/100242A1中的方法，尤其是其中的實(shí)施例l和2。在(1)中獲得的膠態(tài)水溶液7在本發(fā)明方法的步驟(1)中獲得的溶液在(2)中進(jìn)行加熱并進(jìn)行水熱結(jié)晶，可以原則上具有任何組成，前提是能確保在(2)中獲得在硅酸鹽晶格中具有Ga和/或Zn的本發(fā)明硅酸鹽。上面已經(jīng)描述了根據(jù)本發(fā)明在二氧化硅四烷基銨化合物水的重量比方面優(yōu)選的組成。在根據(jù)本發(fā)明在(2)中制備含有鎵作為雜原子的硅酸鹽、尤其是Ga-RUB-39的情況下，在(1)中獲得的溶液在(2)中加熱之前含有硅(按Si02計(jì)算)、鎵(按Ga203計(jì)算)、作為四烷基銨化合物的DMDPAH、水和結(jié)晶助劑的重量比Si02:Ga203:DMDPAH:水結(jié)晶助劑優(yōu)選在i:(o.ooi-o.05):(o.4-io):(4-12):(o.001-5)的范圍內(nèi)，此重量比更優(yōu)選在i:(0.002-0.04):(0.6-5):(6-12):(o.002-1)的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在1:(o.003-0.03):(0.8-3):(8-12):(0.005-0.1)的范圍內(nèi)，尤其優(yōu)選在i:(o.005-0.02):(1-2):(10-12):(o.oi-o.05)的范圍內(nèi)。在根據(jù)本發(fā)明在(2)中制備含有鋅作為雜原子的硅酸鹽、尤其是Zn-RUB-39的情況下，在(1)中獲得的溶液在(2)中加熱之前含有硅(按Si02計(jì)算)、鋅(按Zn203計(jì)算)、作為四烷基銨化合物的DMDPAH、水和結(jié)晶助劑的重量比Si02:Zn203:DMDPAH:水結(jié)晶助劑優(yōu)選在i:(o.ooi-o.05):(0.4-10):(4-12):(o.001-5)的范圍內(nèi)，此重量比更優(yōu)選在i:(0.002-0.05):(0.6-5):(6-12):(o.002-1)的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在1:(o.005-0.05):(0.8-3):(8-12):(0.005-0.1)的范圍內(nèi)，尤其優(yōu)選在i:(o.oi-o.os):(1-2):(10-12):(o.oi-o.05)的范圍內(nèi)。如果必要的話，任選地可以將在(1)中獲得的含有二氧化硅源物質(zhì)、雜原子源物質(zhì)、四烷基銨化合物、堿和結(jié)晶助劑的溶液合適地在步驟(2)之前濃縮，從而具有上述組成。在本文中，濃縮可以一般可以通過(guò)所有合適的方法實(shí)現(xiàn)，例如通過(guò)施加合適的減壓或通過(guò)加熱到特別合適的溫度，或者通過(guò)這些方法的組合進(jìn)行。對(duì)于本發(fā)明的濃縮，優(yōu)選將在(1)中獲得的混合物優(yōu)選在環(huán)境壓力下加熱到合適的溫度，在此溫度下除去所需比例的在混合物中存在的水，從而達(dá)到上述組成。用于濃縮的至少一種合適的裝置可以包括旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器或烘箱。特別優(yōu)選烘箱。在這方面，優(yōu)選包括能允許在減壓和進(jìn)而在低溫下除水的那些裝置，例如在減壓下操作的旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器。在(1)中獲得的混合物可以優(yōu)選被加熱到50-9(TC的溫度，更優(yōu)選55-85°C，更優(yōu)選60-80°C，尤其優(yōu)選65-75°C，并保持在合適選擇的溫度下直到已除去所需量的水。在本發(fā)明方法的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，將混合物從優(yōu)選室溫加熱到為濃縮所選擇的溫度，加熱速率在o.i-i2°c/h的范圍內(nèi)，更優(yōu)選i-irc/h，尤其優(yōu)選5-10°C/h。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，在晶格中具有Ga和/或Zn的本發(fā)明硅酸鹽可以具有至少一種其它雜原子。例子包括鋁、硼、鐵、錫、鍺、鋯、釩或鈮。當(dāng)例如引入鋁時(shí)，在(1)中制得的溶液可以另外含有鋁源物質(zhì)，例如金屬鋁，例如鋁粉末，或合適的鋁酸鹽，例如堿金屬鋁酸鹽，和/或鋁醇鹽，例如三丙醇鋁。在引入鋁的情況下，一種優(yōu)選的鋁源物質(zhì)是鋁酸鈉。當(dāng)例如引入硼時(shí)，在(1)中制得的溶液可以另外含有硼源物質(zhì)，例如游離硼酸和/或硼酸鹽和/或硼酸酯，例如硼酸三乙酯或硼酸三甲酯。在引入硼的情況下，優(yōu)選例如硼酸作為硼源物質(zhì)。當(dāng)例如引入錫時(shí)，在(1)中制得的溶液可以另外含有錫源物質(zhì)，例如氯化錫和/或有機(jī)金屬錫化合物，例如醇鹽或螯合物，例如乙酰丙酮化錫。當(dāng)例如引入鋯時(shí)，在(1)中制得的溶液可以另外含有鋯源物質(zhì)，例如氯化鋯和/或鋯醇鹽。當(dāng)例如引入釩、鍺或鈮時(shí)，在(1)中制得的溶液可以另外含有釩、鍺或鈮源物質(zhì)，例如氯化釩或氯化鍺或氯化鈮。因此，本發(fā)明還涉及上述方法和通過(guò)此方法獲得的硅酸鹽，其中在(1)中額外使用的其它雜原子源物質(zhì)是選自鋁源物質(zhì)、硼源物質(zhì)、鐵源物質(zhì)、鈦源物質(zhì)、錫源物質(zhì)、鍺源物質(zhì)、鋯源物質(zhì)、釩源物質(zhì)、鈮源物質(zhì)以及兩種或多種這些雜原子源物質(zhì)的混合物。根據(jù)被引入本發(fā)明硅酸鹽的晶格中的原子的類型，可以產(chǎn)生帶負(fù)電的骨架，其能例如用陽(yáng)離子負(fù)載硅酸鹽。應(yīng)當(dāng)提到的陽(yáng)離子包括模板化合物的銨離子R^R^N+，鉑陽(yáng)離子，鈀陽(yáng)離子，銠陽(yáng)離子或釕陽(yáng)離子，金陽(yáng)離子，堿金屬陽(yáng)離子，例如鈉或鉀離子，或堿土金屬陽(yáng)離子，例如鎂或鈣離子。在這方面，應(yīng)當(dāng)也提到例如鉬、鎢、錸或銀。例如，首先根據(jù)本發(fā)明制備的RUB-39結(jié)構(gòu)的硅酸鹽和/或下述制備的RR0結(jié)構(gòu)(RUB-41)的硅酸鹽是可負(fù)載的。絲g聚(2)巾白勺爐g^根據(jù)本發(fā)明，在(1)中獲得的混合物在任選地濃縮之后在(2)中進(jìn)行水熱結(jié)晶。這得到了硅酸鹽，尤其是Ga-RUB-39或Zn_RUB_39或Ga/Zn-RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽，其在硅酸鹽晶格中含有Ga和/或Zn作為雜原子，并且是以懸浮在母液中的初級(jí)晶體的形式獲得的。原則上，可以在(2)中將從(1)獲得的溶液在任何合適的壓力和任何合適的溫度下加熱，前提是確保硅酸鹽、尤其是RUB-39結(jié)構(gòu)的硅酸鹽在膠態(tài)溶液中結(jié)晶。在這里，溫度優(yōu)選高于在(1)中獲得的混合物在所選擇壓力下的沸點(diǎn)。在標(biāo)準(zhǔn)壓力下最高18(TC的溫度是更優(yōu)選的。在本發(fā)明方法的特別優(yōu)選的實(shí)施方案中，在(2)中的結(jié)晶是在高壓釜中進(jìn)行的。在本文中使用的術(shù)語(yǔ)"標(biāo)準(zhǔn)壓力"表示理想狀態(tài)的101325Pa的壓力，但是可以在本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的限度內(nèi)變化。例如，壓力可以是95000-106000Pa，或96000-105000Pa，或97000-104000Pa，或98000-103000Pa，或99000-102000Pa。在(2)中在高壓釜中的溫度優(yōu)選是100-180°C，更優(yōu)選110-175°C，更優(yōu)選120-170。C，更優(yōu)選130-165。C，特別優(yōu)選140_160°C。在(2)中將由(1)獲得的膠態(tài)溶液加熱達(dá)到的溫度可以原則上保持直到結(jié)晶達(dá)到所需的程度。在這里，時(shí)間優(yōu)選是最高360小時(shí)，更優(yōu)選最高300小時(shí)，更優(yōu)選最高240小時(shí)，更優(yōu)選12-240小時(shí)，更優(yōu)選24-240小時(shí)，更優(yōu)選120-240小時(shí)，更優(yōu)選144-240小時(shí)，更優(yōu)選168-216小時(shí)。尤其優(yōu)選的是，例如，水熱結(jié)晶在140-16(TC的溫度下進(jìn)行168-216小時(shí)的時(shí)間。對(duì)于在(2)中的結(jié)晶，溶液優(yōu)選合適地進(jìn)行攪拌。也可以合適地將進(jìn)行結(jié)晶的反應(yīng)容器旋轉(zhuǎn)。與其中沒有添加RUB-39結(jié)構(gòu)的硅酸鹽作為結(jié)晶助劑且結(jié)晶時(shí)間一般為約15_45天的方法相比，本發(fā)明的其中獲得含有Ga和/或Zn的新硅酸鹽的方法可以達(dá)到結(jié)晶時(shí)間顯著降低到小于15天，甚至降低到小于10天，例如結(jié)晶時(shí)間是7-9天。因此，本發(fā)明還涉及上述方法，其中從(1)獲得的溶液在(2)中水熱結(jié)晶7-9天的時(shí)間。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，在(2)中的結(jié)晶可以通過(guò)合適的驟冷來(lái)終止。在這方面，特別優(yōu)選將懸浮液與具有適于終止結(jié)晶的溫度的水混合。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，至少一種硅酸鹽按照合適的方式在至少一個(gè)步驟中從由(2)獲得的懸浮液中除去。這種除去可以例如通過(guò)過(guò)濾、超濾、透析或離心方法進(jìn)行，或例如通過(guò)噴霧干燥和噴霧造粒方法進(jìn)行。優(yōu)選通過(guò)噴霧干燥或過(guò)濾進(jìn)行除去。由(2)獲得的懸浮液本身或通過(guò)濃縮由(2)獲得的懸浮液得到的懸浮液可以進(jìn)行除去操作，例如通過(guò)噴霧方法除去。濃縮可以例如通過(guò)蒸發(fā)濃縮進(jìn)行，例如在減壓下蒸發(fā)濃縮，或通過(guò)交叉流過(guò)濾進(jìn)行。同樣，由(2)獲得的懸浮液可以通過(guò)將此懸浮液分離成兩個(gè)級(jí)分來(lái)濃縮，其中在一個(gè)或兩個(gè)級(jí)分中所含的固體通過(guò)過(guò)濾、超濾、透析或離心方法分離出來(lái)，并在任選的洗滌步驟和/或干燥步驟之后懸浮在懸浮液的其它級(jí)分中。噴霧后的材料是通過(guò)除去和噴霧干燥和噴霧造粒干燥獲得的，例如流化床噴霧造粒干燥作為分離和干燥方法，這些材料可以含有實(shí)心和/或中空的球，或可以分別基本由這些球構(gòu)成，它們例如可以具有5-500微米或5-300微米的直徑。單組分或多組分噴嘴可以在噴霧期間用作噴霧噴嘴。也可以使用旋轉(zhuǎn)霧化器?？赡艿妮d體氣體的入口溫度是例如200-600°C，優(yōu)選225-550°C，更優(yōu)選300-500°C。載體氣體的出口溫度是例如50-200°C。載體氣體的例子包括空氣、貧空氣或氧含量最多為10體積％、優(yōu)選最多5體積％、更優(yōu)選小于5體積％、例如最多2體積％的氧-氮混合物。噴霧方法可以以逆流或順流方式進(jìn)行。因此，本發(fā)明還涉及上述方法，其中另外包括(3)從由(2)獲得的懸浮液除去至少一種含有硅、氧和至少一種雜原子的硅酸鹽。在本發(fā)明方法的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，如上所述除去的至少一種硅酸鹽進(jìn)行洗滌和/或干燥。因此，本發(fā)明還涉及上述方法，其中另外包括(4)洗滌由(3)獲得的硅酸鹽，和/或(5)干燥由(3)獲得的硅酸鹽。除去操作之后可以是至少一個(gè)洗滌步驟和/或至少一個(gè)干燥步驟，其中可以使用相同或不同的洗滌劑或在至少兩個(gè)洗滌步驟的情況下使用洗滌劑的混合物，并且可以在至少兩個(gè)干燥步驟的情況下使用相同或不同的干燥溫度。干燥溫度優(yōu)選是從室溫到150°C的范圍，更優(yōu)選60-140°C，更優(yōu)選80-130°C，更優(yōu)選100-120°C。干燥時(shí)間優(yōu)選是6-48小時(shí)，更優(yōu)選12-36小時(shí)。因此，本發(fā)明還涉及上述方法，其中硅酸鹽在(4)中用水洗滌，和/或在(5)中在從室溫到15(TC范圍內(nèi)的溫度下干燥。使用的洗滌組合物可以例如是水，醇，例如甲醇、乙醇或丙醇，或兩種或多種的混合物?；旌衔锏睦影▋煞N或多種醇的混合物，例如甲醇和乙醇的混合物，或甲醇和丙醇的混合物，或乙醇和丙醇的混合物，或甲醇、乙醇和丙醇的混合物，或者水和至少一種醇的混合物，例如水和甲醇的混合物，或水和乙醇的混合物，或水和丙醇的混合物，或水和甲醇和乙醇的混合物，或水和甲醇和丙醇的混合物，或水和乙醇和丙醇的混合物，或水和甲醇和乙醇和丙醇的混合物。水或者水和至少一種醇的混合物是優(yōu)選的，優(yōu)選水和乙醇的混合物，其中非常特別優(yōu)選水作為唯一的洗滌劑。在本發(fā)明方法的一個(gè)實(shí)施方案中，由在(3)中除去至少一種硅酸鹽的操作獲得的并且含有任何未轉(zhuǎn)化反應(yīng)物的母液可以循環(huán)到此工藝的步驟(1)中。例如通過(guò)噴霧干燥方法或噴霧造粒方法進(jìn)行的上述除去操作的優(yōu)點(diǎn)是從由(2)獲得的懸浮液除去硅酸鹽和干燥硅酸鹽可以在單個(gè)步驟中進(jìn)行。因此，本發(fā)明還涉及上述方法，其中另外包括(3)從由(2)獲得的懸浮液除去至少一種含有硅、氧和至少一種雜原子的硅酸鹽，(4)任選地洗滌在(3)中除去的硅酸鹽，優(yōu)選用水洗滌，(5)干燥在(3)或(4)中獲得的硅酸鹽，優(yōu)選在從室溫到15(TC范圍內(nèi)的溫度下干燥。具有RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽在本發(fā)明方法中獲得了硅酸鹽，特別是具有RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽。尤其在本發(fā)明中獲得的含有Ga和/或Zn的具有RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽的特征在于在通過(guò)CuKa1輻射檢測(cè)的X射線衍射圖案中至少出現(xiàn)以下反射<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>其中100X涉及在X-射線衍射圖中最高峰的強(qiáng)度。因此，本發(fā)明還涉及層狀硅酸鹽，尤其是具有RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽，和尤其是在硅酸鹽晶格中含有Ga和/或Zn的具有RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽，其在通過(guò)CuKa1輻射檢測(cè)的X射線衍射圖案中至少出現(xiàn)以下反射<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>其中100X涉及在X-射線衍射圖中最高峰的強(qiáng)度，層狀硅酸鹽是可通過(guò)本發(fā)明的上述方法獲得的。更特別地，本發(fā)明涉及在硅酸鹽晶格中含有Ga和/或Zn的具有RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽，其在通過(guò)CuKa1輻射檢測(cè)的X射線衍射圖案中至少出現(xiàn)以下反射<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>其中100X涉及在X-射線衍射圖中最高峰的強(qiáng)度。具有RRO結(jié)構(gòu)的架狀硅酸鹽在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案，在(6)中，將所得的在硅酸鹽晶格中含有Ga和/或Zn的具有RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽在至少一個(gè)額外步驟中煅燒。原則上可以將含有至少一種硅酸鹽的懸浮液直接加入煅燒中。優(yōu)選，在煅燒之前，如上所述在(3)中從懸浮液中除去硅酸鹽。在煅燒之前，從懸浮液除去的硅酸鹽可以進(jìn)行至少一個(gè)上述洗滌步驟(4)和/或至少一個(gè)上述干燥步驟(5)。優(yōu)選，從懸浮液除去的硅酸鹽進(jìn)行干燥并在不經(jīng)過(guò)洗滌步驟的情況下加入煅燒步驟。由(2)和/或(3)和/或(4)和/或(5)獲得的硅酸鹽在(6)中進(jìn)行的煅燒操作優(yōu)選在最高60(TC的溫度進(jìn)行，得到架狀硅酸鹽。在本發(fā)明方法的優(yōu)選實(shí)施方案中，將硅酸鹽從室溫加熱到最高60(TC的溫度，加熱速率優(yōu)選是o.i-i2°c/h，更優(yōu)選i-irc/h，特別優(yōu)選5-10°C/h。例如和優(yōu)選的是，此溫度是在200-60(TC的范圍內(nèi)。煅燒溫度特別優(yōu)選是300-600°C。更優(yōu)選，煅燒溫度是400-575。C，尤其優(yōu)選450_550°C。在本發(fā)明方法的一個(gè)可能方案中，煅燒在溫度階段下進(jìn)行。在本文中，術(shù)語(yǔ)"溫度階段"表示這樣的煅燒，其中將要煅燒的硅酸鹽加熱到特定溫度，在此溫度保持特定的時(shí)間，并由此溫度加熱到至少一個(gè)其它溫度，并在此溫度下再保持特定的時(shí)間。優(yōu)選，要煅燒的硅酸鹽保持在最多四個(gè)溫度，更優(yōu)選保持在最多3個(gè)溫度，特別優(yōu)選2個(gè)溫度。在這方面，第一溫度優(yōu)選是500-540°C，更優(yōu)選505-535°C，更優(yōu)選510_53(TC，特別優(yōu)選515-525°C。此溫度優(yōu)選保持8-24小時(shí)，更優(yōu)選9_18小時(shí)，特別是10-14小時(shí)。第二溫度優(yōu)選是540-600°C，更優(yōu)選550-580°C，特別優(yōu)選555_570°C。此溫度優(yōu)選保持0.5-6小時(shí)，更優(yōu)選1-4小時(shí)，特別是1-3小時(shí)。因此，本發(fā)明還涉及上述方法，其中煅燒在最高60(TC、優(yōu)選300-60(rC的溫度階段中進(jìn)行。煅燒可以在任何合適的氣氛中進(jìn)行，例如空氣、貧空氣、氮?dú)?、水蒸氣、合成空氣、二氧化碳。煅燒?yōu)選在空氣中進(jìn)行。煅燒可以在任何適合于此目的的裝置中進(jìn)行。煅燒優(yōu)選在旋轉(zhuǎn)管中、在帶式煅燒器、在馬弗爐中進(jìn)行，或在其中硅酸鹽隨后用于預(yù)期目的(例如作為分子篩、作為催化劑)或用于下述其它應(yīng)用的裝置中原位進(jìn)行。在這里，特別優(yōu)選旋轉(zhuǎn)管和帶式煅燒器。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，其中優(yōu)選通過(guò)噴霧干燥方法或噴霧造粒方法從懸浮液除去由(2)獲得的硅酸鹽，選擇在除去操作期間使用的條件，使得在除去操作期間至少一部分層狀硅酸鹽被轉(zhuǎn)化成架狀硅酸鹽。所以，在除去操作期間，選擇優(yōu)選至少225t:的溫度。此工藝方案的優(yōu)點(diǎn)是除去、干燥和至少部分煅燒的步驟可以組合成單個(gè)步驟。在本發(fā)明方法中，在煅燒之后獲得了硅酸鹽，特別是具有RRO結(jié)構(gòu)(RUB-41)的架狀硅酸鹽。因此，本發(fā)明還涉及上述方法，其中另外包括(6)對(duì)由(5)獲得的至少一種含有硅、氧和至少一種雜原子的硅酸鹽進(jìn)行煅燒，優(yōu)選在300-60(TC的溫度下進(jìn)行煅燒，得到架狀硅酸鹽，優(yōu)選通過(guò)X-射線晶體學(xué)確認(rèn)為RR0類型的架狀硅酸鹽。因此，本發(fā)明還涉及通過(guò)上述方法獲得的硅酸鹽，特別是在硅酸鹽晶格中含有Ga和/或Zn的具有RRO結(jié)構(gòu)的架狀硅酸鹽，其中包括在(6)中的煅燒。本發(fā)明還涉及在硅酸鹽晶格中含有Ga和/或Zn的具有RRO結(jié)構(gòu)的架狀硅酸鹽，13其在通過(guò)CuKa1輻射檢測(cè)的X射線衍射圖案中尤其具有至少以下反射<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>其中100X涉及在X-射線衍射圖中最高峰的強(qiáng)度。更特別的是，本發(fā)明還涉及在硅酸鹽晶格中含有Ga和/或Zn的具有RRO結(jié)構(gòu)的架狀硅酸鹽，其在通過(guò)CuKa1輻射檢測(cè)的X射線衍射圖案中尤其具有至少以下反射<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>其中100X涉及在X-射線衍射圖中最高峰的強(qiáng)度。本發(fā)明的架狀硅酸鹽或通過(guò)本發(fā)明方法制備的架狀硅酸鹽優(yōu)選在空間基團(tuán)P2/c中存在。當(dāng)上述四烷基氫氧化銨和二氧化硅和/或二氧化硅前體用作反應(yīng)物時(shí)，根據(jù)本發(fā)明方法制備的架狀硅酸鹽優(yōu)選具有以下晶格參數(shù)，通過(guò)Rietveld分析測(cè)定-a=7.34(1)人-b=8.72(1)人-c=17.17(1)人=114.2(1)°根據(jù)29-SiMASNMR光譜，在本發(fā)明架狀硅酸鹽的情況下不存在位于約104ppm的低場(chǎng)信號(hào)，此信號(hào)是在本發(fā)明層狀硅酸鹽的情況下層狀硅酸鹽的典型硅烷醇基的特征。本發(fā)明的架狀硅酸鹽優(yōu)選具有8-MR和10-MR通道，其中8_MR通道特別優(yōu)選平行于上述單位晶胞的c，和其中10-MR通道特別優(yōu)選平行于上述單位晶胞的a。關(guān)于8-MR和10-MR通道的定義，可以參見Ch.Baerlocher，W.M.Meier，D.H.Olson，AtlasofZeoliteFrameworkTypes,第5片反，2001，Elsevier,第10-15頁(yè)。更特別的是，本發(fā)明架狀硅酸鹽的特征在于在二維8-MR通道和IO-MR通道的孔結(jié)構(gòu)方面具有基本單模態(tài)分布。8-MR通道和10-MR通道的孔開口各自優(yōu)選具有(5.70-6.00)x(4.00-4.20)A2、更優(yōu)選(5.80-5.90)x(4.05-4.15)人2的面積。本發(fā)明的架狀硅酸鹽優(yōu)選具有比表面積大于200m2/g的微孔，所述比表面積更優(yōu)選是從大于200m7g到800m7g，更優(yōu)選300-700m7g，特別優(yōu)選400-600m7g，在每種情況下根據(jù)DIN66135(Langmuir)檢測(cè)。本發(fā)明的架狀硅酸鹽優(yōu)選具有孔體積為0.5-0.21ml/g的孔，更優(yōu)選0.16-0.20ml/g，特別優(yōu)選0.17-0.19ml/g，在每種情況下按照DIN66134檢測(cè)。因此，本發(fā)明的架狀硅酸鹽是微孔沸石型的硅酸鹽。本發(fā)明架狀硅酸鹽的熱穩(wěn)定性優(yōu)選是至少60(TC，更優(yōu)選高于600°C。在本發(fā)明中使用的術(shù)語(yǔ)"熱穩(wěn)定性"表示架狀硅酸鹽的特定晶格結(jié)構(gòu)在標(biāo)準(zhǔn)壓力下保持的溫度。成型體在許多工業(yè)應(yīng)用中，通常需要使用者不僅使用結(jié)晶材料例如層狀硅酸鹽或架狀硅酸鹽本身，而且將結(jié)晶材料加工得到成型體。這些成型體在許多工業(yè)工藝中使用，以能方便地操作，例如在例如管式反應(yīng)器中從物質(zhì)混合物中分離物質(zhì)。因此，本發(fā)明還涉及含有上述結(jié)晶架狀硅酸鹽的成型體。本發(fā)明還包括含有上述層狀硅酸鹽的成型體?！悖吮景l(fā)明的架狀硅酸鹽之外，成型體還可以含有所有可想象的其它化合物，前提是確保所得的成型體適用于所需的應(yīng)用。在一個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明的成型體是通過(guò)下面描述的成型方法之一制備的，沒有使用粘合劑。在本文中所用的術(shù)語(yǔ)"粘合劑"表示在上述煅燒成型體之后以初始形式或以轉(zhuǎn)化的形式保留在成型體中的粘合劑。在本發(fā)明中，優(yōu)選在成型體的生產(chǎn)中使用至少一種合適的粘合劑。在此優(yōu)選實(shí)施方案中，更優(yōu)選制備架狀硅酸鹽和至少一種粘合劑的混合物。因此，本發(fā)明還描述了一種制備含有上述架狀硅酸鹽的成型體的方法，包括根據(jù)本發(fā)明的上述方法制備架狀硅酸鹽以及以下步驟(i)制備含有上述架狀硅酸鹽或通過(guò)上述方法制備的架狀硅酸鹽與至少一種粘合劑的混合物?！?，合適的粘合劑是所有能在要粘合的架狀硅酸鹽粒子之間賦予粘合和/或粘結(jié)作用的化合物，所述粘合和/或粘結(jié)作用超過(guò)在不存在粘合劑情況下的物理吸附作用。這些粘合劑的例子是金屬氧化物，例如Si02、Al203、Ti02、Zr02或MgO，或粘土，或兩種或多種這些化合物的混合物。15優(yōu)選的AIA粘合劑特別是粘土礦物和天然或合成的氧化鋁，例如a|3-、Y-、S-、n-、k-、x-或e-氧化鋁，以及它們的無(wú)機(jī)或有機(jī)金屬前體化合物，例如三水鋁石、三羥鋁石、勃姆石、假勃姆石，或三烷氧基鋁酸鹽，例如三異丙醇鋁。進(jìn)一步優(yōu)選的粘合劑是具有極性和非極性結(jié)構(gòu)部分的兩親性化合物以及石墨。其它粘合劑是例如粘土，例如蒙脫土、高嶺土、偏高嶺土、水輝石、膨潤(rùn)土、埃洛石、地開石、珍珠陶土或蠕陶土。這些粘合劑可以原樣使用。也可以在本發(fā)明范圍內(nèi)使用用于在成型體的生產(chǎn)中在至少一個(gè)其它步驟中形成粘合劑的化合物。這些粘合劑的前體是例如四烷氧基硅烷、四烷氧基鈦酸酯、四烷氧基鋯酸酯，或兩種或多種不同四烷氧基硅烷的混合物，或兩種或多種不同四烷氧基鈦酸酯的混合物，或兩種或多種不同四烷氧基鋯酸酯的混合物，或至少一種四烷氧基硅烷和至少一種四烷氧基鈦酸酯的混合物，或至少一種四烷氧基硅烷和至少一種四烷氧基鋯酸酯的混合物，或至少一種四烷氧基鈦酸酯和至少一種四烷氧基鋯酸酯的混合物，或至少一種四烷氧基硅烷和至少一種四烷氧基鈦酸酯和至少一種四烷氧基鋯酸酯的混合物。在本發(fā)明中，非常特別優(yōu)選的是完全或部分含有Si02的粘合劑或作為用于在成型體生產(chǎn)中在至少一個(gè)其它步驟中形成二氧化硅的Si(^前體的粘合劑。在這方面，可以使用膠態(tài)二氧化硅或"濕法二氧化硅"或"干法二氧化硅"。在這些情況下，二氧化硅最優(yōu)選是無(wú)定形的二氧化硅，其中二氧化硅粒子的尺寸是例如5-100nm，二氧化硅粒子的表面積是50-500m2/g。膠態(tài)二氧化硅，優(yōu)選以堿溶液和/或氨溶液的形式，更優(yōu)選以氨溶液的形式，例如可以作為L(zhǎng)udox⑧、Syton⑧、Nalco⑧或Snowtex⑧獲得。"濕法"二氧化硅可以作為例如Hi-Sil、Ultrasil、Vulcasi條、Santocel、Valron-Estersil、Tokusil⑧或Nipsil⑧獲得。"干法"二氧化硅可以例如作為Aerosi鵬、Reolosil、Cab-0-Sil、Fransil⑧或ArcSilica⑧獲得。在本發(fā)明中，一種優(yōu)選的物質(zhì)是膠態(tài)二氧化硅的氨溶液。因此，本發(fā)明還涉及上述成型體，其另外含有Si02作為粘合劑。本發(fā)明還涉及上述方法，其中在(I)中使用的粘合劑是含有Si02的粘合劑或能形成Si(^的粘合劑。因此，本發(fā)明還涉及上述方法，其中粘合劑是膠態(tài)二氧化硅。粘合劑的用量?jī)?yōu)選使得最終的成型體成品具有最多80重量％的粘合劑，更優(yōu)選5-80重量％，更優(yōu)選10-70重量％，更優(yōu)選10-60重量％，更優(yōu)選15-50重量％，更優(yōu)選15-45重量％，特別優(yōu)選15-40重量％，在每種情況下基于最終的成型體成品的總重量計(jì)。在本文中使用的術(shù)語(yǔ)"最終的成型體成品"表示從干燥和煅燒階段(IV)和/或(V)獲得的成型體，優(yōu)選從(IV)和(V)獲得的成型體，特別優(yōu)選從(V)獲得的成型體，如下所述。為了進(jìn)一步加工和為了形成塑性材料，粘合劑或粘合劑前體和沸石材料的混合物可以與至少一種其它化合物混合。在這里優(yōu)選的化合物包括成孔劑?？梢栽诒景l(fā)明方法中使用的成孔劑是能夠在最終成型體中提供特定孔徑和/或特定孔徑分布和/或特定孔體積的所有化合物。在本發(fā)明方法中使用的成孔劑優(yōu)選是能被分散、懸浮和/或乳化于水或水性溶劑混合物中的聚合物。優(yōu)選的聚合物是聚乙烯基化合物，例如聚環(huán)氧烷如聚環(huán)氧乙烷，聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚烯烴、聚酰胺和聚酯，碳水化合物例如纖維素或纖維素衍生物如甲基纖維素，或蔗糖或天然纖維。其它合適的成孔劑是紙漿或石墨。如果在步驟(I)中的混合物制備中使用成孔劑，則成孔劑、優(yōu)選聚合物在(I)中所制得混合物中的含量?jī)?yōu)選在590重量％范圍內(nèi)，優(yōu)選在1575重量％范圍內(nèi)，特別優(yōu)選在2555重量％范圍內(nèi)，每種情況下都是基于步驟(I)中的混合物中的本發(fā)明架狀硅酸鹽的量計(jì)。如果為了產(chǎn)生所要達(dá)到的孔徑分布，還可以使用兩種或更多種成孔劑的混合物。在特別優(yōu)選的本發(fā)明方法實(shí)施方案中，如下所述，在步驟(V)中通過(guò)煅燒除去成孔劑，從而得到多孔成型體。在優(yōu)選的本發(fā)明方法實(shí)施方案中，獲得的成型體具有根據(jù)DIN66134測(cè)得的孔體積至少為0.6ml/g，優(yōu)選在0.60.8ml/g范圍內(nèi)，特別優(yōu)選在>0.6ml/g0.8ml/g范圍內(nèi)。本發(fā)明成型體的比表面積，根據(jù)DIN66131測(cè)量，一般是至少350m7g，優(yōu)選至少為400m7g，特別優(yōu)選至少425m7g。例如，比表面積可以是350-500m7g，或400-500m7g，或425-500m2/g。因此，本發(fā)明還涉及上述成型體，其具有至少350m7g的比表面積，并含有孔體積至少為0.6ml/g的孔。在同樣優(yōu)選的本發(fā)明實(shí)施方案中，在根據(jù)(I)制備混合物的過(guò)程中加入至少一種糊化劑。使用的糊化劑可以是所有適于該目的的化合物。這些優(yōu)選是有機(jī)的、特別是親水性聚合物，如纖維素，纖維素衍生物如甲基纖維素，淀粉如馬鈴薯淀粉，壁紙膏料，聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚異丁烯或聚四氫呋喃。更特別地，使用的糊化劑可以還是作為成孔劑的化合物。在特別優(yōu)選的本發(fā)明方法實(shí)施方案中，如下所述，這些糊化劑通過(guò)步驟(V)中的煅燒來(lái)除去，得到多孔成型體。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案，在根據(jù)(I)制備混合物期間加入至少一種酸性添加劑?？梢酝ㄟ^(guò)煅燒在優(yōu)選步驟(V)中除去的有機(jī)酸性化合物如下所述是非常特別優(yōu)選的。特別優(yōu)選羧酸，例如甲酸、草酸和/或檸檬酸。也可以使用兩種或多種這些酸性化合物的混合物。在(I)中的含有架狀硅酸鹽的混合物中各組分的添加順序不是關(guān)鍵的?？梢韵燃尤胫辽僖环N粘合劑，然后加入至少一種成孔劑、至少一種酸性化合物，最后加入至少一種糊化劑，也可以交換至少一種粘合劑、至少一種成孔劑、至少一種酸性化合物和至少一種糊化劑的順序。在向架狀硅酸鹽固體中加入粘合劑之后，如果合適的話已經(jīng)加入上述至少一種化合物，混合物一般在(I)中均化10-180分鐘。特別是，捏合機(jī)、碾磨機(jī)或擠出機(jī)特別優(yōu)選用于均化?；旌衔飪?yōu)選進(jìn)行捏合。在工業(yè)規(guī)模上，在碾磨機(jī)中的研磨優(yōu)選用于均化。因此，本發(fā)明還涉及一種制備含上述架狀硅酸鹽的成型體的方法，包括通過(guò)上述方法制備架狀硅酸鹽和以下步驟(I)制備含有上述架狀硅酸鹽或通過(guò)上述方法獲得的架狀硅酸鹽與至少一種粘合劑的混合物；(II)捏合所述混合物。均化一般在約l(TC到糊化劑沸點(diǎn)之間的溫度和大氣壓或稍高于大氣壓的壓力下進(jìn)行。任選地，可以隨后加入至少一種上述化合物。如此獲得的混合物進(jìn)行均化，優(yōu)選捏合，直到形成可擠出的塑性材料。在本發(fā)明的更優(yōu)選的實(shí)施方案中，均化的混合物進(jìn)行成型。在本發(fā)明中，優(yōu)選的成型方法是其中在常規(guī)擠出機(jī)中通過(guò)擠出進(jìn)行的那些方法，例如得到直徑優(yōu)選為110mm、特別優(yōu)選為25mm的擠出物。這樣的擠出設(shè)備例如在Ullmann，sEnzyklopMiederTechnischenChemie，第4版，第2巻，第295頁(yè)起，1972中有所描述。除了使用擠出機(jī)外，還優(yōu)選使用線材壓機(jī)進(jìn)行成型。然而，原則上可以使用所有已知和/或合適的捏合和成型設(shè)備和方法進(jìn)行成型。這些尤其包括(a)壓塊，即加入或不加入額外的粘結(jié)劑材料進(jìn)行機(jī)械壓制；(b)造粒，即通過(guò)圓周和/或旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)而壓緊；(c)燒結(jié)，即對(duì)要成型的材料進(jìn)行熱處理；(d)熱穩(wěn)態(tài)壓制。例如，成型可以選自以下組(其中顯然包括使用至少兩種這些方法的組合)通過(guò)沖壓、輥壓、環(huán)形輥壓進(jìn)行壓塊，不用粘結(jié)劑進(jìn)行壓塊；造粒、熔融、旋轉(zhuǎn)技術(shù)、沉積、發(fā)泡、噴霧干燥；在豎式爐、對(duì)流爐、移動(dòng)床爐或旋轉(zhuǎn)管式爐中進(jìn)行烘烤，在碾磨機(jī)中研磨。在常壓下或在比常壓高的壓力下進(jìn)行壓緊，例如在1巴至數(shù)百巴之間的壓力范圍內(nèi)。而且，在環(huán)境溫度下或在比環(huán)境溫度高的溫度下進(jìn)行壓緊，例如在20-300°C的溫度范圍內(nèi)。如果干燥和/或煅燒是成型步驟的組成部分，則可以考慮高達(dá)60(TC的溫度。最后，可以在環(huán)境氣氛或在受控氣氛中進(jìn)行壓緊。受控氣氛例如是保護(hù)氣體氣氛、還原氣氛和/或氧化氣氛。因此，本發(fā)明還涉及一種制備含上述架狀硅酸鹽的成型體的方法，包括通過(guò)上述方法制備架狀硅酸鹽和以下步驟(I)制備含有上述架狀硅酸鹽或通過(guò)上述方法獲得的架狀硅酸鹽與至少一種粘合劑的混合物；(II)捏合所述混合物。(III)將捏合后的混合物成型，得到至少一種成型體?？梢园凑招枰x擇根據(jù)本發(fā)明制備的成型體的形狀。具體而言，尤其可能是球形、橢圓形、圓柱體或片料。同樣，可以提到中空結(jié)構(gòu)，例如中空?qǐng)A柱體或蜂窩結(jié)構(gòu)或星形結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中，特別優(yōu)選通過(guò)擠出由(II)獲得的捏合混合物進(jìn)行成型，其中獲得的擠出物優(yōu)選基本是圓柱形擠出物，直徑是l-20mm，優(yōu)選l-10mm，更優(yōu)選2-10mm，更優(yōu)選2-5mm。在本發(fā)明中，步驟(III)之后優(yōu)選進(jìn)行至少一個(gè)干燥步驟。該至少一個(gè)干燥步驟在一般8016(TC、優(yōu)選90145t:、特別優(yōu)選100130°C的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行，干燥時(shí)間一般為6小時(shí)或更長(zhǎng)，例如在624小時(shí)范圍內(nèi)。然而，根據(jù)要干燥材料的水份含量，較短18的干燥時(shí)間如約1、2、3、4或5小時(shí)也是可以的。在干燥步驟之前和/或之后，例如可以將優(yōu)選獲得的擠出物粉碎。這里，優(yōu)選得到粒徑為0.15mm、特別是0.52mm的顆?；蚍鬯椴牧?。因此，本發(fā)明還涉及一種制備含上述架狀硅酸鹽的成型體的方法，包括通過(guò)上述方法制備架狀硅酸鹽和以下步驟(I)制備含有上述架狀硅酸鹽或通過(guò)上述方法獲得的架狀硅酸鹽與至少一種粘合劑的混合物；(II)捏合所述混合物。(III)將捏合后的混合物成型，得到至少一種成型體；(IV)干燥至少一種成型體。在本發(fā)明中，步驟(IV)之后優(yōu)選進(jìn)行至少一個(gè)煅燒步驟。煅燒一般在35075(TC、優(yōu)選在45060(TC的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。煅燒可以在任何合適的氣體氣氛下進(jìn)行，優(yōu)選空氣和/或貧空氣。此外，優(yōu)選在馬弗爐、旋轉(zhuǎn)管式爐和/或帶式煅燒爐中進(jìn)行煅燒，煅燒時(shí)間一般為1小時(shí)或更長(zhǎng)，例如在124小時(shí)范圍內(nèi)或在312小時(shí)范圍內(nèi)。因此，對(duì)于本發(fā)明方法的目的而言，例如可以煅燒該成型體一次、兩次或更頻繁，每種情況下煅燒時(shí)間至少為1小時(shí)，例如每種情況下都在312小時(shí)的范圍內(nèi)，該煅燒步驟期間的溫度可以保持相同或者連續(xù)或不連續(xù)地變化。如果進(jìn)行兩次或更多次的煅燒，則每個(gè)步驟中的煅燒溫度可以相同或不同。因此，本發(fā)明還涉及一種制備含上述架狀硅酸鹽的成型體的方法，包括通過(guò)上述方法制備架狀硅酸鹽和以下步驟(I)制備含有上述架狀硅酸鹽或通過(guò)上述方法獲得的架狀硅酸鹽與至少一種粘合劑的混合物；(II)捏合所述混合物。(III)將捏合后的混合物成型，得到至少一種成型體；(IV)干燥至少一種成型體；(V)煅燒至少一種干燥的成型體。在煅燒步驟后，煅燒過(guò)的材料例如可以被粉碎。這優(yōu)選了獲得粒徑在0.15mm、特別是0.52mm范圍內(nèi)的顆?；蚍鬯榈牟牧?。在干燥之前和/或之后，和/或在煅燒之前和/或之后，至少一種成型體可以在任選地用濃或稀的布朗斯臺(tái)德酸或兩種或多種布朗斯臺(tái)德酸的混合物處理。合適的酸例如是鹽酸、硫酸、磷酸、硝酸或羧酸、二元羧酸或低聚羧酸或聚羧酸，例如次氮基三乙酸、磺基水楊酸或乙二胺四乙酸。任選地，在用至少一種布朗斯臺(tái)德酸處理至少一次之后是至少一個(gè)干燥步驟和/或至少一個(gè)煅燒步驟，其中在每種情況下在上述條件下進(jìn)行。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，為了更好地硬化，本發(fā)明獲得的成型體可以進(jìn)行水蒸氣處理，然后優(yōu)選再次進(jìn)行至少一次干燥和/或至少一次煅燒。例如，在至少一個(gè)干燥步驟和/或至少一個(gè)隨后的煅燒步驟之后，煅燒的成型體進(jìn)行水蒸氣處理，然后再次干燥至少一次和/或煅燒至少一次。根據(jù)本發(fā)明獲得的成型體的硬度一般在l-20N范圍內(nèi)，例如2-15N，優(yōu)選5-15N，特19別優(yōu)選10-15N。在本發(fā)明中，上述硬度表示在ZwickBZ2.5/TS1S設(shè)備上在初始力為0.5N、初始力下的前進(jìn)速率為10mm/分鐘并且隨后測(cè)試速率為1.6mm/分鐘下測(cè)得。該設(shè)備具有固定的轉(zhuǎn)盤和帶有厚度為0.3mm的嵌入式刀片的可自由移動(dòng)式?jīng)_壓機(jī)。帶有刀片的可移動(dòng)沖壓機(jī)連接到用于記錄力的載荷元件上，并且在測(cè)量期間向固定的轉(zhuǎn)盤移動(dòng)，要測(cè)試的催化劑成型體位于該固定的轉(zhuǎn)盤上。通過(guò)記錄和評(píng)價(jià)測(cè)量結(jié)果的計(jì)算機(jī)控制該測(cè)試設(shè)備。所得值是在每種情況下至少IO個(gè)催化劑成型體測(cè)量結(jié)果的平均值。催化劑成型體具有圓柱形，它們的平均長(zhǎng)度大約是直徑的2-3倍，并用0.3mm厚的刀片負(fù)載，增加力直到成型體被切斷。將刀片垂直施加到成型體的縱軸上。為此所需的力是切割硬度(單位是N)。在本發(fā)明中，也可以理解的是本發(fā)明的成型體從根據(jù)本發(fā)明獲得的層狀硅酸鹽生產(chǎn)。這種層狀硅酸鹽也用于步驟(I)中，它們?nèi)缟显谑褂眉軤罟杷猁}的描述中所述，代替架狀硅酸鹽或與架狀硅酸鹽一起使用。-所以，一方面可以理解的是，在用于(I)中之前，上述層狀硅酸鹽根據(jù)(3)從由水熱合成得到的懸浮液中分離出來(lái)，在這種情況下，在用于(1)中之前可以按照(4)/(5)進(jìn)行洗滌和/或干燥。-另一方面可以理解的是，在用于(I)中之前沒有除去層狀硅酸鹽，但是含有層狀硅酸鹽的由(2)得到的懸浮液原樣使用或以濃縮形式使用。這種工藝模式的優(yōu)點(diǎn)是例如為了制備可成型的材料，不需要額外使用糊化劑或使用較少的糊化劑，優(yōu)選水。如果在本發(fā)明中使用這種濃縮懸浮液，則此懸浮液的固含量可以例如在10-50重量％范圍內(nèi)。濃縮可以例如通過(guò)以下方式進(jìn)行通過(guò)蒸發(fā)濃縮由(2)獲得的懸浮液，通過(guò)交叉流過(guò)濾(例如在減壓下)，或通過(guò)分開由(2)獲得的懸浮液，從一部分懸浮液分離出層狀硅酸鹽，任選地隨后進(jìn)行干燥和/或洗滌，并且將分離出的層狀硅酸鹽懸浮在剩余部分的懸浮液中。這兩種方式的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)干燥和煅燒那些使用層狀硅酸鹽在合適溫度制得的成型體，可以在成型體中形成架狀硅酸鹽，因此與上述方法相比，可以省略耗能的煅燒步驟，也就是說(shuō)在(I)中使用硅酸鹽之前用于制備架狀硅酸鹽的煅燒步驟可以省略。腿本發(fā)明還涉及本發(fā)明的硅酸鹽、特別是本發(fā)明的架狀硅酸鹽和/或本發(fā)明的成型體的以下用途作為分子篩、催化劑、催化劑載體或其粘合劑，作為吸附劑、顏料、洗滌組合物中的添加劑、建筑材料的添加劑，用于向彩色糊料和涂料賦予觸變性能，用作耐磨劑和潤(rùn)滑劑，用作紙制品中的阻燃劑、助劑和填料，用于殺細(xì)菌和/或殺真菌和/或除草組合物中，用于離子交換，用于生產(chǎn)陶瓷，用于聚合物中，用于電子、光學(xué)或光電元件以及開關(guān)元件或傳感器中。原則上可以通過(guò)本發(fā)明硅酸鹽催化的反應(yīng)是例如氫化、脫氫、氧基脫氫、氧化、環(huán)氧化、聚合反應(yīng)、胺化、水合和脫水反應(yīng)，親核和親電取代反應(yīng)，加成和消除反應(yīng)，雙鍵和骨架異構(gòu)化反應(yīng)，脫氫環(huán)化反應(yīng)，雜芳族化合物的羥基化反應(yīng)，環(huán)氧化物_醛重排反應(yīng)，易位反應(yīng)，從甲醇制備烯烴，迪爾斯_阿爾德反應(yīng)，碳_碳鍵的形成，例如烯烴二聚或烯烴三聚反應(yīng)，羥醛縮合型的縮合反應(yīng)。根據(jù)要轉(zhuǎn)化的分子，催化反應(yīng)可以在氣相或液相或在超臨界相中進(jìn)行。原則上，本發(fā)明的硅酸鹽也特別適合作為分子篩。在這種情況下，可以有利地利用本發(fā)明材料的高內(nèi)表面積，也用于在分子尺寸差別的基礎(chǔ)上分離各個(gè)分子。根據(jù)分離任務(wù)，可以在氣相或液相或在超臨界相中進(jìn)行相應(yīng)的吸附。一個(gè)例子是結(jié)構(gòu)異構(gòu)體的分離，例如分離小分子的正-和異-異構(gòu)體。在本文中，術(shù)語(yǔ)"小分子"表示動(dòng)力學(xué)直徑在3.5-5.5埃范圍內(nèi)的分子。對(duì)于動(dòng)力學(xué)直徑的定義，可以參見D.W.Breck，ZeoliteMolecularSieves，1974，J.Wiley，第634-641頁(yè)。一個(gè)例子是正丁烷和異丁烷的分離。也可以提到例如構(gòu)象異構(gòu)體的分離，例如分離順丁烯和反丁烯。最后，在這方面，也可以提到分離液相中的烯烴。發(fā)現(xiàn)這種分離可以成功地進(jìn)行，特別是當(dāng)所用的溶劑是動(dòng)力學(xué)直徑大于或等于硅酸鹽孔直徑的那些化合物時(shí)。在這方面，例如應(yīng)當(dāng)提到叔丁醇。其它溶劑是烷烴或烷烴混合物，尤其是環(huán)己烷。對(duì)于上述分離液相中的烯烴，使用環(huán)己烷作為溶劑，應(yīng)當(dāng)提到例如戊烯的分離和丁烯的分離，在這種情況下在使用環(huán)己烷作為溶劑的液相中，丁烯的分離優(yōu)先于戊烯的分離。特別可以提到反_2-丁烯/1-丁烯的分離以及反-2-丁烯/異丁烯的分離，以及從1-戊烯分離反-2_戊烯。根據(jù)本發(fā)明制備的硅酸鹽、優(yōu)選根據(jù)本發(fā)明制備的架狀硅酸鹽的其它用途是用作催化劑的添加劑，例如在裂解工藝中使用的USY-沸石，特別是液相中的裂解工藝中。與裂解工藝相關(guān)的一個(gè)例子是通過(guò)催化裂解制備低級(jí)烯烴，例如丙烯。根據(jù)本發(fā)明制備的硅酸鹽、優(yōu)選根據(jù)本發(fā)明制備的架狀硅酸鹽的其它用途是用作可洗涂料的用途，其中可洗涂料施用到整料上，然后任選在進(jìn)一步負(fù)載至少一種貴金屬之后用作催化劑，特別優(yōu)選例如汽車催化劑，它們用于還原氮氧化物N、一氧化碳和/或烴。此外，可以提到三維催化劑或用于降低柴油發(fā)動(dòng)機(jī)廢氣釋放水平的催化劑。此外，根據(jù)本發(fā)明制備的硅酸鹽可以用于從含有至少兩種烷烴的混合物或從含有至少兩種烯烴的混合物或從含有至少兩種炔烴的混合物或從含有至少一種烷烴和至少一種烯烴的混合物或從含有至少一種烷烴和至少一種炔烴的混合物或從含有至少一種烯烴和至少一種炔烴的混合物或從含有至少一種烷烴和至少一種烯烴和至少一種炔烴的混合物分離至少一種烷烴和/或至少一種烯烴和/或至少一種炔烴的用途，特別是用于分離結(jié)構(gòu)異構(gòu)體和/或構(gòu)象異構(gòu)體，所述至少一種烷烴和/或至少一種烯烴和/或至少一種炔烴具有最多10個(gè)碳原子，例如在甲烷的情況下具有1個(gè)碳原子，或具有2、3、4、5、6、7、8、9或IO個(gè)碳原子。同樣，根據(jù)本發(fā)明的硅酸鹽或根據(jù)本發(fā)明制備的硅酸鹽、特別是架狀硅酸鹽或含有這種硅酸鹽的成型體可以在原則上用于例如-用于分離烯烴或聚烯烴和二氧化碳，例如用于提純聚乙烯或聚丙烯，-或作為催化劑用于胺化反應(yīng)，例如用于從甲醇和胺或從合成氣和胺制備甲基胺和/或二甲胺，優(yōu)選得到小比例的三甲胺，-或用于聚合反應(yīng)，例如用于從四氫呋喃制備聚四氫呋喃，-或用作羥基化催化劑，例如用于從苯制備苯酚，-或一般用于具有6元芳環(huán)化合物的轉(zhuǎn)化反應(yīng)，-或用于將環(huán)己酮轉(zhuǎn)化成環(huán)己酮肟，_或用于貝克曼重排反應(yīng)，例如用于將環(huán)己酮肟轉(zhuǎn)化成己內(nèi)酰胺，_或用于C-C三鍵的活化，-或用于脫氫成環(huán)反應(yīng)(芳構(gòu)化)。21所以，本發(fā)明涉及具有Ga-RR0結(jié)構(gòu)的架狀硅酸鹽或含有Ga-RRO的成型體用于脫氫成環(huán)反應(yīng)的用途。本發(fā)明也涉及具有Zn-RRO結(jié)構(gòu)的架狀硅酸鹽或含有Zn-RRO的成型體用于C_C三鍵活化的用途。驚奇的是，發(fā)現(xiàn)新材料、特別是結(jié)構(gòu)RUB-41的新型架狀硅酸鹽對(duì)6元芳環(huán)或雜芳環(huán)化合物具有非常高的吸附性，特別是對(duì)于苯。因此，新材料也可以用于從含苯的混合物除去苯。當(dāng)本發(fā)明的架狀硅酸鹽或含有這種架狀硅酸鹽的成型體用作吸附劑、例如用于分離物質(zhì)時(shí)，一種或多種被吸附的化合物的解吸可以通過(guò)合適地降低壓力和/或合適的溫度變化進(jìn)行，例如更優(yōu)選通過(guò)合適地升高溫度和/或通過(guò)使架狀硅酸鹽或含有這種架狀硅酸鹽的成型體與至少一種比一種或多種要解吸的化合物具有更強(qiáng)吸附性的化合物接觸。再牛在本發(fā)明方法的另一個(gè)實(shí)施方案中，架狀硅酸鹽或成型體在其應(yīng)用于相應(yīng)工業(yè)領(lǐng)域后再生，其中再生通過(guò)有控制地?zé)龑?duì)性能下降起作用的沉積物進(jìn)行。含有準(zhǔn)確限定量的供氧物質(zhì)的惰性氣體氣氛優(yōu)選用于此操作。這種再生方法特別描述在WO98/55228和DE19723949A1中，特別是DE19723949Al的第2欄第33-54行，將其公開內(nèi)容引入本文供參考。要再生的架狀硅酸鹽和/或成型體在設(shè)備(例如管式反應(yīng)器)或在外部烘箱中加熱，在含有約0.1-20體積份的供氧物質(zhì)、特別優(yōu)選0.1-20體積份氧氣的氣氛中加熱到250-600。C的溫度，優(yōu)選400-550。C，特別是450-500°C。加熱優(yōu)選以0.l-20。C/min的加熱速率進(jìn)行，優(yōu)選0.3-15°C/min，特別是0.5-10°C/min。在此加熱期間，加熱進(jìn)行到大多數(shù)有機(jī)沉積物開始分解時(shí)的溫度，同時(shí)溫度通過(guò)氧含量控制，所以不會(huì)增加到致使架狀硅酸鹽結(jié)構(gòu)和/或成型體結(jié)構(gòu)受到損害的程度。在高有機(jī)載荷的情況下，由于建立了合適的氧含量和合適的加熱能量，溫度的緩慢升高以及在低溫下的停留是防止架狀硅酸鹽和/或成型體局部過(guò)熱的重要步驟。當(dāng)盡管在氣流中供氧物質(zhì)的量增加，但在反應(yīng)器出口的廢氣的溫度降低時(shí)，有機(jī)沉積物已經(jīng)被完全燒掉。處理時(shí)間一般在每種情況下是1-30小時(shí)，優(yōu)選約2-20小時(shí)，特別是約3-10小時(shí)。如此再生的架狀硅酸鹽和/或成型體的隨后冷卻優(yōu)選以冷卻不過(guò)快的方式進(jìn)行，因?yàn)榉駝t例如成型體的機(jī)械穩(wěn)定性會(huì)到不利影響?？赡鼙匾氖窃谌缟纤鐾ㄟ^(guò)煅燒再生之后，用水和/或稀酸例如鹽酸洗滌，從而除去任何由于反應(yīng)物污染而殘留的無(wú)機(jī)載荷(痕量堿等)。然后可以進(jìn)行其它干燥和/或其它煅燒。在本發(fā)明方法的另一個(gè)實(shí)施方案中，被相應(yīng)工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用而至少部分鈍化的架狀硅酸鹽和/或成型體可以在根據(jù)再生工序加熱之前用溶劑在進(jìn)行轉(zhuǎn)化的反應(yīng)器中或在外部反應(yīng)器中洗滌，從而除去仍然粘附的有價(jià)值產(chǎn)物。洗滌進(jìn)行使得盡管可以除去相應(yīng)粘附的有價(jià)值產(chǎn)物，但是溫度和壓力不會(huì)過(guò)高以致也除去了一般的有機(jī)沉積物。優(yōu)選，僅僅用合適的溶劑洗滌。因此，所有能很好溶解相應(yīng)有價(jià)值產(chǎn)物的溶劑適用于此洗滌工藝。溶劑的用量和洗滌時(shí)間不是關(guān)鍵的。洗滌工藝可以重復(fù)多于一次，并可以在高溫下進(jìn)行。在使用二氧化碳作為溶劑時(shí)，優(yōu)選超臨界壓力；或者，洗滌工藝可以在大氣壓或在超大氣壓或在超臨界壓力下進(jìn)行。在洗滌工藝結(jié)束之后，一般進(jìn)行干燥。盡管干燥工藝一般不是關(guān)鍵的，但是干燥溫度應(yīng)當(dāng)不過(guò)度超過(guò)用于洗滌的溶劑的沸點(diǎn)，從而避免溶劑在孔中的突然蒸發(fā)，特別是在微孔中，因?yàn)檫@會(huì)導(dǎo)致對(duì)晶格結(jié)構(gòu)的損害。為了優(yōu)化工藝，可以使用至少兩個(gè)設(shè)備，它們各自含有本發(fā)明的架狀硅酸鹽和/或成型體，在這種情況下，在再生的情況下，至少一個(gè)設(shè)備脫離操作，且至少一個(gè)設(shè)備保持操作，從而不需要在任何時(shí)間中斷工藝。下面參考實(shí)施例和附圖更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。附圖描述圖1顯示根據(jù)實(shí)施例2獲得的具有Ga-RUB-41結(jié)構(gòu)的架狀硅酸鹽的粉末X-射線衍射圖。粉末X-射線衍射圖是使用單色CuKal輻射記錄的。衍射數(shù)據(jù)使用位置傳感檢測(cè)器在5-65度(29)范圍內(nèi)收集。在圖中，以。(度)為單位的2e角沿著橫軸繪制，強(qiáng)度沿著縱軸繪制。圖2顯示根據(jù)實(shí)施例2獲得的具有Ga-RUB-41結(jié)構(gòu)的架狀硅酸鹽的71GaNMR。圖3顯示根據(jù)實(shí)施例2獲得的具有Ga-RUB-41結(jié)構(gòu)的架狀硅酸鹽的FE-SEM圖象。圖4顯示根據(jù)實(shí)施例4獲得的具有Zn-RUB-41結(jié)構(gòu)的架狀硅酸鹽的粉末X-射線衍射圖。粉末X-射線衍射圖是使用單色CuKal輻射記錄的。衍射數(shù)據(jù)使用位置傳感檢測(cè)器在5-65度(29)范圍內(nèi)收集。在圖中，以。(度)為單位的2e角沿著橫軸繪制，強(qiáng)度沿著縱軸繪制。。圖5顯示根據(jù)實(shí)施例6獲得的具有Zn-RUB-41結(jié)構(gòu)的架狀硅酸鹽的FE-SEM圖象。實(shí)施例實(shí)施例1:制備Ga-RUB-39將已溶解0.042g硝酸鎵的1.0g去離子水、11.5g的模板水溶液(16重量％的二甲基二正丙基氫氧化銨(DMDPAH)溶液)、1.48g的熱解法二氧化硅(Cab-0-SilM7D)和0.02g的作為結(jié)晶助劑的Si-RUB-39在攪拌下用于制備膠態(tài)溶液。將此混合物轉(zhuǎn)移到襯有Teflon的高壓釜中。在7天內(nèi)，在15(TC下在旋轉(zhuǎn)高壓釜的情況下進(jìn)行水熱結(jié)晶。獲得了Ga-RUB-39，并且過(guò)濾出Ga-RUB_39晶體，用蒸餾水洗滌并在7(TC干燥24小時(shí)。實(shí)施例2:制備Ga-RUB-41將根據(jù)實(shí)施例1獲得的Ga-RUB-39在54(TC煅燒12小時(shí)。產(chǎn)率是約60%。所獲得的Ga-RUB-41的相純度是通過(guò)所得物質(zhì)的XRD分析證明的(參見圖1)。通過(guò)ICP的對(duì)Si和Ga的元素分析顯示在產(chǎn)物中的Si:Ga摩爾比是約95:1。通過(guò)71GaNMR分析，可以顯示在所得Ga-RUB-41中的Ga存在于在四面體晶格環(huán)境中的硅酸鹽晶格中(參見圖2)。所得Ga-RUB-41材料的形態(tài)是通過(guò)FE-SEM研究的(參見圖3)。實(shí)施例3:制備Zn-RUB-39將已溶解0.07g硝酸鋅的1.0g去離子水、11.5g的模板水溶液(16重量％的二甲基二正丙基氫氧化銨(DMDPAH)溶液)、1.48g的熱解法二氧化硅(Cab-0-SilM7D)和0.02g的作為結(jié)晶助劑的Si-RUB-39在攪拌下用于制備膠態(tài)溶液。將此混合物轉(zhuǎn)移到襯有Teflon的高壓釜中。在8.5天內(nèi)，在15(TC下在旋轉(zhuǎn)高壓釜的情況下進(jìn)行水熱結(jié)晶。獲得23了Zn-RUB-39，并且過(guò)濾出Zn_RUB_39晶體，用蒸餾水洗滌并在7(TC干燥24小時(shí)。實(shí)施例4:制備Zn-RUB-41將根據(jù)實(shí)施例3獲得的Zn-RUB-39在54(TC煅燒12小時(shí)。產(chǎn)率是約75%。所獲得的Ga-RUB-41的相純度是通過(guò)所得物質(zhì)的XRD分析證明的(參見圖4)。通過(guò)ICP的對(duì)Si和Zn的元素分析顯示在產(chǎn)物中的Si:Zn摩爾比是約176:1。所得Ga-RUB-41材料的形態(tài)是通過(guò)FE-SEM研究的(參見圖5)。權(quán)利要求一種制備含有至少硅、氧和至少一種選自Ga和Zn中的雜原子的硅酸鹽的方法，該方法包括(1)從至少一種二氧化硅源物質(zhì)、至少一種含有R1R2R3R4N+的四烷基銨化合物、至少一種堿、至少一種結(jié)晶助劑和至少一種選自Ga源物質(zhì)和Zn源物質(zhì)中的雜原子源物質(zhì)制備膠態(tài)水溶液，其中R1和R2各自是甲基，R3和R4都是正丙基；(2)通過(guò)將從(1)獲得的膠態(tài)水溶液加熱到在從大于膠態(tài)水溶液在所選擇壓力下的沸點(diǎn)到標(biāo)準(zhǔn)壓力下180℃的范圍內(nèi)的溫度進(jìn)行水熱結(jié)晶，得到含有至少一種含硅、氧和至少一種選自Ga和Zn中的雜原子的硅酸鹽的懸浮液，其中在(1)中使用的結(jié)晶助劑是具有在(2)中獲得的硅酸鹽結(jié)構(gòu)的硅酸鹽。2.權(quán)利要求l的方法，其中基于二氧化硅和/或在二氧化硅前體中存在的二氧化硅計(jì)，在(1)中加入0.001-5重量％、優(yōu)選0.01-0.05重量％的結(jié)晶助劑。3.權(quán)利要求1或2的方法，其中在(1)中使用的結(jié)晶助劑是具有Si-RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽。4.權(quán)利要求l-3中任一項(xiàng)的方法，其中在(1)使用的水溶液含有二甲基二正丙基氫氧化銨(DMDPAH)作為四烷基銨化合物。5.權(quán)利要求l-4中任一項(xiàng)的方法，其中在(1)中獲得的膠態(tài)溶液，任選地在濃縮后，在(2)中在高壓釜中被加熱到100-18(TC的溫度達(dá)到12-240小時(shí)。6.權(quán)利要求l-5中任一項(xiàng)的方法，其中在(1)中使用無(wú)定形二氧化硅。7.權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的方法，其中所用的雜原子源物質(zhì)是硝酸鎵和/或硝酸鋅。8.權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的方法，其中任選濃縮的在(1)中獲得的溶液在(2)中加熱之前含有按Si02計(jì)算的硅、按Ga203計(jì)算的鎵、作為四烷基銨化合物的DMDPAH、水和結(jié)晶助劑的重量比si02:Ga2o3:dmdpah:水結(jié)晶助劑是在i:(0.001-0.05):(0.4-10):(4-12):(0.001-5)的范圍內(nèi)，優(yōu)選在i:(0.005-0.02):(1-2):(10-12):(o.oi-o.os)的范圍內(nèi)。9.權(quán)利要求l-7中任一項(xiàng)的方法，其中任選濃縮的在(1)中獲得的溶液在(2)中加熱之前含有按Si02計(jì)算的硅、按Zn0計(jì)算的鋅、作為四烷基銨化合物的匿DPAH、水和結(jié)晶助劑的重量比si02:Zno:dmdpah:水:結(jié)晶助劑是在i:(o.ooi-o.os):(0.4-10):(4-12):(o.001-5)的范圍內(nèi)，優(yōu)選在1:(o.oi-o.05):(1-2):(10-12):(0.0l-o.05)的范圍內(nèi)。10.權(quán)利要求i-9中任一項(xiàng)的方法，其中在(i)中額外使用的其它雜原子源物質(zhì)是選自鋁源物質(zhì)、硼源物質(zhì)、鐵源物質(zhì)、鈦源物質(zhì)、錫源物質(zhì)、鍺源物質(zhì)、鋯源物質(zhì)、釩源物質(zhì)、鈮源物質(zhì)以及兩種或多種這些雜原子源物質(zhì)的混合物。11.權(quán)利要求i-io中任一項(xiàng)的方法，其中另外包括(3)從由(2)獲得的懸浮液除去至少一種含有硅、氧和至少一種雜原子的硅酸鹽，(4)任選地洗滌在(3)中除去的硅酸鹽，優(yōu)選用水洗滌，(5)干燥在(3)或(4)中獲得的硅酸鹽，優(yōu)選在從室溫到15(TC范圍內(nèi)的溫度下干燥。12.權(quán)利要求11的方法，其中另外包括(6)對(duì)由(5)獲得的至少一種含有硅、氧和至少一種雜原子的硅酸鹽進(jìn)行煅燒，優(yōu)選在300-600°C的溫度下進(jìn)行煅燒，得到架狀硅酸鹽，優(yōu)選通過(guò)X-射線晶體學(xué)確認(rèn)為RR0類型的架狀硅酸鹽。13.通過(guò)權(quán)利要求l-ll中任一項(xiàng)的方法獲得的層狀硅酸鹽。14.通過(guò)權(quán)利要求12的方法獲得的架狀硅酸鹽。15.—種具有RUB-39結(jié)構(gòu)的層狀硅酸鹽，其含有在硅酸鹽晶格中的Ga和/或Zn。16.—種具有RRO結(jié)構(gòu)的架狀硅酸鹽，其含有在硅酸鹽晶格中的Ga和/或Zn。17.—種成型體，其含有至少一種根據(jù)權(quán)利要求16的架狀硅酸鹽。18.—種制備成型體的方法，包括通過(guò)權(quán)利要求12的方法制備架狀硅酸鹽或提供根據(jù)權(quán)利要求16的架狀硅酸鹽，并且(I)制備含有所述架狀硅酸鹽與至少一種粘合劑的混合物；(II)捏合所述混合物。(III)將捏合后的混合物成型，得到至少一種成型體；(IV)干燥至少一種成型體；(V)煅燒至少一種干燥的成型體。19.權(quán)利要求14或16的具有Ga-RRO結(jié)構(gòu)的架狀硅酸鹽或權(quán)利要求17的含有Ga-RRO的成型體作為催化劑用于脫氫成環(huán)反應(yīng)的用途。20.權(quán)利要求14或16的具有Zn-RRO結(jié)構(gòu)的架狀硅酸鹽或權(quán)利要求17的含有Zn-RRO的成型體作為催化劑用于活化C-C三鍵的用途。全文摘要本發(fā)明涉及一種制備含有至少Ga和/或Zn的層狀硅酸鹽以及基于它的架狀硅酸鹽(優(yōu)選具有RRO結(jié)構(gòu))的方法，涉及層狀硅酸鹽和架狀硅酸鹽，以及涉及硅酸鹽、尤其架狀硅酸鹽的用途，優(yōu)選作為催化劑的用途。文檔編號(hào)C01B39/46GK101778797SQ200880018529公開日2010年7月14日申請(qǐng)日期2008年4月3日優(yōu)先權(quán)日2007年4月4日發(fā)明者B·蒂希貝爾特,C·瓦爾塞吉,D·德沃斯,H·吉斯,N·特魯漢,U·米勒申請(qǐng)人:巴斯夫歐洲公司;波鴻魯爾大學(xué)魯比泰克革新與技術(shù)有限公司