專利名稱：用于從液體料流中除去金屬硫化物顆粒的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于從包含溶劑和金屬硫化物顆粒的液體料流中 除去金屬硫化物的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
當(dāng)金屬羰基化合物與硫化合物反應(yīng)時(shí)，在液體料流中會(huì)形成金屬 石克化物顆粒。金屬石克化物顆?？梢酝ㄟ^沉積、結(jié)殼或烘干在工藝設(shè)備 的表面例如分離塔的塔板上和/或液體通道的表面上而造成結(jié)垢，以至 于這些通道可能堵塞。金屬硫化物顆粒的沉積可能導(dǎo)致工藝設(shè)備全部 或部分不可操作。因此，希望從液體料流中除去金屬硫化物顆粒。
從液體料流中除去金屬硫化物的方法是本領(lǐng)域已知的。例如在us
2005/0035326中描述了 一種從曱醇洗液中除去金屬硫化物的方法。在 描述于US 2005/0035326的方法中，將含有膠體金屬硫化物的曱醇洗 液引入沉淀容器，在其中將溶液加熱以造成其中的金屬硫化物顆粒生 長并且附聚。然后將包含附聚的金屬硫化物的甲醇洗液引入甲醇/水分 離容器，并且將上升的甲醇蒸汽流逆流通入下降的水流中，得到富含 甲醇的產(chǎn)物與富含水并且包含金屬硫化物的產(chǎn)物。將這兩種產(chǎn)物分離。 最后，從富含水并且包含金屬硫化物的產(chǎn)物中除去金屬硫化物。
描述于US 2005/0035326中的方法具有幾個(gè)缺陷。 一個(gè)缺陷是該 方法費(fèi)時(shí)，因?yàn)槠湫枰沟媒饘倭蚧镱w粒生長和附聚以使得能夠?qū)?它們除去。另一個(gè)缺陷是該方法麻煩需要數(shù)個(gè)步驟以實(shí)現(xiàn)金屬硫化 物的除去。仍然另一個(gè)缺陷是需要加熱步驟，從而需要額外的能量輸 入和必須有額外的加熱裝置。

發(fā)明內(nèi)容
現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)使用包括隔膜的過濾器系統(tǒng)可以簡單并且有效的方式除 去金屬》克化物顆粒。
為此，本發(fā)明提供一種使用包括至少一個(gè)隔膜的過濾器系統(tǒng)從包 含溶劑和金屬硫化物顆粒的液體料流中除去金屬硫化物顆粒的方法， 該方法包括使液體料流與隔膜接觸，從而將金屬硫化物顆粒從液體料 流轉(zhuǎn)移到隔膜表面上，得到貧含金屬硫化物顆粒的液體料流和包括富 含金屬疏化物顆粒的隔膜的過濾器系統(tǒng)。
本發(fā)明進(jìn)一步提供一種用于從包含溶劑和金屬硫化物顆粒的液
體料流中除去金屬硫化物顆粒的設(shè)備，其中該設(shè)備包括包含至少一 個(gè)入口和兩個(gè)出口的溶劑再生塔(l)，該溶劑再生塔與包括至少一個(gè)隔
膜并且包含至少一個(gè)入口和一個(gè)出口的過濾器系統(tǒng)(2)相連，該過濾器 系統(tǒng)與包含至少一個(gè)入口和兩個(gè)出口的分離塔(3)相連。
根據(jù)本發(fā)明的方法和設(shè)備使得能夠?qū)⒔饘倭蚧锍ブ辽踔猎?ppbv范圍內(nèi)的低含量。由于不需要等待金屬硫化物顆粒生長和/或附 聚，因此除去金屬硫化物顆粒的費(fèi)時(shí)要少得多。另外，可以容易地將 金屬硫化物的除去結(jié)合到其中需要將包含金屬疏化物顆粒的液體料流 純化的現(xiàn)有工業(yè)工藝中。最后，富含金屬硫化物顆粒的隔膜可以再生。 多于一個(gè)過濾器系統(tǒng)的使用從而允許其中使用一個(gè)過濾器系統(tǒng)除去金 屬硫化物顆粒并且將另 一個(gè)過濾器系統(tǒng)再生，而不需要將過濾器系統(tǒng) 離線用于清洗的連續(xù)工藝。
本方法可用于包含溶劑和金屬硫化物顆粒的任何液體料流。這類 液體料流可以例如是得自于精煉廠工藝的液體料流，在該精煉廠工藝 中使用液體將包括金屬羰基化合物和硫化合物，尤其是硫化氫的污染 物從包含這些污染物的氣體料流中除去。這得到可以進(jìn)一步加工的純 化氣體料流和現(xiàn)在包含金屬羰基化合物和>^化合物的液體料流。通過 與硫污染物反應(yīng)，金屬羰基化合物可以轉(zhuǎn)化成它們相應(yīng)的金屬硫化物。
因此，在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中液體料流通過以下步驟獲得 (i)將包含硫化氫和金屬羰基化合物的氣體料流與溶劑接觸，從
而得到富含硫化氫和金屬羰基化合物的溶劑；
(ii)將富含硫化氫和金屬羰基化合物的溶劑加熱并且減壓，從而
將金屬羰基化合物的至少一部分轉(zhuǎn)化成金屬硫化物顆粒，得到包含溶 劑和金屬^5克化物顆粒的液體料流。
步驟(i)優(yōu)選在-70x:至4trc，更優(yōu)選-6o。c至ox:的溫度下進(jìn)行。
該優(yōu)選的溫度范圍確保金屬羰基化合物和硫化氫從氣體料流較好地轉(zhuǎn) 移到溶劑中。
步驟(ii)優(yōu)選在60-ll(TC，更優(yōu)選70 - 90。C的溫度下進(jìn)行。在 這些優(yōu)選溫度下，發(fā)生較高程度的金屬羰基化合物到金屬硫化物的轉(zhuǎn)化。
包含疏化氫和金屬羰基化合物的氣體料流可以例如是合成氣料流。
合成氣的主要組分是一氧化碳和氫氣。合成氣可以在合成氣生成 裝置，例如使用煤、油渣或天然氣作為原料的高溫重整器、自熱重整 器或氣化器中制備。對(duì)于合成氣制備的一般描述，參考Maarten van der Burgt等，"The Shell Middle Distillate Synthesis Process, Petroleum Review Apr.1990 pp.204-209"。
取決于用于生成合成氣的原料，污染物例如硫化氫、羰基硫化物、 氰化氫和較少程度的羰基二硫化物將存在于排出合成氣生成裝置的合 成氣中。另外，合成氣生成裝置中的條件通常是使得將形成金屬羰基 化合物，并且這些還將作為污染物存在于排出合成氣生成裝置的合成 氣中。
由于合成氣通常在催化轉(zhuǎn)化反應(yīng)中進(jìn)一步加工，因此通常希望將 這些污染物除去至低的含量。如前所述，除去合成氣中的污染物的一
從而獲得純化的合成氣料流與包含溶劑、金屬羰基化合物和硫化氫的 液體料流。金屬羰基化合物例如四羰基鎳和五羰基鐵，尤其是與硫化 氬的結(jié)合物，能夠經(jīng)歷熱和/或化學(xué)分解而成為金屬硫化物。即使低濃 度的金屬羰基化合物，變成低濃度的金屬硫化物，也可能產(chǎn)生問題。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)當(dāng)金屬石危化物顆粒以4ppmv或更多，尤其為5ppmv或更 多的濃度存在時(shí)，由于金屬疏化物顆粒導(dǎo)致的結(jié)垢程度變得尤其麻煩。 因此，本方法尤其適用于包含至少4ppmv，優(yōu)選至少5ppmv的金屬碗< 化物顆粒的液體料流-這對(duì)應(yīng)于氣體料流中類似的金屬羰基化合物濃 度。
溶劑可以是用于工業(yè)工藝中的任何溶劑。術(shù)語"溶劑"是技術(shù)人 員已知的，并且用于能夠吸收污染物和同時(shí)幾乎不產(chǎn)生或不產(chǎn)生與它 們的(化學(xué))反應(yīng)的溶劑。合適的溶劑包括一種或多種選自以下的溶劑 環(huán)丁砜(環(huán)四亞曱基砜和其衍生物)、脂族酸酰胺、N-曱基吡咯烷酮、 N-烷基化吡咯烷酮和相應(yīng)的哌啶酮、曱醇、乙醇和聚乙二醇的二烷基 醚。優(yōu)選的溶劑是曱醇。
將理解的是隔膜材料應(yīng)該在一般條件下不易于溶于所使用的溶劑 中。因此，應(yīng)該這樣選擇隔膜材料和溶劑的組合使得隔膜在溶劑中 幾乎不表現(xiàn)出溶解性或不表現(xiàn)出溶解性。
本方法尤其適用于其中溶劑是曱醇并且金屬硫化物顆粒是硫化鎳 顆粒和/或石克化4失顆粒的液體料流。
使用包括至少 一個(gè)隔膜的過濾器系統(tǒng)。
將液體料流與隔膜接觸并且通過隔膜。與液體料流接觸的隔膜側(cè) 面被稱為隔膜的進(jìn)料側(cè)。隔膜可以是任何類型的適合于防止金屬硫化 物顆粒通過隔膜。
在一個(gè)實(shí)施方案中，隔膜是多孔的并且隔膜的孔隙尺寸低于最小 的金屬硫化物顆粒的粒度。不希望將本發(fā)明限于除去特定粒度的金屬 硫化物顆粒，我們認(rèn)為金屬疏化物顆粒的平均粒度的典型范圍為10納 米-5微米，優(yōu)選10納米-1微米。因此，優(yōu)選使用孔隙尺寸小于0.1 微米，更優(yōu)選小于0, 01微米的多孔隔膜以使得防止金屬硫化物顆粒通 過隔膜孔隙。
合適的多孔隔膜包括通常用于超濾、納濾或反滲透，尤其是超濾 的類型的隔膜。這些隔膜優(yōu)選由一種或多種選自以下的材料制成纖 維素、陶瓷材料、金屬網(wǎng)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺酰亞胺+二氧化鈦
(PAI)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚偏二氟乙烯(PVDF)和聚四氟乙烯(PTFE)。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)由聚偏二氟乙烯(PVDF)制成的隔膜在金屬硫化物顆粒的 除去中產(chǎn)生優(yōu)異的結(jié)果。
優(yōu)選地，使用例如描述于WO-A-962743中的具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)的多孔 隔膜。我們認(rèn)為交聯(lián)結(jié)構(gòu)提供了更高的機(jī)械強(qiáng)度和/或?qū)θ苡诟裟け┞?于其中的溶劑的更好抵抗性。
可選擇地，可以使用致密隔膜。致密隔膜是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知 的，并且通過使溶劑溶入和/或擴(kuò)散通過它們的結(jié)構(gòu)而具有使得溶劑能 夠通過它們的性能。將理解的是優(yōu)選使用對(duì)溶劑具有足夠的滲透性以 使之通過的致密隔膜，這是指致密隔膜的性能應(yīng)該是使得溶劑將能夠 溶入和/或擴(kuò)散通過隔膜。合適的致密隔膜包括由聚硅氧烷，優(yōu)選聚二 曱基硅氧烷(PDMS)制成的隔膜。
優(yōu)選使用具有例如描述于先前提及的專利申請WO-A-9627430中 的交聯(lián)結(jié)構(gòu)的致密隔膜。
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，使用允許一定流量(flux)的隔膜，流量 表示為以滲透通過隔膜的kg溶劑/平方米/天計(jì)的至少1200kg/m7天 的溶劑數(shù)量。更低的值不被認(rèn)為在經(jīng)濟(jì)上有吸引力。
在使包含金屬硫化物顆粒的液體料流與隔膜接觸之后，金屬硫化 物顆粒將在隔膜的進(jìn)料側(cè)沉積在隔膜的表面上，得到富含金屬硫化物 顆粒的隔膜，并且貧含金屬硫化物顆粒的液體將通過隔膜。隔膜的另 一側(cè)被稱為背側(cè)。為了使得本方法能以連續(xù)方式進(jìn)行，優(yōu)選在一定時(shí) 間之后從隔膜表面上除去金屬硫化物顆粒的至少一部分。
實(shí)現(xiàn)沉積的金屬硫化物顆粒從隔膜上除去的一種方式是使用過 濾器系統(tǒng)，該過濾器系統(tǒng)除了隔膜之外還進(jìn)一步包括可以振動(dòng)方式移 動(dòng)和/或可以旋轉(zhuǎn)的過濾器元件。這些過濾器元件包括板、管狀或螺旋 纏繞的金屬元件。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，使用覆蓋有隔膜材料的板 球狀(cricket shaped)中空管。通過將氣體例如氮?dú)獯颠^中空管，可 以從隔膜表面上除去金屬硫化物顆粒。過濾器元件還可以包括一個(gè)或 多個(gè)其上附著隔膜的中空過濾器板。如果使用多于一個(gè)的過濾器板，
則可以將過濾器板堆疊并且可以在與堆疊的過濾器板垂直的方向上引 導(dǎo)液體料流。
清洗包含金屬硫化物顆粒的隔膜的一種方式是通過使過濾器元件 以劇烈振動(dòng)運(yùn)動(dòng)的方式以與富含金屬硫化物的隔膜表面正切的方向移 動(dòng)，從而將金屬硫化物顆粒從隔膜表面上清除。該清洗步驟尤其適合
于這樣的情形過濾器元件包括一個(gè)或多個(gè)平的圓盤，圓盤相對(duì)于彼 此在平行方向上取向并且圓盤的上側(cè)附著有隔膜。然后使圓盤的堆疊 體振蕩以施加振動(dòng)運(yùn)動(dòng)。
可選擇地，通過使過濾器元件旋轉(zhuǎn)以在富含金屬硫化物的隔膜上 產(chǎn)生剪切力而將富含金屬硫化物顆粒的隔膜清洗，從而將金屬硫化物 顆粒從隔膜表面上清除。通過采用該清洗步驟，得到新的隔膜，其然 后可再次用于從液體料流中除去金屬硫化物顆粒。
也可以釆用振動(dòng)和旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的組合以清洗隔膜。
尤其是當(dāng)使用致密隔膜時(shí)，也可以通過使用預(yù)先涂覆的隔膜實(shí)現(xiàn) 金屬硫化物顆粒從隔膜表面上除去。該預(yù)先涂覆的隔膜用金屬硫化物 將粘附于其上的物質(zhì)涂覆。在一定的時(shí)間之后，將包含金屬硫化物顆 粒的涂層從隔膜表面洗去并且丟棄?？梢允褂萌魏魏线m的溶劑進(jìn)行清 洗涂層。優(yōu)選地，使用與存在于液體料流中的溶劑相同的溶劑。適宜 地，在短的時(shí)間間隔(時(shí)間脈沖)期間使集中數(shù)量的清洗溶劑與隔膜的 背側(cè)接觸以洗去涂層。優(yōu)選地，在丟棄包含金屬硫化物的涂層之后將 新的涂層涂覆在隔膜表面上，以使得隔膜準(zhǔn)備好用于下一次過濾任務(wù)。 以該方式，隔膜不可逆的結(jié)垢的風(fēng)險(xiǎn)被降至最小或者甚至可以完全避 免。
為了有助于方法控制，在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中使用裝置檢測金屬 硫化物在隔膜上的沉積程度。該裝置可以例如是使用其中干凈的隔膜 在沒有金屬疏化物顆粒存在的情況下與液體接觸的情形作為起始點(diǎn)測 量隔膜兩側(cè)上的液體壓力的系統(tǒng)。壓差的增加將表明金屬硫化物已經(jīng) 沉積在隔膜上。然后可以將壓差用作確定隔膜何時(shí)需要清洗的指示。
液體料流適宜地在-20。C至IOO'C，優(yōu)選IO'C - 100r，更優(yōu)選30
°C - 85'C的溫度下與隔膜接觸。
如圖所示，本發(fā)明進(jìn)一步提供一種用于從包含溶劑和金屬硫化物 顆粒的液體料流中除去金屬硫化物顆粒的設(shè)備。該設(shè)備包括包含至少 一個(gè)入口和兩個(gè)出口的溶劑再生塔(l),該溶劑再生塔與包括至少一個(gè) 隔膜并且包含至少一個(gè)入口和一個(gè)出口的過濾器系統(tǒng)(2)相連，該過濾 器系統(tǒng)與包含至少一個(gè)入口和兩個(gè)出口的分離塔(3),優(yōu)選典型的蒸餾 塔相連。
在該設(shè)備的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，在溶劑再生塔(l)中或者上游形 成金屬硫化物顆粒，包含溶劑、金屬硫化物顆粒和任選地溶解的污染 物例如水的液體料流從溶劑再生塔的底部排出并且通過管線(4)引入 包括至少 一個(gè)隔膜的過濾器系統(tǒng)(2)。在過濾器系統(tǒng)(2)中液體料流與 隔膜接觸，從而將金屬硫化物顆粒從液體料流轉(zhuǎn)移到隔膜表面上，得 到貧含金屬硫化物顆粒的液體料流和富含金屬硫化物顆粒的隔膜。貧 含金屬硫化物顆粒的液體料流通過管線(5)引入分離塔(3)，在那里進(jìn)
行溶劑和污染物例如水的分離。優(yōu)選地，分離塔包括內(nèi)部構(gòu)件以增強(qiáng) 溶劑和污染物的分離。將理解的是金屬硫化物顆粒在這些內(nèi)部構(gòu)件上 的沉積會(huì)產(chǎn)生問題。通過使用包括過濾器系統(tǒng)的設(shè)備，避免了這些問 題。
適宜地，通過管線(6)將包含金屬羰基化合物和硫化氫和/或金屬 硫化物的溶劑引入溶劑再生塔(l),并且通過加熱在溶劑再生塔中形成 金屬辟u化物顆粒。
優(yōu)選地，將包含溶劑和任選地溶解的污染物例如水以及金屬硫化 物顆粒的液體料流從溶劑再生塔(1)的底部排出并且通過管線(7)引入 別處，并且將另一個(gè)液體料流通過管線(4)引入過濾器系統(tǒng)(2)。通過 僅僅將部分液體料流從溶劑再生塔引入過濾器系統(tǒng)，金屬硫化物的除 去可以更快地進(jìn)行并且小的過濾器系統(tǒng)是足夠的。在過濾器系統(tǒng)中， 進(jìn)行金屬疏化物顆粒的除去，得到貧含金屬硫化物顆粒的液體料流。
優(yōu)選地，通過管線(8)將尤其包含硫化氬的氣體料流從溶劑再生塔 的頂部適宜地引入硫化氫處理裝置(未示出)。
優(yōu)選地，再次使用來自管線(7)的再生溶劑例如以從包含金屬羰基 化合物和疏化氫的氣體料流中除去這些化合物。
優(yōu)選將已經(jīng)在分離塔(3)中分離的溶劑通過管線(9)引回到溶劑再 生塔。優(yōu)選將水和/或其它污染物通過管線(10)從分離塔(3)引出。
將理解的是該設(shè)備可以包括多于一個(gè)的分離塔和/或可以包括多 于一個(gè)的再生塔。
在一個(gè)更優(yōu)選實(shí)施方案中，全部或部分的分離塔(3)與全部或部分 的再生塔(l)集成(integrated)。在一個(gè)最優(yōu)選的實(shí)施方案中，再生塔 的底部區(qū)域功能性地延伸至分離塔的頂部，使得分離塔(3)完全與再生 塔(1)集成。
本發(fā)明的方法和設(shè)備使得能夠?qū)⒔饘倭蚧镱w粒從溶劑中除去至 這樣的程度可以將溶劑與污染物分離，伴隨著最小的金屬硫化物顆 粒沉積的風(fēng)險(xiǎn)。例如，當(dāng)在2m7h的進(jìn)料速率下將包含甲醇和200mg/l 的硫化鐵和硫化鎳顆粒的液體料流進(jìn)料到包括塔板的分離塔時(shí)，在24 小時(shí)操作過程中即使20%的沉積也將導(dǎo)致1. 9kg固體/天的塔板結(jié)殼。 這導(dǎo)致頻繁地需要修理和維護(hù)分離塔，伴隨著顯著的停機(jī)時(shí)間。本發(fā) 明的方法和設(shè)備使得能夠?qū)⒔Y(jié)殼數(shù)量實(shí)際降低至零，從而極大地減少 分離塔的停機(jī)時(shí)間。
權(quán)利要求
1. 一種使用包括至少一個(gè)隔膜的過濾器系統(tǒng)從包含溶劑和金屬硫化物顆粒的液體料流中除去金屬硫化物顆粒的方法，該方法包括使液體料流與隔膜接觸，從而將金屬硫化物顆粒從液體料流轉(zhuǎn)移到隔膜表面上，得到貧含金屬硫化物顆粒的液體料流和包括富含金屬硫化物顆粒的隔膜的過濾器系統(tǒng)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中金屬硫化物顆粒的平均粒度為 IO納米-5微米，優(yōu)選10納米-l微米。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中隔膜是多孔的并且隔膜的 最小孔隙尺寸低于最小的金屬硫化物顆粒的粒度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中隔膜的孔隙尺寸小于0.1微米， 優(yōu)選小于0.01微米。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4的方法，其中隔膜是通常用于超濾、納濾 或反滲透，尤其是超濾的類型。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1-5的方法，其中隔膜由一種或多種選自以下 的材料制成玻璃纖維、纖維素、乙酸纖維素、陶瓷材料、金屬網(wǎng)、 聚丙烯腈(PAN)、聚胺酰亞胺+二氧化鈦(PAI)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚 偏二氟乙烯(PVDF)和聚四氟乙蹄(PTFE)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中隔膜是對(duì)溶劑具有足夠滲 透性的致密隔膜。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中隔膜由聚硅氧烷，優(yōu)選聚二甲 基硅氧烷制成。
9. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中液體料流包含至少 4ppmv金屬硫化物顆粒，優(yōu)選至少5ppmv金屬;克化物顆粒。
10. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中溶劑包括甲醇。
11. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中金屬硫化物顆粒包括 羰基鎳和/或羰基鐵。
12. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中隔膜涂覆有涂覆物質(zhì)的層，并且從液體料流轉(zhuǎn)移到隔膜的金屬硫化物顆粒粘附在涂覆物質(zhì) 上，以獲得富含金屬硫化物顆粒的涂覆物質(zhì)的層。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中將富含金屬硫化物顆粒的涂 覆物質(zhì)的層從隔膜上洗去并且與金屬硫化物顆粒一起丟棄。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中在將富含金屬硫化物顆粒的 涂覆物質(zhì)的層洗去之后將新的涂覆物質(zhì)的層涂覆在隔膜上。
15. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中過濾器系統(tǒng)進(jìn)一步包 括過濾器元件，并且該方法進(jìn)一步包括通過使過濾器元件以劇烈振 動(dòng)運(yùn)動(dòng)的方式以與富含金屬硫化物的隔膜表面正切的方向移動(dòng)將富含 金屬硫化物顆粒的隔膜清洗，從而將金屬硫化物顆粒從隔膜表面上清 除。
16. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中過濾器系統(tǒng)進(jìn)一步包 括過濾器元件，并且該方法進(jìn)一步包括通過使過濾器元件旋轉(zhuǎn)以在 富含金屬硫化物的隔膜上產(chǎn)生剪切力將富含金屬硫化物顆粒的隔膜清 洗，從而將金屬硫化物顆粒從隔膜表面上清除。
17. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中包含溶劑和金屬硫化 物顆粒的液體料流通過以下步驟獲得(i)將包含硫化氫和金屬羰基化合物的氣體料流與溶劑接觸，從 而得到富含硫化氫和金屬羰基化合物的溶劑；(i i)將富含硫化氫和金屬羰基化合物的溶劑加熱并且減壓，從而 將金屬羰基化合物的至少一部分轉(zhuǎn)化成金屬硫化物顆粒，得到包含溶 劑和金屬硫化物顆粒的液體料流。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中步驟(i)在-70。C至40。C，優(yōu) 選-60。C至0。C的溫度下進(jìn)行。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17或18的方法，其中步驟(ii)在60-110。C,優(yōu)選70 - 9。C的溫度下進(jìn)行。
20. —種用于從包含溶劑和金屬疏化物顆粒的液體料流中除去金 屬硫化物顆粒的設(shè)備，其中該設(shè)備包括包含至少一個(gè)入口和兩個(gè)出口 的溶劑再生塔，該溶劑再生塔與包括至少一個(gè)隔膜并且包含至少一個(gè)入口和一個(gè)出口的過濾器系統(tǒng)相連，該過濾器系統(tǒng)與包含至少一個(gè)入 口和兩個(gè)出口的分離塔相連。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20的設(shè)備，其包括多于一個(gè)的再生塔和/或包括多于一個(gè)的分離塔。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20-21的設(shè)備，其中全部或部分的分離塔與 全部或部分的再生塔集成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種使用包括至少一個(gè)隔膜的過濾器系統(tǒng)從包含溶劑和金屬硫化物顆粒的液體料流中除去金屬硫化物顆粒的方法，該方法包括使液體料流與隔膜接觸，從而將金屬硫化物顆粒從液體料流轉(zhuǎn)移到隔膜表面上，得到貧含金屬硫化物顆粒的液體料流和包括富含金屬硫化物顆粒的隔膜的過濾器系統(tǒng)。本發(fā)明進(jìn)一步提供一種用于從包含溶劑和金屬硫化物顆粒的液體料流中除去金屬硫化物顆粒的設(shè)備，其中該設(shè)備包括包含至少一個(gè)入口和兩個(gè)出口的溶劑再生塔(1)，該溶劑再生塔與包括至少一個(gè)隔膜并且包含至少一個(gè)入口和一個(gè)出口的過濾器系統(tǒng)(2)相連，該過濾器系統(tǒng)與包含至少一個(gè)入口和兩個(gè)出口的分離塔(3)相連。
文檔編號(hào)C01B17/00GK101389397SQ200780006747
公開日2009年3月18日 申請日期2007年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月16日
發(fā)明者A·奈邁耶, H·W·申克, J·L·W·C·登伯斯泰爾特, W·M·邦德 申請人:國際殼牌研究有限公司