專利名稱：控制電位直接合成氰化亞金鉀的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造氰化亞金鉀的方法，特別是涉及一種采用電位控制，直接合成氰化亞金鉀的方法。
氰化亞金鉀的生產(chǎn)，國(guó)外多使用離子交換膜電解法，其工藝流程為原料制?！裟る娊狻舭l(fā)濃縮—冷卻結(jié)晶—離心分離—烘干。特點(diǎn)為產(chǎn)品質(zhì)量較高，適于規(guī)模生產(chǎn)，電解法的關(guān)鍵在于離子交換膜的性能。膜的制作技術(shù)為生產(chǎn)廠家專有，國(guó)內(nèi)尚不掌握。目前國(guó)內(nèi)使用的優(yōu)質(zhì)氰化亞金鉀仍需進(jìn)口。
國(guó)內(nèi)生產(chǎn)氰化亞金鉀多采用化學(xué)法，其流程為王水溶解—趕硝—稀釋—氨水沉淀—蒸發(fā)趕氨—冷卻結(jié)晶—離心分離—烘干。其缺點(diǎn)為流程長(zhǎng)，成本高，產(chǎn)品質(zhì)量差，純度一般僅為98—99％左右。
金、氰化鉀、過(guò)氧化氫直接合成氰化亞金鉀的反應(yīng)式為
該反應(yīng)的存在為黃金選冶技術(shù)人員所熟知，并應(yīng)用于金礦石的氰化浸出。然迄今為止，只能用來(lái)獲取KAu(CN)，的稀溶液，不能用于KAu(CN)2產(chǎn)品的實(shí)際生產(chǎn)。
用金、KCN、H2O2直接合成KAu(CN)，主要存在兩個(gè)困難1、過(guò)氧化氫不穩(wěn)定，遇金分解H2O2濃度越高，金的表面積越大，分解速度越快。例如，將金粉加入1％的H2O2中，即可觀察到H2O2的劇烈分解。
2、付反應(yīng)影響產(chǎn)品質(zhì)量氰化鉀，過(guò)氧化氫濃度較高時(shí)，付反應(yīng)可生成三價(jià)金鹽，氰酸鹽等雜質(zhì)，影響產(chǎn)品質(zhì)量。由于上述原因，迄今為止，該法尚不能用于氰化亞金鉀的實(shí)際生產(chǎn)。
本發(fā)明的目的，是提供一種采用金、氰化鉀、過(guò)氧化氫直接合成氰化亞金鉀的方法。
本發(fā)明的目的，是采用如下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的，即控制電位直接合成氰化亞金鉀的方法，是將氰化鉀、過(guò)氧化氫按一定速度逐漸加入到反應(yīng)容器中，控制反應(yīng)過(guò)程中的金電位-400～-800mv。
上述金電位控制，可采用在反應(yīng)容器中裝設(shè)金電極和飽和甘汞電極的辦法。金電極通過(guò)導(dǎo)線與一電位儀正輸入端連接，飽和甘汞電極通過(guò)導(dǎo)線與電位儀負(fù)輸入端連接。生產(chǎn)KAu(CN)2時(shí)，在反應(yīng)容器中加入金粉Au和純水H2O，加熱到50—80℃，攪拌，電位儀測(cè)量顯示反應(yīng)過(guò)程中的金電位，加入KCN和H2O2，通過(guò)加入KCN和H2O2的速度控制，金電位在-400～-800mv范圍，并在停止加KCN和H2O2后繼續(xù)攪拌使反應(yīng)完全，所得溶液中KAu(CN)2濃度可高達(dá)30％以上。將母液趁熱過(guò)濾，冷卻結(jié)晶，離心脫水，洗滌烘干，即得純度99.9％以上的優(yōu)質(zhì)KAu(CN)2成品。
上述的金電位控制在-600～-700mv之間為實(shí)際生產(chǎn)的最佳范圍。
在實(shí)際生產(chǎn)中使用金粉、金薄片或金細(xì)粒。H2O2、KCN使用濃溶液以提高母液濃度；反應(yīng)在較高溫度下進(jìn)行以提高反應(yīng)速度和母液濃度。
上述KCN可部分用HCN替代。
從的氰化亞金鉀生成反應(yīng)式可以看出，在生成氰化亞金鉀KAu(CN)2的同時(shí)還生成KOH。如果將一半的KCN用HCN替代，則
從上述反應(yīng)式可以看出用50％KCN和50％HCN，在生成KAu(CN)2時(shí)，可避免KOH的生產(chǎn)，即在生成的母液中只有KAu(CN)2，是理想的KAu(CN)2母液。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)比較有如下優(yōu)點(diǎn)1、可在短時(shí)間內(nèi)得到度高濃度的KAu(CN)2母液，生產(chǎn)速度快，效率高；2、與電解法相比，不需要使用特殊的離子交換膜，設(shè)備投資小，生產(chǎn)成本低；3、與化學(xué)法相比，試劑消耗少，產(chǎn)品質(zhì)量高。


圖1是裝有金電極和飽和甘汞電極的反應(yīng)容器結(jié)構(gòu)示意圖。
實(shí)施例在裝有攪拌器5的反應(yīng)容器1內(nèi)加入金粉1000g、純水2000mL；加熱到60℃，攪拌，用飽和甘汞電極2、金電極3、電位儀4測(cè)量顯示反應(yīng)過(guò)程中的金電位，向反應(yīng)容器1中再加入30％的H2O2溶液，速度為2—40mL/分，加入40％的KCN溶液，速度為10—200mL/分，金電位偏高時(shí)多加KCN，偏低時(shí)多加H2O2，將金電位控制在-600～-700mv之間，共計(jì)加入理論量1.1倍的KCN，并在停止加液后繼續(xù)攪拌使反應(yīng)完全。所得母液KAu(CN)2中濃度可高達(dá)30％以上。將母液趁熱過(guò)濾，冷卻結(jié)晶、離心脫水、洗滌烘干，即得純度99.9％以上的氰化亞金鉀KAu(CN)2。
權(quán)利要求
1.控制電位直接合成氰化亞金鉀的方法，可以直接獲得高濃度的KAu(CN)2溶液，其特征在于氰化鉀、過(guò)氧化氫按一定速度逐漸加入到反應(yīng)容器(1)中，控制反應(yīng)過(guò)程中的金電位為-400～-800mv。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電位直接合成氰化亞金鉀的方法，其特征在于所述的金電位為-600～-700mv。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電位直接合成氰化亞金鉀的方法，其特征在于所使用的KCN的50％以下可用HCN替代。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電位直接合成氰化亞金鉀的方法，其特征是在反應(yīng)容器(1)內(nèi)裝設(shè)飽和甘汞電極(2)和金電極(3)，飽和甘汞電極(2)通過(guò)導(dǎo)線與電位儀(4)的負(fù)輸入端連接，金電極(3)通過(guò)導(dǎo)線與電位儀(4)的正輸入端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電位直接合成氰化亞金鉀的方法，其特征是在反應(yīng)容器(1)內(nèi)加入金粉1000g、純水2000mL，加熱到60℃，攪拌，再向反應(yīng)容器(1)中加入30％的H2O2溶液，速度為2—40mL/分，加入40％的KCN溶液，速度為10—200mL/分，將金電極(3)的金電位控制在-600～-700mv之間。
全文摘要
控制電位直接合成氰化亞金鉀的方法,是將氰化鉀、過(guò)氧化氫按一定速度逐漸加入到反應(yīng)容器中,控制反應(yīng)過(guò)程的金電位為－400～－800mv。用本發(fā)明的方法生產(chǎn)KAu(CN)
文檔編號(hào)C01C3/00GK1314307SQ00110219
公開(kāi)日2001年9月26日 申請(qǐng)日期2000年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月20日
發(fā)明者張東山 申請(qǐng)人:張東山