專利名稱：：金凹凸或者金布線形成用的非氰系電解金電鍍浴液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片的金凹凸或者金布線形成用的非氰系電解金電鍍浴液。這個電鍍浴液可以在硅或者Ga/As化合物晶片上形成由表面平整的電解金的電鍍被膜構(gòu)成的金凹凸或者金布線。
背景技術(shù)：
：非氰系電解金電鍍用的基本浴液由以下部分組成作為金源的亞硫酸金堿性鹽或者亞硫酸金銨，作為穩(wěn)定劑的水溶性胺，作為結(jié)晶調(diào)整劑的微量的Tl化合物、Pb化合物以及As化合物，作為傳導(dǎo)鹽的亞硫酸鹽以及硫酸鹽，緩沖劑。由這個非氰系電解金電鍍浴液形成的電鍍被膜的電傳導(dǎo)性、熱壓性等物理特性比較優(yōu)異，并且在耐酸性、耐藥品腐蝕性等化學(xué)特性方面也比較好。因為這個理由，這個電鍍浴液很適合作為半導(dǎo)體芯片的電極的凹凸形成或者布線形成等用途。半導(dǎo)體芯片的金凹凸的形成方法參照圖1所示的半導(dǎo)體芯片剖面圖作以下說明。在圖1中，100是半導(dǎo)體芯片，2是硅或者Ga/As化合物晶片，另一面(在本圖中的上面)形成沒有圖示的IC電路。晶體2的IC電路上面構(gòu)成有微小的AI電極4。在構(gòu)成有IC電路的晶體2上面和Al電極4上面的邊緣被鈍化膜6覆蓋著。Al電極4的上面中央上形成的鈍化膜6的開口部7的上面以及鈍化膜6的上面按順序被TiW濺射膜8，金濺射膜9堆積覆蓋。如上所述，從硅晶片到Ga/As晶片上通常都是如圖1所示形成有鈍化膜。鈍化膜的用途是為了使周圍的布線和金電鍍形成的金被膜之間絕緣的同時，保護(hù)周圍的布線。鈍化膜的材質(zhì)是聚酰亞胺等樹脂以及SiN等。金濺射膜9的表面如圖1所示，Al電極4的邊緣部分上方比中心部分的上方還要高形成了有封閉的凸條10的研磨碗形狀。這個形狀是因為在Al電極4的上面邊緣形成了鈍化膜6的研磨碗形狀。金濺射膜9的凸條10的上端與凸條10的中心位置凹陷部分的底面11之間的斷坡x是鈍化膜的斷坡。金濺射膜9上面有由掩模材料12構(gòu)成的掩模圖形。被布線圖形化的掩模材料12在Al電極4的上方有開口部分14。掩模材料12的開口部分14內(nèi)部形成由電解金電鍍形成的金凹凸16。由金電鍍在金濺射膜9上面構(gòu)成的金凹凸16仿效了金濺射膜9的表面形狀。結(jié)果是在金凹凸16的表面產(chǎn)生了由于鈍化膜斷坡形成的斷坡，形成了研磨碗形狀。使用現(xiàn)有的具有基本成分的非氰系電解金電鍍浴液，形成金凹凸時，因為上述鈍化膜6的凸條引起的斷坡，在得到的金凹凸中產(chǎn)生了相當(dāng)于鈍化膜斷坡的凹陷20。另外，在圖1中18是球狀的金珠、焊錫珠等金屬珠。在金凹凸16上面附著著多個(在本圖中是2個)金屬珠18。在有凹陷20的金凹凸里附著金屬珠時，珠18容易在凹陷20中偏移存在。結(jié)果是通過金屬珠18在凹凸16上熱壓金線進(jìn)行連接時，會造成金線與金珠子的結(jié)合不充分。進(jìn)而由于壓著面不平使加壓不均勻，結(jié)合部分達(dá)不到足夠的密合強(qiáng)度。在基板的凹凸上將半導(dǎo)體芯片100用叩悍進(jìn)行載置時，作為通用的接合材料使用各向異性導(dǎo)電膜。各向異性導(dǎo)電膜是將導(dǎo)電粒子在環(huán)氧樹脂等樹脂上均勻地分散。導(dǎo)電粒子是將丙烯酸樹脂粒子的表面用鎳、金按順序被覆的。將基板的凹凸和半導(dǎo)體芯片用各向異性導(dǎo)電膜進(jìn)行接合時，夾有各向異性導(dǎo)電膜將半導(dǎo)體芯片壓著在基板的凹凸上。通過這個壓力，使各向異性導(dǎo)電膜內(nèi)部相互分離了的導(dǎo)電粒子密切結(jié)合，通過導(dǎo)電粒子使基板的凹凸和半導(dǎo)體芯片在電氣地連接。由電解金電鍍形成金凹凸的方法本身是公知技術(shù)，例如使用含有氰化金鉀的金電鍍浴液的構(gòu)成方法在日本專利特開2003—7762號公報(第00210022段)中有記載。
發(fā)明內(nèi)容將半導(dǎo)體芯片向基板上實裝時，通過各向異性導(dǎo)電膜接合或者通過金珠與金線進(jìn)行接合。金凹凸、金布線的上部表面相當(dāng)于與基板或者金線的接合面。關(guān)于其形狀最好不是研磨碗等具有凹凸的形狀，而是平坦的形狀。由于鈍化膜的斷坡引起的金凹凸或者金布線的接合面的凹陷深度及直徑比導(dǎo)電粒子或者金珠還要大，所以就會導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片在向基板實裝時產(chǎn)生接合不良，造成電路方面的缺陷。本發(fā)明鑒于上述存在的問題，提供了非氰系電解金電鍍浴液，它不受鈍化膜的斷坡的影響，可以形成被膜表面的凹凸差在Wm以下的平坦金被膜構(gòu)成的金凹凸、金布線，由各向異性導(dǎo)電膜或者金珠進(jìn)行接合時可以達(dá)到足夠的接合強(qiáng)度。凹凸。本發(fā)明者為了達(dá)到上述目的進(jìn)行反復(fù)實驗論證，發(fā)現(xiàn)了在上述的一般非氰系電解金電鍍液的基本組成中，以規(guī)定濃度配合由鈀鹽、鉑鹽、鋅鹽以及銀鹽中任選一種以上，可以將起因于鈍化膜的凹凸的金電鍍被膜面的凹凸差控制在ltoi以下。而且這個金被膜具有均勻且細(xì)密的良好外觀特性、被膜硬度，并保持了分配強(qiáng)度特性，作為半導(dǎo)體芯片、布線是非常適合的。艮口，解決上述問題的本發(fā)明，如以下記載。[l]金凹凸或者金布線形成用的非氰系電解金電鍍浴液，含有以下成分-.亞硫酸金堿鹽或者亞硫酸金銨的作為金量為120g/L,水溶性胺為130g/L，Tl化合物、Pb化合物或者As化合物的作為金屬濃度為0.1100mg/L，亞硫酸鹽的作為S032—的量為5100g/L，硫酸鹽的作為S042—的量為l120g/L，緩沖劑為0.130g/L，從鈀鹽、鉑鹽、鋅鹽以及銀鹽中任選一種以上的作為金屬濃度為0.1100mg/L。[2]金凹凸或者金布線的形成方法，使用[l]中記載的金凹凸或者金布線形成用非氰系電解金電鍍浴液，在有布線圖形的晶片上進(jìn)行電解金電鍍。圖1是半導(dǎo)體芯片的部分剖面圖，表示在掩模材料的開口部形成金凹凸的一個例。圖2A是表示掩模材料被布線圖形化了的半導(dǎo)體芯片的部分剖面圖。圖2B是表示金電鍍后掩模材料被除去的半導(dǎo)體芯片的部分剖面圖。圖中，2、28是晶片；4、30是A1電極；6、26是鈍化膜；7是鈍化膜的開口部；8、25是TiW濺射膜；9、24是金濺射膜；IO是金濺射膜的凸條；11是凹陷的底面；12、22是掩模材料；14、32是掩模材料的開口部；16、34是金凹凸；18是金珠；20是凹陷；x是鈍化膜的斷坡。發(fā)明的效果本發(fā)明的非氰系電解金電鍍浴液，是在一般的非氰系電解金電鍍液的基本組成中含有規(guī)定量的鈀鹽、鉑鹽、鋅鹽或者銀鹽。因此，由電鍍形成金凹凸、金布線的時候，在其表面不會因為鈍化膜的斷坡產(chǎn)生凹凸。得到的金凹凸、金布線的被膜表面凹凸差在以下。按照本發(fā)明，形成作為在半導(dǎo)體芯片上沒有斷坡平坦的金被膜表面的金凹凸、金布線。由本發(fā)明構(gòu)成的金凹凸、金布線具有均勻且細(xì)密的良好外觀特性和表膜硬度，并保持了分配強(qiáng)度特性。實施發(fā)明的最好方式本發(fā)明的金凹凸或者金布線形成用的非氰系電解金電鍍浴液是在作為金源的亞硫酸金堿性鹽或者亞硫酸金銨，作為穩(wěn)定劑的水溶性胺，微量的結(jié)晶調(diào)整劑，作為傳導(dǎo)鹽的亞硫酸鹽以及硫酸鹽，緩沖劑構(gòu)成的公知的組成的金電鍍基本浴液中含有鈀鹽、鉑鹽、鋅鹽以及銀鹽中的任意一種以上。以下對本發(fā)明電解金電鍍浴液必要的各成分分別進(jìn)行說明。(1)亞硫酸金堿性鹽、亞硫酸金銨(金源)對于本發(fā)明所使用的亞硫酸金堿性鹽，可以沒有限制地使用公知的任何亞硫酸金堿性鹽。作為亞硫酸金堿性鹽，可以列舉如亞硫酸金(I)鈉、亞硫酸金(I)鉀等。這些可以單獨使用一種，也可以同時使用兩種以上。本發(fā)明的電解金電鍍液中，作為金源可以使用上述亞硫酸金堿性鹽或者亞硫酸金銨，其配比量中作為金量通常在120g/L，最好是815g/L。當(dāng)亞硫酸金堿性鹽或者亞硫酸金銨的配比量不足lg/L時，會由于電鍍膜不均勻造成比較粗糙易碎，變成所謂的燒結(jié)沉積電鍍(burntdeposits)。如果超過20g/L時，對于電鍍膜的特性沒有任何問題，但是會造成經(jīng)濟(jì)上的負(fù)擔(dān)比較重。(2)水溶性胺(穩(wěn)定劑)對于水溶性胺，可以使用如l，2—二氨基乙烷、1，2—二氨基丙烷、1，6—二氨基己烷等二胺。這些可以單獨使用一種，也可以同時使用兩種以上。水溶性胺的配比量通常在l30g/L，最好是420g/L。水溶性胺的配比量超過30g/L后金絡(luò)鹽的穩(wěn)定性增大，但是另一方面產(chǎn)生的電鍍膜硬度變高表面粗糙度變小。其結(jié)果造成金電鍍膜與金珠或者各向異性導(dǎo)電膜的界面上接觸面積減少(即沒有足夠的固定效果)，從而使得接合強(qiáng)度不足。而且金電鍍膜在熱處理之后硬度會大幅下降，與金布線或者基板接合時有時會產(chǎn)生凹凸損毀等情況。如果配比量不足lg/L，極限電流密度過低會產(chǎn)生燒結(jié)沉積的問題。(3)Tl化合物、Pb化合物、As化合物(結(jié)晶調(diào)整劑)對于本發(fā)明金電鍍浴液中使用的結(jié)晶調(diào)整劑，可以列舉如甲酸鉈、丙二酸鉈、硫酸鉈、硝酸鉈等T1化合物；檸檬酸鉛、硝酸鉛、鏈烷磺酸鉛等Pb化合物；三氧化二砷等As化合物。這些T1化合物、Pb化合物、As化合物可以單獨使用一種，也可以同時使用兩種以上。結(jié)晶調(diào)整劑的配比量在不防礙本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)適量使用就可以，作為金屬濃度優(yōu)選是在0.1100mg/L，更優(yōu)選為0.550mg/L之間，最優(yōu)選為325mg/L之間。結(jié)晶調(diào)整劑的配比量超過100mg/L時，電鍍表面會產(chǎn)生光澤表面和粗造表面混合存在的情況(電鍍附著狀況惡化)，另外，金蓬亂地析出大的粒子生成斑紋的外觀，或者由于結(jié)晶調(diào)整劑析出過多使金被膜產(chǎn)生脫落現(xiàn)象，這些會成為接合不良的原因。結(jié)晶調(diào)整劑的配比量不足0.1mg/L時，電鍍的附著力、電鍍浴液的穩(wěn)定性以及耐久性都會下降，甚至可能會造成電鍍浴液分解。(4)亞硫酸鹽、硫酸鹽(傳導(dǎo)鹽)本發(fā)明的傳導(dǎo)鹽可以使用亞硫酸鹽和硫酸鹽，如亞硫酸鈉、亞硫酸鉀、焦亞硫酸鈉、亞硫酸氫鈉等亞硫酸鹽；硫酸鈉等硫酸鹽。這之中，亞硫酸鈉和硫酸鈉的組合是最適合的。本發(fā)明的電解金電鍍浴液中，上述的亞硫酸鹽以及硫酸鹽的配比量在不防礙本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)適量使用就可以，希望使用以下的配比量。亞硫酸鹽，SO^的量優(yōu)選為5100g/L，更優(yōu)選為1080g/L之間，最優(yōu)選為2060g/L之間。如果亞硫酸鹽的配比量低于5g/L，附著能力以及電鍍液的穩(wěn)定性都會下降，甚至可能會造成電鍍浴液分解。如果超過100g/L，極限電流密度過低會產(chǎn)生燒結(jié)沉積的問題。硫酸鹽，SO/.的量優(yōu)選為1120g/L，更優(yōu)選為160g/L之間，最優(yōu)選為l40g/L之間。如果硫酸鹽的配比量低于lg/L，形成的被膜在熱處理過后硬度過高，可能會造成凹凸和基板之間的接合不良問題，還可能會造成電鍍液的穩(wěn)定性下降而造成電鍍浴液分解。如果超過120g/L，極限電流密度過低會產(chǎn)生燒結(jié)沉積的問題。(5)緩沖劑作為本發(fā)明使用的緩沖劑，只要是通常電解金電鍍浴液使用的并沒有特別的限定，可以使用例如磷酸鹽、硼酸鹽等無機(jī)酸鹽、檸檬酸鹽、鄰苯二甲酸鹽、乙二胺四醋酸鹽等有機(jī)酸(羧酸、羥基羧酸)鹽等。特別是磷酸鹽最好。本發(fā)明的非氰系電解金電鍍浴液中緩沖劑的配比量，優(yōu)選為0.130g/L，更優(yōu)選為120g/L，最優(yōu)選為215g/L。如果配比量低于0.1g/L會導(dǎo)致pH值下降，電鍍液的穩(wěn)定性會下降，甚至可能會造成電鍍浴液成分分解。如果超過30g/L，極限電流密度過低會產(chǎn)生燒結(jié)沉積的問題。(6)鈀鹽、鉑鹽、鋅鹽以及銀鹽本發(fā)明的非氰系電解金電鍍浴液中配入的鈀鹽，是例如四胺合鈀氯化物鹽、四胺合鈀硫酸鹽等。本發(fā)明的非氰系電解金電鍍浴液中配入的鉑鹽，是例如四胺合鉑氯化物以及它的乙二胺絡(luò)鹽等。本發(fā)明的非氰系電解金電鍍浴液中配入的鋅鹽，是例如鋅胺絡(luò)鹽等。本發(fā)明的非氰系電解金電鍍浴液中配入的銀鹽，是例如硫代硫酸銀鹽等。鈀鹽、鉑鹽、鋅鹽以及銀鹽可以單獨使用任意一種，也可以同時使用兩種以上。本發(fā)明的非氰系電解金電鍍浴液中鈀鹽、鉑鹽、鋅鹽以及銀鹽的配比量是，這些金屬鹽合計的金屬濃度優(yōu)選為0.1200mg/L，更優(yōu)選為0.1100mg/L之間，最優(yōu)選為0.125mg/L之間。使用本發(fā)明的非氰系電解金電鍍浴液對硅晶片、化合物晶片進(jìn)行凹凸、布線等金電鍍時，按照通常的方法進(jìn)行操作就可以。例如，首先在晶片上形成了的IC電路表面上用濺射形成Al電極。之后作為底層金屬膜順次地形成Ti一W濺射膜、Au濺射膜。然后在這個晶片上用掩模劑進(jìn)行掩模處理，而后，將晶片作為被電鍍物進(jìn)行電解金電鍍。最后，將掩模材料和，沒有被金凹凸和金布線被覆的部分的底層金屬膜從芯片中除去。作為掩模材料的除去方法例如用溶劑使其溶解來除去。作為底層金屬膜的除去方法可以用例如用雙氧水溶劑或者王水溶劑等來剝離等方法。掩模劑，可以舉出作為酚醛清漆系正型光致抗蝕劑，有例如市面上有售的LA-900、HA-900、作為丙烯系負(fù)型光致抗蝕劑，有例如BMRC-1000(上述是東京應(yīng)化工業(yè)株式會社生產(chǎn))等。電鍍浴液溫度通常是在407(TC，最好是在5065i:。如果電鍍浴液溫度不足40°C，由于電流效率低下使析出不平均，從而造成電鍍被膜的膜厚、表面形狀不一致。另外，隨著電鍍液的傳導(dǎo)性低下造成電鍍電壓上升，有時會使得電鍍浴液分解。電鍍液的溫度超過7(TC時，析出的金成長為大個粒子后形成被膜，電鍍被膜可能會變得粗造，或者由于電鍍液溫度過高，金絡(luò)合物會發(fā)生分解。在金濃度為815g/L、6(TC時的電鍍液溫度下，電流密度優(yōu)選為2.0A/dm2以下，更優(yōu)選為0.11.5A/dm2之間，最優(yōu)選為0.30.8A/dm2之間。電流密度超過上述的范圍時，會析出樹枝狀晶被膜，由于過高的電壓金絡(luò)合物會發(fā)生分解。如果電流密度低于上述范圍，生產(chǎn)率會比較低下。另外會使?jié)B出的金粒變得粗大，電鍍表面呈粗造狀，與金布線的接合變得不合適。在本發(fā)明的非氰系電解金電鍍浴液中的pH值通常是在7.0以上，最好是在7.210.0之間。非氰系電解金電鍍浴液中的pH值不足7.0時，電鍍浴液的穩(wěn)定性會顯著下降，甚至可能會造成電鍍浴液分解。另一方面，pH值超過10.0時，掩模劑被溶解使得電鍍被膜變得污濁，由于抗蝕劑圖形的消失有時金凹凸不能形成規(guī)定的形狀。本發(fā)明的非氰系電解金電鍍浴液中，在不防礙本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)使用適量的pH值調(diào)整劑等其他成分也可以。作為pH值調(diào)整劑，可以使用例如稀硫酸水、亞硫酸水、磷酸等的酸，和氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水等堿性物質(zhì)。本發(fā)明的非氰系電解金電鍍浴液，對作為金源的亞硫酸金堿鹽等以及構(gòu)成電鍍浴液的其他成分進(jìn)行管理補(bǔ)充，使此電鍍液可以使用2圈(電鍍液中的金量全部在電鍍中使用了的時候1圈)以上。用本發(fā)明的非氰系電解金電鍍浴液可以進(jìn)行電鍍的被鍍物，只要是基底被金屬化的具有導(dǎo)電性的物體都可以電鍍，沒有特別的限制。例如將酚醛清漆系正型光致抗蝕劑或者丙烯系負(fù)型光致抗蝕劑作為掩模劑，在形成布線圖案的硅晶片上或者Ga/As晶片等化合物晶片上使用形成凹凸和布線非常適合。實施例實施例16、比較例12配制表12所示的非氰系電解金電鍍浴液。各原料的配比濃度單位如果沒有特別的說明就是g/L。但是，這個濃度對于Na3Au(S03)2是表示Au含量、Na2S03是表示S03含量、Na2S04是表示S04含量。形成IC電路的被電鍍物使用了硅晶片。這個硅晶片具有用酚醛清漆系正型光致抗蝕劑圖形化的凹凸開口部。硅晶片的材料剖面是由濺射膜/TiW濺射膜/鈍化膜/Al電極/Si02Si組成。其剖面圖如圖2A所示。在圖2A中，22是掩模劑(光致抗蝕劑)，24是金濺射膜，25是TiW濺射膜，26是鈍化膜，28是硅晶片，30是A1電極。在1升配制好的非氰系電解金電鍍浴液中浸泡被電鍍物，經(jīng)過通電處理之后可以形成厚度為18to的被膜。另外，非氰系電解金電鍍浴液的電流效率在固定的電鍍操作條件下通常是100%。形成規(guī)定厚度的被膜后，除去掩模劑，對形成的凹凸表面的斷坡的程度，浴液穩(wěn)定性，電鍍被膜外觀，被膜硬度(未進(jìn)行熱處理以及進(jìn)行30分鐘300"C熱處理之后)，碘類腐蝕劑的腐蝕性，用以下的方法以及標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評價。結(jié)果在表12中一并表示。[凹凸被膜表面的斷坡的程度(toi)]對如圖2A所示鈍化膜的斷坡a用觸針式輪廓測量儀(KLA—TENKOR公司制造的ProfilerP-15)測定的結(jié)果是1.5tai。如圖2B所示，使用實施例16以及比較例1、2的電鍍浴液形成了金凹凸34。之后，將掩模材料22(酚醛清漆系正型光致抗蝕劑)用專用溶劑甲乙酮溶解。用觸針式輪廓測量儀測量凹凸34的邊緣部分的最大高度值與中央最小高度值的差b，作為凹凸表面的斷坡(tai)。另外，作為通常求得的凹凸特性的斷坡在以下。使用不含有鈀鹽、鉑鹽、鋅鹽以及銀鹽中的任意一種的通常的電鍍液在同樣的被電鍍物上形成金凹凸時，凹凸表面的電鍍后斷坡(ta)比電鍍前因為鈍化膜引起的斷坡(ta)大。[浴液的穩(wěn)定性]被電鍍物在電鍍實施之后，觀察電鍍液的狀態(tài)，使用下述基準(zhǔn)進(jìn)行評價。分解電鍍液分解了X:電鍍液中的金沉淀使用肉眼就可以被觀察到的程度。電鍍液中的金沉淀不能被確認(rèn)。使用0.2Pm膜濾器對1000ml電鍍浴液進(jìn)行過濾之后可以用肉眼觀察到沉淀的程度。〇電鍍液中的金沉淀沒有被觀察到。[電鍍被膜外觀]對被電鍍物上形成的金凹凸的表面薄膜外觀進(jìn)行肉眼觀察以及使用光學(xué)顯微鏡進(jìn)行觀察，使用下述基準(zhǔn)進(jìn)行評價。X:色調(diào)為紅色，可以看見析出樹枝狀晶體，看到斑紋、或者發(fā)生燒結(jié)沉積。沒有異常的析出，但是表面有光澤。〇色調(diào)為檸檬黃色，表面呈無光澤到半光澤的均勻外觀[被膜硬度(維氏硬度；Hv)]對在被電鍍物上形成的特定凹凸部位，使用維氏硬度計對其被膜硬度(未進(jìn)行熱處理以及進(jìn)行30分鐘30(TC熱處理之后)進(jìn)行測定。通常作為凹凸電鍍用途所要求的特性是，經(jīng)過熱處理之后被膜硬度在60Hv以下。另外測定條件是將測量觸頭在25gf的負(fù)重下保持10秒。[由碘類腐蝕劑造成的Au凹凸的均一腐蝕性]被電鍍物在常溫下在被充分?jǐn)嚢柽^的碘類腐蝕劑中浸泡90秒之后，用乙醇類護(hù)發(fā)素液體清洗，乙醇噴霧之后用吹風(fēng)機(jī)吹干。之后用光學(xué)顯微鏡在50150倍的倍率下觀察被電鍍物上形成的全部凹凸的表面狀態(tài)，使用下述基準(zhǔn)對是否不均進(jìn)行評價。這里的"不均"是指腐蝕的時候選擇性溶解的部分與沒有溶解的部分混合在一起的狀態(tài)。X:觀察到50%以上的凹凸表面有不均。只有在一部分區(qū)域的凹凸表面觀察到了不均。被電鍍物上全部凹凸部分表面都沒有觀察到不均。[綜合評價]對上述的各評價結(jié)果用下述評價基準(zhǔn)進(jìn)行評價。X:在對于形成的金電鍍被膜(金凹凸)以及電鍍處理后的非氰系電解金電鍍浴液的上述評價結(jié)果中含有不好的結(jié)果。〇在對于形成的金電鍍被膜(金凹凸)以及電鍍處理后的非氰系電解金電鍍浴液的上述評價結(jié)果全部都是良好的結(jié)果。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>在表12中，緩沖劑A、緩沖劑B、鈀鹽、鉑鹽、鋅鹽、銀鹽使用了以下的物質(zhì)。緩沖劑A:乙二胺四醋酸鉀權(quán)利要求1.金凹凸或者金布線形成用的金非氰系電解金電鍍浴液，含有以下成分亞硫酸金堿鹽或者亞硫酸金銨作為金量為1～20g/L，水溶性胺為1～30g/L，Tl化合物、Pb化合物或者As化合物作為金屬濃度為0.1～100mg/L，亞硫酸鹽作為SO32-的量為5～100g/L，硫酸鹽作為SO42-的量為1～120g/L，緩沖劑為0.1～30g/L，從鈀鹽、鉑鹽、鋅鹽以及銀鹽中任選一種以上的作為金屬濃度為0.1～100mg/L。2.金凹凸或者金布線的形成方法，使用權(quán)利要求1所述的金凹凸或者金布線形成用非氰系電解金電鍍浴液，在布線圖形的晶片上進(jìn)行電解金電鍍。全文摘要本發(fā)明涉及由作為半導(dǎo)體芯片的電極的金凹凸或者金布線形成用的非氰系電解金電鍍浴液。該電鍍浴液可以消除因為鈍化膜的斷坡產(chǎn)生的表面凹凸，形成在向半導(dǎo)體芯片的基板上實裝時可以達(dá)到足夠的接合強(qiáng)度的金電鍍被膜。本發(fā)明的金凹凸或者金布線形成用的非氰系電解金電鍍浴液，含有以下成分亞硫酸金堿鹽或者亞硫酸金銨作為金量為1～20g/L，水溶性胺為1～30g/L，T1化合物、Pb化合物或者As化合物作為金屬濃度為0.1～100mg/L，亞硫酸鹽作為SO₃^2-的量為5～100g/L，硫酸鹽作為SO₄^2-的量為1～120g/L，緩沖劑為0.1～30g/L，從鈀鹽、鉑鹽、鋅鹽以及銀鹽中任選一種以上的作為金屬濃度為0.1～100mg/L。文檔編號H01L21/02GK101235524SQ20071016639公開日2008年8月6日申請日期2007年11月7日優(yōu)先權(quán)日2006年11月7日發(fā)明者中村宏申請人:恩伊凱慕凱特股份有限公司