值為2. 0到4. 0 (優(yōu)選地為 2. 0到3. 5 ;更優(yōu)選地為2. 3到3. 3 ;最優(yōu)選地為3. 1到3. 3)。
[0031] 優(yōu)選地，本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法中提供的pH值調(diào)節(jié)劑為酸。更優(yōu) 選地，本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法中提供的pH值調(diào)節(jié)劑為酸，其中酸選自由以 下組成的群組：無機(jī)酸（例如硝酸、硫酸、鹽酸、氟硫酸、磷酸、氟銻酸）和有機(jī)酸（例如甲烷 磺酸、乙烷磺酸、苯磺酸、乙酸、氟乙酸、氯乙酸、檸檬酸、葡糖酸、乳酸）中的至少一者。優(yōu)選 地，本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法中提供的pH值調(diào)節(jié)劑的pH值為< 2. 0。再更優(yōu) 選地，本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法中提供的pH值調(diào)節(jié)劑包括硝酸。最優(yōu)選地， 本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法中提供的pH值調(diào)節(jié)劑為硝酸水溶液。
[0032] 優(yōu)選地，本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法進(jìn)一步包含：吹掃容器中與組合 接觸的容器氣相空間以在容器氣相空間中提供降低的氧氣濃度。優(yōu)選地，吹掃容器中與組 合接觸的容器氣相空間以在容器氣相空間中提供降低的氧氣濃度的步驟包括：（i)使容器 氣相空間與容器外部的周圍氛圍分離；（ii)接著用惰性氣體對(duì)容器氣相空間加壓（優(yōu)選 地，其中惰性氣體選自由以下組成的群組：氬氣、氦氣、甲烷以及氮?dú)猓ǜ鼉?yōu)選地為氬氣、氦 氣以及氮?dú)?；再更?yōu)選地為氬氣和氮?dú)?；最?yōu)選地為氮?dú)猓?；和（iii)接著吹掃容器氣相 空間以在容器氣相空間中提供降低的氧氣濃度。優(yōu)選地，使容器氣相空間吹掃到容器壓力 大于周圍氛圍的大氣壓力以在容器氣相空間中提供降低的氧氣濃度。優(yōu)選地，降低的氧氣 濃度為彡2, 000ppm(更優(yōu)選地為彡400ppm ;最優(yōu)選地為彡20ppm))。更優(yōu)選地，吹掃容器中 與組合接觸的容器氣相空間以在容器氣相空間中提供降低的氧氣濃度的步驟包括：（i)使 容器氣相空間與容器外部的周圍氛圍分離；（ii)接著用惰性氣體對(duì)容器氣相空間加壓（優(yōu) 選地，其中惰性氣體選自由以下組成的群組：氬氣、氦氣、甲烷以及氮?dú)猓ǜ鼉?yōu)選地為氬氣、 氦氣以及氮?dú)?；再更?yōu)選地為氬氣和氮?dú)猓蛔顑?yōu)選地為氮?dú)猓?；和（iii)接著吹掃容器氣 相空間以在容器氣相空間中提供降低的氧氣濃度（優(yōu)選地，其中容器氣相空間吹掃到容器 壓力大于容器外部周圍氛圍的大氣壓力）；和（iv)重復(fù)步驟（ii)和（iii)至少三次以在 容器氣相空間中提供降低的氧氣濃度（優(yōu)選地，其中降低的氧氣濃度為< 2, OOOppm(更優(yōu) 選地為彡400ppm ;最優(yōu)選地為彡20ppm))。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法 進(jìn)一步包含：在產(chǎn)生混合物形成期間、在生長(zhǎng)混合物形成期間以及在保持時(shí)段期間維持容 器氣相空間中的降低的氧氣濃度。
[0033] 優(yōu)選地，本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法進(jìn)一步包含：噴灑具有惰性氣體 的銀離子來源以自銀離子來源提取夾帶的氧氣并且在與銀離子來源接觸的銀離子氣相空 間中提供低氧氣濃度。優(yōu)選地，噴灑具有惰性氣體的銀離子來源的步驟包含以下（優(yōu)選地 由以下組成）：噴灑具有惰性氣體的銀離子來源（優(yōu)選地，其中惰性氣體選自由以下組成的 群組：氬氣、氦氣、甲烷以及氮?dú)猓ǜ鼉?yōu)選地為氬氣、氦氣以及氮?dú)?；再更?yōu)選地為氬氣和氮 氣；最優(yōu)選地為氮?dú)猓┏掷m(xù)多5分鐘的噴灑時(shí)間（更優(yōu)選地5分鐘到2小時(shí)；最優(yōu)選地5分 鐘到1. 5小時(shí)），之后添加到容器中以自提供的銀離子來源提取夾帶的氧氣，并且在銀離子 氣相空間中提供低氧氣濃度。優(yōu)選地，銀離子氣相空間中的低氧氣濃度為< 10, OOOppm(優(yōu) 選地為彡1，OOOppm ;更優(yōu)選地為彡400ppm ;最優(yōu)選地為彡20ppm)。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造 高縱橫比銀納米線的方法進(jìn)一步包含：維持銀離子氣相空間中的低氧氣濃度直到將提供的 銀離子來源添加到容器中。
[0034] 優(yōu)選地，本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法進(jìn)一步包含：吹掃與提供的聚乙 烯吡咯烷酮（PVP)接觸的PVP氣相空間以在PVP氣相空間中提供稀的氧氣濃度。優(yōu)選地， 吹掃PVP氣相空間以在PVP氣相空間中提供稀氧氣濃度的步驟包括：（i)分離提供的聚乙 烯吡咯烷酮（PVP) ;(ii)接著用惰性氣體對(duì)PVP氣相空間加壓（優(yōu)選地，其中惰性氣體選 自由以下組成的群組：氬氣、氦氣、甲烷以及氮?dú)猓ǜ鼉?yōu)選地為氬氣、氦氣以及氮?dú)猓辉俑鼉?yōu) 選地為氬氣和氮?dú)?；最?yōu)選地為氮?dú)猓?；和（iii)接著吹掃PVP氣相空間以在PVP氣相空 間中提供稀氧氣濃度。優(yōu)選地，PVP氣相空間吹掃到壓力大于周圍氛圍的大氣壓力以在PVP 氣相空間中提供稀氧氣濃度。更優(yōu)選地，吹掃PVP氣相空間以在PVP氣相空間中提供稀氧 氣濃度的步驟包括：（i)分離提供的聚乙烯吡咯烷酮（PVP) ;(ii)接著用惰性氣體對(duì)PVP氣 相空間加壓（優(yōu)選地，其中惰性氣體選自由以下組成的群組：氬氣、氦氣、甲烷以及氮?dú)猓ǜ?優(yōu)選地為氬氣、氦氣以及氮?dú)猓辉俑鼉?yōu)選地為氬氣和氮?dú)?；最?yōu)選地為氮?dú)猓唬╥ii)接著 吹掃PVP氣相空間以在PVP氣相空間中提供稀氧氣濃度（優(yōu)選地，其中PVP氣相空間吹掃 到惰性氣體壓力大于大氣壓力）；和（iv)重復(fù)步驟（ii)和（iii)至少三次以在PVP氣相 空間中提供稀氧氣濃度。優(yōu)選地，PVP氣相空間中的稀氧氣濃度為< 10, OOOppm(優(yōu)選地為 彡1，OOOppm ;更優(yōu)選地為彡400ppm ;最優(yōu)選地為彡20ppm)。優(yōu)選地，本發(fā)明的制造高縱橫 比銀納米線的方法進(jìn)一步包含：維持PVP氣相空間中的稀氧氣濃度直到將提供的聚乙烯吡 咯烷酮（PVP)添加到容器中。
[0035] 優(yōu)選地，本發(fā)明的制造高縱橫比銀納米線的方法進(jìn)一步包含：吹掃容器中與組合 接觸的容器氣相空間以在容器氣相空間中提供降低的氧氣濃度；噴灑具有惰性氣體的銀離 子來源以自提供的銀離子來源提取夾帶的氧氣并且在與提供的銀離子來源接觸的銀離子 氣相空間中提供低氧氣濃度；吹掃與提供的聚乙烯吡咯烷酮（PVP)接觸的PVP氣相空間以 在PVP氣相空間中提供稀氧氣濃度；維持銀離子氣相空間中的低氧氣濃度和PVP氣相空間 中的稀氧氣濃度；和在產(chǎn)生混合物形成期間、在生長(zhǎng)混合物形成期間以及在固持時(shí)段期間 維持容器氣相空間中的降低的氧氣濃度。
[0036] 優(yōu)選地，在制造高本發(fā)明的縱橫比銀納米線方法中，提供的聚乙烯吡咯烷酮（PVP) 和一些水以聚乙烯吡咯烷酮（PVP)子組合形式提供。優(yōu)選地，在與水形成聚乙烯吡咯烷酮 (PVP)子組合之后，將提供的聚乙烯吡咯烷酮（PVP)分成第一部分的聚乙烯吡咯烷酮（PVP) 和第二部分的聚乙烯吡咯烷酮（PVP)。優(yōu)選地，分別將第一部分的聚乙烯吡咯烷酮（PVP)和 第二部分的聚乙烯吡咯烷酮（PVP)分別與第一部分的銀離子來源和第二部分的銀離子來 源同步添加到容器中。當(dāng)將聚乙烯吡咯烷酮（PVP)和銀離子來源同步但分別地（即經(jīng)由分 開的進(jìn)入點(diǎn)）添加到容器中時(shí)；在低于容器中組合表面的點(diǎn)添加聚乙烯吡咯烷酮（PVP)和 銀離子來源中的至少一者（優(yōu)選地，其中在容器中低于組合表面點(diǎn)將第一部分的銀離子來 源和第二部分的銀離子來源引入到容器中；并且其中在容器中高于組合表面的點(diǎn)將第一部 分的聚乙烯吡咯烷酮（PVP)和第二部分的聚乙烯吡咯烷酮（PVP)引入到容器中）。
[0037] 優(yōu)選地，在添加到容器中之前將水分成至少兩體積的水（更優(yōu)選地為至少三體積 的水；最優(yōu)選地為至少四體積的水）以有助于形成至少兩種包括水的子組合。更優(yōu)選地， 將水分成至少五體積的水，其中使第一體積的水與還原糖組合以形成還原糖子組合，其中 使第二體積的水與銅（II)離子來源組合以形成銅（II)離子子組合，其中使第三體積的水 與鹵離子來源組合以形成鹵離子子組合，其中使第四體積的水與提供的聚乙烯吡咯烷酮 (PVP)組合以形成聚乙烯吡咯烷酮（PVP)子組合，其中使第五體積的水與銀離子來源組合 以形成銀離子子組合。優(yōu)選地，將還原糖子組合、銅（II)離子子組合、鹵離子子組合以及pH 值調(diào)節(jié)劑（若存在）以任何次序以單獨(dú)工序（即一次一種）、同步（即同時(shí)所有）或半同 步（即一些單獨(dú)地一次一種，一些同時(shí)同步或以其它子組合形式）添加到容器中以形成組 合。更優(yōu)選地，將還原糖子組合添加到容器中，隨后以任何次序以單獨(dú)工序（即一次一種）、 同步（即同時(shí)所有）或半同步（即一些單獨(dú)地一次一種，一些同時(shí)同步或以其它子組合形 式）向容器中添加銅（II)離子子組合、鹵離子子組合和pH值調(diào)節(jié)劑（若存在）以形成組 合。最優(yōu)選，將還原糖子組合添加到容器中，隨后將銅（II)離子子組合添加到容器中，隨后 將鹵離子子組合添加到容器中，隨后添加 pH值調(diào)節(jié)劑（若存在）以形