g)的多晶硅基板300浸漬于與第I實(shí)施方案相同的第2溶液24中。不過(guò)，本實(shí)施方案中的浸漬時(shí)間為10分鐘。結(jié)果確知，如圖8所示，從多晶硅基板300的表面形成了多個(gè)微細(xì)孔一一非穿透孔304。另外可知，在本實(shí)施方案中，在這些非穿透孔304的底部也存在被認(rèn)為是所述銀(Ag)的微粒(第I金屬302)。另外，本實(shí)施方案的非穿透孔304的深度最大約為120nm，平均約為40nm。
[0078]其后，通過(guò)如圖3所示的鍍覆裝置30，使第2金屬的合金形成于多晶硅基板300上。具體地，將含有金屬鹽硫酸鎳(NiSO4)和還原劑二甲胺甲硼烷(DMAB)的第3溶液34作為鍍覆溶液，使形成有所述非穿透孔304的多晶硅基板300浸漬于其中。另外，在本實(shí)施方案中，多晶硅基板300在第3溶液34中在無(wú)電解的環(huán)境下浸漬300秒。其結(jié)果可以確定，通過(guò)第2溶液24形成的非穿透孔304被作為第2金屬的合金306a的鎳-硼合金(N1-B)以不形成空隙的方式填充，并且，在形成于多晶硅基板300的非穿透孔304內(nèi)以外的表面上也形成了鎳-硼合金(N1-B)306b 的層。
[0079]如上所述，在本實(shí)施方案中，也是以位于非穿透孔304底部的作為第I金屬302的銀(Ag)的微粒為起點(diǎn)，通過(guò)自動(dòng)催化型無(wú)電解鍍覆法，作為第2金屬的合金306a的鎳-硼合金(N1-B)以不形成空隙的方式填充該非穿透孔304。進(jìn)而，由于非穿透孔304被填充后也繼續(xù)維持其自動(dòng)催化性，所以該非穿透孔304內(nèi)以外的多晶硅基板300表面也被作為第2金屬的合金306b的鎳-硼合金(N1-B)層覆蓋。其結(jié)果是由于以被精密填充的非穿透孔304內(nèi)的鎳-硼合金(N1-B)作為錨，形成與多晶硅基板300表面粘合性高的作為第2金屬的合金306a、306b的鎳-硼合金(N1-B)的層。圖9是顯示作為第2金屬的合金306a、306b的鎳-硼合金(N1-B)填充所述非穿透孔304、并且覆蓋多晶硅表面的狀況的復(fù)合材料的剖面SEM照片。
[0080]另外，通過(guò)采用自動(dòng)催化型無(wú)電解鍍覆法，以位于非穿透孔底部的第I金屬為起點(diǎn)，通過(guò)第2金屬或者其合金進(jìn)行鍍覆處理。因此，即使在基材表面上存在像多晶硅那樣的比較大的凹凸的情況下，也能得到形成有不易產(chǎn)生空隙的第2金屬或者第2金屬的合金的層的復(fù)合材料。
[0081]接著，測(cè)定通過(guò)本實(shí)施方案的制造方法形成的復(fù)合材料的作為基材的多晶硅基板300的表面和作為第2金屬的合金306a、306b的鎳-硼合金(N1-B)的層之間的粘合力。具體地，通過(guò)采用粘合力非常高的膠帶(住友3M株式會(huì)社制，型號(hào)859T)，而不是JIS Z1522玻璃紙粘合膠帶，基于JIS H8504鍍覆的粘合性試驗(yàn)方法測(cè)定粘合性。
[0082]其結(jié)果是并沒(méi)有確定本實(shí)施方案的復(fù)合材料出現(xiàn)剝離現(xiàn)象。由此可知，本實(shí)施方案的復(fù)合材料的鎳-硼合金(N1-B)層的粘合力高于1317J/m2。因此，通過(guò)實(shí)驗(yàn)可以確定，本實(shí)施方案的復(fù)合材料的粘合性也極高。另外，該復(fù)合材料的鎳-硼合金(N1-B)層的厚度約為250nmo
[0083]另外，在本實(shí)施方案中，雖然采用了多晶硅基板，但并不限于此。例如，即使采用如下所述的基材，也可獲得多晶硅層和第2金屬層或者第2金屬的合金層之間的高粘合力:所述基材采用基底具有硅氧化物的基板，在該基板的表面上具有通過(guò)公知的CVD法形成的多晶硅層。另外，即使多晶硅層為P型，基本上也能達(dá)到與本實(shí)施方案的效果同樣的效果。
[0084]在本實(shí)施方案中，所述圖1和圖3所示全部步驟也是在無(wú)電解步驟下進(jìn)行的。因此，本實(shí)施方案在使用具有通用性高的多晶硅的基材的基礎(chǔ)上還適用產(chǎn)量高的鍍覆法，并且，由于也不需要電解鍍覆法所要求的電極和電源等設(shè)備，在成本方面也非常有利。
[0085]〈第4實(shí)施方案〉
[0086]在本實(shí)施方案中，顯示了另一種復(fù)合材料及其制造方法。不過(guò)，本實(shí)施方案的復(fù)合材料的制造方法與除基材外的第I實(shí)施方案的制造方法相同。因此，省略與第I實(shí)施方案重復(fù)的說(shuō)明。另外，本實(shí)施方案的第I金屬402通過(guò)于第I溶液14中的浸漬，被粒子狀或者島狀地分散配置，但在本實(shí)施方案中，為了方便起見(jiàn)，統(tǒng)一稱為“粒子狀”來(lái)說(shuō)明。
[0087]對(duì)于本實(shí)施方案的基材400而言，在基底采用玻璃碳(glassycarbon)，其表面上具有氫化微晶娃層(25nm的η型微晶碳化娃(SiC)層和2-3μηι的i型微晶娃層的層疊結(jié)構(gòu))。在本實(shí)施方案中，也是用圖1所示的分散配置裝置10的裝置構(gòu)成來(lái)進(jìn)行作為第I金屬402的銀(Ag)于基材400表面的分散配置。具體地，與第I實(shí)施方案一樣，使其在裝有事先調(diào)整為5°C、含有摩爾濃度為Immol (毫摩爾)/L(升)的硝酸銀(AgNO3)和摩爾濃度為150mmol/L的氫氟酸(HF)的第I溶液14的容器12中浸漬30秒。
[0088]接著，使用圖2所示的非穿透孔形成裝置20的裝置構(gòu)成，使承載所述粒子狀銀(Ag)的基材400浸漬于與第I實(shí)施方案相同的第2溶液24中。不過(guò)，本實(shí)施方案中的浸漬時(shí)間為10分鐘。結(jié)果確知，如圖10所示，從基材400的表面形成了多個(gè)微細(xì)孔一一非穿透孔404。另外可知，在本實(shí)施方案中，在這些非穿透孔404的底部也存在被認(rèn)為是所述銀(Ag)的微粒(第I金屬402)。另外，本實(shí)施方案的非穿透孔的深度最大約為170nm，平均約為40nmo
[0089]其后，通過(guò)圖3所示的鍍覆裝置30，使第2金屬的合金形成于基材400上。具體地，將含有金屬鹽硫酸鎳(NiSO4)和還原劑二甲胺甲硼烷(DMAB)的第3溶液34作為鍍覆溶液，使形成有所述非穿透孔404的基材400浸漬于其中。在本實(shí)施方案中，基材400在第3溶液34中在無(wú)電解的環(huán)境下浸漬300秒。其結(jié)果可以確定，通過(guò)第2溶液24形成的非穿透孔404被作為第2金屬的合金406a的鎳-硼合金(N1-B)以不形成空隙的方式填充，并且，在形成于基材400的非穿透孔404內(nèi)以外的表面上也形成了鎳-硼合金(N1-B)406b的層。
[0090]如上所述，在本實(shí)施方案中，也是以位于非穿透孔404底部的作為第I金屬402的銀(Ag)微粒為起點(diǎn)，通過(guò)自動(dòng)催化型無(wú)電解鍍覆法，作為第2金屬的合金406a的鎳-硼合金(N1-B)以不形成空隙的方式填充該非穿透孔404。進(jìn)而，由于非穿透孔404被填充后也繼續(xù)維持其自動(dòng)催化性，所以該非穿透孔404內(nèi)以外的基板400表面也被作為第2金屬的合金406b的鎳-硼合金(N1-B)層覆蓋。其結(jié)果是由于被精密填充的非穿透孔404內(nèi)的鎳-磷合金(N1-B)作為錨，因此形成了與基材400表面粘合性高的作為第2金屬的合金406a、406b的鎳-硼合金(N1-B)的層。圖11是顯示作為第2金屬406a、406b的鎳-硼合金(N1-B)填充所述非穿透孔404、并且覆蓋微晶硅表面的狀況的復(fù)合材料的剖面SEM照片。
[0091]另外，通過(guò)采用自動(dòng)催化型無(wú)電解鍍覆法，以位于非穿透孔底部的第I金屬為起點(diǎn)，通過(guò)第2金屬或者其合金進(jìn)行鍍覆處理。因此，即使在基材表面上存在像微晶硅那樣的比較大的凹凸的情況下，也能得到形成有不易產(chǎn)生空隙的第2金屬或者第2金屬的合金的層的復(fù)合材料。
[0092 ]接著，測(cè)定根據(jù)本實(shí)施方案的制造方法形成的復(fù)合材料的基材400表面的微晶硅層和作為第2金屬的合金406a、406b的鎳-硼合金(N1-B)層之間的粘合力。具體地，通過(guò)采用粘合力非常高的膠帶(住友3M株式會(huì)社制，型號(hào)859T)、而不是JIS Z1522玻璃紙粘合膠帶，基于JIS H8504鍍覆的粘合性試驗(yàn)方法測(cè)定粘合性。另外，該復(fù)合材料的鎳-硼合金(N1-B)層的厚度約為310nmo
[0093]其結(jié)果是并沒(méi)有確定本實(shí)施方案的復(fù)合材料出現(xiàn)剝離現(xiàn)象。因此，可知，本實(shí)施方案的復(fù)合材料的鎳-硼合金(N1-B)層的粘合力高于1317J/m2。因此，通過(guò)實(shí)驗(yàn)可以確定，本實(shí)施方案的復(fù)合材料的粘合性也極高。
[0094]在本實(shí)施方案中，所述圖1和圖3所示的全部步驟也是在無(wú)電解步驟下進(jìn)行的。因此，本實(shí)施方案在使用具有通用性高的微晶硅的基材的基礎(chǔ)上還適用產(chǎn)量高的鍍覆法，并且，由于也不需要電解鍍覆法所要求的電極和電源等設(shè)備，在成本方面也非常有利。
[0095]此外，在所述各實(shí)施方案中，填充鍍覆材料雖然為鈷(Co)、鈷-硼合金(Co-B)、鈷_鎳-硼合金(Co-N1-B)及鎳-磷合金(N1-B)，但并不限于此。例如，能夠以鈷-磷合金(Co-P)、鎳-硼合金(N1-P)、銅(Cu)為鍍覆材料，與所述各實(shí)施方案同樣，通過(guò)自動(dòng)催化型鍍覆法來(lái)填充多個(gè)微細(xì)的非穿透孔。另外，所述各非穿透孔形成時(shí)，只要是最上層具備足夠厚度的單晶硅層、多晶硅層、微晶硅層的基材，就能得到與所述各實(shí)施方案的效果幾乎相同的效果。而且，即使是在最上層具備從單晶硅層、多晶硅層及微晶硅層中選擇的至少一種材料的基材，也能得到與所述各實(shí)施方案的效果幾乎相同的效果。
[0096]〈其他實(shí)施方案1>
[0097]具體地，例如，為了將鎳-硼合金(N1-B)作為鍍覆材料填