不形成空隙的方式填充該非穿透孔104。即,即便是作為最初的催化劑的粒子狀的銀被作為鍍覆材料的鈷(Co)所覆蓋,由于該鈷(Co)自身會(huì)發(fā)揮催化劑功能,因此也能夠在此后繼續(xù)析出鈷(Co)。進(jìn)而,由于在非穿透孔104被填充后也繼續(xù)維持其自動(dòng)催化性,因此該非穿透孔104內(nèi)以外的硅基板100表面也被作為第2金屬106b的鈷(Co)覆蓋。另外,在通過自動(dòng)催化型無電解鍍覆法,由第2金屬(或者第2金屬的合金)進(jìn)行鍍覆處理時(shí),由于以位于非穿透孔104底部的粒子狀第I金屬102為起點(diǎn),所以即使在形成多個(gè)非穿透孔的情況下,也能夠?qū)崿F(xiàn)準(zhǔn)確度高且不易形成空隙的孔填充。其結(jié)果是由于以被精密填充的非穿透孔104內(nèi)的作為第2金屬106a的鈷(Co)作為錨,因此形成與硅基板100的表面粘合性高的作為第2金屬106a、106b的鈷(Co)層。另外,該復(fù)合材料的第2金屬106b層的厚度約為250nm。該層的厚度可以通過重量法求得。以下各實(shí)施方案中記載的全部的第2金屬層或者第2金屬的合金層的厚度也同樣。
[0058]在此,通過基于JISH8504鍍覆的粘合性試驗(yàn)方法的方法,對本實(shí)施方案的復(fù)合材料定性地測試了粘合性。不過,在復(fù)合材料方面,采用了粘合力非常高的膠帶(住友3M株式會(huì)社制,型號859T),而不是JISZ1522玻璃紙粘合膠帶(相當(dāng)于Nichiban株式會(huì)社制膠帶(型號CT-18))。另外,經(jīng)過實(shí)驗(yàn)可以確定,該粘合力高的膠帶的粘合力為1317J/m2以上。
[0059]上述粘合性試驗(yàn)的結(jié)果并沒有確定本實(shí)施方案的復(fù)合材料有剝離現(xiàn)象。由此可知,本實(shí)施方案的鈷(Co)層(或者鈷硼合金(Co-B)層)的粘合力高于1317J/m2。也就是說,確知本實(shí)施方案的復(fù)合材料的粘合力非常高。
[0060]接著,測定用與本實(shí)施方案的一部分步驟不同的方法形成的硅基板100的表面和作為第2金屬106b層的鈷(Co)層之間的粘合力。具體地,對于經(jīng)過與除在第3溶液34中的浸漬時(shí)間為600秒外的本實(shí)施方案相同的步驟的測定樣本,用圖13所示的粘合力測定裝置40進(jìn)行測定。另外,該測定樣本的第2金屬層的厚度約為730nm。
[0061]該測定順序是,首先,將膠帶(Nichiban株式會(huì)社制,型號CT_18)42的一部分粘在測定樣本上。接著,如圖13所示,通過粘合力測定裝置40夾住用壓緊部44壓住的膠帶42的一端后,相對于第2金屬106b層的表面垂直地以一定速度往上提該膠帶42。通過如下方式進(jìn)行粘合力的測定:在該上提時(shí),用數(shù)字測力計(jì)(Digital Force Gauge)(株式會(huì)社IMADA制,DPS-5R)讀取施加于該膠帶42上的力。
[0062]由其結(jié)果可知,粘合力高于426J/m2。作為比較例,沒有進(jìn)行上述的非穿透孔形成步驟及鈷(Co)的填充步驟、具有與所述的測定樣本同樣的膜厚度的硅基板100上的鈷(Co)層的粘合力為203J/m2。由此可確知,本實(shí)施方案的復(fù)合材料的粘合力比比較例的強(qiáng),為兩倍以上。
[0063]而且,在本實(shí)施方案中,所述圖1至圖3所示的步驟全部都是在無電解步驟下進(jìn)行的。因此,本實(shí)施方案在使用通用性高的基材的基礎(chǔ)上還適用產(chǎn)量高的鍍覆法,而且,由于也不需要電解鍍覆法所要求的電極和電源等設(shè)備,在成本方面也非常有利。
[0064]<第2實(shí)施方案>
[0065]在本實(shí)施方案中,顯示了其他復(fù)合材料及其制造方法。不過,本實(shí)施方案的復(fù)合材料的制造方法與除一部分條件外的第I實(shí)施方案的制造方法相同。因此,省略與第I實(shí)施方案重復(fù)的說明。另外,本實(shí)施方案的第I金屬102通過于第I溶液14中的浸漬,被粒子狀或者島狀地分散配置,但在本實(shí)施方案中,為了方便起見,統(tǒng)一稱為“粒子狀”來進(jìn)行說明。
[0066]在本實(shí)施方案中,用圖1所示的分散配置裝置10的裝置構(gòu)成來進(jìn)行粒子狀的作為第I金屬102的銀(Ag)于作為基材的硅基板100表面上的分散配置。具體地,作為本實(shí)施方案的第I溶液14,采用事先被調(diào)整為5°C、含有摩爾濃度為Immol (毫摩爾)/L(升)的硝酸銀(AgNO3)和摩爾濃度為150mmo I /L的氫氟酸(HF)的水溶液。
[0067]接著,使承載所述粒子狀的銀(Ag)的硅基板100浸漬于與第I實(shí)施方案相同的第2溶液24中。不過,本實(shí)施方案中的浸漬時(shí)間為15分鐘。結(jié)果確知,從硅基板100的表面形成了多個(gè)微細(xì)孔——非穿透孔。另外可知,在本實(shí)施方案中,在這些非穿透孔的底部也存在被認(rèn)為是所述銀(Ag)的微粒。另外,本實(shí)施方案的非穿透孔的深度最大約為180nm,平均約為10nm0
[0068]其后,將含有金屬鹽硫酸鈷(CoSO4)及硫酸鎳(NiSO4)和還原劑二甲胺甲硼烷(DMAB)、加熱至70°C的第3溶液34作為鍍覆溶液,使形成有所述非穿透孔的硅基板100浸漬于其中。在本實(shí)施方案中,使硅基板100在第3溶液34中在無電解的環(huán)境下浸漬120秒。其結(jié)果可以確定,通過第2溶液24形成的非穿透孔被鈷-鎳-硼合金(Co-N1-B)以不形成空隙的方式填充,并且,在形成于硅基板100的非穿透孔內(nèi)以外的表面上也形成了鈷-鎳-硼合金(Co-N1-B)。另外,在本實(shí)施方案中,所含鈷的百分比(重量%)約90%,所含鎳的百分比(重量%)約6%,所含硼的百分比(重量%)約4%。
[0069]如上所述,在本實(shí)施方案中,也是以位于非穿透孔底部的作為第I金屬102的銀(Ag)的微粒為起點(diǎn),通過自動(dòng)催化型無電解鍍覆法,作為第2金屬的合金206a的鈷-鎳-硼合金(Co-N1-B)以不形成空隙的方式填充該非穿透孔。進(jìn)而,由于非穿透孔被填充后也繼續(xù)維持其自動(dòng)催化性,所以該非穿透孔內(nèi)以外的硅基板100表面也被鈷-鎳-硼合金(Co-N1-B)層覆蓋。其結(jié)果是由于以被精密填充的非穿透孔104內(nèi)的鈷-鎳-硼合金(Co-N1-B)作為錨,因此形成與硅基板100表面粘合性高的作為第2金屬206a、206b的鈷-鎳-硼合金(Co-N1-B)的層。圖7是顯示作為第2金屬206a、206b的鈷-鎳-硼合金(Co-N1-B)填充所述非穿透孔、并且覆蓋硅表面的狀況的復(fù)合材料的剖面SEM照片。
[0070]在此,測定用與本實(shí)施方案的一部分步驟不同的方法形成的硅基板100的表面和鈷-鎳-硼合金(Co-N1-B)層之間的粘合力。具體地,對于經(jīng)過與除在第3溶液34中的浸漬時(shí)間為180秒以外的本實(shí)施方案相同的步驟的測定樣本,用基于JIS H8504鍍覆的粘合性試驗(yàn)方法的方法,測定定性的粘合性。即,使用的膠帶的種類是JIS Z1522玻璃紙粘合膠帶(相當(dāng)于Nichiban株式會(huì)社制膠帶(型號CT-18))。
[0071]其結(jié)果并沒有確定所述測定樣本出現(xiàn)剝離現(xiàn)象。作為比較例,對于沒有進(jìn)行上述的非穿透孔形成步驟及鈷-鎳-硼合金(Co-N1-B)的填充步驟的硅基板上的鈷-鎳-硼合金(Co-N1-B)層,通過于第3溶液中浸漬120秒,該層自然剝離。由此明了,原本沒有形成鈷-鎳-硼合金(Co-N1-B)的層自身的復(fù)合材料,通過本實(shí)施方案能使該層以粘合性良好的方式形成。
[0072]進(jìn)而,通過采用粘合力非常高的膠帶(住友3M株式會(huì)社制,型號859T),而不是所述JIS Z1522玻璃紙粘合膠帶,基于JIS H8504鍍覆的粘合性試驗(yàn)方法測定粘合性。其結(jié)果是并沒有確定本實(shí)施方案的復(fù)合材料有剝離現(xiàn)象。由此可知,本實(shí)施方案的復(fù)合材料的鈷-鎳-硼合金(Co-N1-B)層的粘合力高于1317J/m2。因此,通過實(shí)驗(yàn)可以確定,本實(shí)施方案的復(fù)合材料的粘合性也極高。
[0073]另外,與此前的實(shí)施方案一樣,在本實(shí)施方案中,所述步驟也全部是在無電解步驟下進(jìn)行的,因此,不需要電解鍍覆法所要求的電極和電源等設(shè)備。另外,通過自動(dòng)催化型無電解鍍覆法,在通過第2金屬進(jìn)行鍍覆處理時(shí),由于以位于非穿透孔底部的第I金屬微粒為起點(diǎn),所以即使在形成多個(gè)非穿透孔的情況下,也能夠?qū)崿F(xiàn)準(zhǔn)確度高且不易形成空隙的孔填充。
[0074]<第3實(shí)施方案〉
[0075]在本實(shí)施方案中,顯示了另一種復(fù)合材料及其制造方法。不過,本實(shí)施方案的復(fù)合材料的制造方法除基材外,與第I實(shí)施方案相同。因此,省略與第I實(shí)施方案重復(fù)的說明。另夕卜,本實(shí)施方案的第I金屬302通過于第I溶液14中的浸漬,被粒子狀或者島狀地分散配置,但在本實(shí)施方案中,為了方便起見,統(tǒng)一稱為“粒子狀”來說明。
[0076]本實(shí)施方案的基材為多晶硅基板300。在本實(shí)施方案中,也是用圖1所示的分散配置裝置10的裝置構(gòu)成來進(jìn)行作為第I金屬302的銀(Ag)于作為基材的多晶硅基板表面的分散配置。具體地,與第I實(shí)施方案一樣,使其在裝有第I溶液14的容器12中浸漬30秒,所述第I溶液14事先被調(diào)整為5°C,含有摩爾濃度為Immol (毫摩爾)/L(升)的硝酸銀(AgNO3)和摩爾濃度為150mmol/L的氫氟酸(HF)。另外,本實(shí)施方案的多晶硅基板300為η型。
[0077]接著,使用圖2所示的非穿透孔形成裝置20的裝置構(gòu)成,使承載所述粒子狀的銀(A