后加入5g乙醇、Ig的Triton X-100作為表面活性劑并混合均勻，即得到納米銀蝕刻液。
[0029]蝕刻液5:將2g氯化銅溶解到90g去離子水中，Sg乙醇并混合均勻，即得到納米銀蝕刻液。
[0030]蝕刻液6:將2g氯化銅溶解到60g去離子水中，然后加入30g乙醇、Sg濃鹽酸并混合均勻，即得到納米銀蝕刻液。
[0031]蝕刻液7:將2g氯化銅溶解到48g去離子水中，然后加入50g乙醇并混合均勻，即得到納米銀蝕刻液。
[0032]蝕刻液8:將2g硝酸鐵溶解到50g去離子水中，然后加入45g乙醇、2g硝酸、IgTritonX-100表面活性劑并混合均勻，即得到納米銀蝕刻液。
[0033]蝕刻液9:將IgEDTA-二鈉鹽加入到20g質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%的雙氧水中，然后加入78g去離子水Ig的Triton并混合均勻，即得到納米銀蝕刻液。
[0034]蝕刻液10:將Ig醋酸加入到20g質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%的雙氧水中，然后加入78g去離子水Ig的Triton X-100并混合均勻，即得到納米銀蝕刻液。
[0035]蝕刻液11:將Ig碳酸銨加入到1g質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%的雙氧水中，然后加入88g去離子水0.5g表面活性劑Triton X_100、0.5g消泡劑并混合均勻，即得到納米銀蝕刻液。
[0036]蝕刻液12:將2克納米級硫磺分散到70g水中，然后加入20g乙醇、1g乙二醇并混合均勻，即得到納米銀蝕刻液。
[0037]蝕刻液13:將3g硫代硫酸鈉加入到SOg水中，然后加入17g異丙醇、并混合均勻，SP得到納米銀蝕刻液。
[0038]本發(fā)明還提供一種所述納米銀蝕刻液的應(yīng)用，所述納米銀蝕刻液可直接蝕刻納米銀導(dǎo)電薄膜或納米銀導(dǎo)電玻璃，以形成圖案化的納米銀導(dǎo)電膜或納米銀導(dǎo)電玻璃。
[0039]具體地，本發(fā)明提供一種制備圖案化的納米銀導(dǎo)電膜的方法，包括:
S1:提供一種具有導(dǎo)電膜的基板，所述導(dǎo)電膜由具有納米銀線和/或納米銀顆粒的導(dǎo)電材料在基板上涂布形成；
S2:在所述導(dǎo)電膜上涂布一層圖案化的能夠阻礙上述納米銀蝕刻液蝕刻導(dǎo)電膜的阻礙層;具體地，在導(dǎo)電膜上涂布光刻膠或附上負(fù)光阻干膜，采用黃光工藝步驟依次完成曝光、顯影的步驟。
[0040]S3:將納米銀蝕刻液涂布于該導(dǎo)電膜基板表面或?qū)⒃搶?dǎo)電膜基板浸漬于所述納米銀蝕刻液中，常溫下靜置1s?600s;然后再用去離子水漂洗1s?200s，通過脫膜的步驟將殘留的光刻膠或負(fù)光阻干膜清除干凈，即形成圖案化的納米銀導(dǎo)電膜。
[0041]本發(fā)明還提供另一種制備圖案化的納米銀導(dǎo)電膜的方法，包括:
S1:提供一種具有導(dǎo)電膜的基板，所述導(dǎo)電膜由具有納米銀線和/或納米銀顆粒的導(dǎo)電材料在基板上涂布形成；
S2:在所述導(dǎo)電膜上不形成圖案的區(qū)域采用噴墨打印的方式涂布一層上述納米銀蝕刻液，靜置一段時間達(dá)到所需的蝕刻效果；
S3:待納米銀蝕刻液與導(dǎo)電膜反應(yīng)后用去離子水清洗，氣槍干燥形成圖案化的納米銀導(dǎo)電膜。
[0042]在上述兩個制備圖案化的納米銀導(dǎo)電膜的方法中，所述基板為剛性的玻璃或柔性的高分子膜，如PET、PC、PMMA以及PI等。
[0043]通過嚴(yán)格控制蝕刻液組分，所述納米銀蝕刻液能夠更加精確的控制蝕刻速率，能夠更加有效地蝕刻納米銀導(dǎo)電膜，形成所需要的特定圖案。
[0044]本發(fā)明還提供一種采用上述觸控傳感器的制備方法制備的觸控傳感器，所述觸控傳感器可用于大尺寸顯示器、平板電腦、智能手機(jī)以及可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域。
[0045]綜上所述，本發(fā)明的納米銀蝕刻液可直接蝕刻納米銀導(dǎo)電膜從而得到圖案化的納米銀導(dǎo)電膜，為納米銀導(dǎo)電膜在觸控傳感器、可穿戴設(shè)備、半導(dǎo)體顯示及照明、太陽能電池面板等電子行業(yè)的應(yīng)用提供了前提。
[0046]以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項】
1.一種納米銀蝕刻液，其特征在于:包含: 0.01%至50%的銀蝕刻劑; 50%至99.9%的溶劑； 0%至10%的添加劑。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米銀蝕刻液，其特征在于:所述溶劑為水和/或醇類有機(jī)物，所述醇類有機(jī)物為甲醇、乙醇、異丙醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇中的一種或多種的混合。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米銀蝕刻液，其特征在于:所述蝕刻劑包括次氯酸、次氯酸鹽、高錳酸、高錳酸鹽、高氯酸、高氯酸鹽、重鉻酸、重鉻酸鹽、二價銅鹽、三價鐵鹽、過氧化物、過氧化物與酸的混合物、過氧化物與絡(luò)合劑的混合物、硫單質(zhì)、有機(jī)多硫化物中的一種或多種的混合物。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米銀蝕刻液，其特征在于:所述添加劑包括表面活性劑、消泡劑、PH調(diào)節(jié)劑的一種或多種。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米銀蝕刻液，其特征在于:所述表面活性劑是陰離子表面活性劑、陽離子表面活性劑、兩性離子表面活性劑及非離子表面活性劑中的一種或幾種的混合物。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米銀蝕刻液，其特征在于:所述納米銀蝕刻液包括0%至10%的所述PH調(diào)節(jié)劑，所述pH調(diào)節(jié)劑包括無機(jī)酸、有機(jī)酸及無機(jī)酸和有機(jī)酸的混合物;所述無機(jī)酸包括硫酸、硝酸、鹽酸、磷酸中的一種或多種，所述有機(jī)酸包括甲酸、乙酸、丙酸、草酸、檸檬酸、乳酸中的一種或多種。7.—種制備圖案化的納米銀導(dǎo)電膜的方法，其特征在于，包括: S1:提供一種具有導(dǎo)電膜的基板，所述導(dǎo)電膜由具有納米銀線和/或納米銀顆粒的導(dǎo)電材料在基板上涂布形成； S2:在所述導(dǎo)電膜上涂布一層圖案化的能夠阻礙納米銀蝕刻液蝕刻導(dǎo)電膜的阻礙層，所述納米銀蝕刻液為權(quán)利要求1?6中任意一項所述的納米銀蝕刻液； S3:將納米銀蝕刻液涂布于該導(dǎo)電膜基板表面或?qū)⒃搶?dǎo)電膜基板浸漬于所述納米銀蝕刻液中，以使得所述納米銀蝕刻液與未涂布阻礙層的導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻反應(yīng)。8.—種制備圖案化的納米銀導(dǎo)電膜的方法，其特征在于，包括: S1:提供一種具有導(dǎo)電膜的基板，所述導(dǎo)電膜由具有納米銀線和/或納米銀顆粒的導(dǎo)電材料在基板上涂布形成； S2:在所述導(dǎo)電膜上不形成圖案的區(qū)域采用噴墨打印的方式涂布一層納米銀蝕刻液，所述納米銀蝕刻液為權(quán)利要求1?6中任意一項所述的納米銀蝕刻液； S3:待納米銀蝕刻液與導(dǎo)電膜反應(yīng)后用去離子水清洗，氣槍干燥形成圖案化的納米銀導(dǎo)電膜。9.一種觸控傳感器，其特征在于:所述觸控傳感器包括由權(quán)利要求7?8中任意一項所述的圖案化的納米銀導(dǎo)電膜的方法制備的圖案化的納米銀導(dǎo)電膜。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種納米銀蝕刻液，具體包含：0.01%至50%的銀蝕刻劑；50%至99.9%的溶劑；0%至10%的添加劑。本發(fā)明所述的納米銀蝕刻液能與銀反應(yīng)生成不導(dǎo)電的物質(zhì)，從而達(dá)到蝕刻納米銀導(dǎo)電膜的目的。采用所述的納米銀蝕刻液及黃光或噴墨打印等工藝，能夠制備圖案化的納米銀導(dǎo)電膜，為納米銀導(dǎo)電膜在觸控傳感器、可穿戴設(shè)備、半導(dǎo)體顯示及照明、太陽能電池面板等電子行業(yè)的應(yīng)用提供了前提。
【IPC分類】C23F1/30, C23F1/02, G06F3/044
【公開號】CN105441949
【申請?zhí)枴緾N201610050472
【發(fā)明人】李俊, 徐文濤, 潘克菲
【申請人】蘇州諾菲納米科技有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請日】2016年1月26日