上制備厚度為3 μπι的REBC0超導層。采用常規(guī)的有機金屬溶液沉積工藝，通過浸漬提拉機設備進行。具體工藝如下:
[0043]本實施例的制備方法除步驟⑴、(3)、(4)與實施例1不同，其余重復實施例1中的步驟，具體工藝如下:
[0044](1)、將乙酸釔，乙酸釓或者乙酸釤，乙酸鋇，乙酸銅四種乙酸鹽按照金屬陽離子濃度比:Υ:Gd:Ba: Cu: 0 = 0.7:0.3:2:3.10溶于去離子水得到陽離子濃度為lmol/L的溶液A ；
[0045](2)、重復實施例1中的步驟⑵；
[0046](3)、在溶液B中加入甲醇，調(diào)整溶液金屬陽離子濃度到1.5mol/L,并加入PVB作為增稠劑，增稠劑與溶液的質(zhì)量比為1:16，攪拌均勻，得到膠體前驅液；
[0047](4)、采用浸漬提拉機進行鍍膜，浸漬和提拉速度都為7mm/min，浸漬時間為10分鐘，提拉間隔為10分鐘，使前驅液均勻附著在LA0基片上，得到的樣品在75°C真空環(huán)境下干燥10分鐘，并重復此步驟6次，得到厚度為3 μ m的REBCO超導層；
[0048](5)、重復實施例1中的步驟(5)；
[0049](6)、重復實施例1中的步驟(6)；
[0050]實施例4
[0051]本實施例為在LA0基片上上制備厚度為4 μπι的REBC0超導層。采用常規(guī)的有機金屬溶液沉積工藝，通過浸漬提拉機設備進行。具體工藝如下:
[0052]本實施例的制備方法除步驟⑴、(3)、(4)與實施例1不同，其余重復實施例1中的步驟，具體工藝如下:
[0053](1)、將乙酸釔，乙酸釓或者乙酸釤，乙酸鋇，乙酸銅四種乙酸鹽按照金屬陽離子濃^:Y:Gd:Ba:Cu:0 = 0.6:0.4:2:3.10溶于去離子水得到陽離子濃度為lmol/L的溶液A ；
[0054](2)、重復實施例1中的步驟⑵；
[0055](3)、在溶液B中加入甲醇，調(diào)整溶液金屬陽離子濃度到1.5mol/L，并加入PVB作為增稠劑，增稠劑與溶液的質(zhì)量比為1:14，攪拌均勻，得到膠體前驅液。
[0056](4)、采用浸漬提拉機進行鍍膜，浸漬和提拉速度都為8mm/min，浸漬時間為10分鐘，提拉間隔為10分鐘，使前驅液均勻附著在LA0基片上，得到的樣品在75°C真空環(huán)境下干燥10分鐘，并重復此步驟8次，得到厚度為4 μ m的REBCO超導層；
[0057](5)、重復實施例1中的步驟(5)；
[0058](6)、重復實施例1中的步驟(6)；
[0059]實施例5
[0060]本實施例為在LA0基片上上制備厚度為5 μπι的REBC0超導層。采用常規(guī)的有機金屬溶液沉積工藝，通過浸漬提拉機設備進行。具體工藝如下:
[0061]本實施例的制備方法除步驟⑴、(3)、(4)與實施例1不同，其余重復實施例1中的步驟，具體工藝如下:
[0062](1)、將乙酸釔，乙酸釓或者乙酸釤，乙酸鋇，乙酸銅四種乙酸鹽按照金屬陽離子濃度比:Υ:Gd:Ba: Cu: 0 = 0.5:0.5:2:3.10溶于去離子水得到陽離子濃度為lmol/L的溶液A ；
[0063](2)、重復實施例1中的步驟⑵；
[0064](3)、在溶液B中加入甲醇，調(diào)整溶液金屬陽離子濃度到1.5mol/L,并加入PVB作為增稠劑，增稠劑與溶液的質(zhì)量比為1:10，攪拌均勻，得到膠體前驅液。
[0065](4)、采用浸漬提拉機進行鍍膜，浸漬和提拉速度都為9mm/min，浸漬時間為10分鐘，提拉間隔為10分鐘，使前驅液均勻附著在LA0基片上，得到的樣品在75°C真空環(huán)境下干燥10分鐘，并重復此步驟10次，得到厚度為5 μ m的REBCO超導層；
[0066](5)、重復實施例1中的步驟(5)；
[0067](6)、重復實施例1中的步驟(6)；
[0068]實施例6
[0069]本實施例為在LA0基片上上制備厚度為5 μπι的REBC0超導層。采用常規(guī)的有機金屬溶液沉積工藝，通過浸漬提拉機設備進行。具體工藝如下:
[0070]本實施例的制備方法除步驟⑴、(3)、(4)與實施例1不同，其余重復實施例1中的步驟，具體工藝如下:
[0071](1)、將乙酸釔，乙酸釓或者乙酸釤，乙酸鋇，乙酸銅四種乙酸鹽按照金屬陽離子濃度比:Y:Sm:Ba:Cu:0 = 0.5:0.5:2:3.10溶于去離子水得到陽離子濃度為lmol/L的溶液A ；
[0072](2)、重復實施例1中的步驟⑵；
[0073](3)、重復實施例5中的步驟⑶；
[0074](4)、采用浸漬提拉機進行鍍膜，浸漬和提拉速度都為10mm/min，浸漬時間為10分鐘，提拉間隔為10分鐘，使前驅液均勻附著在LA0基片上，得到的樣品在75°C真空環(huán)境下干燥10分鐘，并重復此步驟10次，得到厚度為5 μ m的REBC0超導層；
[0075](5)、重復實施例1中的步驟(5)；
[0076](6)、重復實施例1中的步驟(6)；
[0077]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例，并非對本發(fā)明做任何限制，凡是根據(jù)本發(fā)明技術實質(zhì)對以上實例做簡單的修改、變更以及等效變化，均仍屬于本技術發(fā)明方案的保護范圍。
【主權項】
1.一種涂層導體REBCO超導層的生長方法，其特征在于包括如下步驟: 步驟1:將乙酸釔與乙酸釓或者乙酸釤，再與乙酸鋇以及乙酸銅按照金屬陽離子濃度比:Y:RE:Ba:Cu:0 = 1-χ:χ:2:3.10溶于去離子水得到陽離子濃度為lmol/L的溶液A，其中，RE為Gd或者Sm，X的值為(λ 1?(λ 5 ; 步驟2:在溶液Α加入過量丙酸，并且攪拌均勻充分反應，真空65°C?75°C條件下減壓蒸餾得到溶液B ; 步驟3:在溶液B中加入甲醇，調(diào)整溶液中的金屬陽離子濃度到1.5mol/L?2mol/L，加入PVB作為增稠劑，增稠劑與溶液的質(zhì)量比為1:10?1:20，攪拌均勻，得到膠體前驅液； 步驟4:采用浸漬提拉機對鋁酸鑭基片進行鍍膜，使膠體前驅液均勻附著在鋁酸鑭基片上，鍍膜后依次進行熱解、退火，最終完成超導層的生長。2.根據(jù)權利要求1所述的涂層導體REBC0超導層的生長方法，其特征在于:所述的步驟4具體為: 采用浸漬提拉機進行鍍膜，浸漬和提拉速度都為5?10mm/min，浸漬時間為5?10分鐘，提拉間隔為10分鐘，使膠體前驅液均勻附著在鋁酸鑭基片上，真空環(huán)境下干燥10?15分鐘，重復2?10次，完成多次鍍膜。3.根據(jù)權利要求1所述的涂層導體REBC0超導層的生長方法，其特征在于:所述的步驟4中熱解具體為: 將鍍膜后的鋁酸鑭基片放入管式爐，通入氧氣和氬氣，先以5°C /min的速度升到150°C，然后再以2°C /min的速度升到450?500°C進行熱解，得到熱解后的鋁酸鑭基片。4.根據(jù)權利要求3所述的涂層導體REBC0超導層的生長方法，其特征在于:所述的步驟4中退火具體為: 在管式爐中，將熱解后的鋁酸鑭基片在流量都為lL/min的氧氬混合氣體中以5°C /min的速度升到800?830°C保持10分鐘，之后降溫到400°C保持60分鐘，管式爐中只通入氣體流量為lL/min的氧氣，直至冷卻完成退火。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種涂層導體REBCO超導層的生長方法，具體涉及一種通過Gd離子或者Sm離子部分替代Y離子的方式在LAO基片上制備REBCO超導層的方法，有效克服YBCO超導層的厚度效應，提高超導載流能力。該制備方法利用有機金屬溶液沉積技術。先按金屬陽離子比為Y:RE:Ba:Cu:O＝1-x:x:2:3.10進行前驅液的配置，然后用浸漬提拉機在鋁酸鑭基片上進行多次提拉鍍膜，把鍍好膜的樣品進行熱處理以及退火處理,得到在鋁酸鑭基片上生長的YBCO超導層。利用該方法能生產(chǎn)出厚度達到5μm的高載流能力的REBCO涂層導體，臨界電流可達500A/cm。
【IPC分類】C23C18/12, H01B12/06
【公開號】CN105386014
【申請?zhí)枴緾N201510901993
【發(fā)明人】劉勝利, 何茂赟, 王海云
【申請人】南京大學（蘇州）高新技術研究院
【公開日】2016年3月9日
【申請日】2015年12月9日