一種聚酰亞胺涂層的返工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種聚酰亞胺涂層的返工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]聚酰亞胺(Polyimide，PI)材料由于其具有良好的耐高溫特性、機(jī)械性能、電學(xué)性能以及化學(xué)穩(wěn)定性，已被廣泛的應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的鈍化層工藝中，以減少各種自然環(huán)境對(duì)半導(dǎo)體器件造成的損害，從而提高器件的可靠性和穩(wěn)定性。
[0003]在集成電路制造工藝中，焊盤開口和芯片表面之聚酰亞胺涂層通常分步完成。即，首先通過涂布焊盤開口之光刻膠、曝光顯影、干法刻蝕，以及濕法清洗工藝等形成焊盤開口 ；然后再通過涂布聚酰亞胺、曝光顯影工藝等形成聚酰亞胺涂層。
[0004]通過傳統(tǒng)的聚酰亞胺鈍化層制備工藝，主要包括以下步驟:(I)在半導(dǎo)體器件上形成頂層金屬鋁線和介質(zhì)層鈍化膜；(2)在頂層金屬鋁線和介質(zhì)層鈍化膜上涂覆聚酰亞胺材料；(3)在聚酰亞胺材料上涂覆光刻膠；(4)曝光、顯影，形成鈍化層開孔；(5)去除為曝光的光刻膠，并對(duì)聚酰亞胺材料進(jìn)行固化，獲得聚酰亞胺鈍化層。
[0005]為了降低生產(chǎn)成本，半導(dǎo)體制造工藝中對(duì)焊盤和聚酰亞胺涂層之光罩二合一的需求越來越多。作為本領(lǐng)域技術(shù)人員，容易知道地，當(dāng)對(duì)焊盤和聚酰亞胺涂層之光罩二合一工藝完成后的干法刻蝕和清洗以后，仍將會(huì)有4?5 μπι的聚酰亞胺涂層殘留在芯片表面。在進(jìn)行終端出貨檢驗(yàn)時(shí)，若檢測到聚酰亞胺涂層之表面具有明顯缺陷，則需進(jìn)行返工流程?，F(xiàn)行的返工流程由于漂移疊差的問題，導(dǎo)致焊盤上存在聚酰亞胺涂層殘留，進(jìn)而使得測試和封裝存在問題，無法實(shí)現(xiàn)聚亞酰胺涂層的返工。
[0006]故針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本案設(shè)計(jì)人憑借從事此行業(yè)多年的經(jīng)驗(yàn)，積極研究改良，于是有了本發(fā)明一種聚酰亞胺涂層的返工方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中，現(xiàn)行的返工流程由于漂移疊差的問題，導(dǎo)致焊盤上存在聚酰亞胺涂層殘留，進(jìn)而使得測試和封裝存在問題，無法實(shí)現(xiàn)聚亞酰胺涂層的返工等缺陷提供一種聚酰亞胺涂層的返工方法。
[0008]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明之目的，本發(fā)明提供一種聚酰亞胺涂層的返工方法，所述聚酰亞胺涂層的返工方法，包括:
[0009]執(zhí)行步驟S1:對(duì)通過第一掩模板所制備的具有第一關(guān)鍵尺寸之焊盤開口表面的聚酰亞胺涂層進(jìn)行剝離；
[0010]執(zhí)行步驟S2:對(duì)已剝離聚酰亞胺涂層之晶圓進(jìn)行清洗；
[0011]執(zhí)行步驟S3:在晶圓表面涂布聚酰亞胺材料；
[0012]執(zhí)行步驟S4:在聚酰亞胺材料上涂布光刻膠，并以第二掩模板進(jìn)行曝光和顯影，且通過所述第二掩模板所制備的焊盤開口之第二關(guān)鍵尺寸大于通過所述第一掩模板所制備的焊盤開口之第一關(guān)鍵尺寸。
[0013]可選地，所述第二掩模板所制備的焊盤開口之第二關(guān)鍵尺寸X2大于通過所述第一掩模板所制備的焊盤開口之第一關(guān)鍵尺寸X1,1 μπι < X2-X1 < 100ym0
[0014]可選地，所述聚酰亞胺涂層的返工方法，進(jìn)一步包括:執(zhí)行步驟S5:固化晶圓表面之聚酰亞胺涂層。
[0015]可選地，所述熱固化的溫度為200?800°C，所述熱固化的時(shí)間為30?360min。
[0016]可選地，所述聚酰亞胺材料旋涂、烘烤后的薄膜厚度為I?50 μπι，所述烘烤溫度為50?800°C，烘烤時(shí)間為30s?6h。
[0017]可選地，所述步驟SI執(zhí)行前，所述晶圓上的頂層金屬鋁線已經(jīng)形成，或者所述晶圓上的頂層金屬鋁線以及介質(zhì)膜鈍化層的圖形已經(jīng)形成。
[0018]可選地，所述焊盤之制備方法，進(jìn)一步包括:
[0019]執(zhí)行步驟Sll:在已形成半導(dǎo)體器件的其他構(gòu)件之襯底上形成金屬焊墊；
[0020]執(zhí)行步驟S12:在所述金屬焊墊上設(shè)置焊墊氧化物層和聚酰亞胺涂層；
[0021]執(zhí)行步驟S13:對(duì)所述焊墊氧化物層和所述聚酰亞胺涂層通過第一掩模板制備具有第一關(guān)鍵尺寸&之焊盤開口。
[0022]可選地，通過所述第一掩模板制備具有第一關(guān)鍵尺寸之焊盤開口時(shí)，所述聚酰亞胺涂層和所述焊墊氧化物層在顯影過程中，因漂移導(dǎo)致的疊差X < 0.5 μπι。
[0023]可選地，所述焊墊氧化物層為二氧化硅層或者氮氧化硅層。
[0024]綜上所述，本發(fā)明聚酰亞胺涂層的返工方法通過采用可獲得第二關(guān)鍵尺寸之焊盤開口的第二掩模板，且所述第二掩模板所獲得之焊盤開口的第二關(guān)鍵尺寸大于所述第一掩模板所獲得之焊盤開口的第一關(guān)鍵尺寸，不僅將所述焊盤開口的關(guān)鍵尺寸進(jìn)行放大，增加工藝窗口，有效的解決了二次顯影導(dǎo)致的漂移疊差，而且避免了焊盤開口處聚酰亞胺涂層殘留，提尚廣品良率。
【附圖說明】
[0025]圖1所示為本發(fā)明聚酰亞胺涂層的返工方法之流程圖；
[0026]圖2所示為本發(fā)明聚酰亞胺涂層的返工方法執(zhí)行前的半導(dǎo)體器件示意圖；
[0027]圖3所示為本發(fā)明聚酰亞胺涂層的返工方法執(zhí)行后的半導(dǎo)體器件示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為詳細(xì)說明本發(fā)明創(chuàng)造的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所達(dá)成目的及功效，下面將結(jié)合實(shí)施例并配合附圖予以詳細(xì)說明。
[0029]請參閱圖1，圖1所示為本發(fā)明聚酰亞胺涂層的返工方法之流程圖。所述聚酰亞胺涂層的返工方法，包括以下步驟:
[0030]執(zhí)行步驟S1:對(duì)通過第一掩模板所制備的具有第一關(guān)鍵尺寸之焊盤開口表面的聚酰亞胺涂層進(jìn)行剝離；
[0031]執(zhí)行步驟S2:對(duì)已剝離聚酰亞胺涂層之晶圓進(jìn)行清洗；
[0032]執(zhí)行步驟S3:在晶圓表面涂布聚酰亞胺材料；
[0033]執(zhí)行步驟S4:在聚酰亞胺材料上涂布光刻膠，并以第二掩模板進(jìn)行曝光和顯影，且通過所述第二掩模板所制備的焊盤開口之第二關(guān)鍵尺寸大于通過所述第一掩模板所制備的焊盤開口之第一關(guān)鍵尺寸。
[0034]為了獲得聚酰亞胺鈍化層，所述聚酰亞胺涂層的返工方法，進(jìn)一步包括:
[0035]執(zhí)行步驟S5:固化晶圓表面之聚酰亞胺涂層。優(yōu)選地，所述熱固化的溫度為200?800°C，所述熱固化的時(shí)間為30?360min。
[0036]為了更直觀的揭露本發(fā)明之技術(shù)方案，凸顯本發(fā)明之有益效果，現(xiàn)結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明聚酰亞胺涂層的返工方法和原理進(jìn)行闡述。在【具體實(shí)施方式】中，所述工藝步驟、具體數(shù)值等均為列舉，不應(yīng)視為對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的限制。
[0037]作為具體的實(shí)施方式，步驟S3中，在晶圓表面涂布聚酰亞胺材料，所述聚酰亞胺材料旋涂、烘烤后的薄膜厚度為I?50 μ