化學(xué)汽相沉積設(shè)備的制造方法
【專利說明】化學(xué)汽相沉積設(shè)備
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2014年9月I日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2014-0115732的權(quán)益，該專利申請(qǐng)?zhí)卮艘砸梅绞讲⑷?，如同在本文中完全闡明。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明涉及在基板上沉積薄層的沉積設(shè)備，更特別地，涉及通過化學(xué)汽相沉積(CVD)方法在基板上沉積薄層的化學(xué)汽相沉積設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0004]平板顯示(FPD)設(shè)備被應(yīng)用于諸如便攜式電話、平板個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)、筆記本計(jì)算機(jī)等各種電子裝置。FH)設(shè)備的示例包括液晶顯示(LCD)設(shè)備、等離子體顯示面板(PDP)、有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備等。近來，電泳顯示(EPD)設(shè)備正被廣泛用作FH)設(shè)備中一種類型。
[0005]在這種FPD設(shè)備(下文中被簡(jiǎn)稱為顯示設(shè)備)中，IXD設(shè)備是使用液晶的光學(xué)各向異性來顯示圖像的設(shè)備。LCD設(shè)備具有諸如薄、輕、低功耗、高圖像質(zhì)量等優(yōu)良特征，因此正被廣泛運(yùn)用。
[0006]在顯示設(shè)備中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備使用自發(fā)光的自發(fā)光裝置，因此具有快速響應(yīng)時(shí)間、高發(fā)光效率、高亮度、廣視角等。因此，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備作為下一代FH)設(shè)備正備受關(guān)注。
[0007]為了制造顯示設(shè)備，應(yīng)該在母基板的表面上設(shè)置電路圖案。為此目的，應(yīng)該執(zhí)行基板處理過程。這里，基板處理過程包括:薄膜沉積過程，其在母基板上沉積薄層；光過程，其使用感光材料選擇性暴露薄層；蝕刻過程，其通過去除被選擇性暴露的區(qū)域中的薄層來形成圖案；等。
[0008]可使用物理汽相沉積(PVD)方法或化學(xué)汽相沉積(CVD)方法執(zhí)行薄膜沉積過程。
[0009]使用CVD方法的化學(xué)汽相沉積(CVD)設(shè)備包括使用等離子體的等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)設(shè)備。
[0010]圖1是示出應(yīng)用于相關(guān)技術(shù)的CVD設(shè)備的母基板的示例性示圖，該母基板的邊緣被蔭罩框架(shadow frame)覆蓋。
[0011]在相關(guān)技術(shù)的CVD設(shè)備中，母基板2設(shè)置在底座I上，母基板2的邊緣被蔭罩框架3覆蓋。用裝載銷4抬高或降低母基板2，因此，母基板2設(shè)置在基座(susc印tor) I上或者被從基座I拆卸。
[0012]當(dāng)向氣體噴射部件(未示出)和基座I供電時(shí)，通過氣體噴射部件向母基板2噴射氣體。此時(shí)，在基座I和氣體噴射部件之間產(chǎn)生等離子體，通過等離子體在母基板2上沉積薄層。
[0013]在相關(guān)技術(shù)的CVD設(shè)備中，如圖1中所示，蔭罩框架3覆蓋母基板2的邊緣和基座I的邊緣，以防止通過等離子體形成的薄層沉積在基座I以及母基板2的邊界上并且防止基座I因等離子體而受損。
[0014]然而，由于蔭罩框架3覆蓋母基板2的邊緣，因此在母基板2中設(shè)置有沒有沉積薄層的非沉積區(qū)A。因此，母基板2的可用面積減小，為此原因，基于一個(gè)母基板2制造的顯示設(shè)備的數(shù)量減少。
[0015]此外，使蔭罩框架3與母基板2接觸，出于這個(gè)原因，母基板2受損。
[0016]為了提供關(guān)于相關(guān)技術(shù)的CVD設(shè)備的另外描述，如圖1中所示，由于母基板2的最靠外區(qū)域被蔭罩框架3覆蓋，因此薄層不可避免地沉積在最靠外區(qū)域上。為此原因，母基板2的使用效率降低。另外，在使用相關(guān)技術(shù)的CVD設(shè)備沉積薄層的過程中，等離子體在母基板2的最靠外區(qū)域中與母基板2反應(yīng)或者在基座I的邊緣處與基座I反應(yīng)，從而造成等離子體異常放電。因此，沒有正常沉積薄層，從而造成缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]因此，本發(fā)明涉及基本上消除了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或更多個(gè)問題的化學(xué)汽相沉積設(shè)備。
[0018]本發(fā)明的一方面涉及提供一種CVD設(shè)備，在該CVD設(shè)備中，基座的頂部被覆蓋，沒有被暴露于等離子體，并且母基板的整個(gè)表面被露出。
[0019]本發(fā)明的額外優(yōu)點(diǎn)和特征將在隨后的描述中部分闡述并且對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀了下文后將變得顯而易見或者可通過本發(fā)明的實(shí)踐而得知?？赏ㄟ^書面描述及其權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。
[0020]為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文中實(shí)施和廣義描述的，提供了一種化學(xué)汽相沉積(CVD)設(shè)備，該CVD設(shè)備包括處理腔室、基座、輔助支承部件、氣體噴射部件和蔭罩框架。基座可安裝在所述處理腔室中，用于支承和加熱母基板。輔助支承部件可以按四角形框架形式安裝在所述基座上，用于支承和加熱由所述基座支承的所述母基板的邊緣。氣體噴射部件可安裝在所述處理腔室中，以面對(duì)所述基座，并且可將處理氣體噴射到所述母基板。蔭罩框架可覆蓋所述輔助支承部件的邊緣和從所述輔助支承部件的所述邊緣延伸的所述基座的邊緣。
[0021]要理解，對(duì)本發(fā)明的以上總體描述和以下詳細(xì)描述都是示例性的和說明性的并且旨在對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步說明。
【附圖說明】
[0022]附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并入且構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖示出本發(fā)明的實(shí)施方式并且與描述一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0023]圖1是示出應(yīng)用于相關(guān)技術(shù)的CVD設(shè)備的母基板的示例性示圖，該母基板的邊緣被蔭罩框架覆蓋；
[0024]圖2是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的CVD設(shè)備的示圖；
[0025]圖3示出應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的CVD設(shè)備的基座的剖視圖和平面圖；
[0026]圖4示出應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的CVD設(shè)備的基座的剖視圖和平面圖；
[0027]圖5是示出應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的CVD設(shè)備的基座和輔助支承部件的透視圖；
[0028]圖6是示出應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的CVD設(shè)備的基座和輔助支承部件的平面圖；
[0029]圖7示出應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的CVD設(shè)備的構(gòu)成基座的一個(gè)片段板(fragment plate)的平面圖和側(cè)視圖；以及
[0030]圖8是示出應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的CVD設(shè)備的構(gòu)成基座的三片板彼此連接的狀態(tài)的平面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]現(xiàn)在，將詳細(xì)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，在附圖中示出這些實(shí)施方式的示例。只要有可能，將在整個(gè)附圖中使用相同的參考標(biāo)號(hào)表示相同或類似的部件。
[0032]下文中，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的CVD設(shè)備。
[0033]圖2是用于描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的CVD設(shè)備的示圖。圖3示出應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的CVD設(shè)備的基座的剖視圖和平面圖。圖4示出應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的CVD設(shè)備的基座的剖視圖和平面圖。
[0034]如圖2至圖4中所示，CVD設(shè)備可包括:處理腔室40 ;基座10，其被安裝在處理腔室40中，用于支承和加熱母基板S ;輔助支承部件20，其以四角形框架形式安裝在基座10上，用于支承和加熱由基座10支承的母基板S的邊緣；氣體噴射部件50，其被安裝在處理腔室40中，面對(duì)基座10并且向母基板S噴射處理氣體；蔭罩框架30，其覆蓋輔助支承部件20的邊緣和從輔助支承部件20的邊緣延伸的基座10的邊緣。
[0035]第一，處理腔室40可提供使用等離子體執(zhí)行薄膜沉積過程的空間。
[0036]通過其裝載或拆卸母基板S的入口(未示出)可設(shè)置在處理腔室40的一側(cè)。用于排出處理腔室40的內(nèi)部氣體的至少一個(gè)排氣口 41可設(shè)置在處理腔室40的底部上。
[0037]第二，氣體噴射部件50可設(shè)置在腔室40中，面對(duì)基座10。氣體噴射部件50可連接到穿過處理腔室40的上表面的供氣管。