子8a、8b進(jìn)一步向旁邊的成膜室3b移動。在成膜室3a滯留的納米粒子Sc在配設(shè)于成膜室3a內(nèi)的基板7成膜。由此，能夠僅將具有大致相同粒徑的納米粒子Sc在配置于成膜室3a的基板7成膜而捕集。
[0034]在成膜室3b，納米粒子8a及Sb如上所述地移動。該成膜室3b雖然還具有來自高真空室13 (成膜室3c)的抽真空的影響，但納米粒子8b由于其粒徑的大小而受到重量的影響，不能通過連通管Ila而向高真空室13移動。因此，在成膜室3b僅滯留納米粒子Sb，僅直徑比其小的納米粒子8a向高真空室13移動。在成膜室3b滯留的納米粒子Sb在配置于成膜室3b內(nèi)的基板7成膜。由此，僅將具有大致相同粒徑的納米粒子Sb在配置于成膜室3b的基板7成膜而捕集。
[0035]僅最小的粒徑組即納米粒子8a到達(dá)高真空室13。而且，這些納米粒子8a在高真空室13內(nèi)配置的基板7上成膜。由此，能夠僅將具有大致相同粒徑的納米粒子8a在配置于尚真空室13的基板7上成I旲而捕集。
[0036]如以上說明地，在納米粒子區(qū)分裝置I中，由于將高真空室13抽真空，故而在由分隔壁5分隔開的多個成膜室3a?3c產(chǎn)生壓力差、即在高真空室13到生成室2的多個室9使壓力逐漸提高的壓力差。因此，粒徑大即重的粒子Sc滯留在遠(yuǎn)離壓力高的高真空室13的部位。相反，粒徑最小即最輕的粒子8a到達(dá)壓力低的高真空室13。因此，能夠?qū)⒂梢环N材料得到的不同粒徑的納米粒子8a?Sb區(qū)分捕集。此時，以隨著從高真空室13接近生成室2，內(nèi)徑變大的方式配置連通管Ila?11c，從而能夠在多個成膜室3a?3c有效地設(shè)置壓力差。另外，如圖1所示地配設(shè)于各分隔壁5的多個連通管Ila?Ilc將其軸線錯開配設(shè)。由此，由于能夠在連通管Ila?Ilc的正上方配置基板7，故而能夠有效地捕集納米粒子8a?Sc。在各基板7充分地成膜了納米粒子8a?Sc之后，更換基板7而重新進(jìn)行成膜。
[0037]如上所述，若在成膜室3a?3c產(chǎn)生不同的壓力差，則能夠根據(jù)各個粒徑有效地區(qū)分而將納米粒子8a?Sc成膜捕集。因此，也可以使用圖1所示那樣的直徑不同的連通管Ila?11c。在圖1例中，由于各成膜室3a?3c的體積相同，故而使用直徑不同的連通管Ila?Ilc在各成膜室3a?3c生成了壓力差。作為其他方式，也可以如圖2所示地，使各成膜室3a?3c的體積不同而產(chǎn)生壓力差。該情況下，可以使各成膜室3a?3c連通的連通管6的內(nèi)徑相同。通過使成為高真空室13的成膜室3c的體積最小，隨著接近生成室2，按照成膜室3b、成膜室3a的順序使其體積增大，從而能夠在多個成膜室3a?3c有效地設(shè)置壓力差。通過這樣的裝置構(gòu)成，若利用與上述同樣的方法產(chǎn)生納米粒子8a?Sc，則能夠按照各個粒徑將納米粒子8a?Sc區(qū)分捕集。
[0038]作為在各成膜室3a?3c產(chǎn)生壓力差的另一方式，如圖3所示地，也可以在成膜室3a及3b配置加熱器12。該情況下，使各成膜室3a?3c的體積相同，連通管6的內(nèi)徑也全部為同徑。而且，以通過加熱器12將各成膜室3a?3c的溫度隨著接近生成室2而提高的方式設(shè)定。即，以使高真空室13 (成膜室3c)的溫度最低，從該成膜室3c起依次使相鄰的成膜室的溫度上升，使成膜室3a的溫度最高地設(shè)定。因此，在圖3例中，由于成膜室3c的溫度最低即可，故而不設(shè)置加熱器12。即使這樣地在各成膜室3a?3c設(shè)置溫度差，能夠在多個成膜室3a?3c有效地設(shè)置壓力差。通過這樣的裝置構(gòu)成，若利用與上述同樣的方法產(chǎn)生納米粒子8a?8c，則能夠按照各個粒徑將納米粒子8a?8c區(qū)分捕集。另外，也可以代替加熱器12，根據(jù)需要在成膜室3a?3c設(shè)置冷卻氣體送風(fēng)機(jī)(也能夠為不設(shè)置在成膜室3a的構(gòu)成)，進(jìn)行與上述同樣的溫度調(diào)節(jié)。S卩，在各成膜室3a?3c的體積相同且連通管6的內(nèi)徑相同的情況下，通過設(shè)置使各成膜室3a?3c的溫度不同的溫度調(diào)節(jié)器，能夠在各成膜室3a?3c設(shè)置壓力差。
[0039]另外，也可以將上述的圖1?圖3例的構(gòu)成組合而在各成膜室3a?3c設(shè)置壓力差。
[0040]〈本發(fā)明的方式〉
[0041]為了實現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明中提供一種納米粒子區(qū)分裝置，其包括:串聯(lián)排列且由分隔壁相互分隔開的多個室；配設(shè)有應(yīng)蒸發(fā)的材料且為在所述多個室中的一端部配置的室的生成室；配設(shè)用于將從所述材料生成的納米粒子成膜的基板，所述多個室中的除了所述生成室之外的室即多個成膜室；為了將相鄰的所述多個室相互連通而分別貫通所述分隔壁設(shè)置的多個連通管；與所述生成室連通而用于導(dǎo)入冷卻氣體的氣體導(dǎo)入管；與所述多個室中的在最遠(yuǎn)離所述生成室的位置配置的室即高真空室連通而用于抽真空的真空配管。
[0042]理想的是，所述連通管為以同徑形成的直線形狀，所述多個連通管以隨著從所述高真空室接近所述生成室，內(nèi)徑增大的方式使內(nèi)徑分別不同。
[0043]理想的是，所述多個成膜室隨著接近所述生成室而使體積增大。
[0044]理想的是，所述多個成膜室具有隨著接近所述生成室而將所述多個成膜室的溫度提高用的溫度調(diào)節(jié)器。
[0045] 理想的是，相鄰的所述多個連通管使軸線相互錯開而配設(shè)。
【主權(quán)項】
1.一種納米粒子區(qū)分裝置，其特征在于，包括: 多個室，其串聯(lián)排列，相互由分隔壁分隔開； 生成室，其配設(shè)有應(yīng)蒸發(fā)的材料，并且配置在所述多個室中的一端部； 多個成膜室，其配設(shè)有用于將由所述材料生成的納米粒子成膜的基板，為所述多個室中的除了所述生成室之外的室； 多個連通管，其為了將相鄰的所述多個室相互連通而分別貫通所述分隔壁設(shè)置； 氣體導(dǎo)入管，其與所述生成室連通，用于將冷卻氣體導(dǎo)入； 真空配管，其與所述多個室中的在最遠(yuǎn)離所述生成室的位置配置的室即高真空室連通，用于抽真空。2.如權(quán)利要求1所述的納米粒子區(qū)分裝置，其特征在于， 所述連通管為以相同直徑形成的直線形狀，所述多個連通管以隨著從所述高真空室接近所述生成室而使內(nèi)徑變大的方式分別使內(nèi)徑不同。3.如權(quán)利要求1所述的納米粒子區(qū)分裝置，其特征在于， 所述多個成膜室隨著接近所述生成室而使體積變大。4.如權(quán)利要求1所述的納米粒子區(qū)分裝置，其特征在于， 所述多個成膜室具有用于隨著接近所述生成室而將所述多個成膜室的溫度提高的溫度調(diào)節(jié)器。5.如權(quán)利要求1所述的納米粒子區(qū)分裝置，其特征在于， 相鄰的所述多個連通管使軸線相互錯開而配設(shè)。
【專利摘要】納米粒子區(qū)分裝置(1)具有：串聯(lián)排列且相互被分隔壁(5)分隔開的多個室(9)；配設(shè)有應(yīng)蒸發(fā)的材料(4)的生成室(2)；配設(shè)有用于將由所述材料(4)生成的納米粒子(8a～8c)成膜的基板(7)的多個成膜室(3a～3c)；為了將相鄰的所述多個室(9)相互連通而分別貫通所述分隔壁(5)設(shè)置的多個連通管(6)；與所述生成室(2)連通而用于導(dǎo)入冷卻氣體的氣體導(dǎo)入管(10)；與所述多個室(9)中的在最遠(yuǎn)離所述生成室(2)的位置配置的室(9)且作為所述成膜室(3c)的高真空室(13)連通而用于抽真空的真空配管(14)。
【IPC分類】B82Y40/00, C23C14/24
【公開號】CN105143499
【申請?zhí)枴緾N201480018345
【發(fā)明人】內(nèi)山直樹
【申請人】株式會社渥美精機(jī)
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2014年3月7日
【公告號】CA2903949A1, WO2014156565A1