2在真空室11內(nèi)形成以彼此隔絕的狀態(tài)相連設(shè)置的兩個(gè)容積大致相等的處理室lla、llb。在真空室11的上部設(shè)置有基板傳送裝置2?；鍌魉脱b置2具有以放開基板S的下面(成膜面)的方式保持基板S的支架21 ;以及圖外的驅(qū)動(dòng)輥(驅(qū)動(dòng)裝置)，其將支架21自由地移動(dòng)到與分別并列設(shè)置在各處理室11a、Ilb中的下文所述的各靶31a?311相對(duì)的位置。另外，可使用公知產(chǎn)品作為基板傳送裝置2，所以此處省略對(duì)其的詳細(xì)說(shuō)明。
[0029]在各處理室IlaUlb中，位于基板傳送裝置2和靶31a?311之間分別設(shè)置掩膜板13。在各掩膜板13上，形成基板S面向各革El 31a?311的平面視圖為矩形的開口 13a、13b，起到限制基板S的成膜范圍，同時(shí)防止濺射粒子附著到支架21的表面等的作用。在各處理室IlaUlb的下側(cè)，分別設(shè)置有相同結(jié)構(gòu)的陰電極C。
[0030]陰電極C在與基板S平行的同一平面內(nèi)具有在移動(dòng)方向上等間隔并列設(shè)置的12個(gè)靶31a?311。各靶31a?311由Al、T1、Mo或ITO等根據(jù)要在基板S表面上形成的薄膜的組成采用公知方法制作，例如形成為大致長(zhǎng)方體(平面視圖為矩形)。并且，設(shè)置各靶31a?311的平面視圖形狀的尺寸和各靶31a?311相互間的間隙(參照?qǐng)D2)，以使并列設(shè)置靶31a?311的區(qū)域在移動(dòng)方向上的全長(zhǎng)LI與基板S在移動(dòng)方向上的長(zhǎng)度L2相等。即考慮各靶31a?311和基板S間的上下方向的距離等，在將各靶31a?311和基板S同心配置時(shí)，適當(dāng)設(shè)置以使兩端的靶31a、311從基板S的移動(dòng)方向兩端突出，突出范圍在靶在移動(dòng)方向上的長(zhǎng)度L3的一半以下。設(shè)定各靶31a?311的長(zhǎng)度以使各靶31a?311正交的方向分別從基板S的端部延伸出來(lái)。再有，各靶31a?311在通過(guò)濺射的成膜過(guò)程中，經(jīng)銦或錫等結(jié)合材料(未圖示)與冷卻靶31a?311的襯板32相結(jié)合。
[0031]各靶31a?311分別由單一的支持板33支撐，支持板33上豎直設(shè)置分別圍繞在靶31a?311的周圍的屏蔽板34，屏蔽板34在成膜時(shí)發(fā)揮陽(yáng)極的作用，同時(shí)防止等離子體潛入革E 31a?311的下方。各革E 31a?311分別連接在配置在真空室11外的DC電源(派射電源)35上，可分別向各靶31a?311輸入帶負(fù)電位的規(guī)定功率。
[0032]再有，陰電極C具有配置為分別位于各靶31a?311的下方的磁鐵單元4。各磁鐵單元4具有與各靶31a?311平行設(shè)置的支持板41。支持板41設(shè)定為在與移動(dòng)方向正交的方向上從革El 31a?311的端部分別延伸出小于各革El 31a?311在移動(dòng)方向上的長(zhǎng)度L3，由增大磁鐵的吸附力的磁性材料制成。在支持板41上，上側(cè)極性交替地裝設(shè)有線狀配置在其中央部的中央磁鐵42和沿支持板41的外周配置的周邊磁鐵43。此時(shí)，設(shè)置為換算為中央磁鐵42的同一磁化時(shí)的體積等于例如換算為周邊磁鐵43的同一磁化時(shí)的體積的和(周邊磁鐵:中心磁鐵:周邊磁鐵=I:2:1)，在各靶31a?311的上方形成均衡的閉合回路的隧道狀磁通量。
[0033]各磁鐵單元4分別與電機(jī)或氣缸等的驅(qū)動(dòng)裝置5a、5b的驅(qū)動(dòng)軸51 —體連接，沿靶31a?311的移動(dòng)方向在兩個(gè)位置之間平行且等速地整體做往返運(yùn)動(dòng)。由此，改變?yōu)R射率變高的磁通量的位置，在各靶31a?311的整面上得到均等的侵蝕區(qū)域。
[0034]在真空室11中，設(shè)置有將Ar等的稀有氣體構(gòu)成的濺射氣體分別導(dǎo)入處理室11a、Ilb的氣體導(dǎo)入裝置6a、6b。氣體導(dǎo)入裝置6a、6b具有例如安裝在真空室11的側(cè)壁上的氣管61，氣管61經(jīng)質(zhì)量流量控制器62與氣源63連通。通過(guò)反應(yīng)性濺射在基板S表面形成規(guī)定的薄膜時(shí)，安裝將氧或氮等反應(yīng)性氣體分別導(dǎo)入處理室IlaUlb的另一氣體導(dǎo)入裝置。而且，濺射裝置SMl具有帶微機(jī)或序列器等未圖示的控制裝置，統(tǒng)一控制各濺射電源35、質(zhì)量流量控制器或真空排氣裝置的運(yùn)行。下面說(shuō)明使用上述濺射裝置SMl的第一實(shí)施方式的成膜方法。
[0035]將基板S裝在支架21上，傳送到與一個(gè)處理室Ila的靶31a?311相對(duì)的位置上。將處理室Ila抽真空到規(guī)定壓力(例如I(T5Pa)時(shí)，經(jīng)氣體導(dǎo)入裝置6a導(dǎo)入濺射氣體或反應(yīng)氣體，從DC電源35分別對(duì)各靶31a?311輸入同一規(guī)定功率(例如50KW)。由此，在基板S和各靶31a?311之間的空間形成等離子體，使等離子體中的濺射氣體的離子向各靶31a?311加速?zèng)_擊，濺射粒子(靶原子)向基板S飛散，在基板S表面上形成一個(gè)薄膜。
[0036]此處，如上所述，在濺射裝置SMl中成膜時(shí)，從各靶31a?311相互間存在屏蔽板34的區(qū)域Rl不釋放濺射粒子。因此，基板S位于相對(duì)于靶31a?311并列設(shè)置區(qū)域TE的同心位置時(shí)，已形成的一個(gè)薄膜如圖3所示，沿該基板S移動(dòng)方向的薄膜厚度分布不均勻，有所起伏，即在同一周期中薄膜厚度厚的部分和薄的部分反復(fù)出現(xiàn)，并且位于移動(dòng)方向前后端的基板S的兩端部分與其他部分相比薄膜厚度變得極薄(圖3中虛線框起的部分)。
[0037]第一實(shí)施方式中，在各處理室Ila、llb之間，改變基板S在各處理室IlaUlb的停止位置，以使基板S表面上與各靶31a?311相互間的區(qū)域Rl相對(duì)的地方與移動(dòng)方向前后錯(cuò)開。具體而言，如圖2所示，形成為一處理室Ila內(nèi)的掩膜板13的開口 13a和另一處理室Ilb掩膜板13的開口 13b在移動(dòng)方向上相互錯(cuò)開，作為決定傳送到與靶31a?311相對(duì)的位置的基板S在各處理室IlaUlb內(nèi)的停止位置的基準(zhǔn)。而且，將支架21移動(dòng)到基板S面向掩膜板13的各開口 13a、13b的位置(基板S和開口 13a或開口 13b在上下方向上重疊的位置)時(shí)，對(duì)此進(jìn)行檢測(cè)的位置感應(yīng)器等檢測(cè)裝置8設(shè)置在真空室11中，將基板S傳送到各處理室IlaUlb時(shí)，可在各處理室IlaUlb內(nèi)精度良好地定位基板S以使薄膜厚度厚的部分和薄的部分互換。
[0038]與之配合，如圖4所示，從濺射電源35輸入到除分別位于移動(dòng)方向前后端的兩個(gè)靶31a、311外的靶31b?31k上的功率為穩(wěn)態(tài)功率(例如50kW)，控制裝置隨每次待成膜基板S的變更而控制與上述兩個(gè)靶31a、311對(duì)應(yīng)的濺射電源35，以使上述兩個(gè)靶31a、311上輸入的功率交替切換為比穩(wěn)態(tài)功率低的低功率和比穩(wěn)態(tài)功率高的高功率，且給兩個(gè)靶31a、311的輸入功率互換。即如圖4(a)所示，在位于移動(dòng)方向后側(cè)的一處理室Ila內(nèi)在第一基板S表面上形成一薄膜時(shí)，對(duì)位于移動(dòng)方向后端的靶31a的輸入功率設(shè)為高功率(穩(wěn)態(tài)功率的1.01?1.50倍的范圍)，提高濺射率而成膜，同時(shí)設(shè)定對(duì)位于移動(dòng)方向前端的靶311的輸入功率為低功率(穩(wěn)態(tài)功率的1/1.01?1/1.50倍的范圍)，降低濺射率而成膜。在此實(shí)施方式下，如上述那樣一薄膜TFl不均勻，在同一周期內(nèi)薄膜厚度厚的部分和薄的部分反復(fù)出現(xiàn)，且位于移動(dòng)方向后端的基板S的部分與其他部分相比薄膜厚度變厚，位于移動(dòng)方向前端的基板S的部分與其他部分相比薄膜厚度變薄(圖4(b)參照)。
[0039]接著，在改變位于移動(dòng)方向前端的另一處理室Ilb內(nèi)基板S的停止位置而層壓另一薄膜TF2時(shí)，將給位于移動(dòng)方向后端的靶31a的輸入功率設(shè)為低功率，同時(shí)給位于移動(dòng)方向前端的靶311的輸入功率設(shè)為高功率而進(jìn)行成膜。由此，在兩處理室IlaUlb內(nèi)以大致相同的薄膜厚度層壓另一薄膜時(shí)薄膜厚度厚的部分和薄的部分互換，作為積層膜LF的薄膜厚度變?yōu)榛逭娲笾戮鶆?參照?qǐng)D4(b))，其結(jié)果是可防止基板表面的薄膜厚度分布和反應(yīng)性濺射時(shí)的薄膜質(zhì)量分布起伏的不均勻的情況。
[0040]接著，在圖外的第二基板S表面形成積層膜時(shí)，如圖4(c)所不，在一處理室Ila內(nèi)形成一薄膜TFl時(shí)，設(shè)置位于移動(dòng)方向后端的靶31a上的輸入功率為低功率，同時(shí)位于移動(dòng)方向前端的靶311上的輸入功率為高功率。而且，在另一處理室Ilb內(nèi)形成另一薄膜TF2時(shí)，設(shè)置位于移動(dòng)方向后端的靶31a上的輸入功率為高功率，且位于移動(dòng)方向前端的靶311上的輸入功率為低功率。由此，位于移動(dòng)方向兩端的靶31a、311的濺射導(dǎo)致的侵蝕量和其他靶31b?31k的侵蝕量可大致均等。
[0041]采用以上的第一實(shí)施方式，具有即便將并列設(shè)置靶31a?311的區(qū)域在移動(dòng)方向上的全長(zhǎng)LI設(shè)為與基板S的移動(dòng)方向長(zhǎng)度L2相等，也可使基板面內(nèi)的薄膜厚度分布和薄膜質(zhì)量分布均勻性良好地成膜的功能，且可使各靶31a?311的靶壽命大致均等而有利于批量生產(chǎn)。另外，設(shè)置奇數(shù)的處理室，在基板表面形成例如三層膜時(shí)，只需以與靶相互間區(qū)域相對(duì)的基板S的各處在各處理室相互各錯(cuò)開1/3的方式將基板停止在各處理室內(nèi)即可。
[0042]為確認(rèn)上述的效果，使用圖1所示的濺射裝置SM1，通過(guò)濺射在基板S上層壓2層Al膜。使用99.99%的Al作為各處理室lla、llb內(nèi)的靶31a?311，其配置在支持板33上，形成平面視圖為200mmX 2650mmX厚度16mm的長(zhǎng)方形，與襯板32結(jié)合，各革E 31a?311彼此的中心間距離為230mm(各靶31a?311的移動(dòng)方向端部間的距離是30mm)?；錝為2200mmX2500mm的玻璃基板，靶31a?311與基板S間的距離設(shè)為180mm。再有，在一處理室Ila內(nèi)，使基板S停止于基板S的移動(dòng)方向后邊位于靶31a的后邊的大致緊上