本技術(shù)涉及離子濺射設(shè)備，具體涉及一種便于插拔的熱電離子濺射裝置。

背景技術(shù)：

1、離子濺射，一種物理氣相沉積的方法。在真空室內(nèi)通入惰性氣體(如氬)，使之在高壓下輝光放電，氣體離子在強(qiáng)電場作用下轟擊膜料制成的陰極靶，使表面的原子被濺射出來，沉積在基體上成膜出，離子濺射鍍膜法是離子濺射形成干涉膜是增進(jìn)相間襯度顯示組織的新方法。

2、但現(xiàn)有技術(shù)中，現(xiàn)有的熱電離子濺射裝置，多采用固定設(shè)置，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，無法快速地進(jìn)行拆卸維護(hù)，無法進(jìn)行調(diào)整，并且整個(gè)靶面不均勻的刻蝕速率導(dǎo)致沉積速率會發(fā)生漂移，在反應(yīng)濺射中尤為嚴(yán)重，導(dǎo)致反應(yīng)濺射沉積過程的不穩(wěn)定性，覆膜效率低，生產(chǎn)效率不佳。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種便于插拔的熱電離子濺射裝置，包括：離子槍座；外殼，所述外殼的外壁固定連接在離子槍座的頂端；加速極，所述加速極位于外殼的內(nèi)部；發(fā)射端，所述發(fā)射端的底端與外殼的頂端固定連接；發(fā)生端，所述發(fā)生端位于離子槍座的底端；所述發(fā)射端包括第一網(wǎng)格，所述第一網(wǎng)格的兩端對稱固定連接有陶瓷隔板，所述陶瓷隔板的頂端固定連接有第二網(wǎng)格，所述第一網(wǎng)格的底端與外殼的頂端固定連接。

2、優(yōu)選地，所述加速極對稱固定連接于離子槍座的頂端，所述發(fā)射端設(shè)置在加速極的頂端。帶正電荷的氬離子由于陽極片的高壓正電的排斥和帶負(fù)電荷的加速極的吸引，在加速極的作用下加快離子移動的速度，使離子保持直線運(yùn)動，避免碰撞。

3、優(yōu)選地，所述離子槍座的內(nèi)壁對稱固定連接有上磁柱固定條，所述上磁柱固定條的底端外壁固定連接有磁柱，所述磁柱的底端固定連接有下磁柱固定條。當(dāng)離子穿過，上磁柱固定條和下磁柱固定條之間的磁柱時(shí)，使離子在磁場作用下高速旋轉(zhuǎn)。

4、優(yōu)選地，所述離子槍座的內(nèi)壁對稱固定連接有陽極片，所述陽極片的頂端固定連接有方形磁鐵，所述陽極片設(shè)置在下磁柱固定條的底端。陽極片接上正極電壓后，并通過其頂端的方形磁鐵，在陽極電壓和磁場的作用下，電荷往陽極片的上端走，并排斥正電荷的氬離子。

5、優(yōu)選地，所述發(fā)生端包括燈絲座，所述燈絲座的內(nèi)壁固定連接有連接頭，所述連接頭的外壁固定連接有真空燈管，所述連接頭的外壁固定連接有燈絲。所述燈絲設(shè)置在真空燈管的內(nèi)部，所述燈絲座的頂端外壁與離子槍座的底端外壁固定連接。燈絲屬于陰極燈絲，通過給連接頭接上電流，使燈絲溫度升高產(chǎn)生大量的熱電子，并通過向真空燈管內(nèi)注入氬氣，燈絲加熱以后電離分解成帶正電荷的氬離子和大量帶負(fù)電荷的電子。

6、本實(shí)用新型的有益效果如下：

7、本實(shí)用新型通過設(shè)置發(fā)生端，燈絲加熱以后電離分解成電荷離子，并通過調(diào)整連接頭電流，從而調(diào)整對燈絲的熱度，控制分解的電荷數(shù)量，并在陽極電壓和磁場的作用下使電荷往陽極片的上端走，通過磁柱使進(jìn)化后的離子在磁場作用下高速旋轉(zhuǎn)，在加速極的加快離子移動的速度，在第一網(wǎng)格高負(fù)電壓的作用下，離子快速往上沖擊，再通過第二網(wǎng)格，迅速從第二網(wǎng)格孔內(nèi)射出蝕刻金屬表面，反應(yīng)濺射沉積過程穩(wěn)定，對離子的傳輸效率保證，且整體結(jié)構(gòu)簡單，都是套設(shè)安裝在離子槍座內(nèi)，便于拆卸檢修，燈絲座嵌入離子槍座的內(nèi)部，便于對發(fā)生端的插拔拆卸。

技術(shù)特征：

1.一種便于插拔的熱電離子濺射裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種便于插拔的熱電離子濺射裝置，其特征在于：所述加速極(3)對稱固定連接于離子槍座(1)的頂端，所述發(fā)射端(4)設(shè)置在加速極(3)的頂端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種便于插拔的熱電離子濺射裝置，其特征在于：所述離子槍座(1)的內(nèi)壁對稱固定連接有上磁柱固定條(8)，所述上磁柱固定條(8)的底端外壁固定連接有磁柱(10)，所述磁柱(10)的底端固定連接有下磁柱固定條(9)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種便于插拔的熱電離子濺射裝置，其特征在于：所述離子槍座(1)的內(nèi)壁對稱固定連接有陽極片(6)，所述陽極片(6)的頂端固定連接有方形磁鐵(7)，所述陽極片(6)設(shè)置在下磁柱固定條(9)的底端。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種便于插拔的熱電離子濺射裝置，其特征在于：所述發(fā)生端(5)包括燈絲座(501)，所述燈絲座(501)的內(nèi)壁固定連接有連接頭(502)，所述連接頭(502)的外壁固定連接有真空燈管(503)，所述連接頭(502)的外壁固定連接有燈絲(504)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種便于插拔的熱電離子濺射裝置，其特征在于：所述燈絲(504)設(shè)置在真空燈管(503)的內(nèi)部，所述燈絲座(501)的頂端外壁與離子槍座(1)的底端外壁固定連接。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種便于插拔的熱電離子濺射裝置，本技術(shù)涉及離子濺射設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，包括：離子槍座；外殼，所述外殼的外壁固定連接在離子槍座的頂端；加速極，所述加速極位于外殼的內(nèi)部；該技術(shù)通過設(shè)置發(fā)生端，燈絲加熱以后電離分解成電荷離子，并通過調(diào)整連接頭電流，從而調(diào)整對燈絲的熱度，控制分解的電荷數(shù)量，并在陽極電壓和磁場的作用下使電荷往陽極片的上端走，通過磁柱使進(jìn)化后的離子在磁場作用下高速旋轉(zhuǎn)，在加速極的加快離子移動的速度，在第一網(wǎng)格高負(fù)電壓的作用下，離子快速往上沖擊，再通過第二網(wǎng)格，迅速從第二網(wǎng)格孔內(nèi)射出蝕刻金屬表面，反應(yīng)濺射沉積過程穩(wěn)定，對離子的傳輸效率保證。

技術(shù)研發(fā)人員：張煥響,劉俊,李忠勝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：滄州智晶科技電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240511
技術(shù)公布日：2024/12/19