技術(shù)編號:40389600
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本技術(shù)涉及離子濺射設(shè)備,具體涉及一種便于插拔的熱電離子濺射裝置。背景技術(shù)、離子濺射,一種物理氣相沉積的方法。在真空室內(nèi)通入惰性氣體(如氬),使之在高壓下輝光放電,氣體離子在強電場作用下轟擊膜料制成的陰極靶,使表面的原子被濺射出來,沉積在基體上成膜出,離子濺射鍍膜法是離子濺射形成干涉膜是增進相間襯度顯示組織的新方法。、但現(xiàn)有技術(shù)中,現(xiàn)有的熱電離子濺射裝置,多采用固定設(shè)置,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,無法快速地進行拆卸維護,無法進行調(diào)整,并且整個靶面不均勻的刻蝕速率導(dǎo)致沉積速率會發(fā)生漂移,在反應(yīng)濺射中尤為嚴重,導(dǎo)...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。