本技術(shù)涉及太陽(yáng)能電池制造，尤其涉及一種太陽(yáng)能電池鍍膜載板及鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中，需要將待加工的硅片放置在鍍膜載板的托盤(pán)上，然后傳輸裝置將載有硅片的鍍膜載板傳輸至真空腔室內(nèi)進(jìn)行鍍膜工藝。鍍膜載板包括托盤(pán)和框架，目前，如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中一部分托盤(pán)100為無(wú)氣孔槽結(jié)構(gòu)，這樣導(dǎo)致硅片10下方不透氣形成封閉狀態(tài)，在真空鍍膜加工過(guò)程中硅片10上下兩側(cè)將形成壓強(qiáng)差，硅片10下方的殘氣將溢出，不僅使得硅片10易產(chǎn)生變形，還對(duì)自動(dòng)化設(shè)備吸取硅片10造成不良，降低吸盤(pán)吸取硅片10的穩(wěn)定性和可靠性。如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中另一部分托盤(pán)100開(kāi)設(shè)有貫穿式的通槽1’且通槽1’正對(duì)于硅片10下方，這樣在進(jìn)行鍍膜工藝時(shí)，容易造成硅片10背面繞鍍的不良現(xiàn)象，從而降低產(chǎn)品良率，增加成本。

2、因此，亟需設(shè)計(jì)一種太陽(yáng)能電池鍍膜載板及鍍膜設(shè)備，來(lái)解決以上技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的第一目的在于提出一種太陽(yáng)能電池鍍膜載板，能夠減少硅片發(fā)生變形的現(xiàn)象，提高吸盤(pán)吸取硅片的可靠性和穩(wěn)定性，同時(shí)提升產(chǎn)品良率，節(jié)約成本。

2、為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

3、本實(shí)用新型提供一種太陽(yáng)能電池鍍膜載板，包括：

4、托盤(pán)，所述托盤(pán)的外周側(cè)設(shè)置有第一臺(tái)階部和第二臺(tái)階部，所述第二臺(tái)階部位于所述第一臺(tái)階部的外周側(cè)，且所述第二臺(tái)階部的高度高于所述第一臺(tái)階部的高度；所述第一臺(tái)階部用于放置硅片，所述第二臺(tái)階部用于對(duì)所述硅片進(jìn)行限位，當(dāng)所述硅片放置在所述第一臺(tái)階部時(shí)，所述硅片與所述托盤(pán)的上端面形成第一間隙；所述第一臺(tái)階部的下端面開(kāi)設(shè)有第一氣孔槽，所述第一氣孔槽的側(cè)壁連通所述第一間隙；

5、和/或，

6、所述第一臺(tái)階部的上端面開(kāi)設(shè)有第二氣孔槽，所述第二氣孔槽的側(cè)壁連通所述第一間隙，當(dāng)所述硅片放置在所述第一臺(tái)階部時(shí)，至少部分所述第二氣孔槽未被所述硅片覆蓋。

7、作為一種太陽(yáng)能電池鍍膜載板的可選技術(shù)方案，所述托盤(pán)的高度設(shè)置為ha，所述第一臺(tái)階部的高度設(shè)置為hb；所述第一氣孔槽的高度設(shè)置為h1，ha<h1<hb。

8、作為一種太陽(yáng)能電池鍍膜載板的可選技術(shù)方案，所述托盤(pán)的高度設(shè)置為ha，所述第一臺(tái)階部的高度設(shè)置為hb；所述第二氣孔槽的高度設(shè)置為h2，h2≤hb-ha。

9、作為一種太陽(yáng)能電池鍍膜載板的可選技術(shù)方案，所述第二臺(tái)階部的上端面開(kāi)設(shè)有第三氣孔槽，所述第三氣孔槽與所述第二氣孔槽連通。

10、作為一種太陽(yáng)能電池鍍膜載板的可選技術(shù)方案，所述托盤(pán)的高度設(shè)置為ha，所述第一臺(tái)階部的高度設(shè)置為hb；所述第二臺(tái)階部的高度設(shè)置為hc；所述第一氣孔槽的高度設(shè)置為h1，所述第二氣孔槽的高度設(shè)置為h2，所述第三氣孔槽的高度設(shè)置為h3，hc-hb<h3≤hc-ha。

11、作為一種太陽(yáng)能電池鍍膜載板的可選技術(shù)方案，所述第一臺(tái)階部和所述第二臺(tái)階部均設(shè)置為多個(gè)，相鄰兩個(gè)所述第一臺(tái)階部的所述第二氣孔槽均連通一個(gè)所述第二臺(tái)階部的所述第三氣孔槽。

12、作為一種太陽(yáng)能電池鍍膜載板的可選技術(shù)方案，所述托盤(pán)的上端面開(kāi)設(shè)有第四氣孔槽，所述托盤(pán)的下端面開(kāi)設(shè)有第五氣孔槽，所述第四氣孔槽和所述第五氣孔槽錯(cuò)位設(shè)置，且所述第一間隙、所述第四氣孔槽和所述第五氣孔槽依次連通。

13、作為一種太陽(yáng)能電池鍍膜載板的可選技術(shù)方案，所述托盤(pán)的上端面開(kāi)設(shè)有第四氣孔槽，所述第四氣孔槽與所述第一氣孔槽錯(cuò)位設(shè)置，所述第一間隙、所述第四氣孔槽與所述第一氣孔槽依次連通。

14、作為一種太陽(yáng)能電池鍍膜載板的可選技術(shù)方案，所述第二臺(tái)階部的側(cè)壁與所述硅片的側(cè)邊設(shè)置有第二間隙。

15、本實(shí)用新型的第二目的在于提出一種鍍膜設(shè)備，該鍍膜設(shè)備能夠提升太陽(yáng)能電池的產(chǎn)品良率，節(jié)約成本；同時(shí)，還能夠減少硅片發(fā)生變形的現(xiàn)象，便于吸盤(pán)取放硅片，提高作業(yè)效率。

16、為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

17、本實(shí)用新型提供一種鍍膜設(shè)備，該鍍膜設(shè)備包括真空腔室、傳送裝置和以上所述的太陽(yáng)能電池鍍膜載板，所述太陽(yáng)能電池鍍膜載板設(shè)置在所述傳送裝置上，并通過(guò)所述傳送裝置進(jìn)出所述真空腔室。

18、本實(shí)用新型的有益效果至少包括：

19、本實(shí)用新型提供一種太陽(yáng)能電池鍍膜載板，該太陽(yáng)能電池鍍膜載板包括托盤(pán)、第一臺(tái)階部和第二臺(tái)階部。其中，托盤(pán)的外周側(cè)設(shè)置有第一臺(tái)階部和第二臺(tái)階部，第二臺(tái)階部位于第一臺(tái)階部的外周側(cè)，且第二臺(tái)階部的高度高于第一臺(tái)階部的高度；第一臺(tái)階部用于放置硅片，第二臺(tái)階部用于對(duì)硅片進(jìn)行限位，當(dāng)硅片放置在第一臺(tái)階部時(shí)，硅片與托盤(pán)的上端面形成第一間隙；第一臺(tái)階部的下端面開(kāi)設(shè)有第一氣孔槽，第一氣孔槽的側(cè)壁連通第一間隙，也就是說(shuō)，該第一氣孔槽不貫穿第一臺(tái)階部，同時(shí)由于第一臺(tái)階部位于托盤(pán)的外周側(cè)，此時(shí)第一氣孔槽位于硅片的側(cè)邊位置，這樣使得該第一氣孔槽不會(huì)正對(duì)硅片正下方，從而在進(jìn)行鍍膜工藝時(shí)，能夠減少發(fā)生硅片背面繞鍍的現(xiàn)象，提升產(chǎn)品良率，節(jié)約成本。同時(shí)，第一氣孔槽的側(cè)壁連通第一間隙，這樣能夠增加該托盤(pán)的透氣性，也就是說(shuō)，在鍍膜工藝時(shí)硅片下方(第一間隙)的殘氣能夠通過(guò)第一氣孔槽順利排出，避免硅片上下兩側(cè)形成壓強(qiáng)差，從而減少硅片發(fā)生形變的風(fēng)險(xiǎn)，提高吸盤(pán)吸取硅片的可靠性和穩(wěn)定性，提高作業(yè)效率。

20、本實(shí)用新型還提供一種鍍膜設(shè)備，該鍍膜設(shè)備能夠提升太陽(yáng)能電池的產(chǎn)品良率，節(jié)約成本；同時(shí)，還能夠減少硅片發(fā)生變形的現(xiàn)象，便于吸盤(pán)取放硅片，提高作業(yè)效率。

技術(shù)特征：

1.太陽(yáng)能電池鍍膜載板，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池鍍膜載板，其特征在于，所述托盤(pán)(100)的高度設(shè)置為ha，所述第一臺(tái)階部(200)的高度設(shè)置為hb；所述第一氣孔槽(210)的高度設(shè)置為h1，ha<h1<hb。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池鍍膜載板，其特征在于，所述托盤(pán)(100)的高度設(shè)置為ha，所述第一臺(tái)階部(200)的高度設(shè)置為hb；所述第二氣孔槽(220)的高度設(shè)置為h2，h2≤hb-ha。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池鍍膜載板，其特征在于，所述第二臺(tái)階部(300)的上端面開(kāi)設(shè)有第三氣孔槽(310)，所述第三氣孔槽(310)與所述第二氣孔槽(220)連通。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽(yáng)能電池鍍膜載板，其特征在于，所述托盤(pán)(100)的高度設(shè)置為ha，所述第一臺(tái)階部(200)的高度設(shè)置為hb；所述第二臺(tái)階部(300)的高度設(shè)置為hc；所述第一氣孔槽(210)的高度設(shè)置為h1，所述第二氣孔槽(220)的高度設(shè)置為h2，所述第三氣孔槽(310)的高度設(shè)置為h3，hc-hb<h3≤hc-ha。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)能電池鍍膜載板，其特征在于，所述第一臺(tái)階部(200)和所述第二臺(tái)階部(300)均設(shè)置為多個(gè)，相鄰兩個(gè)所述第一臺(tái)階部(200)的所述第二氣孔槽(220)均連通一個(gè)所述第二臺(tái)階部(300)的所述第三氣孔槽(310)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池鍍膜載板，其特征在于，所述托盤(pán)(100)的上端面開(kāi)設(shè)有第四氣孔槽(110)，所述第四氣孔槽(110)與所述第一氣孔槽(210)錯(cuò)位設(shè)置，所述第一間隙(400)、所述第四氣孔槽(110)與所述第一氣孔槽(210)依次連通。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池鍍膜載板，其特征在于，所述托盤(pán)(100)的上端面開(kāi)設(shè)有第四氣孔槽(110)，所述托盤(pán)(100)的下端面開(kāi)設(shè)有第五氣孔槽，所述第四氣孔槽(110)和所述第五氣孔槽錯(cuò)位設(shè)置，且所述第一間隙(400)、所述第四氣孔槽(110)和所述第五氣孔槽依次連通。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)能電池鍍膜載板，其特征在于，所述第二臺(tái)階部(300)的側(cè)壁與所述硅片(10)的側(cè)邊設(shè)置有第二間隙(500)。

10.鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括真空腔室、傳送裝置和權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)能電池鍍膜載板，所述太陽(yáng)能電池鍍膜載板設(shè)置在所述傳送裝置上，并通過(guò)所述傳送裝置進(jìn)出所述真空腔室。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及太陽(yáng)能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽(yáng)能電池鍍膜載板及鍍膜設(shè)備。該太陽(yáng)能電池鍍膜載板包括托盤(pán)、第一臺(tái)階部和第二臺(tái)階部。其中，托盤(pán)的外周側(cè)設(shè)置有第一臺(tái)階部和第二臺(tái)階部，第二臺(tái)階部位于第一臺(tái)階部的外周側(cè)，且第二臺(tái)階部的高度高于第一臺(tái)階部的高度；第一臺(tái)階部用于放置硅片，第二臺(tái)階部用于對(duì)硅片進(jìn)行限位，當(dāng)硅片放置在第一臺(tái)階部時(shí)，硅片與托盤(pán)的上端面形成第一間隙；第一臺(tái)階部的下端面開(kāi)設(shè)有第一氣孔槽，第一氣孔槽的側(cè)壁連通第一間隙。該太陽(yáng)能電池鍍膜載板能夠減少硅片發(fā)生變形的現(xiàn)象，提高吸盤(pán)吸取硅片的可靠性和穩(wěn)定性，同時(shí)提升產(chǎn)品良率，達(dá)到節(jié)約成本的目的。

技術(shù)研發(fā)人員：孫健,陳晨,劉亞南,周劍,楊艷紅
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州邁為科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240429
技術(shù)公布日：2024/12/26