本公開至少一個(gè)實(shí)施例涉及一種蒸鍍裝置及其蒸鍍方法、顯示器件制造設(shè)備。

背景技術(shù)：

真空蒸鍍已經(jīng)廣泛應(yīng)用于顯示器件的制備工藝中，但是，當(dāng)用于真空蒸鍍的掩膜板在安裝在被處理的基板上時(shí)，掩膜板的部分區(qū)域可能會(huì)出現(xiàn)褶皺，導(dǎo)致掩膜板在蒸鍍過程中不會(huì)完全貼合在基板上，影響基板的蒸鍍精度，由此導(dǎo)致所制備的顯示產(chǎn)品的顯示不良等問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供一種蒸鍍裝置及其蒸鍍方法、顯示器件制造設(shè)備以解決上述問題。

本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供一種用于基板蒸鍍的蒸鍍裝置，所述基板的一側(cè)設(shè)置有掩膜板，所述蒸鍍裝置包括：磁吸附層以及設(shè)置在所述磁吸附層一側(cè)的熱敏層，其中，所述熱敏層設(shè)置于所述磁吸附層和所述基板的遠(yuǎn)離所述掩膜板的一側(cè)之間，并且所述熱敏層配置為調(diào)節(jié)所述掩膜板和所述磁吸附層之間的距離。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供的蒸鍍裝置中，所述熱敏層的線膨脹系數(shù)的范圍約為10^-5-10^-3米/度。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供的蒸鍍裝置中，在垂直于所述磁吸附層所在面的方向上，所述熱敏層的厚度范圍約為1毫米～10厘米。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供的蒸鍍裝置中，所述磁吸附層可以包括多個(gè)按陣列布置的磁吸附單元。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供的蒸鍍裝置中，每個(gè)所述磁吸附單元可以通過彈性元件安裝。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供的蒸鍍裝置中，所述熱敏層可以包括多個(gè)按陣列布置的熱敏單元，每個(gè)所述熱敏單元對(duì)應(yīng)于一個(gè)或多個(gè)所述磁吸附單元。

例如，本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供的蒸鍍裝置還可以包括設(shè)置于所述磁吸附層的面向所述熱敏層一側(cè)的冷卻層。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供的蒸鍍裝置中，所述冷卻層的一側(cè)可以設(shè)置于所述熱敏層的遠(yuǎn)離所述磁吸附層的一側(cè)上，所述冷卻層的另一側(cè)安裝所述被蒸鍍的基板。

例如，本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供的蒸鍍裝置中還可以包括：對(duì)所述磁吸附層進(jìn)行限位的限位層；其中，所述限位層為柔性層，并且所述限位層設(shè)置于所述熱敏層和所述磁吸附層之間。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供的蒸鍍裝置中，所述冷卻層可以設(shè)置于所述磁吸附層和所述熱敏層之間，并且所述冷卻層為柔性冷卻層。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供的蒸鍍裝置中，所述冷卻層的遠(yuǎn)離所述熱敏層的表面可以設(shè)置有對(duì)所述磁吸附層限位的凹槽。

例如，本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供的蒸鍍裝置中還可以包括蒸發(fā)源，所述蒸發(fā)源可以設(shè)置于所述熱敏層的遠(yuǎn)離所述磁吸附層的一側(cè)并且與所述熱敏層間隔預(yù)定距離，其中，所述蒸發(fā)源用于容納被蒸發(fā)材料。

例如，本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供的蒸鍍裝置中還可以包括安裝部，其中，所述安裝部位于所述熱敏層與所述蒸發(fā)源之間且設(shè)置為依次安裝所述基板和所述掩膜板。

本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供一種顯示器件制造設(shè)備，可以包括上述任一個(gè)實(shí)施例中的蒸鍍裝置。

本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供的蒸鍍裝置，在基板的蒸鍍過程中，當(dāng)用于對(duì)基板蒸鍍的掩膜板在某一區(qū)域產(chǎn)生褶皺時(shí)，會(huì)改變相應(yīng)區(qū)域的熱敏層的溫度，熱敏層根據(jù)溫度變化調(diào)節(jié)自身厚度以減小該區(qū)域的磁吸附層與掩膜板的間距，從而消除掩膜板的褶皺問題，提高基板的蒸鍍良率。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實(shí)施例，而非對(duì)本公開的限制。

圖1為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的一種蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a～圖2d為圖1所示蒸鍍裝置的工作原理的過程圖；

圖3為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖；

圖4為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖；

圖5為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖；

圖6為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖；

圖7為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖；

圖8為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖；以及

圖9a～圖9c為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的一種蒸鍍裝置的蒸鍍方法的過程圖。

附圖標(biāo)記：

1-真空蒸鍍室；2-支撐部；100-磁吸附層；110-磁吸附單元；120-彈性元件；200-熱敏層；210-熱敏單元；300-基板；400-掩膜板；500-冷卻層；510-槽；600-蒸發(fā)源；700-限位層；800-安裝部。

具體實(shí)施方式

為使本公開實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本公開實(shí)施例的附圖，對(duì)本公開實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本公開的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋竟_的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本公開保護(hù)的范圍。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本公開所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀薄ⅰ跋隆?、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供一種蒸鍍裝置及其蒸鍍方法、顯示器件制造設(shè)備，以至少解決在蒸鍍過程中掩膜板不能與基板完全貼合導(dǎo)致的基板蒸鍍不良的問題。該蒸鍍裝置包括：磁吸附層以及熱敏層，其中，熱敏層的一側(cè)層疊在磁吸附層上，在熱敏層遠(yuǎn)離磁吸附層的一側(cè)設(shè)置為朝向被蒸鍍的基板。

磁吸附層可以將用于蒸鍍的掩膜板吸附在基板上。在蒸鍍過程中，被蒸鍍材料在沉積的過程放熱，當(dāng)掩膜板和基板之間出現(xiàn)褶皺時(shí)，例如該區(qū)域?yàn)榈谝粎^(qū)域，則第一區(qū)域的掩膜板因?yàn)榕c基板之間出現(xiàn)間隔，使得第一區(qū)域的熱敏層部分的溫度低于其它區(qū)域的熱敏層部分的溫度，第一區(qū)域的熱敏層部分厚度減小以使得第一區(qū)域的磁吸附層部分與第一區(qū)域的掩膜板部分的間隔距離減小并使得兩者之間的磁吸附力增加，使得第一區(qū)域的掩膜板部分貼合至基板上。如此，本公開實(shí)施例提供的蒸鍍裝置可以調(diào)節(jié)磁吸附層和掩膜板之間的距離，并且例如可以實(shí)時(shí)且自動(dòng)地進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而可以緩解或消除掩膜板出現(xiàn)褶皺的問題，提高蒸鍍裝置對(duì)基板的蒸鍍精度。

下面將結(jié)合附圖對(duì)根據(jù)本公開實(shí)施例的蒸鍍裝置及其蒸鍍方法、顯示器件制造設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)的描述。

本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供一種蒸鍍裝置，圖1為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的一種蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。例如圖1所示，該蒸鍍裝置用于對(duì)基板300的蒸鍍，基板300的一側(cè)設(shè)置有掩膜板400，該蒸鍍裝置可以包括：磁吸附層100以及熱敏層200，其中，熱敏層200設(shè)置在磁吸附層100的一側(cè)，熱敏層200設(shè)置于磁吸附層100和基板300的遠(yuǎn)離所述掩膜板400的一側(cè)之間，并且熱敏層200配置為可以調(diào)節(jié)掩膜板400和磁吸附層100之間的距離。在熱敏層200的遠(yuǎn)離磁吸附層100的一側(cè)在工作過程中用于安裝被蒸鍍的基板300。例如，基板300的遠(yuǎn)離磁吸附層100的一側(cè)設(shè)置有掩膜板400。磁吸附層100和掩膜板400之間可以產(chǎn)生磁吸附力，該磁吸附力可以將掩膜板400吸附在基板300上，然后通過掩膜板400向基板300進(jìn)行蒸鍍。當(dāng)掩膜板400的局部區(qū)域出現(xiàn)褶皺時(shí)，熱敏層200可以調(diào)節(jié)相應(yīng)區(qū)域的磁吸附層100和掩膜板400之間的間隔距離，即可以調(diào)整該區(qū)域磁吸附層100和掩膜板400之間的磁吸附力，從而可以將掩膜板400中的褶皺部分吸附在基板300上，因此，熱敏層200的設(shè)置可以將基板300和掩膜板400之間貼合緊密，以提高基板300的蒸鍍精度。關(guān)于熱敏層200可以調(diào)節(jié)相應(yīng)區(qū)域的磁吸附層100和掩膜板400之間的間隔距離的相關(guān)說明可以參考下述實(shí)施例(例如圖2a～圖2d所示的實(shí)施例)中的相關(guān)內(nèi)容，在此不做贅述。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，掩膜板400的制備材料可以包括金屬材料，也可以包括磁吸附材料。本公開實(shí)施例對(duì)掩膜板400的制備材料不做限制，只要掩膜板400與磁吸附層100之間可以產(chǎn)生磁吸附力即可。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，蒸鍍裝置還可以包括蒸發(fā)源600，所述蒸發(fā)源600設(shè)置在熱敏層200的遠(yuǎn)離磁吸附層100的一側(cè)并且與熱敏層200間隔預(yù)定距離，其中，蒸發(fā)源600可以用于容納被蒸發(fā)的材料，且可以被加熱以使得材料被蒸發(fā)。蒸發(fā)源600與熱敏層200間隔的預(yù)定距離的大小可以根據(jù)實(shí)際需求決定，本公開在此不做限制。例如，蒸鍍過程可以包括：對(duì)蒸發(fā)源600中的蒸鍍材料加熱，使得蒸鍍材料的原子或者分子氣化逸出形成蒸汽流，氣態(tài)下的蒸鍍材料被引導(dǎo)至基板300上后，冷凝形成固態(tài)薄膜同時(shí)釋放出一定的熱量，其中，掩膜板400可以限定該固態(tài)薄膜的圖案。

本公開實(shí)施例對(duì)蒸發(fā)源600的種類不做限制。例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，蒸發(fā)源600可以為點(diǎn)型蒸發(fā)源或者線型蒸發(fā)源等。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，蒸鍍裝置還可以包括真空蒸鍍室1，真空蒸鍍室1可以容納例如磁吸附層100、熱敏層200、蒸發(fā)源600以及被蒸鍍的基板300等，并且磁吸附層100、熱敏層200、被蒸鍍的基板300以及基板300上的掩膜板400等結(jié)構(gòu)例如可以通過支撐部2固定于真空蒸鍍室1中。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，圖2a～圖2d為圖1所示蒸鍍裝置的工作原理的過程圖，其為所述蒸鍍裝置的局部示意圖。例如圖2a～圖2d所示，蒸鍍裝置可以提高基板100的蒸鍍精度的工作原理可以包括如下過程：

如圖2a所示，提供一個(gè)蒸鍍裝置，該蒸鍍裝置上設(shè)置有基板300，基板300上設(shè)置有掩膜板400，其中，例如b區(qū)域的掩膜板400存在褶皺并且與基板300之間形成有間隔。

如圖2b所示，在蒸鍍過程中，蒸鍍材料沉積在基板300上后會(huì)產(chǎn)生熱量以使得基板300的溫度升高，并且該熱量也會(huì)傳遞給熱敏層200。因b區(qū)域的掩膜板400存在褶皺，由此熱導(dǎo)率下降，導(dǎo)致b區(qū)域的基板300的溫度低于a區(qū)域的基板300的溫度，并使得b區(qū)域的熱敏層200的溫度低于a區(qū)域的熱敏層100的溫度，因此，在垂直于熱敏層200所在面的方向上，即在z軸的方向上，b區(qū)域的熱敏層200的厚度小于a區(qū)域的熱敏層200的厚度。

如圖2c所示，與a區(qū)域的熱敏層200相比，b區(qū)域的熱敏層200厚度減小，使得b區(qū)域的磁吸附層100與掩膜板400之間的磁吸附力增大，b區(qū)域的磁吸附層100通過磁吸附力將b區(qū)域的掩膜板400吸附在基板300上，從而可以消除掩膜板400的褶皺問題。

如圖2d所示，b區(qū)域的掩膜板400與基板300之間貼合后，b區(qū)域的基板300的溫度升高，即b區(qū)域的熱敏層200的溫度也會(huì)升高，當(dāng)b區(qū)域的熱敏層200的溫度與a區(qū)域的熱敏層200的溫度相等后，在z軸的方向上，b區(qū)域的熱敏層200的厚度與a區(qū)域的熱敏層200的厚度相等。

在本公開實(shí)施例中，對(duì)熱敏層200的熱膨脹系數(shù)不做限制，只要熱敏層200可以通過溫度變化調(diào)整磁吸附層100和掩膜板400之間的間隔距離即可。例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，熱敏層100的線膨脹系數(shù)的范圍約為10^-5-10^-3米/度。

在本公開實(shí)施例中，熱敏層200需要一定的厚度以調(diào)整磁吸附層100和掩膜板400之間的距離。例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，在垂直于磁吸附層100所在面的方向上，熱敏層200的厚度范圍約為1毫米～10厘米，否則太薄或太厚都不利于實(shí)現(xiàn)本公開實(shí)施例的調(diào)節(jié)功能，又例如熱敏層200的厚度范圍為1厘米～5厘米。需要說明的是，上述熱敏層200的厚度范圍為在常溫(例如25攝氏度)條件下的參考值。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，如圖1和圖2a～圖2d所示，磁吸附層100可以包括多個(gè)按陣列布置的磁吸附單元110。磁吸附層100設(shè)置為包括多個(gè)磁吸附單元110，在熱敏層200形變過程(厚度變化)中，相鄰的磁吸附單元110之間不會(huì)產(chǎn)生干擾，可以提高蒸鍍裝置的靈敏度。例如圖2c所示，當(dāng)b區(qū)域的熱敏層200的厚度減小時(shí)，b區(qū)域中的磁吸附單元110也會(huì)移動(dòng)，但是a區(qū)域中的靠近b區(qū)域的磁吸附單元110不會(huì)對(duì)b區(qū)域中的磁吸附單元110的移動(dòng)產(chǎn)生干擾。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，如圖1和圖2a～圖2d所示，每個(gè)磁吸附單元110可以配置為垂直于磁吸附層100所在的面的方式安裝。如此，在熱敏層200發(fā)生形變時(shí)，可以便于磁吸附單元110的移動(dòng)，即有利于磁吸附單元在沿著z軸的方向上移動(dòng)。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，圖3為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖，其為局部示意圖。例如圖3所示，每個(gè)磁吸附單元110可以通過彈性元件120進(jìn)行安裝在安裝面(例如圖3中的虛線)上。彈性元件120可以為磁吸附單元110的移動(dòng)提供回復(fù)力。該彈性元件120例如為壓縮彈簧等。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，磁吸附單元110可以為永磁體或者電磁體等。本公開實(shí)施例中，對(duì)磁吸附單元110的具體結(jié)構(gòu)不做限制，只要磁吸附單元110和掩膜板400之間可以產(chǎn)生磁性吸附即可。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，圖4為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖，其為局部示意圖。例如圖4所示，熱敏層200可以包括多個(gè)按陣列分布的熱敏單元210，每個(gè)熱敏單元210可以對(duì)應(yīng)于一個(gè)或多個(gè)磁吸附單元110。在如圖2c所示的熱敏層200形變過程(厚度變化)中，a區(qū)域的熱敏層200會(huì)干擾b區(qū)域的熱敏層200，影響蒸鍍裝置消除掩膜板400褶皺的靈敏度，圖4中所示的熱敏層200設(shè)置為包括多個(gè)熱敏單元210，相鄰的熱敏單元210之間不會(huì)產(chǎn)生干擾，解決了上述問題，可以提高蒸鍍裝置的性能。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，如圖1～圖4所示，蒸鍍裝置還可以包括設(shè)置在磁吸附層100的面向熱敏層200一側(cè)的冷卻層500。在蒸鍍裝置工作時(shí)，冷卻層500可以將基板300上的熱量轉(zhuǎn)移以防止基板300溫度過高。例如，冷卻層500中可以設(shè)置有多條導(dǎo)流管，該導(dǎo)流管中通入冷卻液例如水等。

在本公開實(shí)施例中，冷卻層500的設(shè)置位置可以根據(jù)實(shí)際需求來決定，本公開不做限制。下面通過幾個(gè)實(shí)施例對(duì)冷卻層500的幾種設(shè)置位置進(jìn)行說明。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，圖5為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖，其為局部示意圖。例如圖5所示，本公開實(shí)施例中的冷卻層500的一側(cè)可以設(shè)置于熱敏層200的遠(yuǎn)離磁吸附層100的一側(cè)上，冷卻層500的另一側(cè)設(shè)置為朝向被蒸鍍的基板300，即冷卻層500可以設(shè)置為位于熱敏層200和基板300之間。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，如圖5所示，蒸鍍裝置還可以包括對(duì)磁吸附層100進(jìn)行限位的限位層700，限位層700可以位于磁吸附層100和熱敏層200之間。限位層700可以在例如圖5中的水平面方向(x軸的方向)上固定磁吸附層100。例如，在磁吸附層100包括多個(gè)磁吸附單元110的情況下，限位層700可以用于對(duì)每個(gè)磁吸附單元110進(jìn)行定位，以便于對(duì)磁吸附層100產(chǎn)生的磁場(chǎng)的分布進(jìn)行調(diào)整。例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，在圖2c所示的熱敏層200形變過程中，為避免限位層700對(duì)磁吸附層100的移動(dòng)(例如b區(qū)域中的磁吸附單元110的移動(dòng))產(chǎn)生干擾，限位層700可以配置為柔性層。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，圖6為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖，其為局部示意圖。如圖6所示，蒸鍍裝置中的冷卻層500設(shè)置在磁吸附層100和熱敏層200之間。與圖5所示的蒸鍍裝置中的冷卻層500的設(shè)置位置相比，圖6所示的熱敏層200與基板300的距離更小，例如熱敏層200還可以與基板300直接接觸，在此情況下，熱敏層200對(duì)基板300的溫度變化的感應(yīng)更加靈敏。為避免冷卻層500對(duì)圖2c所示中的磁吸附層100的移動(dòng)(例如b區(qū)域中的磁吸附單元110的移動(dòng))產(chǎn)生干擾，可以將冷卻層500設(shè)置為柔性冷卻層。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，圖7為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖，其為局部示意圖。如圖7所示，冷卻層500的遠(yuǎn)離熱敏層200的表面設(shè)置有對(duì)磁吸附層100限位的凹槽510。凹槽510可以在例如圖7中的水平方向(x軸的方向)上固定磁吸附層100。例如，在磁吸附層100包括多個(gè)磁吸附單元110的情況下，凹槽510可以用于對(duì)每個(gè)磁吸附單元110進(jìn)行定位，以便于調(diào)整磁吸附層100產(chǎn)生的磁場(chǎng)的分布。

例如，在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，圖8為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖，其為局部示意圖。如圖8所示，蒸鍍裝置還可以包括安裝部800，安裝部800位于熱敏層200和蒸發(fā)源600之間且設(shè)置為依次安裝被蒸鍍的基板300以及用于蒸鍍的掩膜板400。例如，該安裝部800可以固定并且限位基板300，而且安裝部800可以將掩膜板400和基板300對(duì)準(zhǔn)，以保證基板蒸鍍的精度。

本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供一種顯示器件制造設(shè)備，該顯示器件制造設(shè)備可以包括上述任一實(shí)施例中的蒸鍍裝置。例如，該顯示器件制造設(shè)備還可以包括真空泵、蒸發(fā)材料傳輸管線等結(jié)構(gòu)。

本公開中的實(shí)施例對(duì)顯示器件制造設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域不做限制。例如，該顯示器件制造設(shè)備可以應(yīng)用于顯示器件中的制備工藝中。例如，該顯示器件制造設(shè)備可以應(yīng)用于制備有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示面板中的有機(jī)發(fā)光器件等結(jié)構(gòu)，例如可以制備有機(jī)發(fā)光器件中的陰極、陽極以及位于陰極和陽極之間的發(fā)光層等。

本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供一種蒸鍍裝置的蒸鍍方法，該方法可以包括：在熱敏層的遠(yuǎn)離磁吸附層的一側(cè)依次安裝被蒸鍍的基板以及覆蓋基板的掩膜板；在基板的遠(yuǎn)離熱敏層的一側(cè)，加熱蒸發(fā)材料并通過掩膜板對(duì)基板進(jìn)行蒸鍍。蒸鍍裝置的具體化結(jié)構(gòu)可以參考前述實(shí)施例(關(guān)于蒸鍍裝置的實(shí)施例)中的相關(guān)內(nèi)容，在此不做贅述。

被便于解釋本公開實(shí)施例中蒸鍍裝置的蒸鍍方法，以本公開實(shí)施例的至少一個(gè)示例對(duì)該蒸鍍方法的過程進(jìn)行說明，圖9a～圖9c為本公開一個(gè)實(shí)施例提供的一種蒸鍍裝置的蒸鍍方法的過程圖。如圖9a～圖9c所示，本公開一個(gè)示例中的蒸鍍裝置的蒸鍍方法可以包括如下過程：

如圖9a所示，提供一個(gè)蒸鍍裝置，該蒸鍍裝置包括磁吸附層100、冷卻板500以及位于磁吸附層100和冷卻板500之間的熱敏層200。磁吸附層100、冷卻板500以及熱敏層200的設(shè)置方式及具體結(jié)構(gòu)可以參考前述實(shí)施例中的相關(guān)說明，在此不做贅述。

如圖9b所示，通過安裝部800將掩膜板400設(shè)置在基板300上，并且將設(shè)置有掩膜板400的基板300固定于蒸鍍裝置上，其中，基板300位于熱敏層200的遠(yuǎn)離磁吸附層100的一側(cè)，以及掩膜板400位于基板300的遠(yuǎn)離磁吸附層100的一側(cè)。

如圖9c所示，提供蒸發(fā)源600。加熱蒸發(fā)源600中的蒸發(fā)材料，并通過掩膜板400在基板300的遠(yuǎn)離熱敏層200一側(cè)的表面上沉積形成蒸發(fā)材料的蒸鍍圖案。蒸發(fā)源600的設(shè)置方式可以參考前述實(shí)施例中的相關(guān)內(nèi)容，在此不做贅述。

本公開的實(shí)施例提供一種蒸鍍裝置及其蒸鍍方法、顯示器件制造設(shè)備，并且可以具有以下至少一項(xiàng)有益效果：

(1)在本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供一種蒸鍍裝置中，熱敏層可以根據(jù)溫度變化調(diào)節(jié)自身厚度以調(diào)控磁吸附層與掩膜板的間距，可以緩解或消除掩膜板的褶皺問題。

(2)在本公開至少一個(gè)實(shí)施例中，蒸鍍裝置可以實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)掩膜板和磁吸附層之間的間隔距離，在蒸鍍過程中，可以保證掩膜板和基板之間緊密貼合，提高基板的蒸鍍良率。

對(duì)于本公開，還有以下幾點(diǎn)需要說明：

(1)本公開實(shí)施例附圖只涉及到與本公開實(shí)施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計(jì)。

(2)為了清晰起見，在用于描述本公開的實(shí)施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實(shí)際的比例繪制。

(3)在不沖突的情況下，本公開的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合以得到新的實(shí)施例。

以上，僅為本公開的具體實(shí)施方式，但本公開的保護(hù)范圍并不局限于此，本公開的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。