本發(fā)明涉及一種sers襯底的制備方法。
背景技術(shù)：
：拉曼（raman）散射光譜可以提供分子振動的信息，因此具有指紋識別的效果，在化學(xué)、生物、環(huán)境等領(lǐng)域中具有非常大的應(yīng)用前景。然而普通拉曼散射效應(yīng)非常微弱，拉曼散射光強度約為入射光強度的10-6-10-9；此外拉曼檢測過程中，拉曼信號還容易受熒光信號干擾，因此限制了拉曼散射檢測技術(shù)在上述領(lǐng)域中的應(yīng)用?；诮?、銀等貴金屬納米結(jié)構(gòu)的表面增強拉曼散射（sers）效應(yīng)能夠使得普通拉曼檢測信號放大100萬倍，因此近年來基于該效應(yīng)的檢測技術(shù)在化學(xué)分析、生物以及環(huán)境檢測等領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。其中，基于貴金屬納米結(jié)構(gòu)的sers襯底是實現(xiàn)這種檢測技術(shù)的關(guān)鍵。對于理想的sers襯底，首先應(yīng)具有高密度的“sers活性熱點”（一般位于小于10nm的貴金屬納米結(jié)構(gòu)間隙處，具有顯著增強的局域電磁場），以保證其具有高sers靈敏度；其次，要求sers信號分布均勻一致，即信號重復(fù)性要好。銀納米片作為一種典型的銀納米結(jié)構(gòu)，由于其特殊的光學(xué)性質(zhì)能夠誘發(fā)較強sers活性，可以用作構(gòu)筑單元制備構(gòu)筑sers結(jié)構(gòu)襯底?？蒲腥藛T已經(jīng)通過銀納米片構(gòu)筑了一些sers結(jié)構(gòu)襯底，例如，vanduyne小組發(fā)展了一種納米球刻蝕技術(shù)制備規(guī)則排列的銀納米片陣列的方法（j.phys.chem.b2001,106,853-860），這些納米片陣列具有可調(diào)的尺寸及間距，該陣列具有較強的表面增強拉曼散射性能。然而制備該陣列需要預(yù)先制備規(guī)整的不同參數(shù)的二氧化硅球陣列，且整個銀沉積過程需要在真空環(huán)境下實現(xiàn)，因此制備過程較繁瑣。yang等人采用硼酸輔助生長的方法在硅片表面電沉積了大面積表面粗糙的銀納米片陣列（j.mater.chem.c,2014,2,8350–8356），該陣列可作為一種有效的拉曼增強襯底；但在通過這種方法制備的銀納米片分布不均勻，導(dǎo)致sers信號均勻性較差，將會限制此sers襯底在實際痕量檢測中的應(yīng)用。此外，li等人結(jié)合光學(xué)刻蝕的方法(chem.eur.j.2012,18(47),14948-14953)制備了均勻的納米片組裝的sers結(jié)構(gòu)襯底，通過光學(xué)刻蝕制備的sers襯底具有很好的sers信號重復(fù)性以及很高的sers活性，但是上述制備技術(shù)存在制造成本昂貴或者制備過程繁瑣耗時等缺點。因此，急需發(fā)展一種方法簡單、成本低廉的制備工藝，獲得具有高sers活性、信號重復(fù)性好的銀納米片組裝sers襯底。中國專利公開號cn104498881a公開了一種銀納米顆粒修飾的聚丙烯腈納米結(jié)構(gòu)陣列柔性襯底的制備方法，雖然達到了較好的檢測靈敏性和信號均勻性，但還有提升的空間。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明要解決的問題是提供一種簡單而成本低廉的銀納米片修飾的聚丙烯腈納米陣列薄膜sers襯底的制備方法，獲得具有活性高、信號重復(fù)性好、對環(huán)境污染物的sers敏感性的襯底。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜sers襯底的制備方法，包括下列步驟：（1）將聚丙烯腈溶液澆筑在具有有序納米豎直孔洞的硅模板上，之后進行烘干，冷卻后獲得上層的聚丙烯腈膜，即可得到pan納米柱有序陣列薄膜；（2）采用離子濺射方法，將步驟（1）所得到的pan納米柱陣列薄膜表面濺射金納米顆粒，即得到金納米顆粒濺射的pan納米柱陣列薄膜；（3）將步驟（2）中金納米顆粒修飾的薄膜與銅片連接在一起置于硝酸銀與檸檬酸的混合沉積液中，利用原位池反應(yīng)在pan納米柱表面沉積銀納米片，從而構(gòu)筑銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜sers襯底。優(yōu)選的，所述聚丙烯腈溶液的濃度為5%-10%質(zhì)量分?jǐn)?shù)，溶劑為n,n’-二甲基甲酰胺。優(yōu)選的，所述硅模板上的有序納米豎直孔洞周期為100nm-1500nm，孔洞直徑為100nm-800nm，深度為100nm-600nm。優(yōu)選的，所述在烘箱中烘干的溫度為60-80℃，烘干的時間為20-30分鐘。優(yōu)選的，所述步驟2中的離子濺射為2-5分鐘。優(yōu)選的，所述步驟3中的沉積時間為1-45分鐘。優(yōu)選的，所述步驟3中硝酸銀與檸檬酸的混合沉積液的濃度分別為0.5g/l-4g/l和0.5g/l-4g/l。由本發(fā)明方法所獲得的大尺度的、結(jié)構(gòu)均一的ag納米片組裝的pan納米柱陣列柔性薄膜襯底不僅具有很好的三維（3d）sers活性，而且具有很好的sers信號重復(fù)性。ag納米片組裝的pan納米柱陣列柔性膜有望作為sers襯底，用于環(huán)境、化學(xué)、公共安全等領(lǐng)域的有機化學(xué)分子的快速檢測與探測。附圖說明圖1為ag納米片修飾的聚丙烯腈（pan）納米柱陣列薄膜sers襯底的制備流程圖。圖2（a-b）具有四方排列納米豎直孔洞的硅模板(周期350nm)的sem表征圖片；（c-d）由圖2a所示的硅模板制備的pan納米柱陣列的sem表征圖片；（e-f）在圖2c中所示的pan納米柱表面沉積5分鐘銀納米片所得到產(chǎn)物的sem表征圖片。圖3為在圖2c中所示的pan納米柱表面沉積不同時間的銀納米片所得產(chǎn)物的sem表征圖片，(a)30秒；(b)1分鐘；(c)2分鐘；(d)5分鐘；(e)10分鐘；(f)20分鐘。圖4為在圖2c中所示的pan納米柱表面沉積不同時間ag納米片所獲得sers襯底對10-9m的r6gsers敏感信號。圖5為在圖2c中所示的pan納米柱表面沉積10分鐘ag納米片所獲得的sers襯底對不同濃度(10-10、10-11、10-12、5×10-13m)r6g的sers信號對比。圖6為從浸泡有10-9mr6g溶液的襯底（圖3e）上隨機地選取50個點而測量到的sers光譜。圖7為在圖2c中所示的pan納米柱表面沉積10分鐘ag納米片所獲得的sers襯底對不同濃度(10-3、10-4、10-5m和10-6m)pcb-77的敏感性。圖8為在圖2c中所示的pan納米柱表面沉積10分鐘ag納米片所獲得的sers襯底對不同濃度(10-5、10-6m、10-7m和10-8m)的甲基對硫磷的敏感性。圖9（a-b）具有六方排列納米豎直孔洞的硅模板（周期600nm）的sem表征圖片；（c-d）由圖9a所示的硅模板制備的pan納米柱陣列的sem表征圖片；（e-f）在圖9c中所示的pan納米柱表面沉積15分鐘銀納米片所得到產(chǎn)物的sem表征圖片。圖10為在圖9c中所示的pan納米柱表面沉積30分鐘ag納米片所獲得的sers襯底對不同濃度(10-8、10-9、10-10、10-11m)r6g的sers信號對比。圖11（a-b）具有六方排列納米豎直孔洞的硅模板(周期1010nm)的sem表征圖片；（c-d）由圖11a所示的硅模板制備的pan納米柱陣列的sem表征圖片；（e-f）在圖11c中所示的pan納米柱表面沉積20分鐘銀納米片所得到產(chǎn)物的sem表征圖片。圖12為原電池反應(yīng)裝置示意圖。具體實施方式本發(fā)明的銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜sers襯底的制備方法，包括下列步驟：（1）首先，將預(yù)先配置好的一定量（100-400微升）的一定濃度的聚丙烯腈溶液(5%-10%質(zhì)量分?jǐn)?shù)，溶劑為n,n’-二甲基甲酰胺)澆筑在具有有序納米豎直孔洞的硅模板上（六方或者四方排列孔洞，周期100nm-1500nm，孔洞直徑100nm-800nm，深度100nm-600nm），然后將其放在烘箱中加熱（60-80℃）干燥去除有機溶劑，一定時間（20-30分鐘）后直接在硅模板表面揭掉上面的一層聚丙烯腈膜，即可得到pan納米柱有序陣列薄膜；（2）采用離子濺射方法，將步驟（1）中所得到的pan納米柱陣列薄膜表面濺射金納米顆粒（2-5分鐘），即得到金納米顆粒濺射的pan納米柱陣列薄膜；（3）將步驟（2）中金納米顆粒修飾的薄膜與銅片連接在一起置于硝酸銀（0.5g/l-4g/l）與檸檬酸（0.5g/l-4g/l）的混合沉積液中，利用原位池反應(yīng)在pan納米柱表面沉積銀納米片，沉積一定時間（0.5-45分鐘），從而構(gòu)筑銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜sers襯底。（4）用掃描電鏡（sem）對硅納米孔洞模板、聚丙烯腈納米柱陣列薄膜以及銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜進行形貌分析；并以有機分子羅丹明（r6g）為測試分子，采用renishawinviareflex拉曼光譜儀測試樣品的sers活性及其sers信號重復(fù)性。最后研究該復(fù)合襯底對持久性有機污染物多氯聯(lián)苯中pcb-77、農(nóng)藥甲基對硫磷的敏感性。實施例1（1）pan納米柱薄膜的制備：首先，在預(yù)先制備的表面有四方排列的納米尺寸豎直孔洞的硅模板（圖2a-b，周期350nm，直徑225nm，深度300nm；硅模板尺寸2cmx2cm）表面澆筑300微升聚丙烯腈(質(zhì)量分?jǐn)?shù)8%，溶劑為二甲基甲酰胺(dmf)溶液)，然后將表面涂覆有聚丙烯腈溶液的硅模板放入烘箱（70℃）中烘干去除dmf溶液，25min后用鑷子在硅模板表面揭掉一層薄膜，即得到聚丙烯腈納米柱陣列柔性薄膜。從sem觀察結(jié)果（圖2c-d）可知，聚丙烯腈薄膜的表面具有大面積、規(guī)則排列的納米柱陣列，這些納米柱具有均一四方陣列排列，納米柱的直徑約為152nm，中心之間的間距約為320nm。側(cè)面sem表征可以看出納米柱的高度約為157nm。（2）金納米顆粒濺射的pan納米柱陣列薄膜的制備：用k550xsputtercoater濺射儀，在聚丙烯腈納米柱薄膜表面濺射金納米顆粒3分鐘，濺射電流為40ma，得到金納米顆粒濺射的pan納米柱陣列薄膜。（3）銀納米片修飾的pan納米柱陣列薄膜的制備：將步驟（2）中金納米顆粒濺射的薄膜與銅片用導(dǎo)線連接在一起置于硝酸銀（1g/l）與檸檬酸（2g/l）的混合沉積液中，利用原位池反應(yīng)在pan納米柱表面沉積銀納米片，沉積一定時間（5分鐘），從而構(gòu)筑銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜sers襯底。（圖2e-f）。從圖2e-f可以看出，沉積銀納米片時間為5分鐘時，整個pan納米柱表面上已經(jīng)均勻的組裝上了銀納米片，該銀納米片表面十分粗糙，該銀納米片組裝的pan納米柱單元(ag納米片@pan納米柱)的平均尺寸約為305nm，這些ag納米片@pan納米柱彼此靠近在一起。從放大的sem照片可以看出銀納米片在pan納米柱的表面沉積密度一致，形貌均一。（4）銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜襯底的sers活性：將銀納米片沉積時間分別為30秒、1分鐘、2分鐘、5分鐘、10分鐘以及20分鐘獲得的銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜（圖3）分別浸泡在濃度為10-9m的r6g水溶液中半小時，取出晾干后進行測試。其中，激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm，功率0.5mw，積分時間為3秒，相應(yīng)的sers光譜見圖4。從圖4可以看出，當(dāng)沉積時間為10分鐘時，襯底的sers信號最強。結(jié)合圖3不同沉積時間下所得樣品的sem照片，sers活性隨銀沉積時間的變化可解釋如下：當(dāng)沉積銀時間較短時（30秒），pan納米柱表面的只有數(shù)量很少的銀納米顆粒，難以形成大量有效的表面增強拉曼活性熱點，因此拉曼信號十分弱。隨著沉積時間延長到2分鐘或者5分鐘時，pan納米柱表面的銀納米顆粒逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)殂y納米片，且數(shù)量急劇增加，形成的增強拉曼活性熱點逐漸增多，拉曼信號得到增強；當(dāng)沉積時間增加到10分鐘時，pan納米柱表面的銀納米片數(shù)量進一步增加，銀納米片之間形成大量的幾個納米的間隙，急劇的增加了sers活性點，拉曼信號也急劇增加。此外，pan納米柱表面從根部到底部都均勻的沉積了銀納米片，因此彼此相鄰的ag納米片@pan納米柱之間也形成了活性位點，這樣構(gòu)成了3維的活性位點進一步增強了拉曼信號。當(dāng)繼續(xù)增加沉積時間到20分鐘時，相鄰pan柱上的銀納米片尺寸逐漸增加，以致發(fā)生連接在一起，彼此相鄰的ag納米片@pan納米柱之間沒有間隙，導(dǎo)致有效熱點數(shù)量下降，因此sers活性隨之降低。對r6g的敏感性以及信號均勻性：通過比較，選擇沉積銀納米片10分鐘所制備的銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜作為優(yōu)化sers襯底，測試該襯底對r6g的敏感性(積分時間30秒)。圖5顯示該銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜襯底對10-10、10-11、10-12和5×10-13m的r6g的拉曼響應(yīng)信號圖譜。當(dāng)r6g的濃度低至5×10-13m時，光譜仍明顯顯示r6g的特征峰。為進一步驗證該襯底的sers信號重復(fù)性，以10-9m的r6g為探測分子，在該襯底上任意測試50個點的sers譜（如圖6），發(fā)現(xiàn)其峰值強度誤差小于15%，說明該復(fù)合襯底具有良好的sers信號重復(fù)性，這與銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜的具有很好的結(jié)構(gòu)均勻性密切相關(guān)。對3,3’,4,4’-四氯聯(lián)苯（pcb-77）的敏感性：分別滴加10微升的10-3、10-4、10-5和10-6mpcb-77的丙酮溶液到7毫米×7毫米的優(yōu)化的銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜sers襯底表面，晾干后進行sers測試（功率0.5mw，積分時間30秒）。如圖7所示，基底對pcb-77的最低響應(yīng)濃度為10-6m。通過對多氯聯(lián)苯的檢測說明，所制備的sers襯底可以應(yīng)用于環(huán)境污染物的檢測研究中。對農(nóng)藥甲基對硫磷的敏感性：將7毫米×7毫米優(yōu)化的銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜sers襯底分別浸泡在濃度為10-5、10-6、10-7m、10-8m的甲基對硫磷的水溶液中3小時，取出晾干后測試。其中，激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm，功率0.5mw，積分時間為10秒，相應(yīng)的sers光譜見圖8。當(dāng)甲基對硫磷的濃度為10-8m時，基底對其仍具有sers敏感性。實施例2（1）pan納米柱薄膜的制備：首先，在預(yù)先制備的表面有六方排列的納米豎直孔洞的硅模板（圖9a-b，孔洞周期600nm，直徑400nm，深度680nm；硅模板尺寸2cmx2cm）表面澆筑300微升聚丙烯腈(質(zhì)量分?jǐn)?shù)8%，溶劑為二甲基甲酰胺(dmf)溶液)，然后將表面涂覆有聚丙烯腈溶液的硅模板放入烘箱（70℃）中烘干去除dmf溶液，25min后用鑷子在硅模板表面揭掉一層薄膜，即得到聚丙烯腈納米柱陣列柔性薄膜。從sem觀察結(jié)果（圖9c-d）可知，聚丙烯腈薄膜的表面具有大面積、規(guī)則排列的納米柱陣列，這些納米柱具有均一六方陣列排列，納米柱的直徑約為270nm，中心之間的間距約為600nm。側(cè)面sem表征可以看出納米柱的高度約為550nm。（2）金納米顆粒濺射的pan納米柱陣列薄膜的制備：用k550xsputtercoater濺射儀，在聚丙烯腈納米柱薄膜表面濺射金納米顆粒3分鐘，濺射電流為40ma，得到金納米顆粒濺射的pan納米柱陣列薄膜。（3）銀納米片修飾的pan納米柱陣列薄膜的制備：將步驟（2）中金納米顆粒濺射的薄膜與銅片用導(dǎo)線連接在一起置于硝酸銀（1g/l）與檸檬酸（2g/l）的混合沉積液中，利用原位池反應(yīng)在pan納米柱表面沉積銀納米片，沉積一定時間（15分鐘），從而構(gòu)筑銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜sers襯底（圖9e-f）。從圖9e-f可以看出，沉積銀納米片時間為15分鐘時，pan納米柱表面上已經(jīng)均勻的組裝上了銀納米片，ag納米片修飾的pan納米柱的平均尺寸約為490nm，這些銀納米片修飾的pan納米柱彼此靠近在一起。從放大的sem照片可以看出銀納米片在pan納米柱的表面沉積密度一致，不存在表面密度大，底部密度小的情況，這是與原位池反應(yīng)沉積優(yōu)勢有密切關(guān)系的。（4）對r6g的敏感性以及信號均勻性：通過比較，選擇沉積銀納米片30分鐘所制備的銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜作為優(yōu)化sers襯底，測試該襯底對r6g的敏感性(積分時間10秒)。圖10顯示該銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜襯底對10-8、10-9、10-10和10-11m的r6g的拉曼響應(yīng)信號圖譜。當(dāng)r6g的濃度低至10-11m時，光譜仍明顯顯示r6g的特征峰。實施例3（1）pan納米柱薄膜的制備：首先，在預(yù)先制備的表面有六方排列的納米尺寸豎直孔洞的硅模板（圖11a-b，周期1010nm，直徑490nm，深度470nm；硅模板尺寸2.5cmx2.5cm）表面澆筑400微升聚丙烯腈(質(zhì)量分?jǐn)?shù)8%，溶劑為二甲基甲酰胺(dmf)溶液)，然后將表面涂覆有聚丙烯腈溶液的硅模板放入烘箱（70℃）中烘干去除dmf溶液，30min后用鑷子在硅模板表面揭掉一層薄膜，即得到聚丙烯腈納米柱陣列柔性薄膜。從sem觀察結(jié)果（圖11c-d）可知，聚丙烯腈薄膜的表面具有大面積、規(guī)則排列的納米柱陣列，這些納米柱具有均一六方陣列排列，納米柱的直徑約為340nm，中心之間的間距約為920nm。側(cè)面sem表征可以看出納米柱的高度約為460nm。（2）金納米顆粒濺射的pan納米柱陣列薄膜的制備：用k550xsputtercoater濺射儀，在聚丙烯腈納米柱薄膜表面濺射金納米顆粒3分鐘，濺射電流為40ma，得到金納米顆粒濺射的pan納米柱陣列薄膜。（3）銀納米片修飾的pan納米柱陣列薄膜的制備：將步驟（2）中金納米顆粒濺射的薄膜與銅片用導(dǎo)線連接在一起置于硝酸銀（2g/l）與檸檬酸（4g/l）的混合沉積液中，利用原位池反應(yīng)在pan納米柱表面沉積銀納米片，沉積一定時間（20分鐘），從而構(gòu)筑銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜sers襯底。（圖11e-f）。從圖11e-f可以看出，沉積銀納米片時間為20分鐘時，pan納米柱表面上已經(jīng)均勻的組裝上了銀納米片，形成一種球狀的ag納米片@pan納米柱，該球狀的ag納米片@pan納米柱的平均尺寸約為895nm，這些銀納米片修飾的pan納米柱彼此靠近在一起。從放大的sem照片可以看出銀納米片在pan納米柱的表面沉積密度一致，形貌均一。實施例4（1）pan納米柱薄膜的制備：首先，在預(yù)先制備的表面有四方排列的納米尺寸豎直孔洞的硅模板（周期100nm，直徑800nm，深度100nm；硅模板尺寸2cmx2cm）表面澆筑100微升聚丙烯腈(質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%，溶劑為二甲基甲酰胺(dmf)溶液)，然后將表面涂覆有聚丙烯腈溶液的硅模板放入烘箱（60℃）中烘干去除dmf溶液，20min后用鑷子在硅模板表面揭掉一層薄膜，即得到聚丙烯腈納米柱陣列柔性薄膜。從sem觀察結(jié)果可知，聚丙烯腈薄膜的表面具有大面積、規(guī)則排列的納米柱陣列，這些納米柱具有均一四方陣列排列。（2）金納米顆粒濺射的pan納米柱陣列薄膜的制備：用k550xsputtercoater濺射儀，在聚丙烯腈納米柱薄膜表面濺射金納米顆粒4分鐘，濺射電流為40ma，得到金納米顆粒濺射的pan納米柱陣列薄膜。（3）銀納米片修飾的pan納米柱陣列薄膜的制備：將步驟（2）中金納米顆粒濺射的薄膜與銅片用導(dǎo)線連接在一起置于硝酸銀（0.5g/l）與檸檬酸（0.5g/l）的混合沉積液中，利用原位池反應(yīng)在pan納米柱表面沉積銀納米片，沉積一定時間（1分鐘），從而構(gòu)筑銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜sers襯底。從沉積樣品sem圖片可以看出，沉積銀納米片時間為6分鐘時，pan納米柱表面上已經(jīng)均勻的組裝上了銀納米片，該銀納米片表面十分粗糙，該球狀的ag納米片@pan納米柱的平均尺寸約為305nm，這些銀納米片修飾的pan納米柱彼此靠近在一起。從放大的sem照片可以看出銀納米片在pan納米柱的表面沉積密度一致，形貌均一。實施例5（1）pan納米柱薄膜的制備：首先，在預(yù)先制備的表面有六方排列的納米尺寸豎直孔洞的硅模板（周期1500nm，直徑100nm，深度600nm；硅模板尺寸2cmx2cm）表面澆筑400微升聚丙烯腈(質(zhì)量分?jǐn)?shù)10%，溶劑為二甲基甲酰胺(dmf)溶液)，然后將表面涂覆有聚丙烯腈溶液的硅模板放入烘箱（80℃）中烘干去除dmf溶液，30min后用鑷子在硅模板表面揭掉一層薄膜，即得到聚丙烯腈納米柱陣列柔性薄膜。（2）金納米顆粒濺射的pan納米柱陣列薄膜的制備：用k550xsputtercoater濺射儀，在聚丙烯腈納米柱薄膜表面濺射金納米顆粒5分鐘，濺射電流為40ma，得到金納米顆粒濺射的pan納米柱陣列薄膜。（3）銀納米片修飾的pan納米柱陣列薄膜的制備：將步驟（2）中金納米顆粒濺射的薄膜與銅片用導(dǎo)線連接在一起置于硝酸銀（4g/l）與檸檬酸（4g/l）的混合沉積液中，利用原位池反應(yīng)在pan納米柱表面沉積銀納米片，沉積一定時間（45分鐘），從而構(gòu)筑銀納米片修飾的聚丙烯腈納米柱陣列薄膜sers襯底。從上述實施例及效果可以看出，實施例1是最佳實施例，實施例2-5也可以取得較好的效果。r6g的檢測靈敏性多氯聯(lián)苯-77的檢測靈敏性甲基對硫磷的檢測靈敏性信號均勻性
背景技術(shù)：
10-12m10-5m10-7m≤20%本發(fā)明的實施例110-13m10-7m10-8m≤15%從上表中可以看出，相比
背景技術(shù)：
中公開號cn104498881a的專利，本發(fā)明的sers襯底具有更好的性能指標(biāo)，一是對r6g,多氯聯(lián)苯-77，農(nóng)藥甲基對硫磷檢測靈敏性的提高，二是信號均勻性的提高。sers靈敏性以及均勻性的提高主要是來源于兩點，一是柱具有一定的長徑比，可以提高銀納米片的數(shù)量；相鄰的pan柱上的片可以彼此產(chǎn)生熱點活性區(qū)域，進一步增強了信號；二是采用沉積的方法，可以在柱的整個表面均勻沉積銀納米片，更好的提高靈敏性和均勻性。當(dāng)前第1頁12