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一種低膨脹高溫鋁合金層狀電子封裝材料的制備方法與流程

文檔序號:11687913閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種低膨脹高溫鋁合金層狀電子封裝材料的制備方法,包括以下步驟:首先制備Al?Cu?Mg?Si?Ni合金坯錠,然后氣霧化制成Al?Cu?Mg?Si?Ni粉末,并向該粉末中加入表面包覆有銅膜的碳納米管,在三輥研磨機中研磨,冷等靜壓成型、真空除氣、固溶時效強化處理,去除包套,制得鋁基復(fù)合材料;最后將鋁基復(fù)合材料?鋁板?鋁基復(fù)合材料疊層放置,然后進行包套,脫氣密封,并將密封后的包套材料進行熱等靜壓處理,然后高溫軋制,軋制后的材料冷卻至室溫,去除包套,得到低膨脹高溫鋁合金層狀電子封裝材料。該制備方法簡單易操作,制得的封裝材料具有優(yōu)異的導(dǎo)熱、耐高溫以及熱膨脹性能,力學(xué)性能好。

技術(shù)研發(fā)人員:郭和謙
受保護的技術(shù)使用者:郭和謙
技術(shù)研發(fā)日:2017.03.14
技術(shù)公布日:2017.07.21
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