1.一種熱蒸發(fā)制備CdSe薄膜的工藝，其特征在于：第一步，選取襯底材料并對(duì)襯底材料依次進(jìn)行清洗和去除本征氧化物及干燥的處理；第二步，將處理后的襯底材料放入真空腔室的樣品架上固定；第三步，稱量CdSe粉末置于蒸發(fā)源內(nèi)；第四步，關(guān)閉真空腔室，對(duì)系統(tǒng)抽真空至1.1×10-4Pa以下；第五步，打開(kāi)樣品架控制按鈕，設(shè)置樣品架轉(zhuǎn)速；第六步，關(guān)閉鍍膜機(jī)真空腔閘板閥，打開(kāi)蒸發(fā)電源開(kāi)關(guān)，調(diào)節(jié)蒸發(fā)電流到設(shè)定值；第七步，蒸鍍計(jì)時(shí)至預(yù)設(shè)時(shí)間，關(guān)閉蒸發(fā)電源開(kāi)關(guān)，停止蒸鍍；第八步，打開(kāi)真空腔閘板閥，將腔室內(nèi)為沉積的CdSe分子抽走，關(guān)機(jī)取出樣品；第九步，將制備完成CdSe薄膜樣品置于真空退火爐中進(jìn)行退火后，取出樣品，通過(guò)輔助設(shè)備將樣品進(jìn)行表征。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱蒸發(fā)制備CdSe薄膜的工藝，其特征在于：所述襯底材料為玻璃、石英、硅、鍺。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種熱蒸發(fā)制備CdSe薄膜的工藝，其特征在于：襯底材料的清洗為將襯底材料分別置于去離子水、丙酮和無(wú)水乙醇中超聲清洗。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱蒸發(fā)制備CdSe薄膜的工藝，其特征在于：所述樣品架轉(zhuǎn)速為8r/min至13r/min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱蒸發(fā)制備CdSe薄膜的工藝，其特征在于：所述蒸發(fā)電流的設(shè)定值為70A至95A。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱蒸發(fā)制備CdSe薄膜的工藝，其特征在于：所述蒸鍍計(jì)時(shí)至預(yù)設(shè)時(shí)間為8分鐘至15分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱蒸發(fā)制備CdSe薄膜的工藝，其特征在于：所述退火時(shí)間為1.5h至2.5h。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱蒸發(fā)制備CdSe薄膜的工藝，其特征在于：所述退火溫度為400℃至600℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱蒸發(fā)制備CdSe薄膜的工藝，其特征在于：所述輔助設(shè)備為X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡。