技術(shù)編號：12699084
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及CdSe薄膜制備工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體的說是一種熱蒸發(fā)制備CdSe薄膜的工藝。背景技術(shù)CdSe是一種典型的直接躍遷的寬帶隙II-VI族化合物半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度與太陽光譜中可見光的波段相匹配，且具有獨(dú)特的光電性能而被廣泛關(guān)注。采用不同方法制備出不同結(jié)構(gòu)、維度、形態(tài)的CdSe材料在光伏太陽能電池、光電子器件、生物熒光標(biāo)記和光通訊等領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。高質(zhì)量的CdSe薄膜是制備性能穩(wěn)定的光電子器件的關(guān)鍵。不同制備工藝生長的CdSe薄膜，其結(jié)晶性能不同，薄膜質(zhì)量存在差異，從而影響其光電特...
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