本實用新型屬于真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基底紅外加熱的卷對卷磁控濺射鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)：

磁控濺射是在真空中利用高能粒子轟擊靶表面，使被轟擊濺射出的靶離子沉積在基片上，濺射時，氣體被電離之后，氣體離子在電場的作用下飛向電極靶材，并以高能量轟擊靶表面，使靶材料發(fā)生濺射，濺射出的靶粒子沉積在襯底上。

磁控濺射鍍膜技術(shù)是當前廣泛應用的真空鍍膜技術(shù)方法，被普遍應用于光學、微電子、耐磨、耐腐蝕、裝飾等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，用以提供可靠而穩(wěn)定的薄膜鍍層，可為被鍍膜產(chǎn)品提供某方面的特性，但是目前的磁控濺射設(shè)備只能對單一的個體鍍膜，如玻璃、鉆頭、手機殼等，無法對連續(xù)的線材進行鍍膜，這是由于磁控濺射不具備繞射功能，單個靶只能對單一平面鍍膜，缺乏多面鍍膜能力，而且，使用現(xiàn)有磁控濺射設(shè)備生產(chǎn)出的產(chǎn)品的基底和薄膜結(jié)合不牢固，結(jié)晶度差，基底板導電性弱，成品率較低，因此，為了可以將磁控濺射鍍膜技術(shù)應用到柔性線材上，解決目前柔性線材鍍膜的缺陷，需要對磁控濺射設(shè)備進行改進，才能對柔性線材進行連續(xù)的穩(wěn)定的鍍膜。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)不足，本實用新型提供了一種基底紅外加熱的卷對卷磁控濺射鍍膜設(shè)備，該設(shè)備可實現(xiàn)卷對卷鍍膜的連續(xù)化生產(chǎn)，生產(chǎn)成本低，生產(chǎn)時間短，生產(chǎn)效率高，能夠在基材上一次完成多層膜系的鍍膜，基底和薄膜結(jié)合牢固，結(jié)晶度好，基底板導電性強，成品率高，同時該設(shè)備采用圓形設(shè)計，占地面積小，操作簡單，易于維護。

為實現(xiàn)實用新型目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案：

一種基底紅外加熱的卷對卷磁控濺射鍍膜設(shè)備，包括高溫區(qū)、低溫區(qū)、收放卷系統(tǒng)和真空系統(tǒng)，所述高溫區(qū)和低溫區(qū)之間通過隔板隔開，所述高溫區(qū)內(nèi)和低溫區(qū)內(nèi)均設(shè)有紅外加熱器，所述高溫區(qū)內(nèi)還設(shè)有油溫鼓，所述油溫鼓周圍設(shè)有若干隔離槽，所述隔離槽確保鍍膜過程中不會產(chǎn)生相互污染，所述隔離槽內(nèi)設(shè)有若干磁控濺射靶，若干磁控濺射靶圍繞油溫鼓排列，保證鍍膜均勻一致，所述低溫區(qū)內(nèi)還設(shè)有糾偏探測器和糾偏儀，所述糾偏探測器固定在所述隔板上，用于檢測基材是否走偏，所述糾偏儀內(nèi)有基材穿過，所述糾偏儀用于糾正走偏的基材。

優(yōu)選為，所述紅外加熱器共有4個，其中2個處于高溫區(qū)，另外2個處于低溫區(qū)，所述紅外加熱器沿著基材移動方向排列，保證對基材的持續(xù)加熱，用于除去基材表面的濕氣和水蒸氣，增強薄膜和基底的結(jié)合，提高結(jié)晶度，增加基底板導電性，提高產(chǎn)品質(zhì)量。

優(yōu)選為，所述收放卷系統(tǒng)包括放卷軸、導向輥、張力輥、壓輥、冷卻輥和收卷軸，所述放卷軸上的基材通過導向輥、張力輥、導向輥后穿過隔板進入高溫區(qū)，所述高溫區(qū)中的基材通過導向輥、壓輥、油溫鼓、冷卻輥后穿過隔板進入低溫區(qū)，所述低溫區(qū)中的基材通過張力輥、導向輥收于收卷軸，所述導向輥用于引導基材并防止基材抖動，所述張力輥確?；恼归_，所述壓輥保證基材貼合在油溫鼓表面。

優(yōu)選為，所述高溫區(qū)內(nèi)設(shè)有超低溫冷卻管，所述低溫區(qū)內(nèi)設(shè)有低溫區(qū)冷卻管，所述油溫鼓上連有油溫鼓冷卻管，所述超低溫冷卻管、低溫區(qū)冷卻管和油溫鼓冷卻管具有降溫的作用，同時還有吸附水蒸氣的作用。

優(yōu)選為，所述隔離槽為4個，確保鍍膜過程中不會產(chǎn)生相互污染。

優(yōu)選為，所述隔離槽內(nèi)設(shè)有2個或3個磁控濺射靶，既能保證最高的鍍膜效率，又能保證鍍膜過程中不會相互污染。

優(yōu)選為，所述真空系統(tǒng)為分子泵，使設(shè)備運行時內(nèi)部處于真空狀態(tài)并且沒有返油現(xiàn)象。

本實用新型的有益效果是：本實用新型提供的一種基底紅外加熱的卷對卷磁控濺射鍍膜設(shè)備，該設(shè)備可實現(xiàn)卷對卷鍍膜的連續(xù)化生產(chǎn)，生產(chǎn)成本低，生產(chǎn)時間短，生產(chǎn)效率高，能夠在基材上一次完成多層膜系的鍍膜，基底和薄膜結(jié)合牢固，結(jié)晶度好，基底板導電性強，成品率高，同時該設(shè)備采用圓形設(shè)計，占地面積小，操作簡單，易于維護。

附圖說明

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：1、高溫區(qū)；2、低溫區(qū)；3、隔板；4、油溫鼓；5、隔離槽；6、磁控濺射靶；7、糾偏探測器；8、放卷軸；9、導向輥；10、張力輥；11、壓輥；12、收卷軸；13、基材；14、低溫區(qū)冷卻管；15、油溫鼓冷卻管；16、紅外加熱器；17、糾偏儀；18、冷卻輥；19、超低溫冷卻管。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖通過具體實施方式對本實用新型作進一步的說明。

如圖1所示，一種基底紅外加熱的卷對卷磁控濺射鍍膜設(shè)備，包括高溫區(qū)1、低溫區(qū)2、收放卷系統(tǒng)和真空系統(tǒng)，所述高溫區(qū)1和低溫區(qū)2之間通過隔板3隔開，所述高溫區(qū)1內(nèi)和低溫區(qū)2內(nèi)均設(shè)有紅外加熱器16，所述高溫區(qū)1內(nèi)還設(shè)有油溫鼓4，所述油溫鼓4周圍設(shè)有若干隔離槽5，所述隔離槽5確保鍍膜過程中不會產(chǎn)生相互污染，所述隔離槽5內(nèi)設(shè)有若干磁控濺射靶6，若干磁控濺射靶6圍繞油溫鼓4排列，保證鍍膜均勻一致，所述低溫區(qū)2內(nèi)還設(shè)有糾偏探測器7和糾偏儀17，所述糾偏探測器7固定在所述隔板3上，用于檢測基材13是否走偏，所述糾偏儀17內(nèi)有基材13穿過，所述糾偏儀17用于糾正走偏的基材13，所述紅外加熱器16共有4個，其中2個處于高溫區(qū)1，另外2個處于低溫區(qū)2，所述紅外加熱器16沿著基材13移動方向排列，保證對基材13的持續(xù)加熱，用于除去基材13表面的濕氣和水蒸氣，增強薄膜和基底的結(jié)合，提高結(jié)晶度，增加基底板導電性，提高產(chǎn)品質(zhì)量，所述收放卷系統(tǒng)包括放卷軸8、導向輥9、張力輥10、壓輥11、冷卻輥18和收卷軸12，所述放卷軸8上的基材13通過導向輥9、張力輥10、導向輥9后穿過隔板3進入高溫區(qū)1，所述高溫區(qū)1中的基材13通過導向輥9、壓輥11、油溫鼓4、冷卻輥18后穿過隔板3進入低溫區(qū)2，所述低溫區(qū)2中的基材13通過張力輥10、導向輥9收于收卷軸12，所述導向輥9用于引導基材13并防止基材13抖動，所述張力輥10確?；?3展開，所述壓輥11保證基材13貼合在油溫鼓4表面，所述高溫區(qū)1內(nèi)設(shè)有超低溫冷卻管19，所述低溫區(qū)2內(nèi)設(shè)有低溫區(qū)冷卻管14，所述油溫鼓4上連有油溫鼓冷卻管15，所述超低溫冷卻管19、低溫區(qū)冷卻管14和油溫鼓冷卻管15具有降溫的作用，同時還有吸附水蒸氣的作用，所述隔離槽5為4個，確保鍍膜過程中不會產(chǎn)生相互污染，所述隔離槽5內(nèi)設(shè)有2個或3個磁控濺射靶6，既能保證最高的鍍膜效率，又能保證鍍膜過程中不會相互污染，所述真空系統(tǒng)為分子泵，使設(shè)備運行時內(nèi)部處于真空狀態(tài)并且沒有返油現(xiàn)象。

以上所述僅為本實用新型的具體實施例，但本實用新型的結(jié)構(gòu)特征并不局限于此，本實用新型可以用于類似的產(chǎn)品上，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型的領(lǐng)域內(nèi)，所作的變化或修飾皆涵蓋在本實用新型的專利范圍之中。