本實用新型涉及蒸鍍技術領域，尤其涉及一種掩膜集成框架及蒸鍍裝置。

背景技術：

OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發(fā)光二極管)顯示面板具有自發(fā)光、反應快、亮度高、輕薄等諸多優(yōu)點，已經(jīng)逐漸成為顯示領域的主流。

OLED顯示面板包括陣列排布的多個子像素單元，每一個子像素單元包括陽極、發(fā)光層和陰極，其中，發(fā)光層采用有機電致發(fā)光材料形成，目前主要采用掩膜板并通過蒸鍍工藝制作在各子像素單元中。掩膜版上具有構圖圖案，隨著屏幕PPI(Pixels Per Inch，每英寸內(nèi)擁有的像素數(shù)目)的增多，掩膜版上的構圖圖案區(qū)域也進一步精細化，形成精細金屬掩膜版(FMM Mask)。

在進行蒸鍍工藝時，需要將多個精細金屬掩膜版焊接在框架上制成掩膜集成框架(Mask Frame Assembly，MFA)，并將該掩膜集成框架置入蒸鍍機內(nèi)使用。

由于精細金屬掩膜版在制作時，固定精細金屬掩膜版的相對的兩側之間施加有向外的拉力使精細金屬掩膜版處于拉伸狀態(tài)，精細金屬掩膜版即在拉伸狀態(tài)下與框架焊接制成掩膜集成框架。

如圖1中所示的掩膜集成框架由框架01以及焊接在框架01上的精細金屬掩膜版20構成。如圖2所示，為了降低焊接在框架01上的精細金屬掩膜版20的懸空部分由于重力的原因而產(chǎn)生的下垂的問題，如圖3所示，現(xiàn)有技術中在用于焊接精細金屬掩膜版20的框架01上設置有多個支撐條03(Howling Stick)，用于對精細金屬掩膜版20的懸空部分進行支撐。如圖4所示，在將掩膜集成框架放入蒸鍍腔室中后，在掩膜集成框架上放置待蒸鍍基板02，并在待蒸鍍基板02上方通過磁隔板04的磁性吸附力(如圖中箭頭所示的方向)，使精細金屬掩膜版20與待蒸鍍基板02之間緊密貼合，并在磁性吸附力的作用下進行蒸鍍操作。

這樣一來，如圖4所示，精細金屬掩膜版20受到磁隔板04的磁吸附力而向待蒸鍍基板02貼近，由于精細金屬掩膜版20上對應多個支撐條03的位置與待蒸鍍基板02之間緊密貼合無法移動，導致精細金屬掩膜版20的下垂量沒有回縮空間，從而導致在框架01以及支撐條03之間的精細金屬掩膜版20與待蒸鍍基板02之間仍然存在較大的間隙P。在蒸鍍過程中，蒸鍍材料極易在間隙P位置處發(fā)生囤積，進而導致制得的OLED顯示面板上容易產(chǎn)生橫向Mura不良，影響OLED顯示面板的生產(chǎn)良品率。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型實施例提供一種掩膜集成框架及蒸鍍裝置，能夠解決由于掩膜集成框架上精細金屬掩膜版與放置在掩膜集成框架上的待蒸鍍基板之間存在間隙，導致蒸鍍材料易于在間隙處囤積的問題。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案：

本實用新型實施例的一方面，提供一種掩膜集成框架，包括中空框架，中空框架包括有中空區(qū)域。精細金屬掩膜版，精細金屬掩膜版上包括有掩膜圖案區(qū)以及包圍掩膜圖案區(qū)的無效掩膜區(qū)，精細金屬掩膜版相對的兩端固定在中空框架上，精細金屬掩膜版沿第一方向跨設于中空框架的中空區(qū)域。第一支撐條，第一支撐條的兩端設置在中空框架上，且第一支撐條沿第二方向跨設于中空框架的中空區(qū)域，用于支撐精細金屬掩膜版。其中，第一方向與第二方向之間相互交叉，精細金屬掩膜版與第一支撐條相交于精細金屬掩膜版的無效掩膜區(qū)，第一支撐條上設置有凹槽，精細金屬掩膜版與第一支撐條相交的無效掩膜區(qū)位于凹槽內(nèi)，凹槽的深度大于或等于精細金屬掩膜版的厚度。

優(yōu)選的，第一支撐條與精細金屬掩膜版均固定在中空框架的上表面。

優(yōu)選的，凹槽的邊緣與位于凹槽的精細金屬掩膜版之間留有空隙。

進一步的，精細金屬掩膜版為矩形，第二方向與第一方向相互垂直。

優(yōu)選的，第一支撐條設置有至少兩條，相鄰兩條第一支撐條之間相互平行。

進一步的，精細金屬掩膜版設置有至少兩個，相鄰兩個精細金屬掩膜版之間相互平行。

進一步的，掩膜集成框架還包括用于對第一支撐條進行支撐加固的第二支撐條，第二支撐條的兩端設置在中空框架上，第二支撐條沿第三方向跨設于中空框架的中空區(qū)域且與精細金屬掩膜版間隔設置。

優(yōu)選的，第三方向與第二方向相互垂直。

進一步的，當精細金屬掩膜版設置有至少兩個時，第二支撐條設置在相鄰兩個精細金屬掩膜版之間，且第二支撐條的寬度大于或等于相鄰兩個精細金屬掩膜版之間間隙的寬度。當?shù)诙螚l的寬度大于相鄰兩個精細金屬掩膜版之間間隙的寬度時，第二支撐條與相鄰兩個精細金屬掩膜版的無效掩膜區(qū)部分在中空框架所在的平面內(nèi)的正投影有重疊。

本實用新型實施例的另一方面，提供一種蒸鍍裝置，包括蒸鍍腔室，以及設置在蒸鍍腔室內(nèi)的磁隔板和蒸鍍源，還包括上述任一項的掩膜集成框架。

本實用新型實施例提供一種掩膜集成框架，包括中空框架，中空框架包括有中空區(qū)域。精細金屬掩膜版，精細金屬掩膜版上包括有掩膜圖案區(qū)以及包圍掩膜圖案區(qū)的無效掩膜區(qū)，精細金屬掩膜版相對的兩端固定在中空框架上，精細金屬掩膜版沿第一方向跨設于中空框架的中空區(qū)域。第一支撐條，第一支撐條的兩端設置在中空框架上，且第一支撐條沿第二方向跨設于中空框架的中空區(qū)域，用于支撐精細金屬掩膜版。其中，第一方向與第二方向之間相互交叉，精細金屬掩膜版與第一支撐條相交于精細金屬掩膜版的無效掩膜區(qū)，第一支撐條上設置有凹槽，精細金屬掩膜版與第一支撐條相交的無效掩膜區(qū)位于凹槽內(nèi)，凹槽的深度大于或等于精細金屬掩膜版的厚度。精細金屬掩膜版和第一支撐條分別沿第一方向和第二方向設置在中空框架上，且第一方向與第二方向之間相互交叉，且相交于精細金屬掩膜版的無效掩膜區(qū)，以使得第一支撐條能夠在不遮擋掩膜蒸鍍的前提下對精細金屬掩膜版的懸空部分在重力作用下的下垂量進行支撐，第一支撐條上設置有凹槽，凹槽的深度大于等于精細金屬掩膜版的厚度，精細金屬掩膜版與第一支撐條相交的無效掩膜區(qū)位于凹槽內(nèi)，以使得在將精細金屬掩膜版吸附于待蒸鍍基板上時，精細金屬掩膜版各處受到向上的磁吸力，精細金屬掩膜版的懸空部分在磁吸力的作用下向上運動，并且在凹槽內(nèi)能夠沿拉伸方向的反方向發(fā)生一定范圍內(nèi)的回縮形變，以減小精細金屬掩膜版的懸空部分與待蒸鍍基板之間的間隙，從而在蒸鍍過程中減小蒸鍍材料在間隙處的囤積混色，進而降低蒸鍍基板發(fā)生橫向Mura不良的幾率。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術的掩膜集成框架的結構示意圖；

圖2為圖1的A-A剖視圖；

圖3為現(xiàn)有技術中設置有支撐條的掩膜集成框架的結構示意圖；

圖4為圖3的A-A剖視圖；

圖5為本實用新型實施例提供的一種掩膜集成框架的結構示意圖；

圖6為圖5的B-B剖視圖一；

圖7為圖5中設置有磁隔板和帶蒸鍍基板的A-A剖視圖；

圖8為圖5的B-B剖視圖二；

圖9a為本實用新型實施例提供的一種掩膜集成框架中精細金屬掩膜版與第一支撐條的一種設置方式示意圖；

圖9b為本實用新型實施例提供的一種掩膜集成框架中精細金屬掩膜版與第一支撐條的另一種設置方式示意圖；

圖10為本實用新型實施例提供的一種掩膜集成框架中設置有兩個第一支撐條的結構示意圖；

圖11為本實用新型實施例提供的一種掩膜集成框架中還設置有第二支撐條的結構示意圖；

圖12為本實用新型實施例提供的一種掩膜集成框架中第二支撐條的寬度大于或等于相鄰兩個精細金屬掩膜版之間間隙寬度的結構示意圖；

圖13為本實用新型實施例提供的一種蒸鍍裝置的結構示意圖。

附圖標記：

01-框架；02-待蒸鍍基板；03-支撐條；04-磁隔板；05-蒸鍍腔室；06-蒸鍍源；07-掩膜集成框架；10-中空框架；20-精細金屬掩膜版；30-第一支撐條；31-凹槽；40-第二支撐條；C-掩膜圖案區(qū)；D，D＇-無效掩膜區(qū)；E-凹槽的邊緣與位于凹槽內(nèi)的精細金屬掩膜版之間的空隙；F-第二支撐條的寬度；H-相鄰兩個精細金屬掩膜版之間間隙的寬度；I-第一方向；J-第二方向；K-第三方向；P-精細金屬掩膜版與待蒸鍍基板之間的間隙；T-凹槽深度；W-精細金屬掩膜版厚度；X-中空區(qū)域；α-第一方向與第二方向之間的夾角。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

本實用新型實施例提供一種掩膜集成框架，如圖5所示，包括中空框架10，中空框架10包括有中空區(qū)域X。精細金屬掩膜版20，精細金屬掩膜版20上包括有掩膜圖案區(qū)C以及包圍掩膜圖案區(qū)的無效掩膜區(qū)D，精細金屬掩膜版20相對的兩端固定在中空框架10上，精細金屬掩膜版20沿第一方向I跨設于中空框架10的中空區(qū)域X。第一支撐條30，第一支撐條30的兩端設置在中空框架10上，且第一支撐條30沿第二方向J跨設于中空框架10的中空區(qū)域X，用于支撐精細金屬掩膜版20。其中，第一方向I與第二方向J之間相互交叉，精細金屬掩膜版20與第一支撐條30相交于精細金屬掩膜版20的無效掩膜區(qū)D。如圖6所示，第一支撐條30上設置有凹槽31，精細金屬掩膜版20與第一支撐條30相交的無效區(qū)D位于凹槽31內(nèi)，凹槽31的深度T大于或等于精細金屬掩膜版20的厚度W。

需要說明的是，第一，如圖5所示，中空框架10通常為矩形框架，在矩形框架的中心設置有同為矩形的中空區(qū)域X。但是本實用新型中對中空框架10以及中空框架10上設置的中空區(qū)域X的形狀不做具體限定，中空框架10以及中空框架10上設置的中空區(qū)域X可以根據(jù)待蒸鍍基板所需蒸鍍的形狀進行具體設置，只要保證中空框架10形成一個首尾相接的封閉環(huán)形，將中空區(qū)域X包圍即可。

第二，如圖5所示，精細金屬掩膜版20通常為長條形的金屬薄片，在精細金屬掩膜版20上包括有多個掩膜圖案區(qū)C，每一個掩膜圖案區(qū)C的四周由無效掩膜區(qū)D包圍，精細金屬掩膜版20上除掩膜圖案區(qū)C以外的部分均為無效掩膜區(qū)D。在進行蒸鍍操作時，蒸鍍材料透過精細金屬掩膜版20上的掩膜圖案區(qū)C附著在待蒸鍍基板上的對應位置，以在待蒸鍍基板上形成所需的圖案。因此，對精細金屬掩膜版20進行固定的兩固定端以及第一支撐條30對精細金屬掩膜版20的支撐點均應設置在無效掩膜區(qū)D內(nèi)，以避免影響蒸鍍操作時，在待蒸鍍基板上的圖案形成。

第三，第一支撐條30跨設于中空框架10的中空區(qū)域X，且用于對精細金屬掩膜版20進行支撐，因此，第一支撐條30必須設置于精細金屬掩膜版20的下方，并且至少與精細金屬掩膜版20的垂直投影之間有部分重疊，這樣一來，當精細金屬掩膜版20由于重力原因產(chǎn)生下垂變形時，下垂的部分即擱置于第一支撐條30與精細金屬掩膜版20的垂直投影重疊的位置，得到第一支撐條30的支撐，以降低重力下垂的形變量。

第四，當中空框架10為矩形框時，如圖5所示，沿第一方向I設置的精細金屬掩膜版20，兩固定端分別固定于中空框架10上相對的兩側；沿第二方向J設置的第一支撐條30，兩固定端固定在中空框架10上除固定精細金屬掩膜版20以外剩余的兩側，則第一方向I與第二方向J之間形成相互交叉的狀態(tài)。此處所說的相互交叉，包括精細金屬掩膜版20與第一支撐條30之間在交叉位置相接觸的情形，還包括精細金屬掩膜版20與第一支撐條30之間不相接觸，但精細金屬掩膜版20的正投影與第一支撐條30的正投影相互交叉的情形。又例如，當中空框架10為多邊形時，則不限于上述的設置方式，只要保證精細金屬掩膜版20的兩固定端與第一支撐條30的兩固定端分別與中空框架10的不同側邊固定，并且第一方向I與第二方向J之間有交叉點，使得第一支撐條30能夠?qū)毥饘傺谀ぐ?0的下垂量進行支撐即可。另外，第一方向I與第二方向J之間相互交叉也可以理解成第一方向I與第二方向J所在的直線相互交叉，同樣第三方向K與第二方向J相互垂直也可以理解成第三方向K與第二方向J所在直線相互垂直，本領域技術人員能夠理解精細金屬掩膜版20在跨設方向上與第一支撐條的跨設方向之間是相互交叉即可。

第五，如圖7所示，只有滿足凹槽31的深度T大于或等于精細金屬掩膜版20的厚度W，當磁隔板04的磁吸附力吸附精細金屬掩膜版20向上與待蒸鍍基板02貼近，直至精細金屬掩膜版20的兩固定端與待蒸鍍基板02緊密貼合的過程中，第一支撐條30也同時向上與待蒸鍍基板02貼近，由于精細金屬掩膜版20位于凹槽31內(nèi)，凹槽31的上表面對精細金屬掩膜版20的重力下垂變形部分具有向上的推力，上推力抵消掉精細金屬掩膜版20的一部分重力，精細金屬掩膜版20上向兩側拉伸的力(如圖7中虛線箭頭所示(能夠使得重力下垂變形程度恢復一部分。由于精細金屬掩膜版20對應凹槽31的位置在凹槽31的上表面與待蒸鍍基板02的下表面之間仍然留有間隙，精細金屬掩膜版20對應凹槽31的位置能夠在拉伸力的作用下產(chǎn)生橫向的移動。當凹槽31的深度T等于精細金屬掩膜版20的厚度W時，精細金屬掩膜版20對應凹槽31的位置在拉伸力的作用下移動需要首先克服與凹槽31上表面之間的摩擦阻力，這樣會使得一部分的拉伸力被摩擦阻力抵消，從而減小精細金屬掩膜版20下垂變形的恢復量，而若凹槽31的深度T大于精細金屬掩膜版20的厚度W過多，則凹槽31的上表面對精細金屬掩膜版20的上推力較小，無法使下垂變形產(chǎn)生恢復。因此，如圖7所示，較為優(yōu)選的，需要使凹槽31的深度T略大于精細金屬掩膜版20的厚度W。

本實用新型實施例提供一種掩膜集成框架，包括中空框架，中空框架包括有中空區(qū)域。精細金屬掩膜版，精細金屬掩膜版上包括有掩膜圖案區(qū)以及包圍掩膜圖案區(qū)的無效掩膜區(qū)，精細金屬掩膜版相對的兩端固定在中空框架上，精細金屬掩膜版沿第一方向跨設于中空框架的中空區(qū)域。第一支撐條，第一支撐條的兩端設置在中空框架上，且第一支撐條沿第二方向跨設于中空框架的中空區(qū)域，用于支撐精細金屬掩膜版。其中，第一方向與第二方向之間相互交叉，精細金屬掩膜版與第一支撐條相交于精細金屬掩膜版的無效掩膜區(qū)，第一支撐條上設置有凹槽，精細金屬掩膜版與第一支撐條相交的無效掩膜區(qū)位于凹槽內(nèi)，凹槽的深度大于或等于精細金屬掩膜版的厚度。精細金屬掩膜版和第一支撐條分別沿第一方向和第二方向設置在中空框架上，且第一方向與第二方向之間相互交叉，且相交于精細金屬掩膜版的無效掩膜區(qū)，以使得第一支撐條能夠在不遮擋掩膜蒸鍍的前提下對精細金屬掩膜版的懸空部分在重力作用下的下垂量進行支撐，第一支撐條上設置有凹槽，凹槽的深度大于等于精細金屬掩膜版的厚度，精細金屬掩膜版與第一支撐條相交的無效掩膜區(qū)位于凹槽內(nèi)，以使得在將精細金屬掩膜版吸附于待蒸鍍基板上時，精細金屬掩膜版各處受到向上的磁吸力，精細金屬掩膜版的懸空部分在磁吸力的作用下向上運動，并且在凹槽內(nèi)能夠沿拉伸方向的反方向發(fā)生一定范圍內(nèi)的回縮形變，以減小精細金屬掩膜版的懸空部分與待蒸鍍基板之間的間隙，從而在蒸鍍過程中減小蒸鍍材料在間隙處的囤積混色，進而降低蒸鍍基板發(fā)生橫向Mura不良的幾率。

優(yōu)選的，如圖5所示，第一支撐條30與精細金屬掩膜版20均固定在中空框架10的上表面。

由于掩膜集成框架上的精細金屬掩膜版20通常是在兩端拉伸的狀態(tài)下焊接固定在中空框架10上，以使得精細金屬掩膜版20在中空框架10上具有向兩固定端方向的拉伸力，因此，將精細金屬掩膜版20焊接在中空框架10的上表面，如圖7中黑色實體填充的部分所示，能夠盡量增大焊點面積，進一步提高精細金屬掩膜版20與中空框架10之間固定的穩(wěn)定性。

其中，精細金屬掩膜版20也可以焊接固定在中空框架10的內(nèi)側壁上，但是這樣的焊接方式加工工藝難度較大，不易實現(xiàn)，而且焊接在中空框架10的內(nèi)側壁時，精細金屬掩膜版20的兩端需要向豎直方向彎折，彎折面與中空框架10的內(nèi)側壁之間焊接，由于在蒸鍍裝置的蒸鍍過程中，精細金屬掩膜版20承擔自身重力以及貼合在精細金屬掩膜版20之上的待蒸鍍基板02的重力均為豎直方向的力，焊接固定的方向與受力方向同向，因此焊點容易撕裂(焊接固定方向與受力方向相互垂直時，焊點較為牢固不易撕裂)，進而發(fā)生焊點脫焊而導致精細金屬掩膜版20脫落的問題。

同樣的，如圖5所示，在焊接精細金屬掩膜版20之前，第一支撐條30在中空框架10上的優(yōu)選的固定方式也為焊接固定在中空框架10的上表面上。

此外，由于第一支撐條30無需在拉伸狀態(tài)下固定在中空框架10上，因此，當?shù)谝恢螚l30具有足夠的強度能夠?qū)毥饘傺谀ぐ?0進行支撐的情況下，還可以通過其他固定方式將第一支撐條30固定設置于中空框架10的內(nèi)側壁上。例如，通過螺紋緊固連接的方式對第一支撐條30進行固定。具體的，增加第一支撐條30的厚度以提高第一支撐條30的支撐能力，并在第一支撐條30的兩固定端分別加工螺紋孔，在中空框架10對應第一支撐條30兩固定端的內(nèi)側壁上加工有置入槽，將第一支撐條30兩固定端分別插入置入槽中并通過螺紋緊固連接件進行固定連接。其中，螺紋緊固連接件可以從中空框架10的上表面、下表面或者側面打孔伸入與螺紋孔緊固連接。此處對于第一支撐條30的固定連接方式僅為舉例說明，本實用新型對第一支撐條30的固定連接方式不做具體限定，只要能夠保證第一支撐條30對精細金屬掩膜版20的支撐作用且不影響蒸鍍，本領域技術人員可以根據(jù)現(xiàn)有技術進行固定方式的其他常規(guī)設計。

為了減小位于凹槽31內(nèi)的精細金屬掩膜版20在受到其兩端拉伸力的作用下而發(fā)生移動時與凹槽31的側壁之間的摩擦阻力，優(yōu)選的，如圖8所示，凹槽31的邊緣與位于凹槽31的精細金屬掩膜版20之間留有空隙E。

這樣一來，精細金屬掩膜版20在受到磁隔板04的磁吸附力而向上移動與待蒸鍍基板02貼近的過程中，位于凹槽31內(nèi)的精細金屬掩膜版20在凹槽31內(nèi)具有足夠的自由移動的空間，在拉伸力的作用下恢復下垂變形量時，精細金屬掩膜版20在凹槽31內(nèi)的移動也不會受到與凹槽31的側壁之間的摩擦阻力的影響，從而降低摩擦阻力對精細金屬掩膜版20下垂變形恢復程度的阻礙，提高了精細金屬掩膜版20下垂變形量的恢復程度。

進一步的，如圖5所示，精細金屬掩膜版20的形狀均為矩形，第二方向J與第一方向I相互垂直。

如圖5所示，通常情況下，精細金屬掩膜版20的形狀為矩形，與第一方向I交叉設置的第二方向J上所跨設的第一支撐條30，設置于精細金屬掩膜版20的相鄰兩個掩膜圖案區(qū)C之間的無效掩膜區(qū)D位置。

如圖9a所示，若第二方向J與第一方向I間的夾角α小于90°，該夾角α的角度越小，為了避免第一支撐條30與精細金屬掩膜版20相交于精細金屬掩膜版20的掩膜圖案區(qū)C內(nèi)而影響待蒸鍍基板的蒸鍍效果，精細金屬掩膜版20上相鄰兩個掩膜圖案區(qū)C之間的無效掩膜區(qū)D＇(如圖中虛線框所示)則必須增大，當精細金屬掩膜版20上設置有多個掩膜圖案區(qū)C時，增大無效掩膜區(qū)D＇則必然會減少掩膜圖案區(qū)C的設置，從而使得單次蒸鍍的蒸鍍效率降低。

如圖9b所示，當?shù)诙较騄與第一方向I相互垂直時，其夾角α等于90°。此時精細金屬掩膜版20上相鄰兩個掩膜圖案區(qū)C之間的無效掩膜區(qū)D＇(如圖中虛線框所示)可以設置的最小，僅略大于第一支撐條30的寬度即可，這樣一來，能夠減小無效掩膜區(qū)D＇的設置空間，從而增加精細金屬掩膜版20上掩膜圖案區(qū)C的設置密度，提高使用精細金屬掩膜版20的單次蒸鍍效率。

優(yōu)選的，第一支撐條30設置有至少兩條，如圖10所示，第一支撐條30設置有兩條，相鄰兩條第一支撐條30之間相互平行。

這樣一來，如圖10所示，兩條第一支撐條30均布且相互平行的設置在精細金屬掩膜版20上相鄰兩個掩膜圖案區(qū)C之間的無效掩膜區(qū)D位置處，以對精細金屬掩膜版20進行支撐，從而進一步提高第一支撐條30對精細金屬掩膜版20的支撐作用。相鄰兩條第一支撐條30之間相互平行，分別設置在不同的無效掩膜區(qū)D處，不會增加相鄰兩個掩膜圖案區(qū)C之間的無效掩膜區(qū)D的空間，因此不會對待蒸鍍基板的蒸鍍造成影響。

進一步的，精細金屬掩膜版20設置有至少兩個，如圖10所示，精細金屬掩膜版20設置有兩個，相鄰兩個精細金屬掩膜版20之間相互平行。

如圖10所示，為了對中空框架10的中空區(qū)域X進行充分利用，以提高單次蒸鍍的蒸鍍效率，精細金屬掩膜版20需要在中空區(qū)域X內(nèi)盡量密集設置，使相鄰兩個精細金屬掩膜版20之間相互平行，能夠盡可能提高精細金屬掩膜版20在中空區(qū)域X內(nèi)的設置數(shù)量，有效利用中空區(qū)域X的空間，并且避免相鄰精細金屬掩膜版20之間發(fā)生部分交疊而影響待加工基板上的蒸鍍效果。

進一步的，如圖11所示，掩膜集成框架還包括用于對第一支撐條30進行支撐加固的第二支撐條40，第二支撐條40的兩端設置在中空框架10上，第二支撐條40沿第三方向K跨設于中空框架10的中空區(qū)域X且與精細金屬掩膜版20間隔設置。

需要說明的是，本實用新型中對于第二支撐條40在中空框架10上的具體設置位置、設置方式均不做限定，第二支撐條40設置在中空框架10的上表面、下表面或內(nèi)側壁均可，通過焊接、粘貼、螺紋緊固連接等方式均可。

如圖11所示，第二支撐條40固定連接在中空框架10的上表面且設置在第一支撐條30以下，以對第一支撐條30起到進一步加固的作用。第二支撐條40跨設于中空框架10的中空區(qū)域X且與精細金屬掩膜版20間隔設置，以使得第二支撐條40的設置位置避開精細金屬掩膜版20的掩膜圖案區(qū)C，避免在蒸鍍過程中對精細金屬掩膜版20的蒸鍍圖案造成遮擋。

優(yōu)選的，如圖11所示，第三方向K與第二方向J相互垂直。

這樣一來，一方面能夠提高第二支撐條40對第一支撐條30的加固能力，另一方面，由于第二方向J與第一方向I相互垂直，第三方向K與第二方向J相互垂直則與第一方向I相互平行，這樣能夠減小第二支撐條40對相鄰兩個第二金屬掩膜版20之間空間的占用。

進一步的，如圖12所示，當精細金屬掩膜版20設置有至少兩個時，第二支撐條40設置在相鄰兩個精細金屬掩膜版20之間，且第二支撐條40的寬度F大于或等于相鄰兩個精細金屬掩膜版20之間間隙的寬度H。當?shù)诙螚l40的寬度F大于相鄰兩個精細金屬掩膜版20之間間隙的寬度H時，第二支撐條40與相鄰兩個精細金屬掩膜版20的無效掩膜區(qū)D部分在中空框架10所在的平面內(nèi)的正投影有重疊。

這樣一來，設置在相鄰兩個精細金屬掩膜版20之間的第二支撐條40能夠由精細金屬掩膜版20的下表面覆蓋相鄰兩個精細金屬掩膜版20之間的空間。在通過本實用新型的掩膜集成框架對待蒸鍍基板進行掩膜蒸鍍時，蒸鍍源上激發(fā)出的蒸鍍材料透過精細金屬掩膜版20上掩膜圖案區(qū)C的可透過部分附著在待蒸鍍基板的下表面上，由于在在相鄰兩個精細金屬掩膜版20之間設置有第二支撐條40，且第二支撐條40的寬度F大于等于相鄰兩個精細金屬掩膜版20之間間隙的寬度H，因此，第二支撐條40對相鄰兩個精細金屬掩膜版20之間間隙起到了阻擋的作用，降低了蒸鍍源上激發(fā)出的蒸鍍材料囤積在待蒸鍍基板對應相鄰兩個精細金屬掩膜版20之間間隙位置處的可能性，提高了待蒸鍍基板的蒸鍍準確性。

此外，如圖12所示，當?shù)诙螚l40的寬度F大于相鄰兩個精細金屬掩膜版20之間間隙的寬度H時，第二支撐條40在中空框架10所在的平面內(nèi)的正投影僅與相鄰兩個精細金屬掩膜版20的無效掩膜區(qū)D部分在中空框架10所在的平面內(nèi)的正投影重疊，從而不會遮擋精細金屬掩膜版20的掩膜圖案區(qū)C，即不會對待蒸鍍基板上的蒸鍍圖案造成影響。

本實用新型實施例的另一方面，提供一種蒸鍍裝置，如圖13所示，包括蒸鍍腔室05，以及設置在蒸鍍腔室05內(nèi)的磁隔板04和蒸鍍源06，還包括上述任一項的掩膜集成框架07。

如圖13所示，將本實用新型中的掩膜集成框架07放置入蒸鍍裝置的蒸鍍腔室05內(nèi)，將待蒸鍍基板02放置在掩膜集成框架07上，首先通過磁隔板04對掩膜集成框架07進行吸附，如圖8所示，由于在第一支撐條30上對應精細金屬掩膜版20的位置處設置有凹槽31，精細金屬掩膜版20在磁隔板04的吸附力的作用下能夠恢復一部分由重力產(chǎn)生的下垂形變，從而盡可能的縮小掩膜集成框架07與待蒸鍍基板02之間的間隙。在此情況下在蒸鍍腔室05內(nèi)對待蒸鍍基板02進行蒸鍍，能夠盡可能降低蒸鍍源06激發(fā)出的蒸鍍材料在掩膜集成框架07與待蒸鍍基板02之間的間隙處的囤積，從而減輕制得的OLED顯示面板上橫向Mura不良的產(chǎn)生，提高OLED顯示面板的生產(chǎn)良品率。

在以上對于掩膜集成框架07的具體設置方式及工作過程的說明中，已經(jīng)對蒸鍍裝置及其蒸鍍過程進行了詳細的說明，此處不再進行贅述。

以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。