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一種坩堝和蒸發(fā)裝置的制作方法

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一種坩堝和蒸發(fā)裝置的制作方法

本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種坩堝和蒸發(fā)裝置。



背景技術(shù):

目前,顯示裝置廣泛使用的屏幕包括LCD(Liquid Crystal Display,液晶顯示器)和OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)電致發(fā)光器件),而OLED與LCD相比,其顯示具有輕薄、低功耗、高對(duì)比度、高色域、可以實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)。OLED顯示按照驅(qū)動(dòng)方式可以分為被動(dòng)式(Passive Matrix,PMOLED)與主動(dòng)式(Active Matrix,AMOLED),其中,AMOLED顯示的成熟的實(shí)現(xiàn)方式為:LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低溫多晶硅)背板+精細(xì)金屬掩膜(FMM Mask)。

精細(xì)金屬掩膜(FMM Mask)是通過(guò)蒸鍍方式將OLED材料按照預(yù)定程序蒸鍍到LTPS背板上,在有機(jī)蒸鍍的過(guò)程中,利用精細(xì)金屬掩膜作為模具,有機(jī)材料高溫?fù)]發(fā)后以材料分子狀態(tài)透過(guò)精細(xì)金屬掩膜的既定開(kāi)口位置蒸鍍到LTPS背板玻璃上的ITO(Indium tin oxide,納米銦錫)開(kāi)口上,形成有機(jī)發(fā)光層。蒸鍍的過(guò)程是在真空腔體中進(jìn)行的,并且OLED的金屬層蒸鍍?cè)诂F(xiàn)有技術(shù)中是采用圖1中結(jié)構(gòu)所示的錐體平底坩堝100進(jìn)行的,由于現(xiàn)有錐體平底坩堝為點(diǎn)蒸發(fā)源且為敞口結(jié)構(gòu),因此使用上述錐體平底坩堝進(jìn)行蒸鍍的過(guò)程中蒸發(fā)速率不穩(wěn)定,進(jìn)而導(dǎo)致蒸鍍膜層均勻性較差。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型提供了一種坩堝和蒸發(fā)裝置,該坩堝在蒸鍍過(guò)程中蒸發(fā)速率穩(wěn)定,能夠提高蒸鍍膜層的均勻性。

為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案:

一種坩堝,包括一端設(shè)有開(kāi)口的堝體,所述堝體的內(nèi)部具有與所述開(kāi)口連通的腔體;沿所述堝體的延伸方向,靠近所述開(kāi)口的所述腔體內(nèi)設(shè)有間隔分布的至少兩個(gè)隔板;所述至少兩個(gè)隔板中,每個(gè)隔板設(shè)有貫穿其厚度的至少一個(gè)第一通孔,每相鄰的兩個(gè)隔板的第一通孔呈交錯(cuò)分布。

上述坩堝由于在腔體內(nèi)設(shè)有間隔分布的至少兩個(gè)隔板,并且每相鄰的兩個(gè)隔板的第一通孔呈交錯(cuò)分布,因此,在采用上述坩堝進(jìn)行蒸鍍過(guò)程中,蒸鍍材料在坩堝內(nèi)變成蒸氣并達(dá)到隔板時(shí),一部分蒸氣能夠通過(guò)隔板上相互交錯(cuò)的第一通孔后曲折上升并冒出坩堝的開(kāi)口進(jìn)行蒸鍍形成蒸鍍膜層,另一部分蒸氣會(huì)被隔板阻擋并回流,同時(shí)由于各相鄰隔板的第一通孔交錯(cuò)分布,所以在隔板與堝體之間形成蒸氣調(diào)節(jié)腔,通過(guò)蒸氣調(diào)節(jié)腔使蒸氣速率穩(wěn)定在一定水平,進(jìn)而能夠通過(guò)設(shè)置在腔體內(nèi)的至少兩個(gè)隔板調(diào)節(jié)蒸氣的蒸發(fā)速率,使蒸氣均勻地蒸發(fā)并進(jìn)行蒸鍍,使形成的蒸鍍膜層的均勻性提高。

因此,上述坩堝在蒸鍍過(guò)程中蒸發(fā)速率穩(wěn)定,能夠提高蒸鍍膜層的均勻性。

優(yōu)選地,所述至少兩個(gè)隔板相互平行設(shè)置。

優(yōu)選地,所述至少兩個(gè)隔板為一體式結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地,還包括位于所述腔體內(nèi)底部的陶瓷碎片和用于將所述陶瓷碎片保持在所述腔體內(nèi)底部的擋板,所述擋板位于所述陶瓷碎片和所述至少兩個(gè)隔板中背離所述開(kāi)口的隔板之間,所述擋板設(shè)有貫穿其厚度的多個(gè)第二通孔。

由于上述坩堝在腔體內(nèi)底部設(shè)有陶瓷碎片,在采用該坩堝進(jìn)行蒸鍍過(guò)程中,蒸鍍材料和陶瓷碎片均放置在腔體內(nèi)底部,陶瓷碎片混合在蒸鍍材料中,熔化的蒸鍍材料易被陶瓷碎片阻隔,不易形成大面積的沸騰冒泡現(xiàn)象,并且產(chǎn)生的小氣泡也容易因碰撞到陶瓷碎片而破裂;同時(shí),上述坩堝的腔體內(nèi)底部還設(shè)有擋板,蒸鍍材料的蒸氣可通過(guò)擋板上的第二通孔進(jìn)行蒸發(fā),在不影響坩堝正常蒸發(fā)功能的前提下,坩堝通過(guò)擋板將陶瓷碎片保持在腔體的內(nèi)底部,使陶瓷碎片長(zhǎng)期處于蒸鍍材料中,使坩堝保持減少沸騰冒泡的效果,而且還能通過(guò)擋板阻止或消除蒸鍍材料的沸騰冒泡現(xiàn)象;因此,該坩堝還能減少蒸鍍材料的沸騰冒泡現(xiàn)象,進(jìn)一步穩(wěn)定蒸鍍材料的蒸發(fā)速率。

優(yōu)選地,所述多個(gè)第二通孔中,每個(gè)第二通孔的最大孔徑小于所述陶瓷碎片的最小粒徑。

優(yōu)選地,所述每個(gè)隔板為由熱解氮化硼(PBN)或氮化鋁(Aluminum nitride,AlN)制成的隔板;所述擋板為由熱解氮化硼或氮化鋁制成的擋板;所述陶瓷碎片為由熱解氮化硼或氮化鋁制成的陶瓷碎片。

優(yōu)選地,還包括設(shè)置于所述開(kāi)口的蓋板,所述蓋板的厚度方向與所述堝體的延伸方向平行,所述蓋板設(shè)有貫穿其厚度的至少一個(gè)第三通孔。

由于上述坩堝還設(shè)有位于開(kāi)口處的蓋板,并且蓋板上設(shè)有第三通孔,在蒸鍍過(guò)程中,坩堝中的蒸鍍材料受熱產(chǎn)生蒸氣,通過(guò)隔板后的蒸氣繼續(xù)通過(guò)蓋板的第三通孔才能達(dá)到需要進(jìn)行蒸鍍的介質(zhì)上形成蒸鍍膜層,因此,能夠通過(guò)設(shè)置第三通孔的分布位置以及分布形式使蒸氣更加均勻地進(jìn)行蒸鍍,使形成的蒸鍍膜層均勻性更好,并且有利于提高蒸氣的利用率,提高蒸鍍效率。

優(yōu)選地,所述堝體由可拆卸連接的下部堝體和上部堝體構(gòu)成,所述開(kāi)口位于所述上部堝體背離所述下部堝體的一端,所述至少兩個(gè)隔板設(shè)置于所述上部堝體內(nèi)。

優(yōu)選地,所述下部堝體和上部堝體之間通過(guò)螺紋連接。

當(dāng)堝體由螺紋連接的上部堝體和下部堝體構(gòu)成時(shí),上部堝體和下部堝體通過(guò)螺紋可進(jìn)行拆卸連接,當(dāng)需要在下部堝體內(nèi)填裝蒸鍍材料或更換下部堝體時(shí),可通過(guò)螺紋連接將下部堝體從上部堝體上拆下,完成所需操作后再通過(guò)螺紋進(jìn)行連接,并且,在需要填料時(shí),可將下部坩堝拆下,將已經(jīng)填料完畢的另一個(gè)相同結(jié)構(gòu)的下部堝體直接連接到上部堝體上,從而能夠節(jié)省蒸鍍時(shí)間,因此,該坩堝方便填料且便于更換下部堝體。

另外,本實(shí)用新型還提供了一種蒸發(fā)裝置,該蒸發(fā)裝置包括加熱裝置和上述技術(shù)方案提供的任意一種坩堝。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種實(shí)施例提供的坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2為本實(shí)用新型一種實(shí)施例提供的坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖3為圖2所示結(jié)構(gòu)的坩堝的剖面圖;

圖4為圖3所示結(jié)構(gòu)中的A向結(jié)構(gòu)示意圖;

圖5為本實(shí)用新型另一種實(shí)施例提供的坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖6為圖5所示結(jié)構(gòu)中的B向結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種坩堝和蒸發(fā)裝置,該蒸發(fā)裝置包括坩堝,該坩堝在蒸鍍過(guò)程中蒸發(fā)速率穩(wěn)定,能夠提高蒸鍍膜層的均勻性。

其中,請(qǐng)參考圖2、圖3以及圖5,本實(shí)用新型一種實(shí)施例提供的坩堝1,包括一端設(shè)有開(kāi)口12的堝體11,堝體11的內(nèi)部具有與開(kāi)口12連通的腔體110;沿堝體11的延伸方向,靠近開(kāi)口12的腔體110內(nèi)設(shè)有間隔分布的至少兩個(gè)隔板;至少兩個(gè)隔板中,每個(gè)隔板設(shè)有貫穿其厚度的至少一個(gè)第一通孔,每相鄰的兩個(gè)隔板的第一通孔呈交錯(cuò)分布。

上述坩堝1由于在腔體110內(nèi)設(shè)有間隔分布的至少兩個(gè)隔板,并且每相鄰的兩個(gè)隔板的第一通孔呈交錯(cuò)分布,如圖3結(jié)構(gòu)所示的坩堝1的腔體內(nèi)設(shè)有間隔分布的隔板13和隔板14,隔板13設(shè)有貫穿其厚度的多個(gè)第一通孔131,隔板14設(shè)有貫穿其厚度的多個(gè)第一通孔141,并且如圖4結(jié)構(gòu)所示,隔板13上設(shè)置的第一通孔131與隔板14上設(shè)置的第一通孔141交錯(cuò)分布;因此,在采用上述坩堝1進(jìn)行蒸鍍過(guò)程中,蒸鍍材料2在坩堝1內(nèi)變成蒸氣并達(dá)到隔板13和隔板14時(shí),一部分蒸氣能夠通過(guò)隔板13和隔板14上相互交錯(cuò)的第一通孔后曲折上升并冒出坩堝1的開(kāi)口12進(jìn)行蒸鍍形成蒸鍍膜層,另一部分蒸氣會(huì)被隔板13或隔板14阻擋并回流,同時(shí)由于各相鄰隔板的第一通孔交錯(cuò)分布,所以在隔板13、隔板14與堝體11之間形成蒸氣調(diào)節(jié)腔1103,通過(guò)蒸氣調(diào)節(jié)腔1103使蒸氣速率穩(wěn)定在一定水平,進(jìn)而能夠通過(guò)設(shè)置在腔體110內(nèi)的至少兩個(gè)隔板調(diào)節(jié)蒸氣的蒸發(fā)速率,使蒸氣均勻地蒸發(fā)并進(jìn)行蒸鍍,使形成的蒸鍍膜層的均勻性提高。

因此,上述坩堝1在蒸鍍過(guò)程中蒸發(fā)速率穩(wěn)定,能夠提高蒸鍍膜層的均勻性。

為了進(jìn)一步提高蒸發(fā)速率的穩(wěn)定性,腔體110中設(shè)置的至少兩個(gè)隔板相互平行設(shè)置,如圖3結(jié)構(gòu)所示,隔板13與隔板14平行設(shè)置在腔體110中。

由于腔體110中設(shè)置的至少兩個(gè)隔板相互平行設(shè)置,通過(guò)隔板13的第一通孔131的蒸氣達(dá)到隔板14的距離相同,均為隔板13與隔板14之間的間隔距離,通過(guò)隔板13的蒸氣會(huì)均勻地通過(guò)隔板14,因此,能夠進(jìn)一步提高蒸發(fā)速率的穩(wěn)定性,進(jìn)而提高蒸鍍膜層的均勻性。

同時(shí),為了提高隔板的拆裝便利性,至少兩個(gè)隔板為一體式結(jié)構(gòu),如圖3結(jié)構(gòu)所示,隔板13和隔板14為一體式結(jié)構(gòu)。

一種具體的實(shí)施方式中,如圖3結(jié)構(gòu)所示,上述坩堝1還包括位于腔體110內(nèi)底部的陶瓷碎片16和用于將陶瓷碎片16保持在腔體110內(nèi)底部的擋板17,擋板17位于陶瓷碎片16和至少兩個(gè)隔板中背離開(kāi)口12的隔板之間,擋板17設(shè)有貫穿其厚度的多個(gè)第二通孔171。

由于上述坩堝1在腔體110內(nèi)底部設(shè)有陶瓷碎片16,在采用該坩堝1進(jìn)行蒸鍍過(guò)程中,蒸鍍材料2和陶瓷碎片16均放置在腔體110內(nèi)底部,陶瓷碎片16混合在蒸鍍材料2中,蒸鍍材料2熔化后易被陶瓷碎片16阻隔,不易形成大面積的沸騰冒泡現(xiàn)象,并且產(chǎn)生的小氣泡也容易因碰撞到陶瓷碎片16而破裂;同時(shí),上述坩堝1的腔體110內(nèi)底部還設(shè)有擋板17,蒸鍍材料2的蒸氣可通過(guò)擋板17上的第二通孔171進(jìn)行蒸發(fā),在不影響坩堝1正常蒸發(fā)功能的前提下,坩堝1通過(guò)擋板17將陶瓷碎片16保持在腔體110的內(nèi)底部,使陶瓷碎片16長(zhǎng)期處于蒸鍍材料2中,使坩堝1保持減少沸騰冒泡的效果,而且還能通過(guò)擋板17阻止或消除蒸鍍材料2的沸騰冒泡現(xiàn)象;因此,該坩堝1還能減少蒸鍍材料2的沸騰冒泡現(xiàn)象,進(jìn)一步穩(wěn)定蒸鍍材料2的蒸發(fā)速率。

為了確保陶瓷碎片16能夠充分阻止或消除蒸鍍材料2的沸騰冒泡現(xiàn)象,如圖3結(jié)構(gòu)所示,在擋板17的多個(gè)第二通孔171中,每個(gè)第二通孔171的最大孔徑小于陶瓷碎片16的最小粒徑。

當(dāng)擋板17的每個(gè)第二通孔171的最大孔徑小于陶瓷碎片16的最小粒徑時(shí),由于陶瓷碎片16不能通過(guò)擋板17的第二通孔171,因此,陶瓷碎片16被擋板17阻擋在坩堝1的底部,以使陶瓷碎片16始終摻雜在蒸鍍材料2中,所以能確保陶瓷碎片16始終起到阻止或消除沸騰冒泡現(xiàn)象的作用。

具體地,如圖3、圖5以及圖6結(jié)構(gòu)所示,上述坩堝1還包括設(shè)置于開(kāi)口12的蓋板15,蓋板15的厚度方向與堝體11的延伸方向平行,蓋板15設(shè)有貫穿其厚度的至少一個(gè)第三通孔151。

由于上述坩堝1還設(shè)有位于開(kāi)口12處的蓋板15,并且蓋板15上設(shè)有第三通孔151,在蒸鍍過(guò)程中,坩堝1中的蒸鍍材料2受熱產(chǎn)生蒸氣,通過(guò)隔板13和隔板14后的蒸氣繼續(xù)通過(guò)蓋板15的第三通孔151才能達(dá)到需要進(jìn)行蒸鍍的介質(zhì)上形成蒸鍍膜層,因此,能夠通過(guò)設(shè)置第三通孔151的分布位置以及分布形式使蒸氣更加有針對(duì)性且均勻地進(jìn)行蒸鍍,使形成的蒸鍍膜層均勻性更好,并且有利于提高蒸氣的利用率,提高蒸鍍效率。

在上述各種實(shí)施例的基礎(chǔ)上,如圖5結(jié)構(gòu)所示,堝體11由可拆卸連接的下部堝體111和上部堝體112構(gòu)成,開(kāi)口12位于上部堝體112背離下部堝體111的一端,至少兩個(gè)隔板設(shè)置于上部堝體112內(nèi)。

如圖5結(jié)構(gòu)所示,堝體11由下部堝體111和上部堝體112構(gòu)成,并且腔體110由下部堝體111限定的下部腔體1101和上部堝體112限定的上部腔體1102組成,在上部腔體1102內(nèi)設(shè)置有隔板13和隔板14,隔板13上設(shè)有多個(gè)貫穿其厚度的第一通孔131,隔板14上設(shè)有多個(gè)貫穿其厚度的第一通孔141,并在隔板13、隔板14和上部堝體112之間形成蒸氣調(diào)節(jié)腔1103,在堝體11的開(kāi)口12處設(shè)有蓋板15,蓋板15上設(shè)有貫穿其厚度的多個(gè)第三通孔151。

為了提高下部堝體111和上部堝體112之間的拆裝便利性,下部堝體111和上部堝體112之間通過(guò)螺紋連接。

當(dāng)堝體11由螺紋連接的上部堝體112和下部堝體111構(gòu)成時(shí),上部堝體112和下部堝體111通過(guò)螺紋可進(jìn)行拆卸連接,當(dāng)需要在下部堝體111內(nèi)填裝蒸鍍材料2或更換下部堝體111時(shí),可通過(guò)螺紋連接將下部堝體111從上部堝體112上拆下,完成所需操作后再通過(guò)螺紋進(jìn)行連接,并且,在需要填料時(shí),可將下部坩堝1拆下,將已經(jīng)填料完畢的另一個(gè)相同結(jié)構(gòu)的下部堝體111直接連接到上部堝體112上,從而能夠節(jié)省蒸鍍時(shí)間,因此,該坩堝1方便填料且便于更換下部堝體111,還能提高拆裝便利性。

在上述各種實(shí)施例的基礎(chǔ)上,每個(gè)隔板為由熱解氮化硼或氮化鋁制成的隔板;擋板17為由熱解氮化硼或氮化鋁制成的擋板17;陶瓷碎片16為由熱解氮化硼或氮化鋁制成的陶瓷碎片16。

同時(shí),坩堝1的堝體1和蓋板15均可以采用熱解氮化硼或氮化鋁制成。

另外,本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種蒸發(fā)裝置,該蒸發(fā)裝置包括加熱裝置和上述實(shí)施例提供的任意一種坩堝1。

在采用上述蒸發(fā)裝置進(jìn)行蒸鍍的過(guò)程中,為了使坩堝1內(nèi)底部的蒸鍍材料連續(xù)均勻熔化,并且使上部腔體1102內(nèi)保持恒溫環(huán)境,防止蒸鍍材料2形成的蒸氣凝固,可以在坩堝1的頂部和底部分別設(shè)置加熱絲來(lái)控制坩堝1的腔體110內(nèi)的溫度,使蒸鍍過(guò)程連續(xù)穩(wěn)定。

同時(shí),為了提高蒸鍍效果,進(jìn)一步改善蒸鍍形成的蒸鍍膜層的均勻性,在采用上述坩堝1蒸鍍的同時(shí),還可以使整個(gè)蒸發(fā)裝置處于運(yùn)動(dòng)狀態(tài)中,使從坩堝1中蒸發(fā)出來(lái)的蒸氣能夠更加均勻地蒸鍍到目標(biāo)位置,使形成的蒸鍍膜層更加均勻。根據(jù)具體地蒸鍍條件,可使整個(gè)蒸發(fā)裝置在蒸鍍過(guò)程中處于中心旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)或直線勻速移動(dòng)。

需要說(shuō)明的是,上述坩堝1中填充的蒸鍍材料可以為銀等金屬材料,也可以為OLED材料等有機(jī)材料。

顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣,倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。

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