1.一種具有類金鋼石陣列的結(jié)構(gòu)件，其特征在于，包括基體和設(shè)置在所述基體上的具有尖端結(jié)構(gòu)的類金剛石納米針陣列，所述類金剛石納米針陣列通過對(duì)形成在所述基體上的一類金剛石涂層進(jìn)行刻蝕得到。
2.如權(quán)利要求1所述的具有類金鋼石陣列的結(jié)構(gòu)件，其特征在于，所述基體和類金剛石納米針陣列之間還設(shè)置有殘余類金鋼石涂層，所述類金剛石納米針陣列形成在所述殘余類金鋼石涂層表面；所述殘余類金鋼石涂層的厚度為100nm～3μm。
3.如權(quán)利要求1所述的具有類金鋼石陣列的結(jié)構(gòu)件，其特征在于，所述金剛石納米針陣列中的類金剛石納米針為錐狀結(jié)構(gòu)，所述類金剛石納米針的長(zhǎng)徑比為20～80，尖部直徑為10～100nm，底部直徑為30nm～2μm，針密度為104～109·個(gè)·cm-2。
4.如權(quán)利要求3所述的具有類金鋼石陣列的結(jié)構(gòu)件，其特征在于，所述類金剛石納米針的高度在10nm～10μm之間。
5.如權(quán)利要求1所述的具有類金鋼石陣列的結(jié)構(gòu)件，其特征在于，所述基體為金屬、金屬合金、硬質(zhì)合金、不銹鋼、聚合物、玻璃和硅的一種或多種。
6.如權(quán)利要求5所述的具有類金鋼石陣列的結(jié)構(gòu)件，其特征在于，當(dāng)所述基體的材質(zhì)為不銹鋼、聚合物、鈷基金屬合金、硬質(zhì)合金、玻璃和硅時(shí)，所述抗菌類金鋼石陣列材料還包括一過渡金屬層，所述過渡金屬層位于所述基體與所述殘余類金鋼石涂層之間；所述過渡金屬層的厚度為50～500nm。
7.一種具有類金鋼石陣列的結(jié)構(gòu)件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供結(jié)構(gòu)件基體，對(duì)所述基體進(jìn)行預(yù)處理；
將所述預(yù)處理后的基體置于鍍膜設(shè)備的真空室內(nèi)，在所述預(yù)處理后的基體上沉積類金剛石涂層；
對(duì)所述類金剛石涂層進(jìn)行刻蝕，得到具有尖端結(jié)構(gòu)的類金剛石納米針陣列。
8.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述沉積所述類金剛石涂層的方法包括磁控濺射或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積；
其中，所述磁控濺射的步驟包括：向真空室中通入氬氣并開啟碳靶進(jìn)行沉積，使所述真空室內(nèi)的壓強(qiáng)為0.5～1.0Pa，所述碳靶的靶功率為1～5kW，基底負(fù)偏壓為-50～-200V，沉積時(shí)間為30～600min；
其中，所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的步驟包括：向真空室中通入氣態(tài)碳源進(jìn)行沉積，使所述真空室內(nèi)的壓強(qiáng)為0.5～1.0Pa，離子源電壓為50～100V，基底負(fù)偏壓為-50～-200V，沉積時(shí)間為30～600min。
9.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述類金剛石涂層的刻蝕是采用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕或者電子回旋共振微波等離子體化學(xué)氣相沉積刻蝕；
其中，所述感應(yīng)耦合等離子體刻蝕的步驟包括：將沉積有類金剛石涂層的基體置于電感耦合等離子體刻蝕的腔體中，利用氫氣、氬氣、氧氣、氦氣、氮?dú)?、氣態(tài)碳源、CF4、C4F8和SF6中的一種或多種為反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體的流量為5～200sccm，反應(yīng)氣壓為0.1～10Pa，等離子體的電源功率為500～3000W，基片臺(tái)上的射頻功率為50～300W，刻蝕時(shí)間為10～600min；
其中，所述電子回旋共振微波等離子體化學(xué)氣相沉積刻蝕的步驟包括：將沉積有類金剛石涂層的基體置于電子回旋共振微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，通入氫氣或者通入混合的氫氣、氣態(tài)碳源和氬氣，氣體壓力為5～8mTorr，直流負(fù)偏壓為75～230V，偏流為40～120mA，刻蝕時(shí)間為30分鐘～6小時(shí)。
10.如權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，在所述預(yù)處理之后以及沉積所述類金剛石涂層之前，還包括沉積一過渡金屬層；
其中，所述沉積過渡金屬層的步驟包括：向真空室內(nèi)通入氬氣，調(diào)節(jié)所述真空室的壓強(qiáng)為0.2～1.3Pa，開啟過渡金屬電弧靶，進(jìn)行電弧沉積金屬過渡層，控制靶電流為80～200A，基底偏壓為-100～-300V，沉積時(shí)間為2～10min。