技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種PECVD鍍膜裝置，包括雙層石英管，雙層石英管端部設(shè)有法蘭，雙層石英管內(nèi)腔設(shè)有鍍膜腔，鍍膜腔外壁上固定有感應(yīng)線圈，法蘭上設(shè)有第一工藝進(jìn)氣口和第二工藝進(jìn)氣口，且第一工藝進(jìn)氣口、第二工藝進(jìn)氣口連接設(shè)置在鍍膜腔內(nèi)部的氣體穩(wěn)流裝置，雙層石英管一側(cè)和底部均開(kāi)有通孔，且側(cè)壁的通孔內(nèi)穿設(shè)抽真空管，且抽真空管連通鍍膜腔，底部的通孔內(nèi)穿設(shè)有尾氣排放管，且尾氣排放管連通鍍膜腔，本發(fā)明結(jié)構(gòu)原理簡(jiǎn)單，能夠提高硅片鍍膜的均勻性，且工作效率高。

技術(shù)研發(fā)人員：陳德榜
受保護(hù)的技術(shù)使用者：溫州海旭科技有限公司
文檔號(hào)碼：201611145208
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.13
技術(shù)公布日：2017.05.31