1.一種PECVD鍍膜裝置, 包括雙層石英管（1），其特征在于：所述雙層石英管（1）端部設(shè)有法蘭（2），所述雙層石英管（1）內(nèi)腔設(shè)有鍍膜腔（3），所述鍍膜腔（3）外壁上固定有感應(yīng)線圈（4），所述法蘭（2）上設(shè)有第一工藝進(jìn)氣口（5）和第二工藝進(jìn)氣口（6），且所述第一工藝進(jìn)氣口（5）、所述第二工藝進(jìn)氣口（6）連接設(shè)置在鍍膜腔（3）內(nèi)部的氣體穩(wěn)流裝置（7），所述雙層石英管（1）一側(cè)和底部均開有通孔（8），且側(cè)壁的通孔內(nèi)穿設(shè)抽真空管（9），且所述抽真空管（9）連通鍍膜腔（3），所述抽真空管（9）連接抽真空設(shè)備（10），底部的通孔內(nèi)穿設(shè)有尾氣排放管（11），且所述尾氣排放管（11）連通鍍膜腔（3），所述尾氣排放管（11）連接尾氣處理裝置（12）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PECVD鍍膜裝置，其特征在于：所述氣體穩(wěn)流裝置包括穩(wěn)流體（13）、進(jìn)氣口（14）、蜂窩片（15）、氣體調(diào)整器（16）、出氣口（17）和過濾片（18），所述穩(wěn)流體（13）的一端設(shè)有進(jìn)氣口（14），所述穩(wěn)流體（13）的另一端設(shè)有出氣口（17），所述穩(wěn)流體（13）的內(nèi)部設(shè)有蜂窩片（15）、氣體調(diào)整器（16），所述蜂窩片（15）位于進(jìn)氣口（14）的一端，所述蜂窩片（15）連接氣體調(diào)整器（16），所述氣體調(diào)整器（16）的出口通過過濾片（18）連接出氣口（17），所述氣體調(diào)整器（16）內(nèi)包括多個(gè)氣流調(diào)節(jié)格柵（19），且所述氣流調(diào)節(jié)格柵（19）呈錐形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PECVD鍍膜裝置，其特征在于：所述感應(yīng)線圈4包括耦合式感應(yīng)線圈原邊（20）和耦合式感應(yīng)線圈副邊（21），所述耦合式感應(yīng)線圈原邊（20）套在耦合式感應(yīng)線圈副邊（21）外側(cè)，所述耦合式感應(yīng)線圈原邊（20）采用柱形中空結(jié)構(gòu)，所述耦合式感應(yīng)線圈副邊（21）采用錐形中空結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PECVD鍍膜裝置，其特征在于：還包括第一電磁閥（22）、第二電磁閥（23）、第三電磁閥（24）和第四電磁閥（25），所述第一電磁閥（22）和第二電磁閥（23）分別安裝在第一工藝進(jìn)氣口（5）和第二工藝進(jìn)氣口（6）處，所述第三電磁閥（24）安裝在抽真空管（9）上，所述第四電磁閥（25）安裝在尾氣排放管（11）上。
5.實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1所述的一種PECVD鍍膜裝置的使用方法，其特征在于：其使用方法包括以下步驟：
A、將硅片放入鍍膜腔中，關(guān)閉第一電磁閥、第二電磁閥、第四電磁閥，打開第三電磁閥，對鍍膜腔進(jìn)行抽真空，真空度為1.5×10-2pa-1.8×10-2pa后，關(guān)閉第三電磁閥，打開第一電磁閥，通入高純度氬氣，通入氬氣流量為20L-40L/min，通入時(shí)間為5min-10min，之后關(guān)閉第一電磁閥；
B、開啟中頻電源，使感應(yīng)線圈工作，控制輸出功率 8KW-10KW，之后緩慢打開第三電磁閥，降低鍍膜腔內(nèi)真空，直至達(dá)到1.1×10-2pa；
C、關(guān)閉第三電磁閥，打開第二電磁閥，通入甲烷，通入的甲烷流量為5L-8L/min，通入時(shí)間為5min-10min，之后關(guān)閉第二電磁閥；
D、待鍍膜腔內(nèi)真空度降至0.7×10-2pa時(shí)，打開第四電磁閥，排出未反應(yīng)的尾氣。