本發(fā)明涉及一種放電管的鍍膜方法,尤其涉及一種閃光燈用微型放電管的鍍膜方法。
背景技術(shù):
近年來,隨著對照相設(shè)備或帶相機功能的移動電話的小型化需求,對于配置于其上的作為人工光源使用的閃光燈也要求小型化。因此,用在閃光燈內(nèi)的放電管需要在盡可能小的體積內(nèi)承受瞬間釋放的高壓。
常用的放電管主要部件為氙氣燈,氙氣燈的燈泡是一個充低壓氙氣的輝光放電管。氙氣燈通過一個由快門控制的電路裝置連接到一個儲藏電能用的大容量電解電容。平常情況下,該電解電容在控制電路的作用下進行充電,其電壓和相機電池的電壓相同。但是當進行拍照時,如果開啟閃光燈,快門按下時會觸發(fā)閃光燈控制電路啟動,控制電路產(chǎn)生高電壓點亮氙氣燈,然后電解電容中儲藏的電能會瞬間釋放,使得氙氣燈亮度急劇上升,也就產(chǎn)生了閃光的效果。
根據(jù)上述閃光燈的使用過程,頻繁多次的高壓刺激可能會導(dǎo)致放電管產(chǎn)生破損。現(xiàn)常用的方法是通過增加放電管壁厚度來提高放電管的強度,但是放電管管壁厚度的增加會引起放電管體積的增大,而過大的放電管體積不利于小型攝像閃光燈設(shè)備的使用。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明實施方式主要解決的技術(shù)問題是提供一種放電管的鍍膜方法,采用本發(fā)明的放電管的鍍膜方法,可以操作簡單、成膜均勻、良品率高的在放電管的內(nèi)外表面均形成二氧化硅保護膜,從而增強放電管的強度,使得放電管具有高強度的同時也具備小尺寸,滿足微型閃光燈的使用。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實施方式采用的一個技術(shù)方案是:提供一種放電管的鍍膜方法,包括以下步驟:
s1,配制硅烷醇混合溶液;
s2,將放電管完全浸入至所述硅烷醇混合溶液中;
s3,將所述放電管向上勻速提拉至所述放電管完全離開所述硅烷醇混合溶液,此時,所述放電管的內(nèi)外壁上均勻覆蓋有硅烷醇膜;
s4,對覆蓋有硅烷醇膜的所述放電管進行梯度升溫加熱,得到具有二氧化硅膜的放電管。
在其中一些實施方式中,所述硅烷醇混合溶液由質(zhì)量百分比為8%的正硅酸、5%的偏硅酸、50%的醇類溶劑、25.8%的乙酸甲酯、11%的乙酸乙酯和0.2%的五氧化二磷混合形成。
在其中一些實施方式中,所述醇類溶劑為甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇或丙二醇中的一種或多種的混合。
在其中一些實施方式中,步驟s3中的提拉速度為100-100000μm/min。
在其中一些實施方式中,步驟s4中的所述梯度升溫加熱為由50℃至640℃梯度升溫,每個梯度的溫度分別保持2秒至120分鐘。
在其中一些實施方式中,步驟s3和步驟s4之間還包括步驟:采用空氣或惰性氣體對放電管進行吹干,以干燥步驟s3中放電管的內(nèi)外壁上形成的硅烷醇膜。
本發(fā)明實施方式的有益效果是:本發(fā)明所采用的成膜劑,也即硅烷醇混合溶液為一次混合配制,配制過程簡單;且硅烷醇膜的厚度可通過對放電管的提拉速度的改變進行調(diào)整,從而最終的二氧化硅膜的成膜厚度均勻、可控且良品率高。采用本發(fā)明實施方式的鍍膜方法進行鍍膜的放電管,放電管上的二氧化硅膜可防止電力輸入引起的放電管破裂,即便放電管破裂已經(jīng)形成,二氧化硅膜層也能阻止破裂繼續(xù)擴大。由于二氧化硅膜加強了放電管的強度,在與傳統(tǒng)未鍍膜的放電管具有相同發(fā)光量的情況下,具有二氧化硅膜的放電光具有較小的體積,因此使用該放電管的攝影閃光設(shè)備和照相設(shè)備的體積較小,從而便于攜帶。
附圖說明
圖1為采用本發(fā)明實施方式的放電管的鍍膜方法進行鍍膜的示意圖。
圖2為采用本發(fā)明實施方式的放電管的鍍膜方法進行鍍膜后的放電管的截面示意圖。
具體實施方式
下面將對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。
除非另有定義,本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例的目的,不是旨在于限制本發(fā)明。
本發(fā)明實施方式中的放電管優(yōu)選為玻璃管,可以理解的是,若所述放電管不是用于閃光燈,則所述放電管還可以為其他材質(zhì),如陶瓷等材料。
本發(fā)明實施方式的放電管的鍍膜方法包括以下步驟:
s1:配制硅烷醇混合溶液。
具體地,本發(fā)明實施方式中,所述硅烷醇混合溶液由正硅酸、偏硅酸、醇類溶劑、乙酸甲酯、乙酸乙酯和五氧化二磷混合形成,其中所述醇類溶劑為甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇或丙二醇中的一種或多種的混合。
進一步地,所述硅烷醇混合溶液優(yōu)選為由質(zhì)量百分比為8%的正硅酸、5%的偏硅酸,50%的醇類溶劑(甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、丙二醇)、25.8%的乙酸甲酯、11%的乙酸乙酯和0.2%的五氧化二磷混合形成。采用上述質(zhì)量百分比混合形成的硅烷醇混合溶液,可以使下述步驟中形成的硅烷醇膜成膜均勻,良品率較高。
s2:將放電管完全浸入至所述硅烷醇混合溶液中。
請參閱圖1,本發(fā)明實施方式中,將步驟s1中制備的硅烷醇混合溶液1置于容器3中,容器3為開口容器,放電管2為中空管狀,放電管2從容器3的開口端完全浸入硅烷醇混合溶液1中。此處所述的“完全浸入”,是指放電管2的內(nèi)壁和外壁的所有表面均與硅烷醇混合溶液1接觸。
s3:將所述放電管向上勻速提拉至所述放電管完全離開所述硅烷醇混合溶液,此時,所述放電管的內(nèi)外壁上均勻覆蓋有硅烷醇膜。
可以理解的是,對所述放電管的不同的提拉速度,可以得到不同厚度的硅烷醇膜。本發(fā)明實施方式中,為了使所述放電管的強度均勻,采用了勻速提拉,且提拉速度優(yōu)選為100-100000μm/min,以使最終得到二氧化硅覆膜的放電管具有合適的強度,且最終形成的二氧化硅覆膜的厚度滿足小尺寸的要求,進而滿足微型閃光燈的使用。
s4:對覆蓋有硅烷醇膜的所述放電管進行梯度升溫加熱,得到具有二氧化硅膜的放電管。
本發(fā)明實施方式中,所述梯度升溫加熱優(yōu)選為由50℃至640℃梯度升溫,每個梯度的溫度分別保持2秒至120分鐘。
進一步地,本發(fā)明實施方式中,所述梯度升溫,優(yōu)選為從50℃逐步升溫至200℃,再將溫度逐漸升溫至300℃、450℃、550℃和640℃,并在每個梯度溫度根據(jù)需求分別保持2秒至120分鐘。
請參閱圖2,為最終得到的具有二氧化硅膜的放電管的截面示意圖,從圖中可以看出,經(jīng)過步驟s4,最終得到的放電管2的內(nèi)外壁表面上均均勻覆蓋有二氧化硅膜4。
從上述本發(fā)明實施方式的放電管的鍍膜方法中可以得出,本發(fā)明所采用的成膜劑,也即硅烷醇混合溶液為一次混合配制,配制過程簡單;且硅烷醇膜的厚度可通過對放電管的提拉速度的改變進行調(diào)整,從而最終的二氧化硅膜的成膜厚度均勻、可控且良品率高。
采用本發(fā)明實施方式的鍍膜方法進行鍍膜的放電管,放電管上的二氧化硅膜可防止電力輸入引起的放電管破裂,即便放電管破裂已經(jīng)形成,二氧化硅膜層也能阻止破裂繼續(xù)擴大。由于二氧化硅膜加強了放電管的強度,在與傳統(tǒng)未鍍膜的放電管具有相同發(fā)光量的情況下,具有二氧化硅膜的放電光具有較小的體積,因此使用該放電管的攝影閃光設(shè)備和照相設(shè)備的體積較小,從而便于攜帶。
可以理解的是,在上述放電管的鍍膜方法中,步驟s3和步驟s4之間還可以包括以下步驟:
s3’:采用空氣或惰性氣體對放電管進行吹干,以干燥步驟s3中放電管的內(nèi)外壁上形成的硅烷醇膜。
步驟s3’中,增加了預(yù)先對步驟s3中的硅烷醇膜進行干燥,以使后續(xù)步驟s4中采用梯度升溫,使硅烷醇膜反應(yīng)形成二氧化硅膜能夠更均勻和充分。
下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明實施方式的放電管的鍍膜方法做進一步描述,但本發(fā)明的實施方式不限于此。
實施例1
s1:在容器中配制由質(zhì)量百分比為8%的正硅酸、5%的偏硅酸、50%的醇類溶劑(甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、丙二醇)、25.8%的乙酸甲酯、11%的乙酸乙酯和0.2%的五氧化二磷混合形成的硅烷醇混合溶液。
s2:將外徑1.5mm的放電管完全浸入至s1中的硅烷醇混合溶液中,并將放電管的一端固定于提拉機的夾具之上。
s3:采用提拉機,將放電管以2000μm/min的速度向上進行提拉直至整個放電管完全離開所述硅烷醇混合溶液,此時,放電管的內(nèi)壁及外壁上均勻覆蓋一層硅烷醇膜。
s3’:用空氣對放電管進行吹干,以干燥步驟s3中放電管的內(nèi)外壁上形成的硅烷醇膜。
s4:將所述放電管置于高溫爐中,從50度逐步升溫至200℃,保溫15分鐘;再將溫度逐漸升溫至300℃,保溫15分鐘;再將溫度升溫至450℃,保溫15分鐘;繼續(xù)將溫度升溫至550℃,保溫90秒;最后升溫至640℃,保溫2秒,得到具有二氧化硅膜的放電管。
對實施例1中得到的放電管的二氧化硅膜的厚度進行測量得到,所述二氧化硅膜的厚度約為0.08μm。
對實施例1中得到的放電管在一定電壓下進行頻閃測試,以檢測所述放電管的強度。實施例1中,在電壓規(guī)格為240v,觸發(fā)電壓為3.84kv時,所述放電管經(jīng)歷20000次頻閃后,未產(chǎn)生爆管或漏光現(xiàn)象。
因此,采用實施例1的方法制備得到的放電管在鍍膜厚度較小的情況下,其強度得到增強。
實施例2
s1:在容器中配制由質(zhì)量百分比為8%的正硅酸、5%的偏硅酸、50%的醇類溶劑(甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、丙二醇)、25.8%的乙酸甲酯、11%的乙酸乙酯和0.2%的五氧化二磷混合形成的硅烷醇混合溶液。
s2:將外徑4mm的放電管完全浸入至s1中的硅烷醇混合溶液中,并將放電管的一端固定于提拉機的夾具之上。
s3:采用提拉機,將放電管以2000μm/min的速度向上進行提拉直至整個放電管完全離開所述硅烷醇混合溶液,此時,放電管的內(nèi)壁及外壁上均勻覆蓋一層硅烷醇膜。
s3’:用空氣對放電管進行吹干,以干燥步驟s3中放電管的內(nèi)外壁上形成的硅烷醇膜。
s4:將所述放電管置于高溫爐中,從50℃逐步升溫至200℃,保溫120分鐘;再將溫度逐漸升溫至300℃,保溫15分鐘;再將溫度升溫至450℃,保溫15分鐘;繼續(xù)將溫度升溫至550℃,保溫90秒;最后升溫至640℃,保溫10秒,得到具有二氧化硅膜的放電管。
對實施例2中得到的放電管的二氧化硅膜的厚度進行測量得到,所述二氧化硅膜的厚度約為0.08μm。
對實施例2中得到的放電管在一定電壓下進行頻閃測試,以檢測所述放電管的強度。實施例2中,在電壓規(guī)格為240v,觸發(fā)電壓為3.84kv時,所述放電管經(jīng)歷45000次頻閃后,未產(chǎn)生爆管或漏光現(xiàn)象。
因此,采用實施例2的方法制備得到的放電管在鍍膜厚度較小的情況下,其強度得到增強。
實施例3
s1:在容器中配制由質(zhì)量百分比為8%的正硅酸、5%的偏硅酸、50%的醇類溶劑(甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、丙二醇)、25.8%的乙酸甲酯、11%的乙酸乙酯和0.2%的五氧化二磷混合形成的硅烷醇混合溶液。
s2:將外徑4mm的放電管完全浸入至s1中的硅烷醇混合溶液中,并將放電管的一端固定于提拉機的夾具之上。
s3:采用提拉機,將放電管以1500μm/min的速度向上進行提拉直至整個放電管完全離開所述硅烷醇混合溶液,此時,放電管的內(nèi)壁及外壁上均勻覆蓋一層硅烷醇膜。
s3’:用空氣對放電管進行吹干,以干燥步驟s3中放電管的內(nèi)外壁上形成的硅烷醇膜。
s4:將所述放電管置于高溫爐中,從50度逐步升溫至550℃,保溫20秒;再升溫至640℃,保溫20秒,得到具有二氧化硅膜的放電管。
對實施例3中得到的放電管的二氧化硅膜的厚度進行測量得到,所述二氧化硅膜的厚度約為0.11μm。
對實施例3中得到的放電管在一定電壓下進行頻閃測試,以檢測所述放電管的強度。實施例3中,在電壓規(guī)格為175v,觸發(fā)電壓為2.44kv時,所述放電管經(jīng)歷30000次頻閃后,未產(chǎn)生爆管或漏光現(xiàn)象。
因此,采用實施例3的方法制備得到的放電管在鍍膜厚度較小的情況下,其強度得到增強。
實施例4
實施例4的放電管的鍍膜方法與實施例1大致相同,區(qū)別之處僅在于實施例4中的步驟s3中,將放電管以3000μm/min的速度向上進行提拉直至整個放電管完全離開硅烷醇混合溶液。
對實施例4中得到的放電管的二氧化硅膜的厚度進行測量得到,所述二氧化硅膜的厚度約為0.07μm。
對實施例4中得到的放電管在一定電壓下進行頻閃測試,以檢測所述放電管的強度。實施例4中,在電壓規(guī)格為240v,觸發(fā)電壓為3.84kv時,所述放電管經(jīng)歷20000次頻閃后,未產(chǎn)生爆管或漏光現(xiàn)象。
因此,采用實施例4的方法制備得到的放電管在鍍膜厚度較小的情況下,其強度得到增強。
實施例5
實施例5的放電管的鍍膜方法與實施例1大致相同,區(qū)別之處僅在于實施例5中的步驟s3中,將放電管以5000μm/min的速度向上進行提拉直至整個放電管完全離開硅烷醇混合溶液。
對實施例5中得到的放電管的二氧化硅膜的厚度進行測量得到,所述二氧化硅膜的厚度約為0.06μm。
對實施例5中得到的放電管在一定電壓下進行頻閃測試,以檢測所述放電管的強度。實施例5中,在電壓規(guī)格為240v,觸發(fā)電壓為3.84kv時,所述放電管經(jīng)歷20000次頻閃后,未產(chǎn)生爆管或漏光現(xiàn)象。
因此,采用實施例5的方法制備得到的放電管在鍍膜厚度較小的情況下,其強度得到增強。
實施例6
實施例6的放電管的鍍膜方法與實施例1大致相同,區(qū)別之處僅在于實施例6中的步驟s3中,將放電管以7000μm/min的速度向上進行提拉直至整個放電管完全離開硅烷醇混合溶液。
對實施例6中得到的放電管的二氧化硅膜的厚度進行測量得到,所述二氧化硅膜的厚度約為0.05μm。
對實施例6中得到的放電管在一定電壓下進行頻閃測試,以檢測所述放電管的強度。實施例6中,在電壓規(guī)格為240v,觸發(fā)電壓為3.84kv時,所述放電管經(jīng)歷20000次頻閃后,未產(chǎn)生爆管或漏光現(xiàn)象。
因此,采用實施例6的方法制備得到的放電管在鍍膜厚度較小的情況下,其強度得到增強。
實施例7
實施例7的放電管的鍍膜方法與實施例2大致相同,區(qū)別之處僅在于實施例7中的步驟s3中,將放電管以3000μm/min的速度向上進行提拉直至整個放電管完全離開硅烷醇混合溶液。
對實施例7中得到的放電管的二氧化硅膜的厚度進行測量得到,所述二氧化硅膜的厚度約為0.07μm。
對實施例7中得到的放電管在一定電壓下進行頻閃測試,以檢測所述放電管的強度。實施例7中,在電壓規(guī)格為240v,觸發(fā)電壓為3.84kv時,所述放電管經(jīng)歷45000次頻閃后,未產(chǎn)生爆管或漏光現(xiàn)象。
因此,采用實施例7的方法制備得到的放電管在鍍膜厚度較小的情況下,其強度得到增強。
實施例8
實施例8的放電管的鍍膜方法與實施例2大致相同,區(qū)別之處僅在于實施例8中的步驟s3中,將放電管以5000μm/min的速度向上進行提拉直至整個放電管完全離開硅烷醇混合溶液。
對實施例8中得到的放電管的二氧化硅膜的厚度進行測量得到,所述二氧化硅膜的厚度約為0.06μm。
對實施例8中得到的放電管在一定電壓下進行頻閃測試,以檢測所述放電管的強度。實施例8中,在電壓規(guī)格為240v,觸發(fā)電壓為3.84kv時,所述放電管經(jīng)歷45000次頻閃后,未產(chǎn)生爆管或漏光現(xiàn)象。
因此,采用實施例8的方法制備得到的放電管在鍍膜厚度較小的情況下,其強度得到增強。
實施例9
實施例9的放電管的鍍膜方法與實施例2大致相同,區(qū)別之處僅在于實施例9中的步驟s3中,將放電管以7000μm/min的速度向上進行提拉直至整個放電管完全離開硅烷醇混合溶液。
對實施例9中得到的放電管的二氧化硅膜的厚度進行測量得到,所述二氧化硅膜的厚度約為0.05μm。
對實施例9中得到的放電管在一定電壓下進行頻閃測試,以檢測所述放電管的強度。實施例9中,在電壓規(guī)格為240v,觸發(fā)電壓為3.84kv時,所述放電管經(jīng)歷45000次頻閃后,未產(chǎn)生爆管或漏光現(xiàn)象。
因此,采用實施例9的方法制備得到的放電管在鍍膜厚度較小的情況下,其強度得到增強。
以上所述僅為本發(fā)明的實施方式,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。