技術總結
本發(fā)明公開了一種大面積超薄單晶及其快速生長方法。該方法包括：以熒光粉和氧化物基質(zhì)為原料，或者以熒光粉、氧化物基質(zhì)和稀土氧化物為原料，制備得到流模片后，再進行晶體生長，得到所述單晶。該方法具有如下優(yōu)勢：發(fā)光離子分布均勻濃度可控，大面積超薄片，超短生長周期，生長溫度低，成本低產(chǎn)量高。

技術研發(fā)人員：曹永革;麻朝陽
受保護的技術使用者：中國人民大學
文檔號碼：201610873041
技術研發(fā)日：2016.09.30
技術公布日：2017.01.04