1.一種Al-Te-Cu-Zr合金濺射靶，其特征在于，所述濺射靶含有20原子％～40原子％的Te、5原子％～20原子％的Cu、5原子％～15原子％的Zr，剩余部分包含Al，并且在靶組織中不存在Te相、Cu相和CuTe相。
2.如權(quán)利要求1所述的Al-Te-Cu-Zr合金濺射靶，其特征在于，在靶組織中存在Al相、CuAl相、TeZr相和Zr相。
3.如權(quán)利要求1或2所述的Al-Te-Cu-Zr合金濺射靶，其特征在于，所述濺射靶的平均粒徑為10μm以下。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的Al-Te-Cu-Zr合金濺射靶，其特征在于，所述濺射靶的純度為3N以上，氧含量為3000重量ppm以下。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的Al-Te-Cu-Zr合金濺射靶，其特征在于，所述濺射靶含有選自Si、C、Ti、Hf、V、Nb、Ta、鑭系元素、Ge、Zn、Co、Ni、Fe、Mg、Ga、S、Se中的任意一種以上元素。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的Al-Te-Cu-Zr合金濺射靶，其特征在于，所述濺射靶的相對(duì)密度為90％以上。
7.一種Al-Te-Cu-Zr合金濺射靶的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：熔煉Cu原料和Te原料而制作CuTe合金錠的工序；將CuTe合金錠粉碎，然后對(duì)CuTe粉碎粉和Zr原料粉進(jìn)行熱壓而制作CuTeZr合金的工序；將CuTeZr合金粉碎，然后對(duì)CuTeZr粉碎粉和Al原料粉進(jìn)行熱壓而制作CuTeZrAl合金的工序。
8.如權(quán)利要求7所述的Al-Te-Cu-Zr合金濺射靶的制造方法，其特征在于，在300℃～400℃的溫度下對(duì)CuTe粉碎粉和Zr原料粉進(jìn)行熱壓而制作CuTeZr合金。
9.如權(quán)利要求7所述的Al-Te-Cu-Zr合金濺射靶的制造方法，其特征在于，在400℃～600℃的溫度下對(duì)CuTe粉碎粉和Zr原料粉進(jìn)行熱壓而制作CuTeZr合金。
10.如權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)所述的Al-Te-Cu-Zr合金濺射靶的制造方法，其特征在于，在將CuTeZr合金粉碎的工序中，在惰性氣氛或真空狀態(tài)下將合金粉碎。
11.一種Al-Te-Cu-Zr合金濺射靶的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：熔煉Cu原料和Te原料而制作CuTe合金錠的工序；將CuTe合金錠粉碎，然后對(duì)CuTe粉碎粉、Zr原料粉和Al原料粉進(jìn)行熱壓而制作CuTeZrAl合金的工序。
12.如權(quán)利要求11所述的Al-Te-Cu-Zr合金濺射靶的制造方法，其特征在于，在300℃～600℃的溫度下對(duì)CuTe粉碎粉、Zr原料粉和Al原料粉進(jìn)行熱壓而制作CuTeZrAl合金。
13.如權(quán)利要求6至12中任一項(xiàng)所述的Al-Te-Cu-Zr合金濺射靶的制造方法，其特征在于，使用平均粒徑為0.1μm～10μm的CuTe粉碎粉、平均粒徑為0.1μm～10μm的Zr原料粉、平均粒徑為0.1μm～10μm的Al原料粉。
14.如權(quán)利要求6至13中任一項(xiàng)所述的Al-Te-Cu-Zr合金濺射靶的制造方法，其特征在于，對(duì)CuTe粉碎粉進(jìn)行氫還原。
15.如權(quán)利要求6至14中任一項(xiàng)所述的Al-Te-Cu-Zr合金濺射靶的制造方法，其特征在于，在將CuTe合金粉碎的工序中，在惰性氣氛或真空狀態(tài)下將合金粉碎。