技術(shù)特征：

1.一種具有高硬度與自潤滑性的涂層，其特征是：所述涂層中包括具有高強(qiáng)韌性的非晶納米晶結(jié)構(gòu)，也包括MAX相層狀結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的具有高硬度與自潤滑性的涂層，其特征是：所述的MAX相包括211相、312相、413相、514相、615相、716相、523相或者725相中的任一種或者其中幾種的組合；

作為優(yōu)選，211相是Ti₂AlC、Ti₂AlN、Hf₂PbN、Cr₂GaC、V₂AsC、Ti₂InN、Nb₂AlC、(Nb,Ti)₂AlC、Ti₂AlN_0.5C_0.5、Nb₂GaC、Nb₂AsC、Zr₂InN、Ti₂GeC、Cr₂AlC、Zr₂SC、Mo₂GaC、Ti₂CdC、Hf₂InN、Zr₂SnC、Ta₂AlC、Ti₂SC、Ta₂GaC、Sc₂InC、Hf₂SnN、Hf₂SnC、V₂AlC、Nb₂SC、Ti₂GaN、Ti₂InC、Ti₂TIC、Ti₂SnC、V₂PC、Hf₂SC、Cr₂GaN、Zr₂InC、Zr₂TIC、Nb₂SnC、Nb₂PC、Ti₂GaC、V₂GaN、Nb₂InC、Hf₂TIC、Zr₂PbC、Ti₂PbC、V₂GaC、V₂GeC、Hf₂InC或者Zr₂TIN；

作為優(yōu)選，312相是Ti₃AlC₂、Ti₃GeC₂、Ti₃SiC₂、Ti₃SnC₂、Ta₃AlC₂、(V_0.5Cr_0.5)₃AlC₂、V₃AlC₂或者Ta₃Al_0.6Sn_0.4C₂；

作為優(yōu)選，413相是Ti₄SiC₃、Ti₄GaC₃、Ti₄GeC₃、α-Ta₄AlC₃、β-Ta₄AlC₃、Nb₄AlC₃、V₄AlC₃、(V,Cr)₄AlC₃；

作為優(yōu)選，514相是(Nb_0.5Ti_0.5)₅AlC₄；

作為優(yōu)選，615相是β-Ta₆AlC₅；

作為優(yōu)選，716相是Ti₇SnC₆；

作為優(yōu)選，523相是(V_0.5Cr_0.5)₅Al₂C₃、Ti₅Al₂C₃、Ti₅Si₂C₃或者Ti₅Ge₂C₃；

作為優(yōu)選，725相是Ti₇Si₂C₅或者Ti₇Ge₂C₅。

3.如權(quán)利要求1所述的具有高硬度與自潤滑性的涂層，其特征是：所述的非晶納米晶結(jié)構(gòu)材料是鈦基非晶納米晶材料或者鉻基非晶納米晶材料。

4.如權(quán)利要求1所述的具有高硬度與自潤滑性的涂層，其特征是：所述涂層中包括納米晶TiN、非晶Si₃N₄，以及由Ti-Si-C三種元素構(gòu)成的MAX相層狀結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的具有高硬度與自潤滑性的涂層，其特征是：所述MAX相層狀結(jié)構(gòu)包括Ti₄SiC₃、Ti₃SiC₂、Ti₅Si₂C₃、Ti₇Si₂C₅中的一種或者兩種以上的混合。

6.如權(quán)利要求4或5所述的具有高硬度與自潤滑性的涂層，其特征是：所述涂層的硬度為30-40GPa，摩擦系數(shù)為0.1-0.2。

7.制備如權(quán)利要求4或5所述的具有高硬度與自潤滑性的涂層的方法，其特征是：采用多弧離子鍍物理氣相沉積技術(shù)，具體包括如下步驟：

(1)將待沉積涂層的基體進(jìn)行表面清洗處理，然后送入真空室進(jìn)行預(yù)抽真空，并且保持真空室內(nèi)溫度為350-450℃；

(2)充入惰性氣體氬氣，采用多弧離子鍍技術(shù)清洗刻蝕所述基體表面；

(3)采用純鈦靶材，反應(yīng)氣體為乙炔或者氮?dú)?，利用多弧離子鍍技術(shù)沉積TiC過渡層或者TiN過渡層；

(4)采用TiSi靶材，反應(yīng)氣體為乙炔和氮?dú)獾幕旌蠚怏w，利用多弧離子鍍技術(shù)沉積所述涂層，然后隨爐冷卻后取出；

所述的鈦硅靶材中，硅元素的質(zhì)量百分比含量為5-15％；

所述的沉積過程中，氣壓為0.5-5Pa，靶電流為60-80A，基體偏壓為10-40V，沉積溫度為400-450℃；

(5)將經(jīng)步驟(4)處理后的基體進(jìn)行真空或保護(hù)氣氛熱處理，熱處理溫度為600-1000℃。

8.如權(quán)利要求7所述的制備具有高硬度與自潤滑性的涂層的方法，其特征是：所述的步驟(2)中，刻蝕時(shí)采用的靶材是純鈦靶材、鈦硅靶材或者硅靶材；

作為優(yōu)選，所述的步驟(2)中，刻蝕所用偏壓為900-1200V；

作為優(yōu)選，所述的步驟(2)中，作為優(yōu)選，所述的靶電流控制在40-50A；

作為優(yōu)選，所述的步驟(2)中，所述的刻蝕時(shí)間為5-10min；

作為優(yōu)選，所述的步驟(2)中，刻蝕三次以上，刻蝕偏壓由低到高逐漸增加。

9.如權(quán)利要求7所述的制備具有高硬度與自潤滑性的涂層的方法，其特征是：

所述的步驟(3)中，純鈦靶材的純度大于或者等于99.9at.％；

作為優(yōu)選，所述的步驟(3)中，TiC過渡層或者TiN過渡層的厚度為100-200nm；

作為優(yōu)選，所述的步驟(3)中，氮?dú)鈿鈮簽?.5-5Pa，靶電流為60-80A，基體偏壓為70-120V，沉積溫度為350-450℃；

作為優(yōu)選，所述的步驟(3)中，乙炔氣壓為0.5-5Pa，靶電流為60-80A，基體偏壓為70-120V，沉積溫度為350-450℃。

10.如權(quán)利要求7所述的制備具有高硬度與自潤滑性的涂層的方法，其特征是：所述的步驟(5)中，熱處理時(shí)間為1-3小時(shí)。