1.電容器級粉末的制造方法，包括：
將粉末的漿料進(jìn)料到包括旋轉(zhuǎn)霧化器盤的噴霧干燥器中并形成經(jīng)干燥的團(tuán)聚粉末，以及
熱處理所述經(jīng)干燥的團(tuán)聚粉末以形成所述電容器級粉末，其中，所述粉末是鉭、鈮、或者鈮低價(jià)態(tài)氧化物。
2.權(quán)利要求1的方法，其中，所述粉末是鉭金屬粉末。
3.權(quán)利要求1的方法，其中，所述粉末是鈮金屬粉末。
4.權(quán)利要求1的方法，其中，所述粉末是作為NbOx的鈮低價(jià)態(tài)氧化物粉末，其中x為0.7至1.2。
5.權(quán)利要求1的方法，其中，所述粉末是作為NbOx的鈮低價(jià)態(tài)氧化物，其中x為0.8至1。
6.權(quán)利要求1的方法，其中，基于所述漿料的總重量，所述漿料包含約35重量％至約70重量％的鉭粉末。
7.權(quán)利要求6的方法，其中，所述漿料是含水漿料。
8.權(quán)利要求6的方法，其中，所述漿料是水漿料。
9.權(quán)利要求1的方法，其中，基于所述漿料的總重量，所述漿料包含約40重量％至約60重量％的鉭粉末。
10.權(quán)利要求1的方法，其中，基于所述漿料的總重量，所述漿料包含約45重量％至約55重量％的鉭粉末。
11.權(quán)利要求1的方法，其中，所述旋轉(zhuǎn)霧化器盤以5,000rpm或更高進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
12.權(quán)利要求1的方法，其中，所述旋轉(zhuǎn)霧化器盤以10,000rpm或更高進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
13.權(quán)利要求1的方法，其中，所述旋轉(zhuǎn)霧化器盤以約10,000rpm至約50,000rpm進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
14.權(quán)利要求1的方法，其中，所述旋轉(zhuǎn)霧化器盤以約15,000rpm至約40,000rpm進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
15.權(quán)利要求1的方法，其中，所述旋轉(zhuǎn)霧化器盤具有至少20mm的直徑。
16.權(quán)利要求1的方法，其中，所述旋轉(zhuǎn)霧化器盤具有約20mm至約200mm的直徑。
17.權(quán)利要求1的方法，其中，所述旋轉(zhuǎn)霧化器盤具有約35mm至約150mm的直徑。
18.權(quán)利要求1的方法，其中，所述旋轉(zhuǎn)霧化器盤具有約50mm至約125mm的直徑。
19.權(quán)利要求1的方法，其中，所述噴霧干燥器具有至少100℃的入口溫度。
20.權(quán)利要求1的方法，其中，所述噴霧干燥器具有約100℃至約200℃的入口溫度。
21.權(quán)利要求1的方法，其中，所述噴霧干燥器具有約120℃至約170℃的入口溫度。
22.權(quán)利要求1的方法，其中，所述噴霧干燥器具有約130℃至約150℃的入口溫度。
23.權(quán)利要求1的方法，其中，所述噴霧干燥器具有比入口溫度低至少10℃的出口溫度。
24.權(quán)利要求1的方法，其中，所述噴霧干燥器具有比入口溫度低至少20℃的出口溫度。
25.權(quán)利要求1的方法，其中，所述噴霧干燥器具有比入口溫度低至少30℃的出口溫度。
26.權(quán)利要求1的方法，其中，所述噴霧干燥器具有比入口溫度低至少50℃的出口溫度。
27.權(quán)利要求1的方法，其中，所述噴霧干燥器具有比入口溫度低約10℃至約100℃的出口溫度。
28.權(quán)利要求1的方法，其中，所述噴霧干燥器具有比入口溫度低約50℃至約100℃的出口溫度。
29.權(quán)利要求1的方法，其中，將所述漿料以至少0.5kg/小時(shí)的進(jìn)料速率進(jìn)料到所述噴霧干燥器中。
30.權(quán)利要求1的方法，其中，將所述漿料以至少1kg/小時(shí)的進(jìn)料速率進(jìn)料到所述噴霧干燥器中。
31.權(quán)利要求1的方法，其中，將所述漿料以至少2kg/小時(shí)的進(jìn)料速率進(jìn)料到所述噴霧干燥器中。
32.權(quán)利要求1的方法，其中，所述漿料以約0.5kg/小時(shí)至約5kg/小時(shí)的進(jìn)料速率進(jìn)料到所述噴霧干燥器中。
33.權(quán)利要求1的方法，其中，所述漿料以約1kg/小時(shí)至約4kg/小時(shí)的進(jìn)料速率進(jìn)料到所述噴霧干燥器中。
34.權(quán)利要求1的方法，所述方法進(jìn)一步包括干燥所述電容器級粉末以進(jìn)一步減少水分含量。
35.權(quán)利要求34的方法，其中，所述干燥是在至少50℃的溫度下至少1小時(shí)。
36.權(quán)利要求34的方法，其中，所述干燥是在至少70℃的溫度下至少3小時(shí)。
37.權(quán)利要求1的方法，所述方法進(jìn)一步包括干燥所述電容器級粉末，以進(jìn)一步將水分含量降低至小于0.5重量％的水分含量，基于所述電容器級粉末的重量。
38.權(quán)利要求1的方法，其中，所述熱處理是在至少800℃的溫度下。
39.權(quán)利要求1的方法，其中，所述熱處理是在至少1,000℃的溫度下。
40.權(quán)利要求1的方法，其中，所述熱處理是在約800℃至約1300℃的溫度下。
41.權(quán)利要求1的方法，其中，所述熱處理是在約1,000℃至約1,300℃的溫度下。
42.權(quán)利要求1的方法，其中，所述熱處理為至少10分鐘。
43.權(quán)利要求1的方法，其中，所述熱處理為至少30分鐘。
44.權(quán)利要求1的方法，其中，所述熱處理為約10分鐘至2小時(shí)的時(shí)間。
45.權(quán)利要求1的方法，所述方法進(jìn)一步包括使所述電容器級粉末經(jīng)受至少一次脫氧。
46.權(quán)利要求45的方法，其中，所述脫氧包括在至少一種吸氧劑的存在下使所述電容器級粉末經(jīng)受約500℃至1,000℃的溫度。
47.權(quán)利要求45的方法，其中，所述脫氧包括利用至少一種吸氧劑。
48.權(quán)利要求47的方法，其中，所述吸氧劑是金屬鎂。
49.權(quán)利要求1的方法，其中，所述漿料中的所述粉末是磷摻雜的。
50.權(quán)利要求1的方法，其中，所述漿料中的所述粉末是磷摻雜至至少50ppm的水平。
51.權(quán)利要求1的方法，其中，所述漿料中的所述粉末是磷摻雜至至少100ppm的水平。
52.權(quán)利要求1的方法，其中，所述漿料中的所述粉末是磷摻雜至約50ppm至約500ppm的水平。
53.權(quán)利要求1的方法，其中，所述粉末是經(jīng)鈉還原的鉭粉末。
54.權(quán)利要求1的方法，其中，所述粉末是經(jīng)酸洗的粉末。
55.權(quán)利要求1的方法，其中，所述粉末是經(jīng)酸洗且經(jīng)真空干燥的粉末。
56.權(quán)利要求1的方法，其中，所述粉末是經(jīng)鈉還原的鉭粉末，其在形成為所述漿料之前已經(jīng)經(jīng)過酸洗和真空干燥。
57.權(quán)利要求1的方法，所述方法進(jìn)一步包括將所述粉末在形成為所述漿料之前進(jìn)行破碎。
58.權(quán)利要求56的方法，其中，所述破碎包括使所述粉末供給通過磨機(jī)。
59.權(quán)利要求57的方法，其中，所述破碎將粒徑減小到從D50大于5微米至小于2.5微米的粒徑，所述粒徑通過Microtrac測得。
60.權(quán)利要求1的方法，其中，所述電容器級粉末具有至少14g/立方英寸的斯科特密度。
61.權(quán)利要求1的方法，其中，所述電容器級粉末具有至少20g/立方英寸的斯科特密度。
62.權(quán)利要求1的方法，其中，所述電容器級粉末具有至少25g/立方英寸的斯科特密度。
63.權(quán)利要求1的方法，其中，所述電容器級粉末具有約20g/立方英寸至約40g/立方英寸的斯科特密度。
64.權(quán)利要求1的方法，其中，所述電容器級粉末具有約14g/立方英寸至約40g/立方英寸的斯科特密度。
65.權(quán)利要求1的方法，其中，所述電容器級粉末具有以下性質(zhì)中的至少一種：
a)約14g/立方英寸至約40g/立方英寸的斯科特密度，
b)約5微米至約25微米的D10粒徑，
c)約20微米至約50微米的D50粒徑，
d)約30微米至約100微米的D90粒徑，
e)約0.5m2/g至約20m2/g的BET表面積。
66.權(quán)利要求1的方法，其中，所述電容器級粉末具有以下性質(zhì)中的至少一種：
a)約20g/立方英寸至約37g/立方英寸的斯科特密度，
b)約12微米至約25微米的D10粒徑，
c)約20微米至約40微米的D50粒徑，
d)約30微米至約70微米的D90粒徑，
e)約0.7m2/g至約15m2/g的BET表面積。
67.權(quán)利要求1的方法，其中，
所述漿料包含約35重量％至約70重量％的鉭粉末，基于所述漿料的總重量，
所述漿料是含水漿料，
所述旋轉(zhuǎn)霧化器盤以約10,000rpm至約50,000rpm進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，
所述旋轉(zhuǎn)霧化器盤的直徑為約20mm至約200mm，
所述噴霧干燥器具有約100℃至約200℃的入口溫度，
所述噴霧干燥器具有比入口溫度低至少35℃的出口溫度，
所述漿料以至少0.5kg/小時(shí)的進(jìn)料速率進(jìn)料到所述噴霧干燥器中，而且
所述熱處理是在至少800℃的溫度下。
68.權(quán)利要求1的方法，其中，所述旋轉(zhuǎn)霧化器盤以至少25m/s的圓周速度旋轉(zhuǎn)。
69.權(quán)利要求1的方法，其中，所述旋轉(zhuǎn)霧化器盤以至少30m/s的圓周速度旋轉(zhuǎn)。
70.權(quán)利要求1的方法，其中，所述旋轉(zhuǎn)霧化器盤以約25m/s至約125m/s的圓周速度旋轉(zhuǎn)。
71.權(quán)利要求1的方法，其中，所述旋轉(zhuǎn)霧化器盤以約30m/s至約100m/s的圓周速度旋轉(zhuǎn)。