多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包含有一腔體、至少一氣體源、一第一沉積組件及一第二沉積組件。該氣體源供應(yīng)一輸入該腔體內(nèi)的氣體，該第一沉積組件設(shè)置于該腔體內(nèi)，包含一供承載一第一基板的第一載板以及相對(duì)設(shè)置于該第一載板的兩側(cè)并以該氣體產(chǎn)生一第一電漿的一第一電極組，該第二沉積組件與該第一沉積組件相鄰，并包含一供承載一第二基板的第二載板以及相對(duì)設(shè)置于該第二載板的兩側(cè)并以該氣體產(chǎn)生一第二電漿的一第二電極組。據(jù)此，本實(shí)用新型可有效利用該腔體的空間，同時(shí)對(duì)該第一基板及該第二基板進(jìn)行薄膜成長(zhǎng)，增加產(chǎn)量。
【專利說(shuō)明】多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型為有關(guān)一種半導(dǎo)體制程設(shè)備，尤指一種多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]電衆(zhòng)輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposit1n,PECVD)，為一種應(yīng)用于半導(dǎo)體制程中常見(jiàn)的成膜設(shè)備，其為將含有薄膜組成原子的氣體離子化形成電漿態(tài)，利用電漿態(tài)具有較強(qiáng)的化學(xué)活性而容易進(jìn)行反應(yīng)的特性，得以于基板上沉積出所欲成長(zhǎng)的薄膜，由于此方法利用電漿態(tài)的活性促進(jìn)反應(yīng)，具有沉積速率快、成膜品質(zhì)佳的優(yōu)點(diǎn)。
[0003]在臺(tái)灣發(fā)明專利公告第1411701號(hào)中，即揭示一種電漿輔助式化學(xué)氣相沉積裝置，包括一制程腔室、一上電極、一下電極以及至少一圖案化介質(zhì)材料裝置。該上電極與該下電極相對(duì)設(shè)置于該制程腔室內(nèi)，用以產(chǎn)生一電漿輔助式化學(xué)氣相沉積反應(yīng)，以將一薄膜材料沉積于一設(shè)置于該下電極上的基板上。該圖案化介質(zhì)材料裝置為設(shè)置于該下電極上，并與該基板的至少一邊角相鄰設(shè)置，以改善成膜的均勻性。
[0004]然而，現(xiàn)有一般的電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，由于在該制程腔室中，考量成膜的均勻性，皆僅于一較佳的成膜位置放置該基板以進(jìn)行成膜，浪費(fèi)該制程腔室若大的空間，而有徒增該電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備的體積以及產(chǎn)量受限制的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的主要目的，在于解決現(xiàn)有的電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，具有徒增該電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備的體積以及產(chǎn)量受限制的問(wèn)題。
[0006]為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提供一種多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包含有一腔體、至少一氣體源、一第一沉積組件以及一第二沉積組件。該氣體源供應(yīng)一輸入該腔體內(nèi)的氣體，該第一沉積組件設(shè)置于該腔體內(nèi)，并包含一供承載一第一基板的第一載板以及相對(duì)設(shè)置于該第一載板的兩側(cè)并以該氣體產(chǎn)生一第一電衆(zhòng)的一第一電極組，該第二沉積組件設(shè)置于該腔體內(nèi)并與該第一沉積組件相鄰，該第二沉積組件包含一供承載一第二基板的第二載板以及相對(duì)設(shè)置于該第二載板的兩側(cè)并以該氣體產(chǎn)生一第二電漿的一第二電極組。
[0007]所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，該第一電極組包含一第一正電極以及一第一負(fù)電極，該第一正電極及該第一負(fù)電極電性連接至一射頻電源。
[0008]所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，該第二電極組包含一第二正電極以及一第二負(fù)電極，該第二正電極及該第二負(fù)電極電性連接至一射頻電源。
[0009]所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，還包含一與該腔體連通以維持該腔體內(nèi)的真空度的真空泵。
[0010]所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，該腔體包含一容置該第一沉積組件與該第二沉積組件的沉積區(qū)域、一與該沉積區(qū)域間隔設(shè)置的輸入?yún)^(qū)域以及一與該沉積區(qū)域間隔設(shè)置而遠(yuǎn)離該輸入?yún)^(qū)域的輸出區(qū)域。
[0011]所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，還包含一與該腔體連通以維持該腔體內(nèi)的真空度的真空泵，該真空泵與該沉積區(qū)域、該輸入?yún)^(qū)域及該輸出區(qū)域各別連通。
[0012]所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，該腔體還包含一間隔該沉積區(qū)域與該輸入?yún)^(qū)域的輸入閘門以及一間隔該沉積區(qū)域與該輸出區(qū)域的輸出閘門。
[0013]所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，該輸入?yún)^(qū)域包含一將該第一基板從該輸入?yún)^(qū)域輸送至該第一載板承載的第一輸入載板以及一將該第二基板從該輸入?yún)^(qū)域輸送至該第二載板承載的第二輸入載板。
[0014]所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中，該輸出區(qū)域包含一承載由該沉積區(qū)域的該第一載板輸出的該第一基板的第一輸出載板以及一承載由該沉積區(qū)域的該第二載板輸出的該第二基板的第二輸出載板。
[0015]如此一來(lái)，本實(shí)用新型藉由于該腔體內(nèi)設(shè)置該第一沉積組件以及該第二沉積組件，由該第一電極組與該第二電極組分別產(chǎn)生該第一電漿及該第二電漿，而得以于該腔體內(nèi)同時(shí)進(jìn)行該第一基板以及該第二基板的成膜，相較現(xiàn)有的電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備以單一個(gè)沉積組件成膜，不僅保有成膜的均勻性，還可有效利用該腔體的空間，增加產(chǎn)量。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1，為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；
[0017]圖2，為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018]有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說(shuō)明及技術(shù)內(nèi)容，現(xiàn)就配合圖式說(shuō)明如下:
[0019]請(qǐng)參閱圖1所示，為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖，如圖所示:本實(shí)用新型提供一種多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，可用以沉積防水涂料及親水涂料，該多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備包含有一腔體10a、至少一氣體源20、一第一沉積組件30以及一第二沉積組件40。
[0020]該腔體1a可使用鋁合金制成，并經(jīng)表面陽(yáng)極處理以防止腐蝕，該氣體源20在此以一個(gè)為舉例，但不以此為限制，該氣體源20主要為供應(yīng)一含有所欲成長(zhǎng)的一薄膜的多個(gè)原子的氣體21，例如可為氟碳化合物，該氣體源20與該腔體1a連通，以輸送該氣體21至該腔體1a內(nèi)。
[0021]該第一沉積組件30設(shè)置于該腔體1a內(nèi)，并包含一第一載板31以及一第一電極組32，該第一載板31供承載一欲成長(zhǎng)該薄膜的第一基板1，該第一電極組32包含一第一正電極321以及一第一負(fù)電極322,該第一正電極321與該第一負(fù)電極322為相對(duì)設(shè)置于該第一載板31的上、下兩側(cè)。該第二沉積組件40設(shè)置于該腔體1a內(nèi)而與該第一沉積組件30相鄰，該第二沉積組件40包含一第二載板41以及一第二電極組42，在本實(shí)施例中，該第二載板41設(shè)置于該第一載板31下方,供承載一欲成長(zhǎng)該薄膜的第二基板2,該第二電極組42包含一第二正電極421以及一第二負(fù)電極422，該第二正電極421與該第二負(fù)電極422為相對(duì)設(shè)置于該第二載板41的上、下兩側(cè)。
[0022]在此實(shí)施例中，該多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備還包含有一射頻電源60以及一真空泵(vacuum pump) 50a,該射頻電源60分別供應(yīng)該第一電極組32以及該第二電極組42所需的一射頻電力，而分別與該第一正電極321與該第一負(fù)電極322、該第二正電極421與該第二負(fù)電極422電性連接,用以將于該腔體1a內(nèi)的該氣體21形成一第一電衆(zhòng)33與一第二電漿43，該射頻電力的頻率可為13.56MHz。該真空泵50a為與該腔體1a連通，以維持該腔體1a內(nèi)用以產(chǎn)生該第一電漿33與該第二電漿43所需的一真空度，該真空度可介于25至100mT。
[0023]如此一來(lái)，于單一個(gè)該腔體1a內(nèi)，該第一沉積組件30即可利用該第一電極組32將該氣體21形成該第一電衆(zhòng)33,于該第一載板31上的該第一基板I進(jìn)行該薄膜的成長(zhǎng)，且該第二沉積組件40可同時(shí)利用該第二電極組42將該氣體21形成該第二電漿43，于該第二載板41上的該第二基板2進(jìn)行該薄膜的成長(zhǎng)。
[0024]請(qǐng)參閱圖2所示，為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖，在第二實(shí)施例中，與第一實(shí)施例相較，第二實(shí)施例的特征在于該腔體1b之中還包含有一沉積區(qū)域11、一輸入?yún)^(qū)域12以及一輸出區(qū)域13，該沉積區(qū)域11容置有該第一沉積組件30以及該第二沉積組件40，該輸入?yún)^(qū)域12與該沉積區(qū)域11相隔設(shè)置，而由一可進(jìn)行開啟及關(guān)閉的輸入閘門14間隔，該輸入?yún)^(qū)域12包含一對(duì)應(yīng)該第一載板31的第一輸入載板121以及一對(duì)應(yīng)該第二載板41的第二輸入載板122,該第一輸入載板121及該第二輸入載板122可藉由該輸入閘門14的開啟，分別對(duì)應(yīng)將該第一基板I及該第二基板2輸送至該第一載板31及該第二載板41承載以進(jìn)行該薄膜的成長(zhǎng)。
[0025]該輸出區(qū)域13與該沉積區(qū)域11相隔設(shè)置而遠(yuǎn)離該輸入?yún)^(qū)域12，該輸出區(qū)域13與該沉積區(qū)域11之間則由一可進(jìn)行開啟及關(guān)閉的輸出閘門15間隔，該輸出區(qū)域13包含一對(duì)應(yīng)該第一載板31的第一輸出載板131以及一對(duì)應(yīng)該第二載板41的第二輸出載板132，當(dāng)該輸出閘門15開啟時(shí),該第一輸出載板131以及該第二輸出載板132可分別對(duì)應(yīng)承載由該第一載板31及該第二載板41輸出并已完成該薄膜的成長(zhǎng)的該第一基板I以及該第二基板2。
[0026]再者，于第二實(shí)施例之中，該真空泵50b與該沉積區(qū)域11、該輸入?yún)^(qū)域12及該輸出區(qū)域13各別連通，而可利用該輸入閘門14以及該輸出閘門15各別的開啟及關(guān)閉，而分別維持該沉積區(qū)域11、該輸入?yún)^(qū)域12及該輸出區(qū)域13的真空度。如此，當(dāng)該沉積區(qū)域11處于一高的真空度時(shí)，欲放入該第一基板I及該第二基板2時(shí)，可在該輸入閘門14關(guān)閉的狀態(tài)下，利用該真空泵50b將該輸入?yún)^(qū)域12亦抽至一高的該真空度，再開啟該輸入閘門14，由該第一輸入載板121及該第二輸入載板122將該第一基板I及該第二基板2分別輸送至該第一載板31及該第二載板41，再關(guān)閉該輸入閘門14，而可在不破壞該沉積區(qū)域11的該真空度的狀況下，放入該第一基板I及該第二基板2。
[0027]同理，當(dāng)欲將該第一基板I及該第二基板2從該沉積區(qū)域11取出時(shí)，可在該輸出閘門15關(guān)閉的狀態(tài)下，利用該真空泵50b將該輸出區(qū)域13亦抽至一高的該真空度，再開啟該輸出閘門15,由該第一載板31及該第二載板41將該第一基板I及該第二基板2輸送至該第一輸出載板131及該第二輸出載板132，再關(guān)閉該輸出閘門15，而可在不破壞該沉積區(qū)域11的該真空度的狀況下，取出該第一基板I及該第二基板2。
[0028]綜上所述，由于本實(shí)用新型于該腔體內(nèi)設(shè)置該第一沉積組件以及該第二沉積組件，由該第一電極組與該第二電極組分別產(chǎn)生該第一電漿及該第二電漿，而得以于該腔體內(nèi)同時(shí)進(jìn)行該第一基板以及該第二基板的成膜，相較現(xiàn)有的電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，不僅保有成膜的均勻性，還可有效利用該腔體的空間，增加產(chǎn)量。再者，本實(shí)用新型還設(shè)置有該沉積區(qū)域、該輸入?yún)^(qū)域及該輸出區(qū)域，可利用該輸入閘門與該輸出閘門的開啟及關(guān)閉，在不破壞該沉積區(qū)域的真空度的狀態(tài)下，放入與取出該第一基板及該第二基板，以維持該多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備于成膜的穩(wěn)定品質(zhì)，因此本實(shí)用新型極具進(jìn)步性及符合申請(qǐng)實(shí)用新型專利的要件，爰依法提出申請(qǐng)，祈鈞局早日賜準(zhǔn)專利，實(shí)感德便。
[0029]以上已將本實(shí)用新型做一詳細(xì)說(shuō)明，惟以上所述者，僅為本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍。即凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)范圍所作的均等變化與修飾等，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型的專利涵蓋范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種多層連續(xù)式電衆(zhòng)輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備,其特征在于,包含有: 一腔體； 至少一供應(yīng)輸入該腔體內(nèi)的一氣體的氣體源； 一設(shè)置于該腔體內(nèi)的第一沉積組件，該第一沉積組件包含一供承載一第一基板的第一載板以及相對(duì)設(shè)置于該第一載板的兩側(cè)并以該氣體產(chǎn)生一第一電衆(zhòng)的一第一電極組；以及 一設(shè)置于該腔體內(nèi)并與該第一沉積組件相鄰的第二沉積組件，該第二沉積組件包含一供承載一第二基板的第二載板以及相對(duì)設(shè)置于該第二載板的兩側(cè)并以該氣體產(chǎn)生一第二電漿的一第二電極組。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，該第一電極組包含一第一正電極以及一第一負(fù)電極，該第一正電極及該第一負(fù)電極電性連接至一射頻電源。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，該第二電極組包含一第二正電極以及一第二負(fù)電極，該第二正電極及該第二負(fù)電極電性連接至一射頻電源。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，還包含一與該腔體連通以維持該腔體內(nèi)的真空度的真空泵。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，該腔體包含一容置該第一沉積組件與該第二沉積組件的沉積區(qū)域、一與該沉積區(qū)域間隔設(shè)置的輸入?yún)^(qū)域以及一與該沉積區(qū)域間隔設(shè)置而遠(yuǎn)離該輸入?yún)^(qū)域的輸出區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，還包含一與該腔體連通以維持該腔體內(nèi)的真空度的真空泵，該真空泵與該沉積區(qū)域、該輸入?yún)^(qū)域及該輸出區(qū)域各別連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，該腔體還包含一間隔該沉積區(qū)域與該輸入?yún)^(qū)域的輸入閘門以及一間隔該沉積區(qū)域與該輸出區(qū)域的輸出閘門。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，該輸入?yún)^(qū)域包含一將該第一基板從該輸入?yún)^(qū)域輸送至該第一載板承載的第一輸入載板以及一將該第二基板從該輸入?yún)^(qū)域輸送至該第二載板承載的第二輸入載板。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層連續(xù)式電漿輔助化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，該輸出區(qū)域包含一承載由該沉積區(qū)域的該第一載板輸出的該第一基板的第一輸出載板以及一承載由該沉積區(qū)域的該第二載板輸出的該第二基板的第二輸出載板。
【文檔編號(hào)】C23C16/513GK203976912SQ201420104340
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2014年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月7日
【發(fā)明者】鄭錫輝, 陳正士, 坂本昇一郎, 蔡依廷 申請(qǐng)人:豐捷應(yīng)用材料有限公司