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銅-鎳合金的電鍍液以及鍍覆方法

文檔序號(hào):3308312閱讀:538來(lái)源:國(guó)知局
銅-鎳合金的電鍍液以及鍍覆方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種銅-鎳合金電鍍液,其特征在于,含有以下化合物,并且pH值為3~8:(a)銅鹽以及鎳鹽,(b)金屬絡(luò)合劑,(c)彼此不同的多種導(dǎo)電性賦予鹽,(d)選自二硫化合物、含硫氨基酸、及其鹽所組成的群組的化合物,(e)選自磺酸化合物、硫酰亞胺化合物、氨基磺酸化合物、磺酰胺、及其鹽所組成的群組的化合物、以及(f)縮水甘油醚和多元醇的反應(yīng)生成物。
【專利說(shuō)明】銅-鎳合金的電鍍液以及鍍覆方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種銅-鎳合金的電鍍液以及鍍覆方法。更詳細(xì)地,本發(fā)明涉及一種 液體穩(wěn)定性優(yōu)良的鍍液以及鍍覆方法,其可在被鍍物體上得到以任意合金比例的銅和鎳的 均一組成的鍍膜。

【背景技術(shù)】
[0002] -般地,銅-鎳合金通過(guò)改變銅和鎳的比例,顯示出優(yōu)良的耐腐蝕性、延展性、力口 工性、高溫特性等性質(zhì),而且還具有電阻率、熱阻系數(shù)、溫差電動(dòng)勢(shì)、熱膨脹系數(shù)等特征性 質(zhì)。因此,從很早之前就已經(jīng)進(jìn)行了通過(guò)電鍍得到的這些銅-鎳合金的特性的研究。作為 以往已嘗試的銅-鎳合金鍍覆液,雖然研究了氰化物鍍液、檸檬酸鍍液、醋酸鍍液、酒石酸 鍍液、硫代硫酸鍍液、氨鍍液、焦磷酸鍍液等多種鍍液,但是現(xiàn)在還沒(méi)有將其實(shí)用化。作為 銅-鎳合金電鍍無(wú)法實(shí)用化的理由,可列舉(i)銅和鎳的析出電位相差0.6V時(shí),銅會(huì)優(yōu)先 析出,(ii)由于鍍液不穩(wěn)定而會(huì)產(chǎn)生金屬氫氧化物等的不溶性化合物等。作為目前為止所 報(bào)道的銅-鎳合金鍍液的例子,有以下鍍液報(bào)道。
[0003] (1)特開(kāi)昭49-90234:
[0004] 含有銅和鎳以及硼酸的pH值約為1的電鍍液,可得到銅的含有率為25%的鍍膜。
[0005] (2)特開(kāi)昭54_〇26962 :
[0006] 銅、鎳、檸檬酸、氨水的混合的鍍液,可得到任意合金組成的鍍膜。
[0007] (3)特開(kāi)昭58-133391:
[0008] 通過(guò)規(guī)定焦磷酸系鍍液中的焦磷酸鹽的濃度,添加第一次、第二次的添加劑從而 可得到光亮的鍍膜。
[0009] (4)特開(kāi)平2_285〇91:
[0010] 含有硫酸鎳、氯化鎳、硫酸銅、檸檬酸鈉、硼酸,而且添加了硼酸鈉,pH值為4?7的 鍍液。
[0011] (5)特開(kāi)平5-98488
[0012] 含有銅、鎳、四硼酸鈉、蘋果酸、葡萄糖酸、水楊酸等羧酸和糖精的弱酸性浴液 (bath),可得到含銅率為20?60%的白銅色的鍍膜。
[0013] (6)特開(kāi)平6_173〇75
[0014] 含有銅、鎳、氨基羧酸、蛋白胨酸鈉的弱酸性浴液,可得到含銅率為18?64%的白 銅色鍍膜。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0015] 然而,上述的銅-鎳合金鍍液,雖然可得到目標(biāo)合金皮膜,但是在以工業(yè)化水平來(lái) 得到穩(wěn)定的均一組成的膜方面,還存在一些問(wèn)題。
[0016] (1)特開(kāi)昭49_9〇234
[0017] 不含有絡(luò)合劑且pH值低(pH值約為1)的浴液,其是在大量的鎳中添加了少量的 銅而組成。因?yàn)槠錈o(wú)法抑制銅的優(yōu)先析出,所以存在膜的組成受到電流密度的影響較強(qiáng)的 問(wèn)題。
[0018] (2)特開(kāi)昭 54-026962
[0019] 因?yàn)樵撳円汉邪?,所以是pH值變動(dòng)大的鍍液。該鍍液是pH值低(酸性范圍) 則容易析出銅,pH值高(堿性范圍)則容易析出鎳的鍍液,存在鍍膜的組成根據(jù)鍍液pH值 的變動(dòng)而變動(dòng)的問(wèn)題。另外,因?yàn)槠鋵?duì)銅的優(yōu)先析出的抑制效果弱,所以還存在受到陰極電 流密度的影響,鍍膜組成的均一性變差的問(wèn)題。
[0020] (3)特開(kāi)昭 58_133391
[0021] 在焦磷酸鍍液中,需要鍍液中金屬濃度的2倍摩爾以上的焦磷酸鹽,因?yàn)殄円褐?的金屬鎳濃度限定在30g/L以下,所以存在析出效率差且得到光澤的范圍窄的問(wèn)題。
[0022] (4)特開(kāi)平 2_285〇91
[0023] 因?yàn)殄円褐墟嚌舛?、銅濃度高,所以對(duì)銅的優(yōu)先析出的抑制作用弱,在低陰極電流 密度范圍中,存在發(fā)生銅的優(yōu)先析出的問(wèn)題。另外,因?yàn)殄円褐械逆嚌舛纫约皺幟仕徕c濃度 高,所以存在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后會(huì)產(chǎn)生不溶性的檸檬酸鎳的沉淀的問(wèn)題。
[0024] (5)特開(kāi)平 5-98488
[0025] 由于含有蘋果酸、葡糖酸、水楊酸等羧酸,提高了鍍液的長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性,通過(guò)糖精 的添加而提高了外觀,但是由于對(duì)銅的優(yōu)先析出的抑制效果不充分,存在進(jìn)行攪拌等時(shí)會(huì) 產(chǎn)生銅的優(yōu)先析出的問(wèn)題。
[0026] (6)特開(kāi)平 6-173075
[0027]在含有銅、鎳、氨基羧酸、蛋白胨酸鈉等的弱酸性鍍液下,雖然可得到銅含有率為 18?64%的白銅色鍍膜,但如果浴液中銅、鎳的濃度變動(dòng),則鍍膜的組成也會(huì)有大變動(dòng),所 以存在難以得到穩(wěn)定組成的膜的問(wèn)題。
[0028] 另外,如果進(jìn)行攪拌則對(duì)銅的優(yōu)先析出的抑制作用弱,存在析出膜的組成受到陰 極電流密度的影響強(qiáng)的問(wèn)題。
[0029]本發(fā)明的目的是提供一種銅-鎳合金鍍液以及鍍覆方法,其解決以往的電鍍液所 具有的上述問(wèn)題,使得鍍膜的組成難以受到陰極電流密度的影響,可穩(wěn)定地得到任意組成 的目標(biāo)鍍膜,而不產(chǎn)生沉淀等。
[0030]本發(fā)明提一種銅-鎳合金的電鍍液,其特征在于,其含有以下化合物,且pH值為 3?8 : (a)銅鹽以及鎳鹽;(b)金屬絡(luò)合劑;(C)彼此不同的多種導(dǎo)電性賦予鹽;(d)選自由 二硫化合物、含硫氨基酸、以及其它們的鹽所組成的群組的化合物,(e)選自由磺酸化合物、 硫酰亞胺化合物、氨基磺酸化合物、磺酰胺、及其鹽所組成的群組的化合物,(f)縮水甘油醚 和多元醇的反應(yīng)生成物。
[0031] 另外,本發(fā)明提供了一種電鍍的方法,其是一種在基體上電鍍銅-鎳合金的方法, 選自以下基體所組成的群組:銅、鐵、鎳、銀、金以及其合金的金屬基體,以及在基體表面上 用上述金屬或者合金修飾了的玻璃、陶瓷、塑料基體,其特征在于,使用權(quán)利要求1?7中任 意一項(xiàng)所述的銅-鎳合金電鍍液來(lái)進(jìn)行電鍍。
[0032]根據(jù)本發(fā)明,可提供一種鍍膜的組成難以受到陰極電流密度的影響,可穩(wěn)定地得 到任意組成的鍍層,且不發(fā)生沉淀等的銅-鎳合金鍍液以及鍍覆方法。

【具體實(shí)施方式】
[0033] 本發(fā)明的銅-鎳合金電鍍液,含有以下化合物而形成:(a)銅鹽以及鎳鹽;(b)金 屬絡(luò)合劑;(C)彼此不同的多種導(dǎo)電性賦予鹽;(d)選自由二硫化合物、含硫氨基酸、及其鹽 所組成的群組的化合物,(e)選自由磺酸化合物、硫酰亞胺化合物、氨基磺酸化合物、磺酰 胺、及其鹽所組成的群組的化合物,以及(f)縮水甘油醚和多元醇的反應(yīng)生成物。
[0034] (a)銅鹽以及鎳鹽
[0035] 作為銅鹽,可列舉硫酸銅、鹵化二銅、氨基磺酸銅、甲烷磺酸銅、醋酸二銅、堿式碳 酸銅等,但不限于這些??蓡为?dú)使用這些銅鹽,或者也可混合兩種以上使用。作為鎳鹽,可 列舉硫酸鎳、鹵化鎳、堿式碳酸鎳、氨基磺酸鎳、醋酸鎳、甲烷磺酸鎳等,但不限于這些。可單 獨(dú)使用這些鎳鹽,或者也可混合兩種以上使用。雖然有必要根據(jù)所需的鍍膜的組成來(lái)選定 各種鍍液中的銅鹽和鎳鹽的濃度,但是銅離子濃度為〇. 5?40g/L,優(yōu)選為2?30g/L,鎳離 子的濃度為〇? 25?80g/L,優(yōu)選為0? 5?50g/L。
[0036] (b)金屬絡(luò)合劑
[0037] 金屬絡(luò)合劑為可穩(wěn)定銅以及鎳的金屬。作為金屬絡(luò)合劑,可列舉一元羧酸、二元 羧酸、多元羧酸、羥基羧酸、酮基羧酸、氨基酸、氨基羧酸、及其鹽等,但不限于這些。具體地 可列舉丙二酸、馬來(lái)酸、琥珀酸、丙三羧酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、葡萄糖酸、2-磺乙基亞 胺-N,N-二乙酸、亞氨基二乙酸、氮三乙酸、EDTA、三亞乙基二胺四乙酸、羥乙基亞胺基二乙 酸、谷氨酸、天門冬氨酸、丙氨酸-N,N-二乙酸等。其中,作為這些羧酸的鹽,優(yōu)選為丙二 酸、檸檬酸、蘋果酸、葡萄糖酸、EDTA、氮三乙酸、谷氨酸。另外,作為這些羧酸的鹽,可列舉鎂 鹽、鈉鹽、鉀鹽、銨鹽等,但不限于這些??蓡为?dú)使用這些金屬絡(luò)合劑,或者也可混合兩種以 上使用。鍍液中的金屬絡(luò)合劑的濃度,優(yōu)選為鍍液中金屬離子濃度(摩爾濃度)的0.6? 2倍,更優(yōu)選為0.7?1.5倍。
[0038] (C)導(dǎo)電性賦予鹽
[0039] 導(dǎo)電性賦予鹽可賦予銅-鎳合金鍍液以電導(dǎo)性。在本發(fā)明中,有必要使用彼此不 同的多種導(dǎo)電性賦予鹽。導(dǎo)電性賦予鹽優(yōu)選地包含選自由無(wú)機(jī)鹵化鹽、無(wú)機(jī)硫酸鹽以及低 級(jí)的烷基磺酸鹽所組成的群組的鹽。
[0040] 作為無(wú)機(jī)鹵化物鹽,可列舉鎂、鈉、鉀、銨的氯化鹽、溴化鹽、碘化鹽等,但不限于這 些。可單獨(dú)使用這些無(wú)機(jī)鹵化鹽,或者還可混合兩種以上使用。無(wú)機(jī)鹵化物鹽在鍍液中的 濃度,優(yōu)選為〇. 1?2. 0摩爾/L,更優(yōu)選為0. 2?I. 0摩爾/L。
[0041] 作為無(wú)機(jī)硫酸鹽,可列舉硫酸鎂、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸銨等,但不限于這些??蓡?獨(dú)使用這些無(wú)機(jī)硫酸鹽,或者還可混合兩種以上使用。
[0042] 作為低級(jí)烷基磺酸鹽,可列舉鎂鹽、鈉鹽、鉀鹽、銨鹽等,更具體地,可列舉甲磺酸、 2_羥基丙基磺酸的鎂鹽、鈉鹽、鉀鹽、銨鹽等,但不限于這些??蓡为?dú)使用這些磺酸鹽,或者 還可混合兩種以上使用。
[0043] 硫酸鹽和/或磺酸鹽在鍍液中的濃度,優(yōu)選為0. 25?1. 5摩爾/L,更優(yōu)選為0. 5? 1. 25摩爾/L。
[0044] (d)選自由二硫化合物、含硫氨基酸、及其鹽所組成的群組的化合物
[0045] 作為選自由二硫化合物、含硫氨基酸、及其鹽所組成的群組的化合物,可列舉通式 (I)所表示的二硫化合物,但不限于這些。
[0046] A-R1-S-S-R2-A (I)
[0047] (式中,R1以及R2表示烴基,A表示SO3Na基、SO3H基、OH基、NH2基或者NO2基。)
[0048]烴基優(yōu)選地為亞烷基,更優(yōu)選地為碳原子數(shù)為1?6的亞烷基。作為二硫化合物 的具體例,可列舉二(鈉磺乙基)二硫醚、二(鈉磺丙基)二硫醚、二鈉(磺苯基)二硫醚、 二(鈉磺己基)二硫醚、二(磺乙基)二硫醚、二(磺丙基)二硫醚、二(磺戊基)二硫醚、 雙二(氨基乙基)二硫醚、二(氨丙基)二硫醚、二(氨基丁基)二硫醚、二(雙氨基戊基) 二硫醚、雙二(羥基乙基)二硫醚、二(羥基丙基)二硫醚、二(羥基丁基)二硫醚、二(羥 基戊基)二硫醚、二(硝基乙基)二硫醚、二(硝基丙基)二硫醚、二(硝基丁基)二硫醚、 鈉磺乙基丙基二硫醚、磺丁基丙基二硫醚等,但不限于這些。在這些二硫化合物中,優(yōu)選地 為二(鈉磺丙基)二硫醚、二(鈉磺丁基)二硫醚、二(氨丙基)二硫醚。
[0049]作為含硫氨基酸,可列舉通式(II)所表示的含硫氨基酸等,但不限定于這些。
[0050] R-S- (CH2)nCHNHCOOH (II)
[0051] (式中,R為烴基,表示-H或者-(CH2)nCHNHCOOH, n為各自獨(dú)立1?50。)
[0052]烴基優(yōu)選地為烷基,更優(yōu)選地為碳原子數(shù)為1?6的烷基。作為含硫氨基酸的具體 例,可列舉蛋氨酸、胱氨酸、半胱氨酸、乙硫氨酸、胱氨酸二亞砜、胱硫醚等,但不限于這些。 另外,作為它們的鹽,可列舉硫酸鹽、鹵化鹽、甲基磺酸鹽、氨基磺酸鹽、醋酸鹽等,但不限于 這些。
[0053]可單獨(dú)使用這些二硫化合物、含硫氨基酸、及其鹽,或者還可兩種以上混合使 用。選自二硫化合物、含硫氨基酸、及其鹽所組成的群組的化合物在鍍液中的濃度,優(yōu)選為 0? 02?10g/L,更優(yōu)選為0? 1?5g/L。
[0054] (e)選自由磺酸化合物、硫酰亞胺化合物、氨基磺酸化合物、磺酰胺、及其鹽所組成 的群組中的化合物
[0055] 選自由磺酸化合物、硫酰亞胺化合物、氨基磺酸化合物、磺酰胺、及其鹽所組成的 群組的化合物可使得銅-鎳合金電鍍膜致密化。
[0056]作為磺酸化合物以及其鹽,可列舉芳香族磺酸、烯基磺酸、炔基磺酸、及其鹽等,但 不限于這些。具體地,可列舉1,5-萘二磺酸鈉、1,3, 6-萘三磺酸鈉、2-丙烯-1-磺酸鈉等, 但不限于這些。
[0057]作為硫酰亞胺化合物以及它們的鹽,可列舉鄰苯甲?;酋啺罚ㄌ蔷┘捌潲}等, 但不限于這些。具體地可列舉糖精鈉等,但不限于這些。
[0058]作為氨基磺酸化合物及其鹽,可列舉乙酰磺胺酸鉀、N-環(huán)己基氨基磺酸鈉等,但不 限于這些。
[0059]作為磺酰胺以及它們的鹽,可列舉對(duì)甲苯磺酰胺等,但不限于這些。
[0060]這些選自由磺酸化合物、硫酰亞胺化合物、氨基磺酸化合物、磺酰胺、及其鹽所組 成的群組的化合物,可單獨(dú)地使用,或者還可兩種以上混合使用。選自磺酸化合物、硫酰亞 胺化合物、氨基磺酸化合物、磺酰胺、及其鹽所組成的群組的化合物在鍍液中的濃度,優(yōu)選 為0? 2?5g/L,更優(yōu)選為0? 4?4g/L。
[0061] (f)縮水甘油醚和多元醇的反應(yīng)生成物
[0062]縮水甘油醚和多元醇的反應(yīng)生成物可使得銅-鎳合金電鍍膜致密化。
[0063]作為縮水甘油醚和多元醇的反應(yīng)生成物的反應(yīng)原料縮水甘油醚,可列舉其分子內(nèi) 含有兩個(gè)以上環(huán)氧基的縮水甘油醚、以及分子內(nèi)含有一個(gè)以上的羥基和一個(gè)以上的環(huán)氧基 的縮水甘油醚等,但不限于這些。具體地為縮水甘油、甘油多元縮水甘油醚、乙二醇二縮二 水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多元縮水甘油醚等。 [0064] 作為多元醇,可列舉乙二醇、丙二醇、甘油、聚甘油等,但不限于這些。
[0065]作為縮水甘油醚和多元醇的反應(yīng)生成物,優(yōu)選地為通過(guò)縮水甘油醚的環(huán)氧基和多 元醇的羥基的縮合反應(yīng)而得到的水溶性聚合物。
[0066] 可單獨(dú)地使用這些縮水甘油醚和多元醇的反應(yīng)生成物,或者還可兩種以上混合 使用。縮水甘油醚和多元醇的反應(yīng)生成物在鍍液中的濃度優(yōu)選為〇. 05?5g/L,更優(yōu)選為 0? 1 ?2g/L。
[0067]有必要將本發(fā)明的銅-鎳合金電鍍液的pH值調(diào)整為3?8, pH值優(yōu)選為4?7。 可通過(guò)硫酸、鹽酸、氫溴酸、甲磺酸、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水、乙二胺、二乙烯三胺、三亞乙 基四胺等來(lái)調(diào)整鍍液的pH值。
[0068] 隨后,對(duì)使用本發(fā)明的鍍液來(lái)進(jìn)行鍍覆的方法進(jìn)行說(shuō)明。作為可使用本發(fā)明的鍍 液來(lái)進(jìn)行電鍍的被鍍物,可列舉銅、鐵、鎳、銀、及其合金等。另外,對(duì)于用上述金屬或者合金 修飾了基體表面的玻璃基體、陶瓷基體、塑料基體等也有效。
[0069]進(jìn)行電鍍時(shí),作為陽(yáng)極,可使用碳、鉬金、電鍍了鉬金的鈦等不溶解性陽(yáng)極。另外, 雖然還可使用銅-鎳合金陽(yáng)極、并用銅和鎳的陽(yáng)極等,但是有必要調(diào)查此時(shí)陰極析出效率 和陽(yáng)極溶解效率,留意鍍液中的金屬濃度的管理。
[0070]鍍液溫度通常為15?60°C,優(yōu)選為20?50°C。陰極電流密度,通常為0.01? 5A/dm2,優(yōu)選為0. 05?4. OA/dm2。雖然鍍覆的時(shí)間取決于所要求鍍覆的膜厚,但是通常為 1?180分鐘,優(yōu)選為15?120分鐘。
[0071] 可使用空氣、液流、陰極搖桿等機(jī)械的液攪拌來(lái)進(jìn)行鍍液的攪拌。雖然膜厚能夠在 寬廣的范圍內(nèi),但是一般地為0. 5?50 ii m,優(yōu)選為3?20 ii m。進(jìn)行鍍覆時(shí),有必要使用上 述pH值調(diào)整劑將鍍液的pH值維持在3?8之間。
[0072] 使用本發(fā)明的鍍液,可使得析出金屬膜的銅/鎳組成比例為5/95?95/5。
[0073] 進(jìn)行鍍覆時(shí),先通過(guò)常規(guī)方法來(lái)預(yù)處理被電鍍物,然后進(jìn)行鍍覆工序。
[0074] 在上述預(yù)處理工序中,至少進(jìn)行浸漬脫脂、陰極或者陽(yáng)極電解清洗、酸清洗、以及 活化中的一個(gè)操作。在各操作之間進(jìn)行水洗。可對(duì)鍍覆后得到的膜進(jìn)行水清洗或熱水清洗 并干燥。另外,可在銅-鎳合金鍍覆后施加防氧化處理、鍍錫和鍍錫合金等。本發(fā)明的鍍液, 通過(guò)適當(dāng)?shù)难a(bǔ)給劑來(lái)保持鍍液成分一定,可不進(jìn)行液體的更新而長(zhǎng)期地使用。
[0075] 接著,通過(guò)實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明,但是本發(fā)明并不由此而被限定。在上述的目標(biāo)被 鍍覆物上,可得到將銅-鎳以任意合金比例的均一組成的鍍膜,另外按照得到鍍液穩(wěn)定性 優(yōu)良的銅-鎳合金鍍膜的主旨,可任意地變更鍍液的組成、鍍覆條件。
[0076](實(shí)施例1?7以及比較例1?7)
[0077] 在實(shí)施例中的鍍覆的評(píng)價(jià)中,將作為試驗(yàn)片的0. 5X65XIOOmm的鐵板(SPCC)的 一面用特氟龍(Teflon)(注冊(cè)商標(biāo))膠帶密封后使用。將作為試驗(yàn)片的鐵板用5w/v% 的脫脂_39(DIPS0L(株)制造)來(lái)脫脂,用10.5W/V%的鹽酸來(lái)酸洗后,使用5w/w%的 NC-20(DIPS0L(株)制造)以及7w/v%的氫氧化鈉溶液來(lái)進(jìn)行電解清洗,在電解清洗后用 3. 5%的鹽酸來(lái)活化。在這些操作之間進(jìn)行充分的水洗。
[0078] 隨后,將表1所示的鍍液裝入丙烯酸樹(shù)脂制成的鍍覆槽中,陽(yáng)極使用鉬金板,將活 化后的上述作為試驗(yàn)片的鐵板與陰極連接,在表2的條件下進(jìn)行鍍覆。使用熒光X射線分 析裝置來(lái)測(cè)定得到的鍍覆的膜厚和合金組成。其結(jié)果在表3中示出。
[0079] 比較例1中也與實(shí)施例同樣地使用表4所示組成的鍍液,在表5所示的條件下進(jìn) 行鍍覆。使用熒光X射線分析裝置來(lái)測(cè)定得到的鍍覆的膜厚和合金組成。其結(jié)果在表6中 示出。
[0080] 表 1
[0081] 表1實(shí)施例的電鍍液的組成
[0082]

【權(quán)利要求】
1. 一種銅-鎳合金電鍍液,其特征在于,其含有以下化合物,且pH值為3?8 : (a) 銅鹽以及鎳鹽; (b) 金屬絡(luò)合劑; (c) 彼此不同的多種導(dǎo)電性賦予鹽; (d) 選自由二硫化合物、含硫氨基酸、及其鹽所組成的群組中的化合物; (e) 選自由磺酸化合物、硫酰亞胺化合物、氨基磺酸化合物、磺酰胺、及其鹽所組成的群 組的化合物,以及 (f) 縮水甘油醚和多元醇的反應(yīng)生成物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅-鎳合金電鍍液,其特征在于,(c)導(dǎo)電性賦予鹽包含選自 由無(wú)機(jī)齒化鹽、無(wú)機(jī)硫酸鹽、以及低級(jí)的烷基磺酸鹽所組成的群組的鹽。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的銅-鎳合金電鍍液,其特征在于,無(wú)機(jī)鹵化鹽選自由鎂、鈉、鉀 以及銨的氯化鹽、溴化鹽以及碘化鹽所組成的群組。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的銅-鎳合金電鍍液,其特征在于,無(wú)機(jī)硫酸鹽選自由硫酸 鎂、硫酸鈉、硫酸鉀以及硫酸銨所組成的群組。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2?4中任意一項(xiàng)所述的銅-鎳合金電鍍液,其特征在于,低級(jí)的烷基 磺酸鹽選自由鎂鹽、鈉鹽、鉀鹽以及銨鹽所組成的群組。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1?5中任意一項(xiàng)所述的銅-鎳合金電鍍液,其特征在于,(d)化合物 包含通式(I)所表示的二硫化合物, A-R1-S-S-R2-A (I) 式中,R1以及R2表示烴基,A表示SO3Na基、SO3H基、OH基、NH 2基或者NO2基。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1?6中任意一項(xiàng)所述的銅-鎳合金電鍍液,其特征在于,(d)化合物 包含通式(II)所表示的含硫氨基酸或其鹽, R-S- (CH2)nCHNHCOOH (II) 式中,R表示烴基,-H或者-(CH2)nCHNHCOOH, η為各自獨(dú)立的1?50。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1?7中任意一項(xiàng)所述的銅-鎳合金電鍍液,其特征在于,(e)化合物 包含選自由芳香族磺酸、烯基磺酸以及炔基磺酸所組成的群組的磺酸化合物或其鹽。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1?8中任意一項(xiàng)所述的銅-鎳合金電鍍液,其特征在于,(e)化合物 含有鄰苯甲?;酋啺坊蚱潲}。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1?9中任意一項(xiàng)所述的銅-鎳合金電鍍液,其特征在于,(f)縮水 甘油醚和多元醇的反應(yīng)生成物是通過(guò)縮水甘油醚的環(huán)氧基和多元醇的羥基的縮合反應(yīng)所 得到的水溶性聚合物。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1?10中任意一項(xiàng)所述的銅-鎳合金電鍍液,其特征在于,(b)金屬 絡(luò)合劑選自一元羧酸、二元羧酸、多元羧酸、羥基羧酸、酮基羧酸、氨基酸、氨基羧酸及其鹽 所組成的群組。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1?11中任意一項(xiàng)所述的銅-鎳合金電鍍液,其特征在于,析出金屬 膜的銅/鎳的組成比例為5/95?95/5。
13. -種電鍍方法,所述方法是在基體上電鍍銅-鎳合金的方法,所述基體選自以下基 體所組成的群組:銅、鐵、鎳、銀、金以及其合金的金屬基體,以及在基體表面上用上述金屬 或者合金修飾了的玻璃基體、陶瓷基體、塑料基體,其特征在于,使用根據(jù)權(quán)利要求1?12 中任意一項(xiàng)所述的銅-鎳合金電鍍液。
【文檔編號(hào)】C22C9/06GK104321470SQ201380020656
【公開(kāi)日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2013年4月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月19日
【發(fā)明者】井上學(xué), 湯淺智志, 櫻井仁志 申請(qǐng)人:迪普索爾化學(xué)株式會(huì)社
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