專利名稱：：抑制背景鍍覆的制作方法抑制背影度覆本發(fā)明涉及一種抑制背景鍍覆的方法。更具體地，本發(fā)明涉及一種用具有高透光率的相變阻擋物(phasechangeresist)抑制背暴3度覆的方法。
背景技術(shù)：
：在工件不期望被鍍覆的區(qū)域的鍍覆有時(shí)被稱為背景鍍覆。該背景鍍覆對(duì)需要進(jìn)行選擇性鍍覆的工件的功能性或美觀性通常是有害的，比如，在有鍍覆的高精度電氣元件的制造中。這種背景鍍覆會(huì)導(dǎo)致工件中的電短路和^ffl該工件的電氣設(shè)備的失效。另外，背景鍍覆還導(dǎo)致鍍覆材料的浪費(fèi)。這種浪費(fèi)增加了生產(chǎn)和最終產(chǎn)品的成本。如果被鍍覆的具^(guò)W才料，正好是金、銀、鉑或鈀等貴重金屬，增加的成本可能非?？捎^。即使在這些瞎況下，其中背景鍍覆的區(qū)域的金屬回收是令人滿意的和可行的，然而金屬西收增加了制atfi終產(chǎn)品的旨工藝的s^性和成本。許多傳統(tǒng)的選擇性鍍覆方法需要多個(gè)步驟。當(dāng)^ffl固體掩模，例如，來(lái)覆蓋工件不需要鍍覆的區(qū)域時(shí)，該掩t魏加到工件上，該工件然后l雌擇性鍍覆，剝離掩模。然而，伴隨著制備，施加和從工件剝離掩模的是費(fèi)用和復(fù)雜性。另外，固體掩模未必總是很容易或會(huì)辦施加和從工件表面移除。工件中確實(shí)存在著難以到達(dá)或難以艦的需要l鵬蔽的區(qū)域。此類工件的例子是是光伏器件，其中在覆蓋導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料的介電層中的瑕疵、裂縫或針孔是背皿覆發(fā)生的位置。此類的缺隨艮小因而掩模不能施加到這些位置。另外，這些缺陷由于其微觀級(jí)尺寸而常常是肉眼不可見(jiàn)，工人通常直至金屬被鍍覆后才能發(fā)現(xiàn)這些缺陷。得到的產(chǎn)品因而不適用于商業(yè)使用。光伏器件，比如太陽(yáng)能電池，通常包括半導(dǎo)體晶片，其形成一個(gè)單獨(dú)的大的PN結(jié)。電磁輻射比如太陽(yáng)光入射到該P(yáng)N結(jié)上在器件中產(chǎn)生載流子，形成電流，其被收集和傳送到外部電路。所形成的電流娥與入射輻射成比例。與PN結(jié)兩邊歐姆連接的金屬圖案收集電流。這種金屬圖案需要提供低電阻路^/人而3最小化所產(chǎn)生的電流的電阻損失。該金屬圖案必娜蹄lj其物理尺度，特別是在器件的正面表面，從而最小化阻擋入射輻射能的表面區(qū)域，艮P，最小化以產(chǎn)生電流為目的的肖糧的損失。通常地，該正面金屬圖案包括高導(dǎo)電性材料的窄帶。在導(dǎo)電材料窄帶之間是覆蓋摻雜的半導(dǎo)體材料、比如摻雜的硅的介電材料薄層。該介電層可能具有200nm到500nm的厚度。該介電層可作為太陽(yáng)能電池的減反射層。此類介電材料的例子是二氧化硅和氮化硅。在光伏器件的制備過(guò)程中，在為該設(shè)備形成金屬圖案之前，介電層形成在摻雜的半導(dǎo)體材料上。介電層的形成可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積來(lái)實(shí)施。一旦介電層被沉積，通過(guò)傳統(tǒng)成像方法形成圖案，使用傳統(tǒng)方法將金屬沉積在圖案中使其導(dǎo)電。在金屬化該圖案時(shí)，由于介電層上的缺陷，不需要的背景鍍覆可能會(huì)出現(xiàn)，導(dǎo)致產(chǎn)品不適用于商業(yè)使用。如上所述的這種缺陷通常直到金屬化后才能被發(fā)現(xiàn)。缺陷，比如裂縫、瑕疵或針孔，暴露出了半導(dǎo)體的摻雜，層，并成為背景鍍覆的場(chǎng)所，因而有害于所預(yù)期的選擇性鍍覆。據(jù)信，此類的缺陷是，在制備過(guò)程和裝卸該半導(dǎo)體時(shí)的一個(gè)或多個(gè)步驟中由于介電層的脆性和薄度而產(chǎn)生。因?yàn)槿蹦拔⑿?，許多是顯微尺寸，施加傳統(tǒng)的畫體掩模去解決這些背景鍍覆問(wèn)題是不可行的。許多固體掩模不能與介電層形成界面接觸，從而背景鍍覆可能在形成于掩模和介電層之間的空隙處發(fā)生。另外，此類的掩模無(wú)法允許足夠的光線M和到達(dá)摻雜半導(dǎo)體，從而在光誘導(dǎo)和光輔助工藝中不能提供足夠的電流用于金屬鍍覆。固Wt模一般是由不允許艦過(guò)的不透光材料制成。US.4,217，183公開(kāi)了一種無(wú)掩模方法，其在集成電路和電路板中的晶片的金屬化中，使導(dǎo)電表面比如陰極的背景鍍覆最小化。該陰極可以是金屬，光電導(dǎo)體或由絕緣體和導(dǎo)體構(gòu)成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。該專利公開(kāi)了在鎳或銅電解質(zhì)中放置陰極和陽(yáng)極，聚焦能量束如氬激光，通過(guò)電解質(zhì)到達(dá)陰極的需要被鍍覆的選擇區(qū)域，在陽(yáng)極和陰極之間粒電勢(shì)。雖然該專利公開(kāi)了一種最小化背景鍍覆的無(wú)掩模方法，這種方法仍然可能不適用于解決由半導(dǎo)體介電層的缺陷弓胞的背景鍍覆。一般地，這些缺陷不肯嫩被肉眼發(fā)現(xiàn)。因而，選擇性運(yùn)用能量束試圖避免缺陷是不可行的。另外，即使有引導(dǎo)能量束的圖案形成在工件上并隔絕介電材料，在圖案的邊界處光束中的足夠的育糧可能與介電層中的微見(jiàn)缺陷重疊，導(dǎo)致有害的背景鍍覆。因而，工業(yè)上仍舊存在著對(duì)在半導(dǎo)體上抑制背f^度覆的方法的需要。
發(fā)明內(nèi)容一種方法包括a)提f射參雜半導(dǎo)體，其包括n摻雜正面和p摻雜背面，和覆蓋該摻雜半導(dǎo)體的n摻雜正面的介電層；b)選擇性沉積具有30%或更高的透光率的相變阻擋物在介電層上，從而在介電層上形成圖案；c)蝕刻掉介電層上沒(méi)有被相變阻擋物覆蓋的部分，從而將摻雜半導(dǎo)體的n摻雜正面的一部分暴露;d)沉積金屬晶種層到摻雜半導(dǎo)體n摻雜正面的暴露部分；且e)M光誘導(dǎo)的鍍覆沉積金屬層到金屬晶種層上。在介電層上的背景鍍覆導(dǎo)致了商業(yè)上無(wú)法接受的產(chǎn)品。遺憾的是，在介電層上的導(dǎo)致背景鍍覆的缺陷一般由于其微觀級(jí)尺寸而肉眼不能發(fā)現(xiàn)。因而，工人一般直至金屬化后才能發(fā)現(xiàn)該缺陷，此時(shí)介電層上的背影度已經(jīng)出現(xiàn)。許多傳統(tǒng)的屏蔽方法是不合適的，尤其，于光誘導(dǎo)的鍍覆而言，因?yàn)檠谀Ｍ腹庑圆粔?，不?艦夠量的光線通過(guò)并接觸到摻雜半導(dǎo)體從而誘發(fā)電流。另外，許多傳統(tǒng)的無(wú)掩模方法也不合適。遺憾的是，還沒(méi)有商業(yè)上可行的方法用來(lái)從介電層移除不需要的鍍覆，而最終的產(chǎn)品不適用子商業(yè)《IM。在摻雜半導(dǎo)體的介電體上沉積具有透光率大于等于30%的相變阻擋物的方法，通過(guò)允許足夠量的光線通過(guò)該相變阻擋物到達(dá)摻雜半導(dǎo)體，解決了背景鍍覆所遇到的問(wèn)題。光在摻雜半導(dǎo)體中誘發(fā)電流，因而金屬能夠在摻雜半導(dǎo)體上不被相變阻擋物所覆蓋的部分鍍覆。在介電層上的相變阻擋物成為抑制在介電層上任何背景鍍覆的鍍覆阻擋物，因而金屬鍍被限制在摻雜半導(dǎo)體選定的區(qū)域上。該相變阻擋物可以使用傳統(tǒng)設(shè)備以液體，半固體或》繊態(tài)沉積在介電體上。該相變阻擋物可以填充瑕疵，裂縫和針孔，因而避免了在介電體的這些區(qū)域中不期望的背景鍍覆。另外該相變阻擋物起到了抗蝕刻層的作用，并和許多應(yīng)用在光刻工藝過(guò)程中的傳統(tǒng)酸和緩沖氧化物蝕刻劑相兼容。另外，由于金屬鍍覆過(guò)程是各向同性的，并且金屬鍍覆層的厚度一般大于介電層的厚度，相變阻擋物可以限制金屬的側(cè)面生長(zhǎng)，減少任何不期望的鍍覆金屬帶來(lái)的光遮蔽。這樣避免了由于金屬生長(zhǎng)而在摻雜半導(dǎo)體層JlA射光線的損失。具鵬施力.式在全說(shuō)明書(shū)中，術(shù)語(yǔ)"沉積"和"鍍覆"可以交換4糊。術(shù)語(yǔ)"電流軌度鄰"電流線路"可以交換使用。不定冠詞"a"和"an"可以代表單個(gè)或多個(gè)。術(shù)語(yǔ)"光誘導(dǎo)的鍍覆"又稱為"光輔助的鍍覆"。術(shù)語(yǔ)"選擇性沉積"意為沉積發(fā)生在基體特定的預(yù)期區(qū)域。術(shù)語(yǔ)"半固體'意味任何同時(shí)具有固體和液體屬性的物質(zhì)。術(shù)語(yǔ)"'意為固體分散在液體中的膠態(tài)懸浮體。術(shù)語(yǔ)"透光率"意為輻射能量透過(guò)基體的百分率，該輻射能量比如是紅外線，可見(jiàn)光線，紫外線，X射線和伽馬射線。術(shù)語(yǔ)"各向同性，意為在所有方向具有同一性；在於方向上沒(méi)有變化。術(shù)語(yǔ)"lux二lx"是照明單位，等同于ll|imen/m2;llux=1.46毫瓦的在540四赫茲(tetrahertz)的頻率的電磁輻射能。下列的縮寫具有如下的含義，除非上下文中有另外的明確說(shuō)明'C二攝氏度；g二克；mL二亳升；L二升；A-安培；m二米；,=毫米；dm二分米；cm二厘米；pm-，絲；nm二納米；min.二併中；sec.二秒；UV=紫外線；mJ二毫焦耳二l/1000焦耳；leig二l達(dá)因厘米二10_7焦耳。除非另有說(shuō)明，所有的百分?jǐn)?shù)和比率都是基于重量。所有的范圍都包括端點(diǎn)并可以任何順序結(jié)合，除非數(shù)值范圍清慰也被限制為加和至100%。光伏半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池可以由單晶或多晶或非晶的硅晶片構(gòu)成。當(dāng)下述描述涉及硅晶片時(shí)，其他合適的半導(dǎo)體晶片，比如鎵一砷化物，硅—鍺，和鍺也可被使用。當(dāng)采用硅晶片時(shí)，硅晶片一般具有p型摻雜，但也可以具有n型摻雜。半導(dǎo)體晶片在微上可以是圓形，正方形鄉(xiāng)巨形或者其他倒可適當(dāng)?shù)难?。此類的晶片可具有寬范圍變化的尺寸。例如，圓形晶片的直徑可以是150nm，200nm，300nm，400nm或更大。整個(gè)背面可以被金屬鍍覆或部分背面被金屬鍍覆，比如形成柵格。此類的背面金屬化可以通過(guò)各種技術(shù)提供，并且可在金屬化晶片正面之前進(jìn)行或者可以于金屬化晶片正面的同時(shí)進(jìn)行。一般是晶片背面先于正面進(jìn)行金屬化。在一個(gè)實(shí)施例中，金屬涂層以導(dǎo)電漿糊的形式涂敷到背面，比如含銀漿糊，含鋁漿糊或含銀和鋁的漿糊；然而，其他包含例如像鎳，鈀，銅，鋅或錫等金屬的漿糊也可以使用。此類導(dǎo)電漿糊一般包括^A玻璃基質(zhì)的導(dǎo)電顆粒，和有IW占合齊U。導(dǎo)電漿糊可以M31各種工藝涂敷到晶片上，比如絲網(wǎng)印刷。在涂麟糊后，烘干以去除有機(jī)粘合劑。烘T"般在60(TC到80(rC下實(shí)施。當(dāng)應(yīng)用含鋁導(dǎo)電漿糊時(shí)，鋁部分?jǐn)U散進(jìn)入晶片的背面，或者如果漿糊中還含銀，可能與銀形成合6金。采用此類的含鋁漿糊可以改善電卩I^接，^f共"p+"的摻雜區(qū)域。艦預(yù)先應(yīng)用鋁或硼，然后相互擴(kuò)散也可以產(chǎn)生重?fù)诫s'p+"型區(qū)域("p+十"型區(qū)域)。通常，制備的是動(dòng)參雜'p+"區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施例中，可以在涂覆背面金屬涂層之前將含鋁漿糊涂敷到背面并烘干。烘干后的含鋁漿糊的殘余物可任選地在背面涂敷金屬涂層之前除去。在另可替代的實(shí)施例中，可以將晶種層沉積到晶片的背面，金屬涂層可通過(guò)無(wú)電鍍或電鍍沉積在晶種層上面。這種在晶片背面的晶種層上的金屬沉積可以與在晶片正面上的采用光誘導(dǎo)或光輔助鍍覆方法的金屬沉積同時(shí)進(jìn)行。晶片正面可以任選地接受晶體取向的織構(gòu)t^lj(textureetching),目的是賦予表面一種提高的光入射幾何形貌，其減少了反射。為了產(chǎn)生半導(dǎo)體結(jié)，在晶片的正面進(jìn)行磷擴(kuò)散或離子注入，從而產(chǎn)生n摻雜區(qū)域，為晶片Hf共PN結(jié)。該n摻雜區(qū)域可稱為對(duì)寸層。該11摻雜區(qū)域可以是'11+"摻雜或重'11+"摻雜("11++"摻雜)。典型地，該^l寸層是重'n+"摻雜。介電層加入到晶片的正面或發(fā)射層。此介電層可以同時(shí)作為鈍化層(passivationlayer)和減反射層。，的介電層包括，但不限于，氧化硅層比如SiOx，氮化硅層比如Si3N4，氧化硅和氮化硅層的^&，氧化^M、氮化硅層和氧化鈦層如TiOx層的聯(lián)合?？蛇x地，SiOx可以用來(lái)作為Si3N4層的帽嵐cappinglayer)。在前述的分子式中，x是一個(gè)整數(shù)，代表了氧原子的數(shù)量。典型地x是2。此類的介電層可以采用多種沉積技術(shù)，比如各種氣相沉積方法，例比如，化學(xué)氣相沉積和物理氣相沉積。具有30%或更，光率的相變阻擋物可選擇性沉積在介電層上，形成圖案，從而描畫出將要在晶片的正面形成的電流線路和匯流條輪廓。典型地，光穿透率在35%到100%之間，或在40%到95%之間，或50%到80%之間。該相變阻擋物可以通過(guò)噴墨打印、氣溶膠噴涂，絲網(wǎng)印刷或光刻選擇性地涂敷到介電體上。傳統(tǒng)的噴墨打印、氣溶膠噴涂，絲網(wǎng)印刷或光刻方法可以使用。同樣，沖壓或軟光刻技術(shù)也可以使用。穿過(guò)該相變阻擋物的光線的波長(zhǎng)范圍在至少300nm或更大。典型地，該波長(zhǎng)范圍是350nm到1500nm之間，更典型地，在400nm到1200nm之間。如果該相變阻擋物是可固化的,該阻擋物在為了形成電流線路和匯流條而蝕刻掉部分介電層之前被固化。固化可以采用光化輻射完成，比如光線，或使用傳統(tǒng)固化設(shè)備的加熱。典型地，固化采用紫外線光。介電層上沒(méi)有被相變阻擋物髓的部燃后被蝕刻掉，將晶片的n摻雜發(fā)射層暴露出來(lái)。該n摻雜可以是n+或n十+o典型地，該，層是n十+摻雜。礦物酸比如氫氟酸，磷酸和其混合物可以用來(lái)蝕刻掉介電層。此類的酸常用來(lái)去掉介電涂層。寬范圍的濃度可以使用。緩沖氧化物(bufferedoxide)蝕刻劑也能夠用來(lái)蝕刻掉介電層。該相變阻擋物作為酸蝕亥蜮緩沖氧化物蝕亥啲阻擋層，能夠承受和酸或緩沖氧化物t駭躋啲接觸。而后在正面限定溝槽圖案。該溝槽圖案穿過(guò)減反射層(或介電層)進(jìn)入晶片的半導(dǎo)體本體。溝槽能深到0.2nm到20拜:itA到晶片半導(dǎo)體本體。育^使用更深頗淺的溝槽。溝槽的寬度可為20nm到150jam。典型地，^N勾槽之間的距離是lmm到10mm之間。晶片的正面含有金屬化的圖案。例如，晶片的正面可以由電流收集線路和電流匯流條組成。電流收集線路典型的橫斷匯流條且典型地相對(duì)于電流匯流條具有相對(duì)精細(xì)的結(jié)構(gòu)(如尺寸)。該相變阻擋物包括樹(shù)共30%頗高的透光率并會(huì)隨抗礦物酸和緩沖氧化物蝕亥啲的成分。此類材料包括，但不限于，蠟，比如，天然蠟，化學(xué)改性蠟和合成蠟，和聚酰胺樹(shù)脂。天然蠟包括，但不限于，巴西棕櫚蠟，褐煤蠟，植物蠟，脂肪酸蠟。合成蠟包括，但不限于，石蠟，微晶聚乙烯蠟，聚丙烯蠟，聚丁烯蠟，聚乙烯丙烯酸蠟，聚酯蠟和費(fèi)托蠟。化學(xué)改性蠟包括蠟的衍生物。典型地，采用的蠟是脂肪酸蠟和石蠟及其衍生物。更典型地，使用石蠟?？捎糜谙嘧冏钃跷镏械木埘０窐?shù)脂的例子公開(kāi)于美國(guó)專利號(hào)為5,645,632，5,783,657;5,998,570;6,268,466;6,399,713;6,492,458;6,552,160;5，981，680;4,816,549;6,870,011;6,864,349;和6,956,099的專利中；以及美國(guó)公開(kāi)專利申請(qǐng)20040186263，這些文^I31弓I證以其全部?jī)?nèi)容結(jié)舒此。可市場(chǎng)上購(gòu)得的聚酰胺樹(shù)月旨的例子是Sylvaclear2612，Sylvage膨5600，Sylvagel6100，Sylvaclear100，Sylvaclear100LM，SylvaclearC75v，Uniclear100和Unicle禱100v。所有都可以從美國(guó)佛羅里達(dá)州杰克遜維爾的亞利桑那州化學(xué)公司(ArizonaChemicalCompany)獲得。一類聚醐安柳旨是酯終止(ester-terminated)聚醐安(ETPA)。該ETPA包括至少一種具有化學(xué)式(1)的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>其中，n表示重復(fù)單元的數(shù)目，使得酯SI勾成酯和翻安基的總量的10%至1」50%;每次出現(xiàn)的R'獨(dú):fct也選自包含至少4個(gè)碳原子的烷基，基；每次出現(xiàn)的R2獨(dú)忍也選自C4—42烴基，M^^牛是至少50%的R2基團(tuán)具有3042個(gè)碳原子；每次出現(xiàn)的R^tei雌自驢原子外還包含至少兩個(gè)碳原子的有+腿團(tuán)，且可任選地包含一個(gè)或多個(gè)氧和氮原子；每次出現(xiàn)的Rh獨(dú)立地選自氫，Clk)烷基和直接結(jié)合到R3或另一個(gè)R3a的^A而使得同時(shí)與R3和R3a結(jié)合的N原子成為部分由R3a~N—R3部分限定的雜環(huán)結(jié)構(gòu)的一部分，使得至少50%的R^基團(tuán)為氫。制備ETPA聚Sfel安的方法在US5，783,657中公開(kāi)，m引證以其頓內(nèi)容結(jié)合于本文。另一類聚翻安樹(shù)脂是叔終止的聚翻安(ATPA)^TPA包括至少一種具有化學(xué)式(2)的化合物其中，m代表單元重復(fù)的數(shù)目，使得末端的醐安基團(tuán)(即，與R4直接連接的醐安基團(tuán))構(gòu)成ATPA總共的醐錢團(tuán)的10%-50%;每次出現(xiàn)的W都3te地選自C,.22烴基；每次出現(xiàn)的R5都^l^也選自C2-24烴基；每次出現(xiàn)的116都獨(dú)立地選自除氫原子外還包含至少兩個(gè)碳原子的有|團(tuán)，并可任選地包含一個(gè)或多個(gè)氧原子和氮原子，并且每次出現(xiàn)的Rl降4^雌自氫，Cw烷基和直接連到W或另一個(gè)R"的^;人而使得同時(shí)與W和爐都結(jié)合的氮原子成為部分由!^一N—R6限定的雜環(huán)結(jié)構(gòu)的一部分。制備ATPA聚翻安的方法在US6，268，466中公開(kāi)，通過(guò)引證以其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于本文。另外一類聚合物樹(shù)脂是(polyalkyleneoxy)聚環(huán)氧烷終止的聚酰胺(PAOPA)。PAOPA包含至少一種下述化學(xué)式的嵌段共聚物纟強(qiáng)-聚醚-聚酰R4R4〉oo丄N5il-N冬C-R5-CR4/N\'R469胺一聚醚一烴基。該聚翻安嵌段包括具有化學(xué)式(3)的嵌段:其中W是烴雙基，比如二聚酸衍生的，比如其中R"基團(tuán)包括當(dāng)兩個(gè)羧酸基團(tuán)從二聚酸中去除時(shí)形成的雙基；R8選自;l;，基和聚醚雙基；聚醚嵌段包括化學(xué)式(4)表示的嵌段-(R9-0>，其中R9是烴基；C,.22烴,于共聚物的任一端，其中烴基可以任選i鵬自烷基，芳織，芳基和烷芳基。制備PAOPA的方法在U.S.6,399，713中公開(kāi)，M弓l證以其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于本文。相變阻擋物中的蠟和聚酰胺柳旨以能夠使相變阻擋物具有足夠透光率的量存在，從而允許足夠的光線通過(guò)該相變阻擋物，到達(dá)摻雜半導(dǎo)體晶片，為金屬沉積產(chǎn)^夠的電流。蠟和聚樹(shù)脂的量可以為10%的重量百分比到100%的重量百分比，或者20%到80%的重量百分比，或30%到70%的重量百分比，或者40%到60%的重量百分比。任選地，阻擋組合物中可包括一種或多種添加劑。這類添加劑包括，但不局限于，交聯(lián)劑，抗氧化劑，濕潤(rùn)劑，增塑劑，無(wú)機(jī)填充劑，染料，色素，熒光增白劑，增稠齊訴口光敏引發(fā)劑?？梢詛頓傳統(tǒng)的交聯(lián)劑，光敏引發(fā)劑和其他添加劑。添加劑的量以其不會(huì)影響相變阻擋物的透光性和在摻雜半導(dǎo)體晶片中電流的產(chǎn)生為準(zhǔn)。如果相變阻擋物是可固化的，可以加入一種或多種交聯(lián)劑。交聯(lián)劑包括單官能的單體和低聚物，雙官能的單體和低聚物和三官能的單體和低聚物。此類交聯(lián)劑在相變阻擋物中的量為20重量％到80重量％，或比如30重量％到70重量％。交聯(lián)劑的實(shí)例包括甲基丙烯酸晞丙酯，乙二醇二甲基丙烯酸酯，二乙二醇二甲基丙烯酸酯，二乙二醇二甲基丙烯酸酯，三乙二醇二甲基丙烯酸酯，聚乙二醇二甲基丙烯酸酯，1，3丁二醇二甲基丙烯酸酯，1，6己二醇二甲基丙烯酸酯，新戊二醇二甲基丙烯酸酯，聚丙二醇二甲基丙烯酸酯，2-羥基1,3-二甲基丙烯氧丙烷,乙二醇二丙烯酸酯，二甘醇二丙烯酸酯，三乙二醇二丙烯酸酯，聚乙二醇二丙烯酸酯，1,3丁二醇二丙烯酸酯，1,6己二醇二丙烯酸酯，新戊二醇二丙烯酸酯，聚丙二醇二丙烯酸酯，丙烯酸異癸酯，二丙烯酸異癸酯，丙烯酸十八烷基酯，甲基丙烯酸十八烷基酯，三丙二醇二丙烯酸酯，丙氧基化的新戊二醇二丙烯酸酯，三羥甲基丙烷三丙烯酸酯，三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯，四羥甲基甲烷三丙烯酸酯，四羥甲基甲烷四丙烯酸酯，聚酯二丙烯酸酯和聚酯二甲基丙烯酸酯。光敏引發(fā)劑可以包括在相變阻擋物中，其包括，但也不限于安息香醚，二苯甲酮，噻噸酮，酮縮醇，苯乙酮。光敏引發(fā)劑的量為1重量％到15重量％，或者5重量％到10重量％。光敏弓l發(fā)劑的實(shí)例包括異丙基安息香醚，異丁基安息香醚，二苯甲酮，米蚩酮，氯噻噸酮(chlorathioxanthone)，2-異丙基噻噸酮，月桂基噻噸酮，苯甲基二甲基酮縮醇，苯乙酮二乙基縮酮，1-羥基-環(huán)己基-苯基-酮和2-羥基-2-甲基苯基丙酮。除了作為蝕刻阻擋劑的作用，相變阻擋物起到了避免背景鍍覆的鍍覆阻擋的作用。相變阻擋物以液體或半固#^(比如繊狀)沉積在介電層上。典型地，該相變阻擋物的沉積溫度為7(TC到12(TC。如果相變阻擋物以液體態(tài)沉積，它在介電層上充分冷卻以形成半固態(tài)、凝膠或固微的蝕刻和鍍覆阻擋物。該相變阻擋物封閉了介電層中的針孔、裂縫和瑕疵，因而抑制了在介電層上任何不希望的背景鍍覆。另外，金屬不能沉積在該阻擋物上，因此起到了屏障作用。另外，因?yàn)榻饘馘兏彩歉飨蛲缘?，金屬鍍覆的厚度一般大于介電層的厚度，相變阻擋物起到限制金屬的偵靦生長(zhǎng)的作用，減少了鍍覆金屬對(duì)光線的樹(shù)可不希望的遮擋?？嵜饬擞捎诮饘偕L(zhǎng)而造成的摻雜半導(dǎo)體層上的入射光線損失。該相變阻擋頓冗積在介電層的厚度至少10|im，或比如1(^m到50nm，或15pm到30,。當(dāng)相變阻擋物被選擇性地涂敷到介電層上在介電層上形成圖案后，介電層上不被相變阻擋物覆蓋的部分被蝕刻掉，形淑勾槽，暴露了摻雜半導(dǎo)體晶片的n摻雜發(fā)射層。介電層的溝槽對(duì)應(yīng)于電流線路和匯流條的位置。第一金屬層或金屬晶種層然后被沉積到摻雜半導(dǎo)體的暴露的n摻雜皿層上。這種金屬晶種層為第二金屬層劍共了錨點(diǎn)(anchoringpoint)，阻礙銀或銅遷移的阻擋層，和引發(fā)第二金屬層均勻鍍覆的導(dǎo)電層。該金屬晶種層可以是鎳、鈀或銀。可以使用傳統(tǒng)的無(wú)電鍍工藝以及傳統(tǒng)的物理氣相沉積工藝，將鎳和鈀沉積妾購(gòu)槽中。銀可以使用傳統(tǒng)的物理氣相沉積或作為導(dǎo)電漿糊進(jìn)行沉積。傳統(tǒng)的無(wú)電鍍組合物以及傳統(tǒng)的銀導(dǎo)電漿糊都可以使用。此類金屬晶種層可以沉積到厚度為O.Ol]im到10pm，或例如0.5|im妾U5nm。任選地，金屬晶種層可被燒結(jié)形成金屬硅化物，比如鎳、鈀和銀的硅化物。燒結(jié)可以在30(TC到80(TC下進(jìn)行。在燒結(jié)之前相變阻擋物可以從摻雜半導(dǎo)體晶片上剝離?；蛘?，具有相變阻擋物的晶片可以放置在燒結(jié)爐中，在燒結(jié)過(guò)程中該阻擋物從晶片上燒掉。燒結(jié)后，晶片7賴卩到室溫，相變阻擋物被選擇性地再次涂敷到晶片上。第二金屬層通過(guò)光誘導(dǎo)的鍍覆沉積到金屬晶種層上，其中光和外部電流都被使用。所述光可以是連續(xù)的或脈沖的。將具有相變阻擋物的摻雜半導(dǎo)W1A金屬鍍組合物中，光施加到摻雜半導(dǎo)體上。所施加的電勢(shì)可以具有一定范圍的電流密度。典型的電流密度為0.1A/dm2到10A/dm2，更典型地，從O.lA/dm2到5A/dm2。具體的電流需求取決于摻雜半導(dǎo)體晶片的具體尺寸。如果晶片的正面被照射，且外部電勢(shì)減小到50毫安^小，鍍覆在正面正常itt續(xù)進(jìn)行但在晶片背面沒(méi)有鍍覆發(fā)生。正面的照射提高了背面鍍覆的均勻性并克服了伴隨從晶種層至隨離電連接的點(diǎn)的電阻位斷ohmicdrop)而帶來(lái)的所有難題。該鍍覆工藝可任選地包括一個(gè)或多個(gè)換向鍍覆步驟，比如脈沖周期性換向鍍覆工藝。第二金屬層的厚度范圍是5pm到50pm，或比如10pm到30|iim，或15pm到25pm。在第二金屬層的金屬鍍覆過(guò)程中可以使用的光包括，但不限于，可見(jiàn)光，紅外線，紫外線和X射線。光源包括，但不限于，白熱燈，紅外線燈，熒光燈，鹵素?zé)艉图す狻?yīng)用到半導(dǎo)體的光的量從500k到20，OOOlx，或1000k到150001x或5000k到10，OOOk。金屬層可以是任何誠(chéng)的導(dǎo)電金屬。典型地，金屬是銀或銅?？梢詉頓的金屬組合物包括無(wú)電鍍的，浸鍍的或電鍍組合物。無(wú)電金屬鍍組合物可以包括或不包J蔬原劑?？少I到的無(wú)電鍍銀組合物的例賴?yán)⊿ilveixm，Ag100和SilveGlo3k。可買到的無(wú)電鍍銅組合物的例子是Cuposi1^328L，Circuposit880，3361-1，253，3350，4500，3350-1和4750?？少I到的商用的銀電鍍?cè)∈荅NLIGHT600銀鍍。所有這些都可以從美國(guó)賓夕法尼亞州莫爾伯勒(MarlboroughMA,U.S.A)的羅門哈斯電子材料有限公司(RohmandHaasEletroincMaterial二LC),獲得。將具有相變阻擋物的圖案化的摻雜半導(dǎo)體晶片浸沒(méi)在盛裝于鍍槽的鍍覆組合物中。安裝光源來(lái)f頓光能照射半導(dǎo)體晶片。因?yàn)橄嘧冏钃跷锞哂?0%鞭高的透光率，足夠的光線穿過(guò)相變阻擋物，因而使得金屬鍍覆發(fā)生。如果圖案化的摻雜半導(dǎo)體晶片是硅太陽(yáng)能電池，光源可以是，例如，石英鹵素?zé)簦涮峁┡c太陽(yáng)光譜相似的能量，其中硅太陽(yáng)能電池對(duì)太陽(yáng)光譜具有光伏敏感性。各種各樣的其他光源也可以^頓，例如，但不限于，白熾燈、如250W的燈，汞燈，熒光管燈和發(fā)光二極管(LED)。該光能可以魏續(xù)的或脈沖的。脈沖照謝能夠iM:例如4頓機(jī)械切光器來(lái)中斷光線而達(dá)到。鍍槽是由對(duì)鍍覆組合物呈化學(xué)惰性的材料構(gòu)成，并對(duì)光倉(cāng)隨明?；蛘?，可將摻雜半導(dǎo)體晶片水平放置在鍍槽中，并從鍍覆組合物的上部或下部照射摻雜半導(dǎo)體晶片，在這種情況下，鍍槽不需要;i3S光的。通過(guò)使用光能照射摻雜半導(dǎo)體晶片的正面，鍍覆在正面上除了被相變阻擋組合物覆蓋的部位以外的地方發(fā)生。光能的入射在太陽(yáng)能電池中產(chǎn)生電流。摻雜半導(dǎo)體晶片正面的沉積速度^A射到晶片的輻射強(qiáng)度的函數(shù)，因?yàn)楫a(chǎn)生的電流是與入射強(qiáng)度成比例的。通過(guò)調(diào)節(jié)光強(qiáng)度或在金屬化的背面施加背部電勢(shì)，正面的鍍覆速率是可以控帝啲。任選地，當(dāng)?shù)诙饘賹邮倾~時(shí)銀或錫的觸鍍JKstrikelayer)可以沉積到第二金屬層上。傳統(tǒng)的方法和鍍覆浴可以用來(lái)沉積觸鍍層。該觸鍍層防止了銅的氧化。觸鍍層的厚度是常規(guī)的?？梢栽?.01iam到0.5iam之間。鍍覆浴中的金屬離子可以通過(guò)4OT，的溶液可溶性金屬化^1來(lái)提供，一般是金屬鹽。這,屬化合物可以包括，但不限于金屬卣化物；金屬氮化物；金屬羧酸鹽，比如醋酸鹽，金屬甲酸鹽和金屬葡萄糖酸鹽；金屬氨基酸絡(luò)合物比如金屬半胱氨酸絡(luò)合物；金屬烷基磺酸鹽比如金屬甲烷磺酸鹽和金屬乙烷磺酸鹽；金屬烷醇磺酸鹽，金屬甲苯基磺酸鹽，和金屬苯酚磺酸鹽；和金屬氰化物。示范性的金屬化合物包括，但不限于銀，銅和錫化合物。銀化合物包括，但不限于，硝酸銀，半胱氨酸銀配合物，甲烷磺酸銀，乙烷磺酸銀，丙烷磺酸銀，苯酚磺酸銀，和醋酸銀。當(dāng)金屬是銀時(shí)，金屬鹽通常不是鹵化銀，因?yàn)榇祟慃}的溶解度的限制。銅化合物包括，但不限于，焦磷勝同，葡萄糖勝同，硫酸銅和氯化銅。錫化合物包括，但不限于，鹵化錫和錫的烷基磺酸鹽(tin13alkysulfonate)。金屬化合物的混合物可以用于本鍍覆浴。jlt類的混合物可以是具有同樣的金屬但不同化合物的金屬化合物，比如硫酸銅和氯化銅的混合物，或硝酸銀和半胱氨酸銀配合物的混合物，或是具有不同的金屬的金屬化合物，比如半胱氨銀配合物和葡萄糖酸銅的混合物。當(dāng)具有不同的金屬的不同金屬化合物以混合物使用時(shí)，本金屬鍍覆浴沉積不同金屬的合金。金屬化合物以足夠量存在以在鍍覆組合物中掛共金屬離子的濃度在0.1到150g/L，更典型地0.5到100g/L，更典型地1至U70g/L。當(dāng)金屬離子是銀離子時(shí)，鍍?cè)≈秀y離子的濃度典型地是為240^。此類金屬化合物可以從各種來(lái)源購(gòu)得，比如ili斯康星州密爾沃基的阿爾德里效Aldrich)化學(xué)公司。當(dāng)金屬鍍覆組合物是電鍍組合物時(shí)，其中包括電解質(zhì)。大范圍的電解質(zhì)中的倒可一種可以f頓在金屬鍍覆組^t/中，包括酸和堿。示范性的電解質(zhì)包括，不局限于，鏈烷磺酸，比如甲烷磺酸，乙烷磺酸和丙烷磺酸；烷醇磺酸；芳香基磺酸比如甲苯磺酸，苯基磺酸和苯酚磺酸；^M基磺酸比如酰氨基磺酸；氨基磺酸；礦物酸；羧酸比如甲酸和鹵乙^aloaceticacid);卣化氫酸；和焦磷酸。酸和堿的鹽也育調(diào)作電解質(zhì)。另外，該電解質(zhì)也可以包含酸的混合物，堿的混合物或者一種或多種酸與一種或多種堿的混合物。此類的電解質(zhì)通?？梢酝ㄟ^(guò)多種來(lái)源購(gòu)得，比如阿爾德里奇化學(xué)公司。不期望被理論所限，當(dāng)金屬組合物包括銀時(shí)，相信含硝基化合物在鍍覆組合物中起到穩(wěn)定和絡(luò)，浴的作用。大范圍的7jC溶性硝基化合物中的任何一種都可使用。此類的硝基化合物包括，不局限于，含硝基羧酸及其鹽和含硝基磺艦其鹽。此類含硝基化合物可含有一個(gè)或多個(gè)硝錢團(tuán)。水溶性含硝基化合物典型地具有至少一個(gè)雜環(huán)基團(tuán)。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，該含硝基化合物是芳香性雜環(huán)化合物。含硝基化，的示范性的例賴?yán)?，不限于?-硝基苯二甲酸，3-硝基苯二甲酸，4-硝基苯二甲酸和/或間硝基苯磺酸。典型地，含硝割七合物在浴中的用量為O.l到200g/L，更典型的是0.5到175g/L，更典型的是1到150g/L。此類含硝基化^t/通?？梢詮母鞣N魏買到，比如阿爾德里奇化學(xué)公司。各種表面活性劑都可以在鍍覆組合物中使用。任何陰離子，陽(yáng)離子，兩性和非離子表面活性劑都能夠使用。非離子表面活性劑的示范性例子包括琥珀酸酯。表面活性劑可以選自陽(yáng)離子和兩性表面活性劑。陽(yáng)離子表面活性劑的示范性例子包括，但不限于，U-二癸蟇2甲基咪P^t氯化物，可從德固^Degussa)獲得，商標(biāo)是TEGOTAIN。表面活性齊l何以是兩性的，比如^甜，，可從德固賽獲得，商標(biāo)是TEGOTAIN0可以4頓表面活性齊啲混合物。表面活性劑典型地在鍍覆組合物中的量是0.1到5g/L。任選地，當(dāng)鍍覆組合物包括銀時(shí)可以含有維他命。戶萬(wàn)述維他命可以是脂溶性或水溶性的。典型地，^頓水溶性維他命。魏棚^溶性維他命包括A，Dj，D2，D3，K,，K2和E。^S的7JC溶性維他命包括C，B!，B2，B3，B^QB12。維他命的示范性的例，括，不限于，維生素A，固醇，維生素D2,維生素D3，維生素K"維生素K2,a-維生素E，P"維生素E，維生素C，維生素B,，煙堿酸，維生素B2，泛酸，維生素H，維生素B6,P十酸，維生素B,2。典型地，采用的維他命是維生素C，維生素B,，煙堿酸，維生素B2，泛酸，維生素H，維生素B6和葉酸。此處4頓的術(shù)語(yǔ)"維他命'獻(xiàn)旨包括維他命的鹽。通常，當(dāng)維他命加入組合物中時(shí)，維他命在鍍覆組合物中的存在量是0.01到150g/L，典型地是0.5到100g/L，更典型的是1到100g/L。維他命通?？梢酝ㄟ^(guò)各種M買到，比如阿爾德里奇化學(xué)公司。各種各樣的酰氨基化合物可以被使用。^S的含酰氨基化合物包括，不限于，磺酸翻安比如琥珀酸磺翻安和羧酸翻安比如琥珀酸酰胺(琥珀,安酸)。通常，當(dāng)4頓酰氨化合物時(shí)，其在鍍覆組合物中的量為0.01至lj150^，典型地0.5到100g/L，更典型地從1到100^L。酰氨化合物通常肖嫩從各種liil買到，比如阿爾德里奇化學(xué)公司。另夕卜酰氨化合物可以從腐例如，琥珀酰亞胺)現(xiàn)場(chǎng)生成。當(dāng)不拘于理論時(shí)，在浴溫度下添加到堿性浴里的胺，轉(zhuǎn)變/相應(yīng)的酰氨化合物。相信iK在K^安的碳氮敏C-N)處的羥基離子(OH-)的親核攻擊，這種反應(yīng)是會(huì)發(fā)生的。氨基酸也可以用于鍍覆組合物，包JSM基酸衍生物和氨基酸鹽。除了一個(gè)或多個(gè)氨錢團(tuán)外氨基酸還可以包括一個(gè)或多個(gè)巰錢團(tuán)。魏的氨基酸的例子包括，但不限于，甘氨酸，丙氨酸，半胱氨酸，甲硫氨酸和4氨基-煙堿酸。當(dāng)氨基翻于鍍覆浴中時(shí)，通常以0.1到150^L的量f頓，更典型地，0.5到150g/L，更典型地是0.5到125g/L。也可以采用酸的混合物。此類的氨基酸化合物通常能夠通過(guò)各種渠道購(gòu)得，比如阿爾德里奇4七學(xué)公司。當(dāng)金屬是銀時(shí)，水溶性氨基酸化合物的存在S1常鵬銀的化學(xué)計(jì)量。各種各樣的水溶性磺酸可以用于鍍覆組合物?；撬岬氖痉缎缘睦影ㄈ魏紊鲜鲇米麟娊赓|(zhì)的磺酸。當(dāng)磺酸用作電解質(zhì)時(shí)，無(wú)需附加的磺酸。典型地，磺酸的量為0.1至U200g/L?？蛇x地，鍍覆組合物可以含有一種或多種附加成分。此類的附加成i^括，不限于，光亮劑，晶粒細(xì)化劑，延性增強(qiáng)劑，抗失澤劑，和抗凍劑。含砜化合物可用作光亮劑。尤其是，魏的含砜化合物在鵬上含有一個(gè)或兩個(gè)芳香環(huán)。此類的芳香環(huán)可選地可以被一個(gè)或多個(gè)取代基所取代，所述取代基選自硝基，氨基鹵素，烷基和金屬。當(dāng)j頓該含砜化合物時(shí)，在鍍覆組合物中該含砜化合物典型地用量為0.001到5^L。各種各樣的抗失澤劑可選地可以用于鍍覆組合物。合適的抗失澤劑包括，不限于，三唑，苯并三唑，四唑，咪唑，苯并咪唑和吲唑。典型的抗失澤劑是(CrC16)烷基咪唑和芳基咪唑?？故蓜┑睦影?，但不限于，甲基咪唑，乙基咪唑，丙基咪唑，己基咪唑，癸基咪唑，H"^—烷基咪唑，l-苯基咪唑，4-苯基咪唑，羥基苯并三唑，氨基苯并三唑，2-咪唑甲醛，苯并三唑羧酸，2-胍基苯并咪唑，2-卩引唑，氯苯并三唑，羥乙基苯并三唑，羥乙基咪唑，羥基苯并咪唑和1,2,4-三唑?？构鉂升R啲混合物也可以j頓在鍍?cè)±铩Ｍǔ?，?dāng)4頓抗失澤劑時(shí)，抗失澤劑的量為0.005到50^L。當(dāng)金屬鍍覆組合物是無(wú)電鍍的或浸鍍金屬組合物時(shí)，可以包括還原劑。本領(lǐng)域有眾多的還原齊阿用于此類的金屬鍍覆組合物。此類還原齊抱括，但不限于次磷酸鈉，次磷酸鈉，次磷酸鉀，硫脲和硫脲衍生物，乙內(nèi)和乙內(nèi)酰脲衍生物，對(duì)苯二酚和對(duì)苯二酚衍生物，間苯二酚，和甲醛和甲醛衍生物。此類的還原劑可用量為0.1g/L到40g/L，或1g/L到25g/L或10g/L到20^L。金屬鍍覆組合物任^t也可以包含緩沖劑。緩沖劑的例子包括，但不限于，硼酸鹽緩沖劑(比如硼砂)，磷酸鹽緩沖劑，擰檬酸鹽緩沖劑，碳M4k緩沖劑和氫氧化物緩沖劑。緩沖齊啲量要足夠保持鍍覆組，的pH值在需要的水平，這種量對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是公知的。合金化金屬可任選地可以加入鍍覆組合物。任何M的合金化金屬都可以使用。此類的合金金化屬對(duì)于本領(lǐng)Jl^人員而言是公知的。金屬鍍覆組合物可以具有的pH值為1到14，典型地是1到12，更典型地是1到10。在金屬鍍覆過(guò)程中鍍覆組合物的工作溫度是10到IO(TC，或者20到60'C。當(dāng)鍍覆組合物包括銀時(shí)，工作Mj^典型的纟鵬為10到2(TC，更典型地驗(yàn)為15到2o"c。y轉(zhuǎn)p器典型地用來(lái)維持鍍覆組合物的、鵬低于室溫。在第二金屬層和任何觸鍍層被沉積后，并在焙燒金屬之前，將相變阻擋物從介電層上剝離。相變阻擋物可以用任何誠(chéng)的錄犒組合物剝離。此類的剝離劑包括，但不限于，剝離劑，如氫氧化鈉，氫氧化鉀，單乙醇氨，膽堿，四甲基氫氧化銨或其混合物。另外，相變阻擋物可M熱剝離而除去，熱剝離可在4(TC到5(TC的纟，下進(jìn)行。為了強(qiáng)化，一個(gè)或更多附加金屬層可以沉積在第二金屬層上。這類附加金屬層可以是鎳，銅，銀或錫。錫和鎳的混合物可以從包含氯化亞錫，氯化鎳，氫氧化銨，和氟化銨的水性鍍?cè)〕练e。已發(fā)現(xiàn)錫鎳混合物可用作覆蓋于其他金屬層上的環(huán)境隋性帽層。另外，當(dāng)最終金屬層是銅時(shí)，銀或錫的觸鍍層可以沉積在銅上以抑制銅的氧化。此類的附加金屬層可以^ffl傳統(tǒng)的鍍覆浴通過(guò)無(wú)電鍍沉積、浸鍍、電鍍、光輔助或光誘導(dǎo)的金屬M(fèi)沉積。典型地，此類的強(qiáng)化金屬層范圍是lpm到10pm。銀或錫觸鍍層的厚度可能是O.Olnm到0.5pm。當(dāng)一個(gè)或多個(gè)附加金屬層通過(guò)電鍍沉積時(shí)，應(yīng)用的施加電勢(shì)可以具有較寬的電流密度范圍。典型的電流密度是O.lA/dm^lj20A/dm2'更典型地是1A/dm2到10A/dm2。具體的電流要求依賴于所i頓的晶片的具體尺寸。所i頓的電鍍工藝過(guò)程是常規(guī)的。相變阻擋物具有30%或更高的輻射冑自率，允許了金屬鍍覆在摻雜半導(dǎo)體晶片上。同時(shí)，相變阻擋物作為電鍍阻擋物起到了抑制介電層上任何的背景鍍覆的作用，因而，金屬鍍覆被限制在摻雜半導(dǎo)體的選擇性預(yù)期區(qū)域。由于金屬鍍覆過(guò)程是各向同性且金屬鍍層的厚度通常比介電層的厚度要厚，戰(zhàn)阻擋物起到了限制金屬側(cè)向生長(zhǎng)的作用，減少了由鍍覆金屬帶來(lái)的任何不期望的光遮擋。從而避免了在摻雜半導(dǎo)體層上由于金屬生長(zhǎng)而導(dǎo)致的入射光損失。另外，相變阻擋物作為蝕刻阻擋物，育^與光亥lJ工藝中許多傳統(tǒng)酸和緩沖氧化物蝕刻劑相兼容。下述給出的實(shí)施例描述了本發(fā)明的多個(gè)不同方面，但并不意欲限定本發(fā)明的范圍。實(shí)施例1提供一個(gè)具有pn結(jié)的摻雜單晶硅晶片。摻雜單晶硅晶片的正面或^M層是織構(gòu)的(化咖^)且是11++摻雜。背面用鋁p+十摻雜。在n+十摻雜皿層和p十+摻雜背面之間的區(qū)域是n+摻雜。摻雜單晶硅晶片的正面涂覆有厚500nrn的SisN4層。該Si3N4是介電層，作為減g層。相變阻擋物含有重量20%的Sylgave(g)6100聚酰胺樹(shù)脂，40重量％的甲基丙烯酸異癸酯，35重量％的丙化新戊二醇二甲基丙烯酸酯和5重量％的光引發(fā)劑，其中的光引發(fā)劑由1-羥基-環(huán)己基-苯基-酮和2-異丙基噻噸酮纟賊，將該相變阻擋物M傳統(tǒng)的噴墨設(shè)備(來(lái)自施密特公司(Schmid))在100。C選擇性地沉積，覆蓋介電層以形成圖案，勾勒出電流線路的位置。相變阻擋物的沉積應(yīng)使得每個(gè)電流線路之間相距2mm。在介電層上的相變阻擋tT凃?qū)邮莑Opm。然后該相變阻擋物通過(guò)400到1600mj/cm2的熔^(fbsion)紫外帶系統(tǒng)固化。該阻擋物組，在300nm或更長(zhǎng)的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的^WM"望能夠大于91%。然后用40%的氫氟酸在25。C蝕刻摻雜半導(dǎo)體晶片2到10辦中，t腦U掉Si3N4介電體上沒(méi)有被相變阻擋物覆蓋的部分，將11++摻雜:^層暴露出來(lái)。在t膽U過(guò)程中，晶片的鋁背面通過(guò)施加與正面同樣的相變阻擋物來(lái)微避免酸嫩lJ。通過(guò)蝕刻形鵬劃寸層上的電流線路為20]um寬和0.9拜深。不希望^t蟲(chóng)刻蝕刻掉相變阻擋物。晶片被從,刻中移出并且在去離子水中清洗。通過(guò)將該摻雜半導(dǎo)體晶片浸沒(méi)到一個(gè)具有下表中配方的無(wú)電鍍鎳浴中，厚0.5pm的鎳晶種層沉積在電流線路中。表l化合物量鎳，以甲烷磺,存在6g/L次磷勝內(nèi)25g/L蘋果酸20g/L乳酸10g/L硼酸醋酸球然后使用具有下表公開(kāi)的組分的水性電解鍍組合物，通過(guò)光誘導(dǎo)的鍍覆在電流線路上鍍一層銀。表28g/L銀，以葡萄糖勝艮存在2g^L間硝基苯磺酸18<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>樹(shù)共含有表2中的銀鍍?cè)〉碾婂儾?，配?50瓦燈和銀陽(yáng)極。圖案化的晶片被^A鍍覆浴中。通過(guò)輻射施加l-5AAW的電流密度。直到厚為10pm的電鍍銀層在鎳晶種層上形成，鍍覆完成。不希望在Si3N4層上形成銀的背景鍍覆。采用3.5%的氫氧化鈉將相變阻擋物從SbN4介電層上剝離。然后晶片在常規(guī)爐子中于60(TC焙燒。實(shí)施例2提供具有pn結(jié)的摻雜多晶硅晶片。摻雜多晶硅晶片的正面或，層是織構(gòu)的且是n+十摻雜。背面用鋁p+十摻雜。在11++摻雜，層和？++摻雜背面之間是n+摻雜區(qū)域。摻雜多晶硅晶片的正面涂敷有一層厚500nm的Si3N4層。該Si3Ht是介電層，作為,射層。然后在介電層上形成電流線路的圖案。相變阻擋物含有20重量％的Sylvacleai^)C75V聚翻安蠟，40重量％的甲基丙烯酸異癸酯，35重量％的三丙二醇二甲基丙烯酸酯和5重量％的光引發(fā)劑，其中的光引發(fā)劑由l-羥基-環(huán)BS-苯基-酮和2-異丙基噻噸酮組成，將該相變阻擋物通過(guò)傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷工藝和設(shè)備選擇性iK行沉積，而覆蓋介電層的一部分以形成用于電流線路的圖案。相變阻擋物的沉積應(yīng)使得旨電流線路之間相距5mm。在介電層上的相變阻擋物涂層是10pm厚。相變阻擋物然后M400到1600mj/cm2的熔剖fUsion)紫外線帶系統(tǒng)固化。該阻擋物在300nm或更長(zhǎng)的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的^lt率期望大于91%。然后^A40%的氫氟酸水溶液在25。C蝕刻摻雜多晶硅晶片2到10射中，蝕亥鵬Si3N4介電體上沒(méi)有被相變阻擋物覆蓋的部分，將n+十摻雜鄉(xiāng)層暴露出來(lái)。晶片鋁背面通過(guò)施加與正面同樣的相變阻擋物而樹(shù)斜戶避免酸蝕刻。通過(guò)蝕刻形鵬鄉(xiāng)層上的電纟繊路是20拜寬和0.9拜深。不希望氫氟,刻蝕刻掉相變阻擋物。晶片被從酸蝕刻中移出并且在去離子水中清洗。使用Palladep，BP自催4tX藝(從賓夕法尼亞州莫爾伯勒的羅門哈斯電子材l將限公司獲得)，在電流線路中沉積厚0.1pm的鈀金屬晶種層。然后采用CopperGleam，銅脈沖銅鍍?cè)?從羅門哈斯電子材fffl限公司獲得)，通過(guò)光誘導(dǎo)的鍍覆用銅鍍覆電流線路的鈀晶種層。光源是250瓦燈，電流密度是1-5安培/dm2。直到厚為10拜的電鍍銅層在鈀晶種層上形成，鍍覆完成。不希望在Si3N4層上形成銅的背景鍍覆。在銅層上沉積錫觸鍍層用來(lái)防止銅的氧化。250瓦的燈泡作為光源。錫鍍覆是在1到5安培/dm2完成的。觸fl^厚度為O.lpm。然后采用0.5%的氫氧化鈉將相變阻擋物從Si3N4介電層上剝離。晶片然后在常規(guī)爐子中于70(TC焙燒。實(shí)施例3iH共具有pn結(jié)的摻雜單晶硅晶片。摻雜單晶硅晶片的正面或皿層是織構(gòu)的且是n+十摻雜。背面用鋁p+十摻雜。在11++摻雜，層和？++摻雜背面之間的區(qū)域是n+摻雜。摻雜單晶硅晶片的正面涂覆有厚500nm的Si3H^。該Si3Kj是介電層，作為減反射層。然后在介電層上形成電流線路的圖案。相變阻擋物包括10重量％的聚醐安樹(shù)脂，10重量％的石蠟，40重量％的丙烯酸十八烷酯，35重量％的1,6-己二醇二丙烯酸酯和5重量％的光弓撥劑，其中的光引發(fā)劑由l-P縫-環(huán)BS-苯基-酮和2-異丙基噻噸酮組成，該相變阻擋物在8(TC通過(guò)Optomecm3d⑧氣溶,射沉積系統(tǒng)(從Optomec^獲得)選擇性地沉積而部分覆蓋介電層以形成用于電流線路的圖案。相變阻擋物的沉積使得旨電流線路之間相距3mm。沉積在介電層上的相變阻擋物是10pm厚。然后M400到1600mJ/cm2的熔剖fosion)紫夕卜線帶系統(tǒng)固化相變阻擋物。該相變阻擋鵬300nm或更長(zhǎng)的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的爐射率期望大于鄉(xiāng)。蝕刻掉Si3N4介電體上沒(méi)有被相變阻擋物覆蓋的部分，將n十+摻雜鄉(xiāng)層暴露出來(lái)。用40X的氫氟酸在25。Ct膝lJ2到10射中，從而在鄉(xiāng)層中形成2(^m寬和0.5jim深的電流線路。不希望激蟲(chóng)刻蝕刻掉相變阻擋物。晶片的鋁背面通過(guò)施加與正面同樣的相變阻擋物而被保護(hù)避免酸蝕刻。電流線路采用無(wú)電鍍鎳鍍覆以形成0.1Mm厚的鎳晶種層。該鎳沉積魏用Niplate^600中紙電鍍鎳浴(從羅門哈斯電子材^W限公司獲得)。該鎳晶種層然后涂覆厚10pm的銀層。通過(guò)光誘導(dǎo)的鍍TOEnlight600銀鍍^^沉積銀，。疲浴的pH值保持在9到12。鍍?cè)〉捏H保持在25到35°C。20提供含有銀鍍?cè)〉腻儾?，配?50瓦燈和銀陽(yáng)極。將晶片MA到鍍?cè)≈?，艦輻射能施加l-5A/dm2的電流密度。鍍覆,直到得到需要厚度的電鍍銀層。不希望在介電層上形成銀的背景鍍覆。M熱剝離將相變阻擋物從Si3N4介電層上剝離。熱剝離在常規(guī)爐中進(jìn)行，溫度為5(TC。金屬化的晶片然后在常規(guī)爐子中于80(TC焙燒。權(quán)利要求1、一種方法，包括a)提供包括n摻雜正面和p摻雜背面的摻雜半導(dǎo)體，和覆蓋該摻雜半導(dǎo)體的n摻雜正面的介電層；b)在介電層上選擇性沉積具有30％或更高的透光率的相變阻擋物，以在介電層上形成圖案；c)蝕刻掉介電層上沒(méi)有被相變阻擋物覆蓋的部分，從而將摻雜半導(dǎo)體的n摻雜正面的一部分暴露；d)沉積金屬晶種層到摻雜半導(dǎo)體n摻雜正面的暴露部分；且e)通過(guò)光誘導(dǎo)的鍍覆在金屬晶種層沉積金屬層。2、如權(quán)利要求i所述的方法，其特征在于，戶;M相變阻擋物包括一種或多種蠟。3、如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，戶皿相變阻擋物包括一種或多種聚翻安樹(shù)脂。4、如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述t^MOT酸或緩沖氧化物完成。5、如權(quán)利要求1戶脫的方法，其特征在于，戶脫相變阻擋物M噴墨打印、氣溶膠0f凃、絲網(wǎng)印刷或光刻謝m擇性沉積。6、如權(quán)利要求i所述的方法，其特征在于，戶;M金屬晶種層是鎳、鈀或銀。7、如禾又利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬層是銅或銀。8、如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括固化相變阻擋物的步驟。9、如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括剝離相變阻擋物的步驟。10、如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述相變阻擋物以液體、半固體或繊狀態(tài)沉積。全文摘要一種方法，包括在介電體上選擇性沉積具有高透光率的相變阻擋物，以形成圖案，蝕刻掉介電體上沒(méi)有被該阻擋物覆蓋的部分，并沉積金屬晶種層到介電體的蝕刻部分上。然后通過(guò)光誘導(dǎo)的鍍覆在金屬晶種層上沉積金屬層。文檔編號(hào)H01L31/18GK101667606SQ20091017339公開(kāi)日2010年3月10日申請(qǐng)日期2009年7月27日優(yōu)先權(quán)日2008年7月31日發(fā)明者H·董,R·K·巴爾,T·C·舒特申請(qǐng)人:羅門哈斯電子材料有限公司