一種真空鍍膜的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種真空鍍膜機，包括真空室（1），所述真空室（1）的內腔下部設置有電子槍（2）和輔助離子源（3），在電子槍（2）和輔助離子源（3）的上方設有正對兩者的基片架（4），基片架（4）的外側設有基片加熱器（5）；基片架（4）的頂部和真空室（1）內腔頂部相連接的位置處設置有光控系統(tǒng)（6）和晶控系統(tǒng)（7），電子槍（2）、輔助離子源（3）、光控系統(tǒng)（6）和晶控系統(tǒng)（7）通過信號線與監(jiān)視設備相連。本實用新型通過基片加熱器在鍍膜前對基片進行穩(wěn)定均勻加熱，以改善膜層致密性和均勻性；用離子束轟擊正在生長的膜層，形成致密均勻的膜層結構，提高鍍膜膜層的穩(wěn)定性和質量，達到改善鍍膜膜層光學和機械性能的目的。
【專利說明】一種真空鍍膜機
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及鍍膜【技術領域】，具體地說是一種提高鍍膜質量和鍍膜層穩(wěn)定性的真空鍍膜機。
【背景技術】
[0002]在現(xiàn)有技術中，真空鍍膜機在使用時，基片的鍍膜厚度不易控制，且鍍膜的質量及膜層的附著度不高，易從基片上脫落。

【發(fā)明內容】

[0003]本實用新型的目的是針對現(xiàn)有技術存在的問題，提供一種提高鍍膜質量和鍍膜層穩(wěn)定性的真空鍍膜機。
[0004]本實用新型的目的是通過以下技術方案解決的:
[0005]一種真空鍍膜機，包括真空室，其特征在于所述真空室的內腔下部設置有電子槍和輔助離子源，在電子槍和輔助離子源的上方設有正對電子槍和輔助離子源的基片架，基片架的外側設有與其相對應的基片加熱器；所述基片架的頂部和真空室內腔頂部相連接的位置處設置有光控系統(tǒng)和晶控系統(tǒng)，電子槍、輔助離子源、光控系統(tǒng)和晶控系統(tǒng)通過信號線與監(jiān)視設備相連。
[0006]所述的真空室上還設有真空排氣系統(tǒng)，該真空排氣系統(tǒng)由回轉油泵和擴散油泵組成。
[0007]所述的光控系統(tǒng)通過檢測鍍層薄膜的透射率和反射率的變化來計算鍍膜薄膜的光學厚度。
[0008]所述的晶控系統(tǒng)通過檢測基片固有頻率的變化推算鍍膜薄膜的物理厚度，并根據(jù)與基片厚度的差異來自動調節(jié)電子槍的電子流能量和輔助離子源的離子束流能量的大小。
[0009]本實用新型相比現(xiàn)有技術有如下優(yōu)點:
[0010]本實用新型通過基片加熱器在鍍膜前對基片進行穩(wěn)定均勻加熱，以改善膜層致密性和均勻性；在電子束熱蒸發(fā)進行的同時輔助離子源產(chǎn)生離子束，用離子束轟擊正在生長的膜層，可以形成致密均勻的膜層結構，提高鍍膜膜層的穩(wěn)定性，提高了鍍膜層的質量，使之不易脫落，達到改善鍍膜膜層光學和機械性能的目的。
[0011]本實用新型采用的真空排氣系統(tǒng)由回轉油泵和擴散油泵組成，首先通過回轉油泵進行粗抽，使真空室內從大氣壓達到低一中真空，然后通過擴散油泵進行真抽，使真空室內達到高一超高真空；該真空鍍膜機具有結構簡單、使用方便且鍍膜質量好、效率高的特點，適宜推廣使用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]附圖1為本實用新型的真空鍍膜機結構示意圖。
[0013]其中:1 一真空室；2 —電子槍；3—輔助離子源；4一基片架；5—基片加熱器；6—光控系統(tǒng)；7—晶控系統(tǒng)；8—真空排氣系統(tǒng)。
【具體實施方式】
[0014]下面結合附圖與實施例對本實用新型作進一步的說明。
[0015]如圖1所示:一種真空鍍膜機，包括真空室1，在真空室I的內腔下部設置有電子槍2和輔助離子源3，在電子槍2和輔助離子源3的上方設有正對電子槍2和輔助離子源3的基片架4，基片架4的外側設有與其相對應的基片加熱器5，在基片架4的頂部和真空室I內腔頂部相連接的位置處設置有光控系統(tǒng)6和晶控系統(tǒng)7，電子槍2、輔助離子源3、光控系統(tǒng)6和晶控系統(tǒng)7通過信號線與監(jiān)視設備相連，且光控系統(tǒng)6通過檢測鍍層薄膜的透射率和反射率的變化來計算鍍膜薄膜的光學厚度，晶控系統(tǒng)7通過檢測基片固有頻率的變化推算鍍膜薄膜的物理厚度，并根據(jù)與基片厚度的差異來自動調節(jié)電子槍2的電子流能量和輔助離子源3的離子束流能量的大小。另外在真空室I上還設有真空排氣系統(tǒng)8，該真空排氣系統(tǒng)8由回轉油泵和擴散油泵組成，使用時通過回轉油泵進行粗抽，使真空室I內從大氣壓達到低一中真空，然后通過擴散油泵進行真抽，使真空室I內達到高一超高真空。
[0016]本實用新型通過基片加熱器5在鍍膜前對基片進行穩(wěn)定均勻加熱，以改善膜層致密性和均勻性；在電子束2熱蒸發(fā)進行的同時輔助離子源3產(chǎn)生離子束，用離子束轟擊正在生長的膜層，可以形成致密均勻的膜層結構，提高鍍膜膜層的穩(wěn)定性，提高了鍍膜層的質量，使之不易脫落，達到改善鍍膜膜層光學和機械性能的目的；該真空鍍膜機具有結構簡單、使用方便且鍍膜質量好、效率高的特點，適宜推廣使用。
[0017]以上實施例僅為說明本實用新型的技術思想，不能以此限定本實用新型的保護范圍，凡是按照本實用新型提出的技術思想，在技術方案基礎上所做的任何改動，均落入本實用新型保護范圍之內；本實用新型未涉及的技術均可通過現(xiàn)有技術加以實現(xiàn)。
【權利要求】
1.一種真空鍍膜機，包括真空室(1)，其特征在于所述真空室(I)的內腔下部設置有電子槍(2)和輔助離子源(3)，在電子槍(2)和輔助離子源(3)的上方設有正對電子槍(2)和輔助離子源(3)的基片架(4)，基片架(4)的外側設有與其相對應的基片加熱器(5);所述基片架(4)的頂部和真空室(I)內腔頂部相連接的位置處設置有光控系統(tǒng)(6)和晶控系統(tǒng)(7)，電子槍(2)、輔助離子源(3)、光控系統(tǒng)(6)和晶控系統(tǒng)(7)通過信號線與監(jiān)視設備相連。
2.根據(jù)權利要求1所述的真空鍍膜機，其特征在于所述的真空室(I)上還設有真空排氣系統(tǒng)(8);該真空排氣系統(tǒng)(8)由回轉油泵和擴散油泵組成。
3.根據(jù)權利要求1所述的真空鍍膜機，其特征在于所述的光控系統(tǒng)(6)通過檢測鍍層薄膜的透射率和反射率的變化來計算鍍膜薄膜的光學厚度。
4.根據(jù)權利要求1所述的真空鍍膜機，其特征在于所述的晶控系統(tǒng)(7)通過檢測基片固有頻率的變化推算鍍膜薄膜的物理厚度，并根據(jù)與基片厚度的差異來自動調節(jié)電子槍(2)的電子流能量和輔助離子源(3)的離子束流能量的大小。
【文檔編號】C23C14/30GK203559116SQ201320582320
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2013年9月22日 優(yōu)先權日:2013年9月22日
【發(fā)明者】王朝陽, 宮睿 申請人:無錫啟暉光電科技有限公司