沉積掩模、使用沉積掩模制造顯示裝置的方法和由其制造的顯示裝置制造方法
【專利摘要】提供了防止在形成封裝膜時(shí)發(fā)生的缺陷或確保封裝膜的長(zhǎng)壽命的沉積掩模、使用沉積掩模制造顯示裝置的方法和由該方法制造的顯示裝置。所述沉積掩模具有：第一部分和第二部分，所述第二部分厚于所述第一部分；所述第一部分中的至少一個(gè)開(kāi)口，沉積材料穿過(guò)所述開(kāi)口；以及所述第一部分中的多個(gè)通孔，所述通孔鄰近和圍繞所述開(kāi)口，所述通孔從所述第一部分的上表面延伸至下表面，光穿過(guò)所述開(kāi)口和所述多個(gè)通孔以照射所述沉積材料。
【專利說(shuō)明】沉積掩模、使用沉積掩模制造顯示裝置的方法和由其制造 的顯示裝置
[0001] 優(yōu)先權(quán)要求
[0002] 本申請(qǐng)參考于2013年4月16日向韓國(guó)專利局提交且被賦予序列號(hào) 10-2013-0041835的申請(qǐng)，將該申請(qǐng)并入文本，并要求該申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 本發(fā)明涉及沉積掩模、使用沉積掩模制造顯示裝置的方法和由該方法制造的顯示 裝置，更具體地，涉及防止在形成封裝膜時(shí)發(fā)生的缺陷從而確保封裝膜的長(zhǎng)壽命的沉積掩 模、使用該沉積掩模制造顯示裝置的方法和由該方法制造的顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0004] 通常，制造顯示裝置的過(guò)程包括在襯底上形成特定膜的沉積過(guò)程。在這個(gè)沉積過(guò) 程中，將包括與待在襯底上形成膜的部分對(duì)應(yīng)的開(kāi)口的掩模緊密地附接至襯底或者圍繞襯 底放置，然后使來(lái)自源的材料在穿過(guò)開(kāi)口之后釋放到襯底的預(yù)定區(qū)域上。
[0005] 然而，在傳統(tǒng)沉積過(guò)程中使用的掩模的情況中，諸如已經(jīng)形成的膜的結(jié)構(gòu)可能在 用于形成特定膜的沉積過(guò)程中被破壞，或者可造成形成膜的缺陷、分層或壽命降低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明提供了一種防止在形成封裝膜時(shí)發(fā)生的缺陷以確保封裝膜的長(zhǎng)壽命的沉 積掩模、使用沉積掩模制造顯示裝置的方法和由該方法制造的顯示裝置。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種沉積掩模，所述沉積掩模具有沉積材料穿過(guò) 的開(kāi)口和從最鄰近所述開(kāi)口的第一部分的上表面至下表面的多個(gè)開(kāi)口，所述沉積掩模的第 二部分的厚度大于所述第一部分的厚度，所述第二部分次鄰近于所述開(kāi)口。
[0008] 所述第一部分的上表面和所述第二部分的上表面可位于相同的平面。
[0009] 所述第一部分中的所述多個(gè)通孔的密度可以是均勻的。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種沉積掩模，所述沉積掩模具有沉積材料穿過(guò) 的多個(gè)開(kāi)口和最鄰近所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)的第一部分的上表面至下表面的多個(gè)通孔，所 述沉積掩模的第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度，所述第二部分次鄰近所述多個(gè)開(kāi) 口中的每個(gè)。
[0011] 所述第一部分的上表面和所述第二部分的上表面可位于相同的平面。
[0012] 所述第一部分中的所述多個(gè)通孔的密度可以是均勻的。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括：在襯底 上形成顯示單元；形成無(wú)機(jī)膜以覆蓋所述顯示單元；將沉積掩模布置在所述襯底上使得沉 積材料穿過(guò)的開(kāi)口對(duì)應(yīng)于所述顯示單元，次鄰近所述開(kāi)口且比最鄰近所述開(kāi)口的所述第一 部分厚的第二部分的下表面接觸所述襯底的一部分使得所述沉積掩模不與所述無(wú)機(jī)膜接 觸，所述第一部分包括從其上表面至下表面的多個(gè)通孔，所述襯底的該部分未被所述無(wú)機(jī) 膜覆蓋；通過(guò)將單體沉積在所述無(wú)機(jī)膜上形成單體膜；通過(guò)將紫外線照射在所述單體膜上 將所述單體膜轉(zhuǎn)變成聚合物膜；以及將所述沉積掩模從所述襯底分離。
[0014] 在轉(zhuǎn)換過(guò)程中，所述紫外線照射在所述沉積掩模的所述第一部分和所述開(kāi)口上。
[0015] 所述方法還可包括：形成附加的無(wú)機(jī)膜以覆蓋所述聚合物膜。
[0016] 所述顯示單元可包括有機(jī)發(fā)光設(shè)備。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于制造多個(gè)顯示裝置的方法，所述方法包 括：在襯底上形成多個(gè)顯示單元；形成無(wú)機(jī)膜以覆蓋所述多個(gè)顯示單元中的每個(gè)；將沉積 掩模布置在所述襯底上使得沉積材料穿過(guò)的多個(gè)開(kāi)口對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)顯示單元，次鄰近所 述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)且比最鄰近所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)的所述第一部分厚的第二部分的 下表面接觸所述襯底的未被所述襯底的所述無(wú)機(jī)膜覆蓋的部分使得所述沉積掩模不與所 述無(wú)機(jī)膜接觸，所述第一部分包括從其上表面至下表面的多個(gè)通孔；通過(guò)將單體沉積在所 述無(wú)機(jī)膜上形成單體膜；通過(guò)將紫外線照射在所述單體膜上將所述單體膜轉(zhuǎn)變成聚合物 膜；以及將所述沉積掩模從所述襯底分離。
[0018] 在轉(zhuǎn)換過(guò)程中，所述紫外線可照射在所述沉積掩模的所述第一部分和所述開(kāi)口 上。
[0019] 所述方法還可包括：形成附加的無(wú)機(jī)膜以覆蓋所述聚合物膜。
[0020] 所述方法還可包括：形成附加的無(wú)機(jī)膜以覆蓋所述聚合物膜；以及沿所述多個(gè)顯 示裝置中的每個(gè)的周邊切割所述襯底。
[0021] 所述多個(gè)顯示單元可包括有機(jī)發(fā)光設(shè)備。
[0022] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括：襯底；顯示單 元，形成于所述襯底上；無(wú)機(jī)膜，覆蓋所述顯示單元并且延伸至所述顯示單元的外側(cè)以接觸 所述襯底；位于所述無(wú)機(jī)膜上且具有第一厚度的第一聚合物膜、以及位于所述第一聚合物 膜的外側(cè)的所述無(wú)機(jī)膜上且具有比所述第一厚度小的第二厚度的第二聚合物膜；以及附加 的無(wú)機(jī)膜，覆蓋所述第一聚合物膜和所述第二聚合物膜。
[0023] 所述顯示裝置還可包括：第三聚合物膜，位于所述無(wú)機(jī)膜的外側(cè)的所述襯底上且 具有比所述第一厚度小的第三厚度，所述第二無(wú)機(jī)膜覆蓋所述第三聚合物膜。
[0024] 所述第三厚度可小于所述第二厚度。
[0025] 所述顯示單元可包括有機(jī)發(fā)光設(shè)備。
[0026] 所述附加的無(wú)機(jī)膜可延伸至所述無(wú)機(jī)膜的外側(cè)以接觸所述襯底。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027] 隨著考慮結(jié)合附圖、參考下面的詳細(xì)描述更好地明白對(duì)本發(fā)明的更完整的理解及 其伴隨的許多優(yōu)點(diǎn)，它們也將顯而易見(jiàn)，在附圖中相似的參考標(biāo)號(hào)指示相同或相似的部件， 其中：
[0028] 圖1是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的沉積掩模的立體圖；
[0029] 圖2至圖6是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式制造顯示裝置的過(guò)程 的截面圖；
[0030] 圖7和圖8是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的制造顯示裝置的過(guò)程 的截面圖；
[0031] 圖9是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的沉積掩模的立體圖；以及
[0032] 圖10和圖11是示意性地示出了根據(jù)另一實(shí)施方式制造顯示裝置的過(guò)程的截面 圖。

【具體實(shí)施方式】
[0033] 如本文中所使用的，術(shù)語(yǔ)"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)所列的相關(guān)項(xiàng)的任意和全部組 合。
[0034] 現(xiàn)在參考附圖更完整地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施方式。然而，本發(fā) 明可以各種不同的形式實(shí)施并且不應(yīng)該被解釋為限制于本文所述的實(shí)施方式，而是，提供 這些實(shí)施方式使得本公開(kāi)徹底和完整，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員完整傳遞本發(fā)明的概念。 在附圖中，為了清楚起見(jiàn)放大層和區(qū)域的厚度。
[0035] 在下面描述的實(shí)施方式中，X軸、y軸和z軸不限于直角坐標(biāo)系的三個(gè)軸。
[0036] 而且，當(dāng)用術(shù)語(yǔ)"在…上"、"在…頂部"和相似術(shù)語(yǔ)描述兩個(gè)物品之間的位置關(guān)系， 除非給出了包括術(shù)語(yǔ)"直接"的描述，一個(gè)或多個(gè)物品可位于這兩個(gè)物品之間。
[0037] 圖1是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的沉積掩模400的立體圖。
[0038] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的沉積掩模400包括允許沉積材料穿過(guò)的開(kāi)口 0P。如 圖1所示，開(kāi)口 0P很大，形成于沉積掩模400的中部，并且用于形成在大面積上未被圖案化 的膜(被稱為開(kāi)口掩模)。
[0039] 沉積掩模400可被劃分成第一部分P1和第二部分P2,第一部分P1位于開(kāi)口 0P與 第二部分P2之間。第二部分P2可以是沉積掩模400的外部。第二部分P2的厚度大于第 一部分P1的厚度tl。
[0040] 當(dāng)使用沉積掩模400時(shí)，即使第二部分P2的下部與襯底接觸，第一部分P1可不與 襯底或已經(jīng)形成于襯底上的另一結(jié)構(gòu)接觸。如此，即使沉積掩模400被定位在襯底上，可防 止沉積掩模400破壞襯底或形成于襯底上的另一結(jié)構(gòu)。為此，第一部分P1的上表面和第二 部分P2的上表面可位于相同的平面，然而，第二部分P2的與襯底接觸的下表面可在一個(gè)方 向（-z方向）上比第一部分P1突出。
[0041] 而且，多個(gè)通孔TH從第一部分P1的上表面形成至下表面。當(dāng)諸如紫外線的光從 沉積掩模400上面照射時(shí)，光穿過(guò)多個(gè)通孔TH并且到達(dá)襯底的位于沉積掩模400的第一部 分P1下方的部分。第一部分P1中的多個(gè)通孔TH的密度可以是均勻的，由此光可均勻地照 射在襯底的位于沉積掩模400的第一部分P1下方的部分以及襯底的通過(guò)開(kāi)口 0P露出的部 分。
[0042] 沉積掩模400可由金屬材料(諸如SUS和/或殷鋼）制成。
[0043] 圖2至圖6是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式制造顯示裝置的方法 的截面圖，其中使用根據(jù)前一實(shí)施方式的沉積掩模。
[0044] 首先，如圖2所示，在襯底100上形成顯示單元200。襯底100可由諸如玻璃和塑 料的各種材料形成。顯示單元200包括多個(gè)顯示設(shè)備(諸如，發(fā)光設(shè)備、電場(chǎng)發(fā)射設(shè)備、液晶 顯示設(shè)備等)。在襯底1〇〇上形成顯示單元200之后，形成無(wú)機(jī)膜310以覆蓋顯示單元200。
[0045] 無(wú)機(jī)膜310可覆蓋顯示單元200并且延伸至顯示單元200的外側(cè)以直接接觸襯底 100和顯示單元200的側(cè)面部分。無(wú)機(jī)膜310可保護(hù)顯示單元200免受雜質(zhì)(諸如，外界的 氧氣和濕氣）的影響，并且可包括硅氮化物和/或硅氧化物、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬 碳酸鹽等。
[0046] 然后，如圖3所示將參考圖1描述的沉積掩模400置于襯底100上。沉積材料穿 過(guò)的開(kāi)口 0P對(duì)應(yīng)于襯底100上的顯示單元200,并且第二部分P2的下表面接觸襯底100的 未被無(wú)機(jī)膜310覆蓋的部分。如此，沉積掩模400可被布置在襯底100上且不與形成于襯 底100上的無(wú)機(jī)膜310接觸。第二部分P2比最鄰近開(kāi)口 0P的第一部分P1厚，并且多個(gè)通 孔TH從第一部分P1的上表面形成至下表面。
[0047] 如果關(guān)于沉積掩模400的第一部分P1和第二部分P2未在沉積掩模400的下側(cè)形 成厚度差，如果已經(jīng)形成于襯底100上的無(wú)機(jī)膜310接觸沉積掩模400,則在無(wú)機(jī)膜310中 可能產(chǎn)生裂縫。這最終可造成無(wú)機(jī)膜310保護(hù)顯示單元200免受外界雜質(zhì)的影響的功能的 惡化。因此，為了避免發(fā)生這樣的問(wèn)題，沉積掩模400的第一部分P1和第二部分P2如上所 述具有不同的厚度。
[0048] 然后，如圖4所示，將單體沉積在無(wú)機(jī)膜310上以形成單體膜32Γ。單體膜32Γ 可使用閃蒸方法形成。例如，可通過(guò)將單體狀態(tài)從高溫和/或高壓狀態(tài)改變至低壓狀態(tài)來(lái) 降低單體的沸點(diǎn)，氣態(tài)的單體通過(guò)瞬間蒸發(fā)從源移動(dòng)至襯底100。單體可包含丙烯酸系列、 環(huán)氧系列和它們的組合。
[0049] 因此，氣態(tài)的單體可穿過(guò)沉積掩模400的開(kāi)口 0P并且在無(wú)機(jī)膜310的上表面的與 開(kāi)口 0P對(duì)應(yīng)的部分中凝結(jié)，由此形成單體膜32Γ。然而，在這個(gè)過(guò)程中，在穿過(guò)沉積掩模 400的開(kāi)口 0P之后，單體可不僅在無(wú)機(jī)膜310的上表面上與開(kāi)口 0P對(duì)應(yīng)的部分中凝結(jié)，而 且通過(guò)移動(dòng)至襯底100與沉積掩模400的第一部分P1之間的空間，在無(wú)機(jī)膜310的上表面 上與該空間對(duì)應(yīng)的部分中凝結(jié)。
[0050] 圖4示出了如上所述形成的單體膜322'。單體膜322'被定位在無(wú)機(jī)膜310上，并 且可被定位為遠(yuǎn)離與顯示單元200對(duì)應(yīng)的單體膜32Γ。而且，單體膜32Γ和單體膜322' 可連接。在任一情況中，隨著氣態(tài)單體穿過(guò)沉積掩模400的開(kāi)口 0P朝襯底100方向移動(dòng)， 形成單體膜32Γ，并且隨著氣態(tài)的單體進(jìn)一步移動(dòng)至襯底100與沉積掩模400之間的空間， 形成單體膜322'。因此，單體膜32Γ的厚度t321'可大于單體膜322'的厚度t322'。
[0051] 然后，如圖5所示，諸如紫外線的光照射在單體膜32Γ和322'上以將單體膜32Γ 和322'轉(zhuǎn)變成聚合物膜321和322。多個(gè)通孔TH從沉積掩模400第一部分P1的上表面形 成至下表面。當(dāng)光例如從沉積掩模400上面照射時(shí)，光穿過(guò)多個(gè)通孔TH。因此，如果光線照 射在沉積掩模400的開(kāi)口 0P和第一部分P1上，則光可不僅照射在與沉積掩模400的開(kāi)口 0P對(duì)應(yīng)的單體膜32Γ上，而且照射在位于襯底的由第一部分P1遮蔽的部分上和位于沉積 掩模400的下部下方的單體膜322'上。結(jié)果，單體膜32Γ和單體膜322'可分別轉(zhuǎn)變成聚 合物膜321和聚合物膜322。
[0052] 而且，在形成單體膜32Γ和單體膜322'之后，沉積掩模400可被移除，并且光可 照射在單體膜32Γ和322'上。然而，液態(tài)的單體膜32Γ和單體膜322'具有高流動(dòng)性，因 此單體膜32Γ和單體膜322'的厚度均勻性可在移除沉積掩模400的過(guò)程中或在照射光之 后變得不同。因此，當(dāng)單體膜32Γ和單體膜322'形成而沉積掩模400仍然未被移除時(shí)，可 能有必要快速地照射光。因此，可通過(guò)使用包括第一部分P1中的多個(gè)通孔TH的沉積掩模 400解決若干問(wèn)題。
[0053] 然后，可將沉積掩模400從襯底100分離，并且如圖6所述可形成附加的無(wú)機(jī)膜 330以覆蓋聚合物膜321和322以制造顯示裝置。在這種情況下，無(wú)機(jī)膜310、聚合物膜321 和322、以及附加的無(wú)機(jī)膜330形成封裝膜300,封裝膜300保護(hù)顯示單元200免受雜質(zhì)(諸 如，外界的氧氣和濕氣)的影響。附加的無(wú)機(jī)膜330可由各種材料(諸如，硅氧化物和/或硅 氮化物、金屬氧化物、金屬氮化物或金屬碳酸鹽等）形成。
[0054] 顯示單元200可包括有機(jī)發(fā)光設(shè)備，并且有機(jī)發(fā)光設(shè)備可包括中間層，中間層包 括彼此面對(duì)的電極和位于電極之間的至少發(fā)光層。中間層可包含有機(jī)物，因此這種有機(jī)發(fā) 光設(shè)備可容易地通過(guò)氧氣和濕氣被劣化。然而，在根據(jù)本實(shí)施方式的制造方法的情況中，包 括無(wú)機(jī)膜310、聚合物膜321、322和附加的無(wú)機(jī)膜330的封裝膜300可覆蓋顯示單元200以 保護(hù)顯示單元200免受雜質(zhì)(諸如，外界的氧氣和濕氣）的影響。
[0055] 而且，通過(guò)如上參考圖5所描述地照射紫外線，將單體膜32Γ和單體膜322'轉(zhuǎn)變 成聚合物膜321和聚合物膜322。同時(shí)，如果多個(gè)通孔TH未從沉積掩模400的第一部分P1 的上表面形成至下表面，光通過(guò)開(kāi)口 0P照射在單體膜32Γ上，但是光將不會(huì)照射在位于襯 底的由第一部分P1遮蔽的部分處和位于沉積掩模400的下部下方的單體膜322'上。因此， 單體膜322'可能未轉(zhuǎn)變成聚合物膜。
[0056] 如果在單體膜322'未轉(zhuǎn)變成聚合物膜的狀態(tài)中附加的無(wú)機(jī)膜330被形成以覆蓋 聚合物膜321和單體膜322'，未轉(zhuǎn)變成單體膜的單體膜322'包括液體單體，因此附加的無(wú) 機(jī)膜330與無(wú)機(jī)膜310之間的結(jié)合力可能變?nèi)酢＝Y(jié)果，附加的無(wú)機(jī)膜330可能分層或者可 能在隨后容易地分層，在這種情況下，顯示單元的有機(jī)發(fā)光設(shè)備可容易地通過(guò)外界的雜質(zhì) 被劣化。
[0057] 然而，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式制造顯示裝置的方法中，多個(gè)通孔TH如上所述從 沉積掩模400的第一部分P1的上表面形成至下表面。因此，當(dāng)光照射在沉積掩模400的上 部時(shí)，光可不僅照射在與沉積掩模400的開(kāi)口 0P對(duì)應(yīng)的單體膜32Γ上，而且照射在位于襯 底的由第一部分P1遮蔽的部分處和位于沉積掩模400的那部分下方的單體膜322'上。結(jié) 果，單體膜32Γ和單體膜322'可轉(zhuǎn)變成聚合物膜321和聚合物膜322。如此，可有效地防 止無(wú)機(jī)膜310與附加的無(wú)機(jī)膜330之間的結(jié)合力的惡化或附加的無(wú)機(jī)膜330的分層。
[0058] 圖7和圖8是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式制造顯示裝置的方法的 截面圖。
[0059] 在參考圖4描述的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式制造顯示設(shè)備的方法中，已經(jīng)描述了在 無(wú)機(jī)膜310上形成單體膜32Γ和單體膜322'。在根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式制造顯示裝 置的方法的情況中，在無(wú)機(jī)膜310上形成單體膜32Γ和單體膜322'，并且還可在襯底的一 部分中未被沉積掩模400的第二部分P2覆蓋的部分上形成附加的單體膜323'，襯底的該部 分未被無(wú)機(jī)膜310覆蓋，如圖7所示。
[0060] 當(dāng)使用閃沉積（flash deposition)方法等在無(wú)機(jī)膜310上形成單體膜321'時(shí)， 氣態(tài)的單體穿過(guò)沉積掩模400的開(kāi)口 0P，并且在無(wú)機(jī)膜310的上表面上凝結(jié)，以形成無(wú)機(jī)膜 32Γ。在這個(gè)過(guò)程中，氣態(tài)的單體穿過(guò)沉積掩模400的開(kāi)口 0P，然后不僅在無(wú)機(jī)膜310的 上表面的與開(kāi)口 0P對(duì)應(yīng)的部分中凝結(jié)，而且可移動(dòng)至襯底100與沉積掩模400的第一部分 P1之間的空間并且在無(wú)機(jī)膜310的上表面的與該空間對(duì)應(yīng)的部分處凝結(jié)。而且，氣態(tài)的單 體還可進(jìn)一步移動(dòng)，可在襯底100的一部分中未被沉積掩模400的第二部分P2覆蓋的部分 處凝結(jié)，其中襯底100的該部分未被無(wú)機(jī)膜310覆蓋。
[0061] 單體膜323'可被形成為遠(yuǎn)離單體膜322'，如圖7所示。而且，單體膜323'可連接 (未示出）至單體膜322'。在任一情況中，氣態(tài)的單體還移動(dòng)至襯底100與沉積掩模之間的 空間而不在無(wú)機(jī)膜310上凝結(jié)，因此單體膜322'的厚度可大于單體膜323'的厚度。
[0062] 類似地，多個(gè)通孔從根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式制造顯示裝置的方法中使用的沉積掩 模400的第一部分P1的上表面形成至下表面。因此，當(dāng)諸如紫外線的光照射在沉積掩模 400的上部時(shí)，光可不僅照射在與沉積掩模400的開(kāi)口 0P對(duì)應(yīng)的單體膜32Γ上，而且照射 在位于沉積掩模400的第一部分P1下方的部分處的單體膜322'和單體膜323'上。結(jié)果， 所有的單體膜32Γ、單體膜322'和單體膜323'可分別轉(zhuǎn)變成聚合物膜321、聚合物膜322 和聚合物膜323 (圖8)。如此，可有效地防止無(wú)機(jī)膜310與附加的無(wú)機(jī)膜330 (圖8)之間 的結(jié)合力的惡化或附加的無(wú)機(jī)膜330的分層。
[0063] 上面已經(jīng)描述了在襯底100上形成一個(gè)顯示單元200的情況，但是本發(fā)明不限于 此。
[0064] 將參考圖9描述根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的沉積掩模。
[0065] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的沉積掩模402包括多個(gè)開(kāi)口 0P1、0P2、0P3和0P4,沉積 材料可穿過(guò)開(kāi)口 0P1、0P2、0P3和0P4。圖9示出了沉積掩模402包括用于在大面積上形成 未被圖案化的膜的開(kāi)口 〇P 1、0P2、0P3和0P4。
[0066] 沉積掩模402可被劃分成最鄰近多個(gè)開(kāi)口 0P1、0P2、0P3和0P4中的每個(gè)的第一部 分和鄰近第一部分的第二部分。第二部分的厚度大于第一部分的厚度。
[0067] 當(dāng)沉積掩模402被定位在襯底上時(shí)，即使沉積掩模402的第二部分的下部(在-z 方向)接觸襯底，沉積掩模402的第一部分可不與襯底或者已經(jīng)形成于襯底上的另一結(jié)構(gòu)接 觸。如此，即使沉積掩模402位于襯底上，可防止因沉積掩模402引起的對(duì)襯底或形成于襯 底上的另一結(jié)構(gòu)的破壞。為此，沉積掩模402的第一部分的上表面和沉積掩模402的第二 部分的上表面可位于相同的平面，然而，沉積掩模402的第二部分的下表面可在-z方向比 沉積掩模402的第一部分突出，因此第一部分的厚度將小于第二部分的厚度。
[0068] 而且，多個(gè)通孔TH從沉積掩模402的第一部分的上表面形成至下表面。當(dāng)諸如紫 外線的光照射在沉積掩模402的上部時(shí)，光可穿過(guò)多個(gè)通孔TH并且到達(dá)由第一部分部分 地遮蔽和位于沉積掩模402的下部下方的部分。沉積掩模402的第一部分的多個(gè)通孔TH 的密度可以是均勻的，因此，光可均勻地照射在由第一部分部分地遮蔽和位于沉積掩模402 的第一部分的下部下方的部分上。
[0069] 圖10和圖11是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式制造顯示裝置的過(guò)程 的截面圖。在過(guò)程中使用參考圖9描述的根據(jù)前一實(shí)施方式的沉積掩模。
[0070] 首先，如圖10所示，在襯底100上形成多個(gè)顯示單元200并且在顯示單元200中 的每個(gè)上形成無(wú)機(jī)膜310。襯底100可由諸如玻璃或塑料的各種材料形成。顯示單元可以 是有機(jī)發(fā)光設(shè)備、電場(chǎng)放電設(shè)備、液晶顯示設(shè)備等。
[0071] 在襯底100上形成顯示單元200之后，形成無(wú)機(jī)膜310以覆蓋顯示單元200中的 每個(gè)。無(wú)機(jī)膜310可接觸和覆蓋顯示單元200中的每個(gè)，可接觸和覆蓋顯示單元200的側(cè) 面并且可直接接觸襯底100的多個(gè)部分。
[0072] 然后，在如圖10所示的襯底上布置如上參考圖9描述的沉積掩模402。此時(shí)，沉積 材料可穿過(guò)的多個(gè)開(kāi)口 0P1和0P2對(duì)應(yīng)于襯底100上的多個(gè)顯示單元200,并且厚度大于第 一部分P1的第二部分P2的下表面接觸襯底100的未被無(wú)機(jī)膜310覆蓋的部分。如此，可 在襯底100上布置沉積掩模402以不接觸形成于襯底100上的無(wú)機(jī)膜310。結(jié)果，可防止對(duì) 保護(hù)每個(gè)顯示單元200免受雜質(zhì)的影響的無(wú)機(jī)膜310的破壞。
[0073] 然后，如圖10所示，通過(guò)在無(wú)機(jī)膜310上沉積單體形成單體膜32Γ。單體膜32Γ 可使用閃蒸形成。在這個(gè)過(guò)程中，氣態(tài)的單體膜可移動(dòng)至襯底與沉積掩模402的第一部分 P1之間的空間，并且可在無(wú)機(jī)膜310的上表面上與該空間對(duì)應(yīng)的部分中凝結(jié)，由此形成單 體膜322'。
[0074] 然后，諸如紫外線的光可照射在單體膜32Γ和322'上以將單體膜32Γ和322' 轉(zhuǎn)變成聚合物膜321和322 (圖11)，并且在將沉積掩模402從襯底分離之后，可形成附加 的無(wú)機(jī)膜330以覆蓋襯底100的大部分、無(wú)機(jī)膜310以及聚合物膜321和322的全部暴露 部分，如圖11所示。然后，可沿顯示單元200之間的部分S切割襯底100以制造多個(gè)顯示 裝直。
[0075] 即使當(dāng)制造多個(gè)顯示裝置時(shí)，可如圖8所示在襯底100上形成聚合物膜。
[0076] 上面已經(jīng)描述了沉積掩模402和使用沉積掩模制造顯示裝置的方法，但是本發(fā)明 不限于此。也就是說(shuō)，每個(gè)顯示裝置可具有如圖6所示的結(jié)構(gòu)，或者可具有如圖8所示的結(jié) 構(gòu)。
[0077] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可提供防止在形成封裝膜時(shí)發(fā)生的缺陷以確保封裝膜的 長(zhǎng)壽命的沉積掩模、使用掩模制造顯示裝置的方法和由該方法制造的顯示裝置。
[0078] 盡管已經(jīng)參考本發(fā)明的示例性實(shí)施方式示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人 員將理解，可進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)的各種變化而不背離由下面的權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神 和范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于制造至少一個(gè)顯示裝置的沉積掩模，所述沉積掩模包括： 第一部分和第二部分，所述第二部分比所述第一部分厚； 所述第一部分中的開(kāi)口，沉積材料穿過(guò)所述開(kāi)口；以及 所述第一部分中的多個(gè)通孔，所述多個(gè)通孔鄰近和圍繞所述開(kāi)口，所述通孔從所述第 一部分的上表面延伸至下表面，光穿過(guò)所述開(kāi)口和所述多個(gè)通孔。
2. 如權(quán)利要求1所述的沉積掩模，其中所述第一部分的上表面和所述第二部分的上表 面位于相同的平面。
3. 如權(quán)利要求1所述的沉積掩模，其中所述第一部分中的所述多個(gè)通孔的密度是均勻 的。
4. 一種用于制造至少一個(gè)顯示裝置的沉積掩模，所述沉積掩模包括： 第一部分和第二部分，所述第二部分比所述第一部分厚； 所述第一部分中的多個(gè)開(kāi)口，沉積材料穿過(guò)所述開(kāi)口； 所述第一部分中的多個(gè)通孔，所述多個(gè)通孔鄰近和圍繞所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)，所述 通孔從所述第一部分的上表面延伸至下表面，光穿過(guò)所述開(kāi)口和所述多個(gè)通孔。
5. 如權(quán)利要求4所述的沉積掩模，其中所述第一部分的上表面和所述第二部分的上表 面位于相同的平面。
6. 如權(quán)利要求4所述的沉積掩模，其中所述第一部分中的所述多個(gè)通孔的密度是均勻 的。
7. -種制造顯示裝置的方法，所述方法包括： 在襯底上形成顯示單元； 在所述襯底上形成第一無(wú)機(jī)膜并且覆蓋所述顯示單元的所有暴露表面； 將沉積掩模設(shè)置在所述襯底上，所述沉積掩模具有第一厚度的第一區(qū)域和第二厚度的 第二區(qū)域，其中所述第一區(qū)域接觸所述襯底未被所述第一無(wú)機(jī)膜覆蓋的部分，所述第二厚 度小于所述第一厚度，所述沉積掩模不與所述第一無(wú)機(jī)膜接觸，所述沉積掩模包括：所述第 二區(qū)域中的開(kāi)口，以及所述第二區(qū)域中的多個(gè)通孔，所述多個(gè)通孔鄰近和圍繞所述開(kāi)口，所 述通孔從所述第二區(qū)域的上表面延伸至下表面； 經(jīng)由所述開(kāi)口在所述第一無(wú)機(jī)膜上沉積單體來(lái)形成單體膜； 通過(guò)所述開(kāi)口和所述多個(gè)通孔將紫外線照射在所述單體膜上，從而將所述單體膜轉(zhuǎn)變 成聚合物膜；以及 將所述沉積掩模從所述襯底分離。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，還包括形成第二無(wú)機(jī)膜以覆蓋所述聚合物膜和所述第一 無(wú)機(jī)膜的暴露表面。
9. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述顯示單元包括有機(jī)發(fā)光設(shè)備。
10. -種用于制造多個(gè)顯示裝置的方法，所述方法包括： 在襯底上形成多個(gè)顯示單元； 用相應(yīng)的多個(gè)第一無(wú)機(jī)膜覆蓋所述多個(gè)顯示單元中的每個(gè)的暴露表面； 將沉積掩模設(shè)置在所述襯底上，所述沉積掩模具有第一厚度的第一區(qū)域和第二厚度的 第二區(qū)域，其中所述第一區(qū)域接觸所述襯底未被所述第一無(wú)機(jī)膜覆蓋的部分，所述第二厚 度小于所述第一厚度，所述沉積掩模不與所述第一無(wú)機(jī)膜接觸，所述沉積掩模包括：所述第 二區(qū)域中的多個(gè)開(kāi)口，所述多個(gè)開(kāi)口對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)顯示單元，以及所述第二區(qū)域中的多 個(gè)通孔，所述多個(gè)通孔鄰近和圍繞所述多個(gè)開(kāi)口中的每個(gè)，所述通孔從所述第二區(qū)域的上 表面延伸至下表面； 通過(guò)經(jīng)由所述多個(gè)開(kāi)口而沉積單體，在所述第一無(wú)機(jī)膜中的每個(gè)上形成單體膜； 通過(guò)所述開(kāi)口和所述多個(gè)通孔將紫外線照射在所述單體膜上，從而將所述單體膜轉(zhuǎn)變 成聚合物膜；以及 將所述沉積掩模從所述襯底分離。
11. 如權(quán)利要求10所述的方法，還包括形成第二無(wú)機(jī)膜以覆蓋所述聚合物膜和所述第 一無(wú)機(jī)膜的暴露表面。
12. 如權(quán)利要求10所述的方法，還包括： 形成第二無(wú)機(jī)膜以覆蓋所述聚合物膜和所述第一無(wú)機(jī)膜的暴露部分；以及 沿所述多個(gè)顯示裝置中的每個(gè)的周邊切割所述襯底。
13. 如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述多個(gè)顯示單元包括有機(jī)發(fā)光設(shè)備。
14. 一種顯示裝置，包括： 襯底； 顯示單元，形成于所述襯底上； 第一無(wú)機(jī)膜，覆蓋所述顯示單元并且延伸至所述顯示單元的外側(cè)以接觸所述襯底； 位于所述第一無(wú)機(jī)膜上并且具有第一厚度的第一聚合物膜、以及位于所述第一聚合物 膜外側(cè)的所述無(wú)機(jī)膜上且具有比所述第一厚度小的第二厚度的第二聚合物膜；以及 第二無(wú)機(jī)膜，覆蓋所述第一聚合物膜和所述第二聚合物膜。
15. 如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，還包括： 第三聚合物膜，位于所述無(wú)機(jī)膜外側(cè)的所述襯底上且具有比所述第一厚度小的第三厚 度，所述第二無(wú)機(jī)膜覆蓋所述第三聚合物膜。
16. 如權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中所述第三厚度小于所述第二厚度。
17. 如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述顯示單元包括有機(jī)發(fā)光設(shè)備。
18. 如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述第二無(wú)機(jī)膜延伸至所述無(wú)機(jī)膜的外側(cè)以 接觸所述襯底。
【文檔編號(hào)】C23C14/04GK104112825SQ201310507797
【公開(kāi)日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2013年10月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月16日
【發(fā)明者】金南珍, 樸徹桓 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司