火花塞電極材料和火花塞的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及包括鎳、硅和銅的火花塞電極材料，其中該電極材料在按照規(guī)定的使用中在至少其表面的一部分上形成由氧化鎳晶粒形成的氧化鎳層，其中氧化鎳晶粒的晶界相包含硅和／或氧化硅。
【專(zhuān)利說(shuō)明】火花塞電極材料和火花塞
現(xiàn)有技術(shù)
[0001]本發(fā)明涉及火花塞電極材料，以及包含電極的火花塞，該電極由火花塞電極材料所構(gòu)成，和涉及用于制造火花塞電極材料的方法。
[0002]火花塞在現(xiàn)有技術(shù)中在不同的實(shí)施方案中是已知的。火花塞在快燃發(fā)動(dòng)機(jī)中它們的電極之間產(chǎn)生觸發(fā)火花用于點(diǎn)燃燃料一空氣一混合物。所述火花塞在此具有接地電極和中間電極，其中具有二到五個(gè)電極的火花塞構(gòu)造形式是已知的。這些電極在此置于火花塞外殼(接地電極)上或者作為中間電極置于陶瓷絕緣體中?；鸹ㄈ氖褂脡勖艿诫姌O材料的耐腐蝕性和耐侵蝕性所影響。傳統(tǒng)的電極材料基于含有鋁成分的鎳合金。然而，它們的問(wèn)題在于，在發(fā)動(dòng)機(jī)室中的工作條件下，即在高溫和氧化氣氛的情況下，鎳表面的大部分以及在電極材料內(nèi)部的部分鎳通過(guò)與周?chē)难醴磻?yīng)而氧化。由此形成了氧化鎳層，該層還包括氧化鋁并且具有熱絕緣性以及導(dǎo)電抑制性。由此所述氧化鎳層在較短時(shí)間之后已經(jīng)易于被腐蝕或者被火花侵蝕。因此，增大了電極間距，這最終導(dǎo)致火花塞的失靈。在按照規(guī)定使用火花塞時(shí)，氧化層的形成最多可以通過(guò)使用由純貴金屬構(gòu)成的或基于貴金屬的電極材料來(lái)實(shí)現(xiàn)，比如鉬或者帶有銥的鉬合金，該電極材料具有增強(qiáng)的抗火花侵蝕攻擊的耐磨性。但是，這樣的電極材料，特別是鉬，產(chǎn)生巨大的成本，這對(duì)于此類(lèi)大量生產(chǎn)的部件如火花塞是成問(wèn)題的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]與此相反，根據(jù)本發(fā)明的具有權(quán)利要求1的特征的火花塞電極材料具有優(yōu)點(diǎn)，即它是基于鎳基合金，其使得電極材料的成本和從而火花塞的成本低廉。此外，這種火花塞電極材料具有優(yōu)點(diǎn)，即在按照規(guī)定的使用中，就是說(shuō)在升高的溫度中和氧的存在下，至少在其表面的一部分上在最短的時(shí)間內(nèi)，通常在幾小時(shí)后已經(jīng)形成由氧化鎳晶粒(Korn)構(gòu)成的特定結(jié)構(gòu)化的、尤其均質(zhì)的、相對(duì)薄的氧化層。氧化層的結(jié)構(gòu)特征在于，在形成的氧化鎳層的氧化物晶界之間，形成臨界層一`即所謂的晶界相，該臨界層有利地對(duì)火花侵蝕磨損施加影響，因此降低了由于火花侵蝕而引起的電極材料磨損，從而增加了火花塞電極的使用壽命。通過(guò)有針對(duì)性地將硅添加到基于鎳的初始電極材料(鎳基合金)，氧化鎳晶粒的晶界相在按照規(guī)定的電極材料使用中包含硅和/或氧化硅。優(yōu)選地，氧化鎳晶粒的晶界相在按照規(guī)定的電極材料使用中由硅和/或氧化硅形成。通過(guò)這種包含硅和/或氧化硅的晶界相的構(gòu)成，有利地影響了氧化層的熱機(jī)械的、電的或?qū)岬男阅?。而且，除了所形成的氧化層的電?dǎo)率之外，還提高了氧化層的耐氧化性，以及它們的熱力學(xué)穩(wěn)定性，由此再次減少了電極材料的火花侵蝕磨損。這樣在根據(jù)本發(fā)明的火花塞電極材料的操作過(guò)程中，在電極材料表面的至少一部分上形成具有晶界相的、尤其氧化鎳晶粒的氧化層，該層包含硅和/或氧化硅，或者該層由硅和/或氧化硅組成。該氧化層具有優(yōu)選6 W/mK，特別是至少8 W/mK或者甚至10 W/mK和更大的高的熱導(dǎo)率，以及特別高的電導(dǎo)率。由此，在按照規(guī)定的電極材料使用中，位于該電極材料上的電壓和作用溫度可以迅速均勻地分布到整個(gè)電極材料上，由此防止局限于電極表面的小區(qū)域上的，即局部的溫度最大值和電壓最大值，這樣顯著地減少電極材料的腐蝕和侵蝕。本發(fā)明所以選擇一種新的方式，因?yàn)橥ㄟ^(guò)有針對(duì)性地選擇電極材料成分，即鎳、銅和硅，優(yōu)化了在按照規(guī)定的使用中所形成的氧化層，不同于現(xiàn)有技術(shù)中將主要注意力置于盡可能高的耐腐蝕性。
[0004]從屬權(quán)利要求中說(shuō)明了本發(fā)明的優(yōu)選的擴(kuò)展實(shí)施方式。
[0005]各個(gè)元素和化合物的數(shù)量值，除非另有說(shuō)明，分別基于火花塞電極材料的總重量計(jì)。
[0006]優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的火花塞電極材料的特征在于，氧化鎳晶粒的晶界相除了硅和/或氧化硅之外還包括銅和/或氧化銅。然而，銅和/或氧化銅的主要部分主要沉積于氧化鎳晶粒中。通過(guò)除了硅和/或氧化硅之外還包含或者包括銅和/或氧化銅的氧化鎳晶粒的晶界相，進(jìn)一步有利地影響了氧化層的熱機(jī)械的、電的或?qū)岬男阅堋?br> [0007]優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的火花塞電極材料的特征在于，氧化鎳層中的硅和/或氧化硅的含量按氧化鎳層的總重量計(jì)為I到5重量％，特別是2到4重量％和特別是3重量％。在此，氧化鎳層中的硅和/或氧化硅的含量是指存在于晶界相中的硅和/或氧化硅的份額。這一份額可以容易地通過(guò)例如掃描電子顯微鏡上的能量分散X射線光譜法(EDX)測(cè)量。從氧化鎳晶粒晶界相中較小份額的大約I重量％的的硅和/或氧化硅起，就已經(jīng)可測(cè)量出氧化層電導(dǎo)率明顯的升高，該升高增長(zhǎng)直至晶界相中的硅和/或氧化硅的含量達(dá)到大約5重量％。然而，對(duì)于更高的份額，會(huì)出現(xiàn)相反的效果。因此，優(yōu)選硅和/或氧化硅的含量按氧化鎳層的總重量計(jì)為2到4重量％的范圍。
[0008]此外優(yōu)選地，火花塞電極材料的特征在于，氧化鎳晶粒的大約90%和尤其氧化鎳晶粒的大約95%具有小于15微米的晶粒尺寸。具有盡可能小的晶粒尺寸的氧化鎳晶粒的形成對(duì)于由氧化鎳晶粒形成氧化鎳層是關(guān)鍵的，其中該氧化鎳層具有均勻分布的含硅晶界相。此外，氧化鎳晶粒的晶粒尺寸越小，形成的氧化層越堅(jiān)固。這點(diǎn)可歸因于，小的晶粒形成更致密的氧化鎳晶粒形成物，由此避免形成比較大的空腔，以及由此所謂的給定斷裂點(diǎn)。包含具有晶界相的、由氧化鎳晶粒形成的氧化鎳層的根據(jù)本發(fā)明的電極材料足夠的堅(jiān)固性可以如下實(shí)現(xiàn)，即至少90%和尤其95%的在按照規(guī)定使用火花塞電極材料時(shí)形成的氧化鎳晶粒具有小于15微米的晶粒尺寸。小于15微米的氧化鎳晶粒的晶粒尺寸能夠例如通過(guò)火花等離子(Funkenplasma)對(duì)根據(jù)本發(fā)明的電極材料作用而產(chǎn)生。
[0009]特別優(yōu)選的是，在按照規(guī)定使用火花塞電極材料之前，硅的含量為0.7到1.3重量％，尤其是0.9到1.1重量％，尤其是I重量％，和銅的含量為0.5到1.0重量％，尤其是0.60到0.85重量％，尤其是0.75重量％，和/或鎳的含量因此為約97.5至98.5重量％，基于電極材料的總重量計(jì)。在低份額的0.7重量％的硅的情況下，已經(jīng)積極地影響電極材料的氧化行為和在電極材料上形成的氧化層的電阻，即通過(guò)在按照規(guī)定使用火花塞電極材料時(shí)，在氧化鎳晶粒的晶界相中含有足夠量的、所使用硅的大約I到5重量％的硅和/或氧化娃。然而，從娃的總份額超過(guò)1.3重量％起出現(xiàn)相反的效果。通過(guò)添加0.5到1.0重量％的銅(基于電極材料的總重量計(jì))，電極材料的電阻進(jìn)一步降低，因?yàn)殂~離子主要嵌入在氧化鎳晶格中，由此提高所形成的氧化層的電導(dǎo)率。這種效果在低的0.5重量％的銅份額時(shí)已經(jīng)可以測(cè)量到。然而，銅的份額應(yīng)該不超過(guò)I重量％，因?yàn)榉駝t無(wú)法充分地保證火花塞電極材料足夠的機(jī)械強(qiáng)度。尤其優(yōu)選地，火花塞電極材料因此具有硅的含量為0.9到1.1重量％和尤其是I重量％，以及銅的含量為0.6到0.85重量％，尤其是0.75重量％。在這些份額中，附加的元素硅和銅通過(guò)硅和/或氧化硅或者硅和/或氧化硅與銅和/或氧化銅在按照規(guī)定使用火花塞電極材料時(shí)形成的氧化鎳層的氧化鎳晶粒的晶界相上的積聚和富集，導(dǎo)致氧化層尤其高的電導(dǎo)率。此外，所形成的氧化層是在熱力學(xué)和機(jī)械方面足夠穩(wěn)定的，從而有效地減少了根據(jù)本發(fā)明的火花塞電極材料的火花侵蝕磨損以及腐蝕。
[0010]進(jìn)一步優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的火花塞電極材料的特征在于，晶界相的層厚度小于0.3微米，尤其是小于0.2微米以及尤其是小于0.1微米。晶界相越是較薄地構(gòu)成，氧化鎳晶粒之間的空腔越小，而且氧化層表面越封閉和本身更堅(jiān)固，從而該層面更好地受到保護(hù)而免于火花侵蝕的攻擊，因?yàn)槠鋬H具有低份額的給定斷裂點(diǎn)。但是優(yōu)選地，晶界相的層厚度也至少如此大，以致各個(gè)硅原子和/或氧化硅粒子可以積聚在其上。因此，晶界相的層厚度尤其大于0.1納米但小于0.2微米以及尤其小于0.1微米。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式，本發(fā)明的火花塞電極材料的特征在于，除了鎳、銅和硅之外該材料包括0.07到0.13重量％，尤其是0.09到0.11重量％以及尤其是0.10重量％的釔。添加這樣少量的釔防止在按照規(guī)定使用具有本發(fā)明的火花塞電極材料的火花塞期間的異常晶粒生長(zhǎng)，釔含量可以有針對(duì)性地保持在低水平，例如通過(guò)合金的低氧含量。從釔的份額超過(guò)0.13重量％起，負(fù)面地影響氧化行為以及由此所形成的氧化層的電阻，因?yàn)樵陔姌O材料中形成含釔的沉淀物。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式，所述火花塞電極材料的特征在于，金屬雜質(zhì)的份額合計(jì)少于0.2重量％和尤其是少于0.1重量％。其中金屬雜質(zhì)包含元素和化合物，例如鐵、鈦、鉻、猛等。這些雜質(zhì)降低電導(dǎo)率升高的效果，如同通過(guò)在給定的范圍內(nèi)將硅和銅摻入鎳基材料中所達(dá)到的效果。此外，通過(guò)這些雜質(zhì)而降低了合金的熱導(dǎo)率。
[0013]尤其優(yōu)選地，氧化鎳晶粒不含有硅和/或氧化硅。如果硅或者氧化硅嵌入在氧化鎳晶粒中，則其將在那里與銅粒子(銅離子)或者氧化銅競(jìng)爭(zhēng)，由此不能有效地提高根據(jù)本發(fā)明的電極材料的電導(dǎo)率。
[0014]尤其優(yōu)選地，該電`極材料基本上沒(méi)有鋁和/或鋁化合物和/或金屬間相。鋁及其化合物降低電極材料和所產(chǎn)生的氧化層的電導(dǎo)率，從而促進(jìn)電極材料的火花侵蝕磨損。通過(guò)放棄使用鋁明顯改善所產(chǎn)生的氧化層的氧化行為和尤其電阻以及因此火花塞電極材料的侵蝕行為，即可測(cè)量到地改善。此外，明顯改善材料的可塑性。放棄使用金屬間相也有相似的效果，因?yàn)榻饘匍g相以在鎳基質(zhì)中的沉淀物的形式存在，并導(dǎo)致熱機(jī)械張力以及減小熱導(dǎo)率，由此增加了電極材料的火花侵蝕磨損和腐蝕。
[0015]尤其優(yōu)選地，鐵和/或鉻和/或鈦的含量小于0.05重量％和尤其是小于0.01重量％，和/或硫和/或硫化合物和/或碳和/或碳化合物的含量小于0.01重量％,尤其是小于0.005重量％以及尤其是小于0.001重量％。正是元素鐵和/或鉻和/或鈦不利地影響電極材料的電導(dǎo)率。進(jìn)一步優(yōu)選地，硫和/或硫化合物和/或碳和/或碳化合物的含量小于0.01重量％，尤其是小于0.005重量％以及尤其是小于0.001重量％，因?yàn)檫@些元素和化合物也對(duì)合金的氧化行為起到負(fù)面作用，尤其是其可以導(dǎo)致電極材料受到更強(qiáng)的腐蝕。
[0016]尤其優(yōu)選地，火花塞電極材料中氧的含量小于0.003重量％，尤其是小于0.002重量％，因?yàn)檠醪粌H促進(jìn)鎳材料和而且也促進(jìn)雜質(zhì)的氧化，這再次導(dǎo)致了電極材料更多的磨損。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選的實(shí)施方式，火花塞電極材料基本上，即不考慮由于技術(shù)條件而無(wú)法避免的雜質(zhì)，由I重量％的硅,0.75重量％的銅和0.1重量％的釔組成，其中余下的材料由鎳組成并合計(jì)為約98.15重量％。在按照規(guī)定的使用中這樣的電極材料形成堅(jiān)固的、薄的且均勻的、具有細(xì)微的晶界相的氧化鎳層，在其上積聚著硅和/或氧化硅、或者硅和/或氧化硅和銅和/或氧化銅。該電極材料具有大于10 W/mK的高熱導(dǎo)率和低的電阻，即高的電導(dǎo)率。因此，所述的火花塞電極材料具有減少的火花侵蝕磨損和明顯降低的腐蝕傾向，并因此特別好地適用于在高溫下的長(zhǎng)期使用。
[0018]進(jìn)一步優(yōu)化地，火花塞電極材料基本上，即不考慮由于技術(shù)條件而無(wú)法避免的雜質(zhì)，由0.7到1.3重量％，尤其I重量％的硅；0.5到1.0重量％，尤其0.75重量％的銅；0.07到0.13重量％，尤其0.1重量％的釔組成，以及含有少于0.003重量％，尤其少于0.002重量％的氧；0.001重量％的硫和0.003重量％的碳，其中余下的材料是鎳，其中金屬雜質(zhì)的份額合計(jì)少于0.1重量％。該電極材料基于其組成具有最小的火花侵蝕磨損和最小的腐蝕傾向。
[0019]本發(fā)明還涉及用于制備本發(fā)明的火花塞電極材料的方法，其中該方法包括制造鎳基合金的步驟以及摻入其它元素如硅、銅和任選地釔的步驟。
[0020]通過(guò)按照規(guī)定使用如此所制造的本發(fā)明的火花塞電極材料，在火花塞電極材料表面的至少一部分上形成氧化層，該層具有經(jīng)優(yōu)化的結(jié)構(gòu)。經(jīng)優(yōu)化的結(jié)構(gòu)是指，氧化層具有均勻且堅(jiān)固結(jié)合的特點(diǎn)，而且與在傳統(tǒng)電極上形成的氧化層相比它還相對(duì)薄以及在表面上是勻稱(chēng)的。此外，在氧化鎳晶粒之間形成晶界相，該晶界相含有硅和/或氧化硅。這可以形成具有電極表面上氧化層的低電 阻的電極材料，這樣使得該氧化層具有改善的電導(dǎo)率。此外，也提高了電極材料的熱導(dǎo)率。因此，通過(guò)本發(fā)明的方法提供由低成本電極材料形成的火花塞電極，其特征在于極高的耐溫性以及明顯減少的火花侵蝕磨損和電極燒損，并具有突出的抗氧化性和耐腐蝕性。因此，按照本發(fā)明制造的火花塞電極在高溫中在極端條件下，如在發(fā)動(dòng)機(jī)的燃燒室內(nèi)所處的條件，也是堅(jiān)固并耐磨損的。
[0021]本發(fā)明還涉及由上述的火花塞電極材料形成的電極，其中該電極可以應(yīng)用于例如作為火花塞的中間電極和/或接地電極，以及用作單組分電極或者用作具有本發(fā)明電極材料作為包裹材料和銅芯的雙組分電極。
[0022]此外，本發(fā)明涉及鎳、硅和銅在制造用于火花塞電極材料的合金方面的應(yīng)用，該材料的特點(diǎn)在于非常好的電導(dǎo)率和高的熱導(dǎo)率，以及由此高的使用壽命。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]下面對(duì)發(fā)明的【具體實(shí)施方式】參照附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。在附圖中顯示:
圖1本發(fā)明的火花塞電極材料的示意性剖視圖。
圖2本發(fā)明火花塞電極材料的氧化層截面的另一示意性描繪圖圖3圖2中框形標(biāo)記部分的描繪圖，其具有本發(fā)明火花塞電極材料的氧化層截面的放大視圖，和
圖4包含根據(jù)本發(fā)明的火花塞電極材料的火花塞。
[0024]發(fā)明的【具體實(shí)施方式】
圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明的火花塞電極材料I的示意性剖視圖。在鎳合金11的表面上，通過(guò)按照規(guī)定使用電極材料I而形成氧化鎳層10，該氧化鎳層包含具有晶界3的氧化鎳晶粒2，其中在氧化鎳晶粒2之間存在一種晶界相4，其中在此示意性剖視圖中夸大描繪了該晶界相。氧化鎳晶粒2含有銅粒子(銅離子)8和氧化銅粒子9，這些粒子嵌入在氧化鎳層10的氧化鎳晶格(未顯示)中。晶界相4包含硅粒子6和氧化硅粒子7。如此構(gòu)成的氧化鎳層10的特點(diǎn)在于高的熱力學(xué)穩(wěn)定性、高的熱導(dǎo)性和極好的導(dǎo)電性。
[0025]圖2是本發(fā)明火花塞電極材料I的氧化鎳層10的截面示意圖，其中火花塞電極材料在氧化層形成之前基本上由I重量％的硅、0.75重量％的銅和98.25重量％的鎳組成。在具有其晶界3的氧化鎳晶粒2之間形成晶界相4，該晶界相含有硅6。示例性地還顯示了兩個(gè)裂痕8，其可以在氧化鎳層10中形成。
[0026]圖3是圖2中的本發(fā)明火花塞電極材料的框形標(biāo)記部分的放大視圖。在這里可以很好地看出富積于晶界相4中的硅6或者氧化硅7。
[0027]圖4顯示了本發(fā)明范圍內(nèi)的火花塞20，其具有一個(gè)中間電極21和一個(gè)接地電極22，其中中間電極21和接地電極22由根據(jù)本發(fā)明的火花塞電極材料而構(gòu)成，以及其中接地電極22以單組分電極形式和中間電極21以雙組分電極形式而構(gòu)成。
[0028]因此，根據(jù)本發(fā)明提供了用于制造火花塞電極或者通常的火花塞的火花塞電極材料，該材料尤其在按照規(guī)定的使用中由于氧化層的形成并且在最小化的制造費(fèi)用和足夠的熱力學(xué)如機(jī)械穩(wěn)定性的情況下而`顯示出低的火花侵蝕磨損和突出的耐腐蝕性的特點(diǎn)。
【權(quán)利要求】
1.火花塞電極材料，包括鎳、硅和銅，其中所述電極材料在按照規(guī)定的使用中在其表面的至少一部分上形成由氧化鎳晶粒形成的氧化鎳層，其中所述氧化鎳晶粒的晶界相包含硅和/或氧化硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的火花塞電極材料，其特征在于，所述氧化鎳晶粒的晶界相還包含銅和/或氧化銅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的火花塞電極材料，其特征在于，在所述氧化鎳層中的硅和/或氧化硅含量為I到5重量％，尤其是2到4重量％以及尤其是3重量％，基于氧化層的總重量計(jì)。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的火花塞電極材料，其特征在于，所述氧化鎳晶粒的大約90%和尤其氧化鎳晶粒的大約95%具有小于15微米的晶粒尺寸。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的火花塞電極材料，其特征在于，在按照規(guī)定使用所述火花塞電極材料之前，硅的含量為0.7到1.3重量％，尤其是0.9到1.1重量％，尤其是I重量％，和銅的含量為0.5到1.0重量％，尤其是0.6到0.85重量％，尤其是0.75重量％，和/或鎳的含量為約97.5至98.5重量％。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的火花塞電極材料，其特征在于，所述晶界相的層厚度小于0.3微米，尤其是小于0.2微米以及尤其是小于0.1微米。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的火花塞電極材料，其特征在于，所述電極材料還包括0.07到0.13重量％，尤其是0.09到0.11重量％以及尤其是0.10重量％的釔。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的火花塞電極材料，其特征在于，金屬雜質(zhì)的份額合計(jì)為少于0.2重量％和尤`其是少于0.1重量％。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的火花塞電極材料，其特征在于，所述氧化鎳晶粒不包括硅和/或氧化硅。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的火花塞電極材料，其特征在于，所述電極材料基本上沒(méi)有鋁和/或鋁化合物和/或金屬間相。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的火花塞電極材料，其特征在于，鐵和/或鉻和/或鈦的含量小于0.05重量％和尤其是小于0.01重量％，和/或硫和/或硫化合物和/或碳和/或碳化合物的含量小于0.01重量％，尤其是小于0.005重量％以及尤其是小于0.001重量％。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的火花塞電極材料,其特征在于，氧的含量小于0.003重量％，尤其是小于0.002重量％。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的火花塞電極材料，基本上由下列成分形成: a)約98.15重量％的鎳， b)I重量％的硅， c)0.75重量％的銅和 d)0.1重量％的宇乙。
14.用于制造根據(jù)權(quán)利要求1到13中任一項(xiàng)所述的火花塞電極材料的方法，包含下列步驟: 一制造鎳基合金 一摻入其它元素。
15.火花塞，包含由根據(jù)權(quán)利要求1到13中任一項(xiàng)所述的火花塞電極材料形成的電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的火花塞，其特征在于，所述電極是中間電極和/或接地電極，以及其在中間電極和/或接地電極中能夠在帶有或沒(méi)有銅芯時(shí)應(yīng)用。
17.鎳、硅和 銅在制造用于火花塞電極材料的合金方面的應(yīng)用。
【文檔編號(hào)】C22C19/00GK103492595SQ201280018331
【公開(kāi)日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2012年2月15日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月15日
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