經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的濺射靶組件及制造方法
【專利摘要】提供了經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的濺射靶組件的制造方法。包含第一金屬或合金的靶坯具有第一表面和第二表面，所述第一表面限定濺射表面。將第二金屬或合金置于所述靶坯周圍。鄰接于靠著第二靶表面安置的第二金屬或合金提供襯板。然后，對(duì)該組件進(jìn)行擴(kuò)散結(jié)合，并移除覆蓋在所述靶的濺射表面上的部分第二金屬以暴露出靶濺射表面。W靶或W合金靶/Ti或Ti合金襯板組件具有安置在所述W或W合金靶與襯板之間的Al中間層。該組件具有超過50MPa的結(jié)合強(qiáng)度。
【專利說明】經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的濺射靶組件及制造方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2011年2月14日提交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)N0.61/442，427的優(yōu)先權(quán)。【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本申請(qǐng)涉及提供派射祀對(duì)襯板(backing plate)的擴(kuò)散結(jié)合(DB)的方法和結(jié)構(gòu)組合體，其中，靶和襯板可具有不同的熱膨脹系數(shù)(CTE)。
【背景技術(shù)】
[0004]陰極濺射廣泛用于在所需基材上沉積材料的薄層?；旧?，該方法需要對(duì)具有由將要在基材上沉積為薄膜或?qū)拥牟牧闲纬傻臑R射表面的靶進(jìn)行氣體離子轟擊。靶的離子轟擊不僅導(dǎo)致靶材料的原子或分子發(fā)生濺射，而且賦予靶顯著量的熱能。該熱量通過使用典型地在導(dǎo)熱襯板之下或其周圍循環(huán)的冷卻液來耗散，所述導(dǎo)熱襯板與所述靶以熱交換關(guān)系安置。
[0005]靶形成陰極組件的一部分，所述陰極組件與陽極一起置于包含惰性氣體、優(yōu)選氬氣的真空室中?？缭疥帢O和陽極施加高壓電場(chǎng)。通過與自陰極排出的電子發(fā)生碰撞而使惰性氣體離子化。帶正電的氣體離子被吸引至陰極，而且，通過與靶表面撞擊，撞出靶材料。撞出的靶材料穿過經(jīng)抽空的罩殼并且在通常位于陽極附近的所需基材上沉積為薄膜。
[0006]除了使用電場(chǎng)以外，還已通過同時(shí)使用疊加在電場(chǎng)上且在靶表面上形成為封閉環(huán)路構(gòu)造的弧形磁場(chǎng)來實(shí)現(xiàn)提高濺射速率。這些方法稱為磁控濺射法。所述弧形磁場(chǎng)捕集在鄰近于靶表面的環(huán)形區(qū)域中的電子，從而提高該區(qū)域中的電子-氣體原子碰撞數(shù)量，引起撞擊靶以撞出靶材料的在該區(qū)域中的帶正電的氣體離子數(shù)量的增加。因此，在稱為靶回旋區(qū)(raceway)的靶面的通常`環(huán)形部分中，靶材料變得被侵蝕(即，被消耗以用于隨后在基材上的沉積)。
[0007]在常規(guī)的靶陰極組件中，將靶附著在非磁性襯板上。襯板通常是被水冷的以帶走由靶的離子轟擊產(chǎn)生的熱量。磁體典型地以這樣的位置布置在襯板下方，使得前述磁場(chǎng)形成圍繞靶的暴露表面延伸的環(huán)路或隧道的形狀。
[0008]對(duì)在靶材料與襯板材料之間具有愈加不同的熱膨脹系數(shù)的濺射靶組件方面已經(jīng)存在越來越多的關(guān)注。盡管可通過將各種材料的襯板焊接結(jié)合至靶來制造濺射靶組件，但是，焊接結(jié)合具有不能經(jīng)受高功率濺射應(yīng)用的缺點(diǎn)。因此，優(yōu)選經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的濺射靶組件。
[0009]擴(kuò)散結(jié)合通過如下產(chǎn)生:擠壓表面至接觸，同時(shí)施加熱以誘導(dǎo)冶金學(xué)連接和跨越結(jié)合界面的不同程度擴(kuò)散?？墒褂枚喾N不同的金屬組合作為結(jié)合助劑。向一個(gè)或多個(gè)DB界面表面施加這些金屬作為涂層以促進(jìn)DB結(jié)合，而且，可經(jīng)由常規(guī)電鍍、無電鍍、真空鎘鍍、物理氣相沉積或其它技術(shù)施加這些金屬。在一些情況中，在將要通過DB連接的表面之間設(shè)置金屬箔。通常地，待連接的表面通過化學(xué)或其它手段制備以除去可成為結(jié)合過程界面的氧化物或者它們的化學(xué)膜。
[0010]擴(kuò)散結(jié)合技術(shù)包括熱等靜壓(HIP)和單軸熱壓(UHP)。在UHP中，在提供仔細(xì)控制的溫度、壓力和其它氣氛條件的腔室中，將靶和襯板置于一對(duì)壓板或類似物之間。受控的氣氛可為真空、惰性或還原氣體的氣氛。將組件加熱至這樣的溫度，該溫度低于靶/襯板組合體的較低熔點(diǎn)構(gòu)件的溫度。當(dāng)對(duì)組件進(jìn)行加熱時(shí)，通過沿單軸方向作用的壓板來施加壓力。將組件保持在所述控制腔室中，直至形成強(qiáng)的DB結(jié)合。
[0011]在HIP過程中，將靶/襯板組件置于罐內(nèi)。對(duì)該罐抽真空，然后，將其置于HIP室中。在該罐中充入氬氣或氦氣氣氛并提高溫度和壓力。從各方向?qū)υ揌IP罐施加壓力。如在UHP過程中一樣,溫度接近祀/襯板組合體的較低熔點(diǎn)構(gòu)件的熔融連接點(diǎn)(meltingjoint)。然后，將經(jīng)HIP的組件保持在所需溫度、壓力和氣氛條件下以形成強(qiáng)的DB結(jié)合。
[0012]在已經(jīng)發(fā)生結(jié)合后，冷卻所述組件。經(jīng)冷卻的靶通常向一個(gè)方向彎曲或偏轉(zhuǎn)。該偏轉(zhuǎn)通常由歸因于靶和襯板各自不同的CTE的它們的不均勻收縮或膨脹導(dǎo)致。在冷卻期間也可發(fā)生靶與襯板之間的結(jié)合的開裂或?qū)与x。此外，在濺射過程中發(fā)生的高溫期間，不同CTE材料使得組件對(duì)其它應(yīng)力、降解或扭曲敏感。為了消除偏轉(zhuǎn)并產(chǎn)生“平坦”的組件靶表面，典型地對(duì)靶進(jìn)行機(jī)械平坦化。
[0013]該擴(kuò)散結(jié)合以及后續(xù)的平坦化過程適用于柔性靶，例如鈦或鉭。但是，對(duì)于諸如鎢的脆性靶，在整個(gè)過程中，層離的可能性較大。這樣的靶組件的各層之間的結(jié)合強(qiáng)度典型地低于45MPa。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供制造靶/襯板組件的方法。第一金屬或合金的靶坯(target blank)擁有具有在濺射操作期間限定濺射表面的第一表面以及相對(duì)的第二表面的還料。第二金屬或合金靠著(alongside)第一和第二祀表面放置。襯板鄰接于靠著第二靶表面安置的第二金屬或合金放置。從而，所述靶、第二金屬和襯板定義了組合的組件。
[0015]根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案，將靶、第二金屬和襯板的組合組件進(jìn)行擴(kuò)散結(jié)合以形成經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的組件。然后，移除靠著靶濺射表面的所述第二材料的至少一部分，從而，暴露出至少部分濺射表面。
[0016]在本發(fā)明的一些實(shí)施方案中，靶為W或其合金，而且，在靠著第一和第二靶表面放置第二金屬或合金的步驟之前，靶的第一和第二表面可涂覆有任選的T1、Ni或Cr薄層。
[0017]在其它實(shí)施方案中，第二金屬或合金包含拉伸彈性模量低于或等于8.2X IO4MPa的金屬，而且，襯板可具有低于或等于23.0X 10_6m/m/K的熱膨脹系數(shù)。在某些情況中，第二金屬或合金包含Al或Al合金，例如A16061或A11100。
[0018]在一個(gè)實(shí)施方案中，襯板可包含Ti或Ti合金。在其它實(shí)施方案中，襯板可包含T1、Zr、Mo、Nb、或Ta、以及其合金。
[0019]在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，第二金屬或合金包含一對(duì)板。所述對(duì)板中的第一個(gè)鄰接于靶的第一表面(濺射表面)放置，而且，所述對(duì)板中的第二個(gè)鄰接于靶的第二表面放置，從而形成靶坯與所述板的夾層結(jié)構(gòu)。由第二金屬或合金組成的板可為Al或Al合金。
[0020]在又一實(shí)施方案中，由第二金屬或合金組成的板的各自厚度具有約0.1~1.0x的厚度，其中，X是靶坯的厚度。
[0021]可在約400-600°C的溫度和不低于約5ksi的壓力下對(duì)所述靶、包封所述靶的第二金屬、以及襯板組件進(jìn)行擴(kuò)散結(jié)合。該擴(kuò)散結(jié)合步驟可以一步過程或以兩步過程提供。在兩步過程中，第一步驟包括擴(kuò)散結(jié)合靶坯和第二金屬或合金以形成組合體，且然后，第二步驟包括使該經(jīng)組合的靶/第二金屬組合體與襯板的擴(kuò)散結(jié)合。在一些情況中，第二步驟可在不同于第一步驟中所用溫度的溫度下進(jìn)行。
[0022]在其它實(shí)施方案中，靶可為與Ta、Ti或Si合金化的W。
[0023]在其它方面中，本發(fā)明涉及經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的W靶/襯板組件。該組件進(jìn)一步包括在W靶和襯板之間居間安置的中間層。襯板可包含Ti或Ti合金，且內(nèi)層包含Al或Al合金。該組件具有超過50MPa的結(jié)合強(qiáng)度。在其它實(shí)施方案中，結(jié)合強(qiáng)度超過68.94MPa(IOksi)。
[0024]在更進(jìn)一步的實(shí)施方案中，靶具有超過99.7%的密度、小于100微米的晶粒尺寸、低于IOOppm的氧含量、低于30ppm的碳含量，而且，W的純度可為99.999%或更高。
[0025]在進(jìn)一步的實(shí)施方案中，靶組件包括暴露的W靶表面。由此，其意味著濺射靶的面在進(jìn)行前述過程之后已經(jīng)暴露，以留下足夠的濺射表面。進(jìn)一步地，所述組件可包含具有其暴露的Al或Al合金和暴露的Ti或Ti合金表面的側(cè)壁部分。經(jīng)由諸如等離子涂覆的常規(guī)技術(shù)，沿著側(cè)壁提供由濺射材料形成的涂層。該涂層可具有例如約0.001-0.020英寸的厚度。中間層可例如為A16061或A11100，而且，整個(gè)經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的組件的結(jié)合強(qiáng)度可超過60MPao
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是顯示所述方法的一個(gè)實(shí)施方案的示意圖，其中，示出了在擴(kuò)散結(jié)合之前的靶組件的單獨(dú)的元件；
[0027]圖2是圖1中所示實(shí)施方案的示意圖，其中，示出了在擴(kuò)散結(jié)合之后的靶組件的元件；和
[0028]圖3是圖1和2中所示實(shí)施方案的示意圖，其中，示出了在精加工之后的最終組件中的元件。
【具體實(shí)施方式】
[0029]已經(jīng)出人意料地發(fā)現(xiàn)，在DB過程期間用第二材料包封脆性靶產(chǎn)生了具有各層之間的結(jié)合強(qiáng)度等于或大于45MPa的經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的濺射靶組件。
[0030]現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖1，其顯示了處于其預(yù)裝配狀態(tài)的經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的靶襯板組件100。該組件包括由諸如W的第一金屬或合金組成的靶坯102。該靶包括在裝配完成時(shí)作為濺射表面的第一表面或頂表面104。該靶坯還包括相對(duì)的底表面106。如果需要的話，可將任選的薄涂層112施加到靶的兩個(gè)表面上。該涂層可由T1、Ni或Cr構(gòu)成，且可經(jīng)由常規(guī)技術(shù)沉積在靶坯表面上。
[0031]如圖1中所示的，第二金屬或合金以一對(duì)相對(duì)的板108、110的形式提供，其中，所述板圍繞居間設(shè)置的靶坯102進(jìn)行夾合。板108、110靠著分別相對(duì)的靶表面放置，使得第一板108鄰接于靶坯的濺射表面104設(shè)置，且板110靠著靶的底表面106及其最理想的薄涂層112放置。
[0032]如所示的，各板108、110分別具有垂直延伸的凸緣340、304，在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，所述凸緣與所述一對(duì)板中的另一個(gè)的凸緣配合。但是，所述板無疑地可為不具有從其上懸垂的凸緣的平面。[0033]如圖1中進(jìn)一步所示的，襯板120也是所述組件部件中的一個(gè)，而且，該襯板具有適于與由第二金屬或合金組成的板110的底表面界面配合的頂表面122。如所示的，襯板120的下表面或底表面124是暴露的且適于與典型地用于陰極濺射操作以幫助冷卻靶的冷卻介質(zhì)例如水進(jìn)行熱交換接觸。
[0034]現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖2，顯示了已經(jīng)經(jīng)受前述類型的擴(kuò)散結(jié)合操作之后的組件。在此，可以看到，靶包裹或者包封在由兩個(gè)板108、110組成的第二金屬或合金基體內(nèi)。進(jìn)而，第二金屬或合金沿著界面邊界126擴(kuò)散結(jié)合至下面的襯板。整個(gè)組件100可具有微小倒角(champer) 116以促進(jìn)該組件插入到適于移除鄰接于靶坯濺射表面的部分第二金屬或合金108 (以及任選的涂層112)的機(jī)械裝置中。目前,優(yōu)選機(jī)械除去(切削掉，machine away)金屬或合金108以暴露出靶坯的濺射表面104的至少一部分。
[0035]圖3顯示了具有暴露的濺射表面104的完成的組件。顯示側(cè)壁區(qū)域128圍繞靶/第二金屬110界面的外圍。如果需要的話，可在該側(cè)壁處的暴露金屬上放置靶材料的薄涂層330以幫助防止第二金屬和/或襯板在涂覆操作期間發(fā)生不期望的濺射。涂層可通過諸如等離子涂覆的常規(guī)方法涂覆且可為約0.001-0.020英寸的厚度。
[0036]在該方法的一個(gè)實(shí)施方案中，第二金屬或金屬板由拉伸彈性模量低于或等于約8.2X IO4MPa的材料形成。進(jìn)一步地，襯板可由熱膨脹系數(shù)低于或等于23.0X 10_6m/m/K的材料形成。
[0037]在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，靶坯置于板108、110之間。對(duì)各部件進(jìn)行擴(kuò)散結(jié)合以形成擴(kuò)散結(jié)合的濺射靶組件，然后，對(duì)其進(jìn)行機(jī)械和/或化學(xué)精加工以暴露出靶濺射表面。
[0038]靶坯可包含選自W、Ta、T1、Si以及其合金的一種或多種材料。
[0039]在另一實(shí)施方案中，板108、110中的一個(gè)或多個(gè)可包含選自Al和Al合金的一種或多種材料。在另一方法中，各板108、110具有為靶錠厚度的約0.1至約I倍的厚度。
[0040]在另一實(shí)施方案中，通過以由選自T1、N1、Cr以及其的合金的一種或多種材料組成的薄層涂層112涂覆板表面，用結(jié)合助劑對(duì)靶坯進(jìn)行預(yù)處理。在將靶錠包封在所述板內(nèi)之前進(jìn)行該預(yù)處理步驟。
[0041]在另一實(shí)施方案中，襯板包含選自T1、Zr、Mo、Nb、Ta以及其合金的一種或多種材料。
[0042]在又一實(shí)施方案中，完成的組件的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁涂覆有濺射材料。在另一實(shí)施方案中，該涂層112具有約0.001至約0.020英寸的厚度。所述涂層可采用等離子噴涂法施加。
[0043]在另一實(shí)施方案中，公開了包括暴露的靶濺射表面和襯板的經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的濺射靶組件(DBSTA)，其中，所述暴露的靶錠和襯板由中間層分開且擴(kuò)散結(jié)合至中間層。
[0044]另一實(shí)施方案公開了經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的濺射靶組件(DBSTA)，其中，靶坯包含選自W、Ta、T1、Si以及其合金的一種或多種材料。在另一實(shí)施方案中，襯板包含選自T1、Zr、Mo、Nb、Ta以及其合金的一種或多種材料。在又一實(shí)施方案中，中間層包含選自鋁和鋁合金的一種或多種材料。中間層可具有為靶坯厚度的約0.1至約I倍的厚度。
[0045]在另一實(shí)施方案中，公開了 DBSTA，其中，靶與中間層以及中間層與襯板之間的結(jié)合強(qiáng)度等于或大于約45MPa。在又一實(shí)施方案中，DBSTA之間的結(jié)合強(qiáng)度等于或大于約60MPao[0046]實(shí)施例
[0047]實(shí)施例1
[0048]通過包括以下步驟的方法制造經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的濺射靶組件:通過使坯料頂側(cè)與AlllOO金屬板接觸并使坯料底側(cè)與AlllOO板接觸來包封W坯料，從而形成“夾層”在兩個(gè)AlllOO板之間的W板。將該夾層物的底側(cè)疊置于Ti襯板上。在400-600°C的溫度和大于或等于34MPa的壓力下，對(duì)W靶坯、AlllOO板和Ti襯板進(jìn)行擴(kuò)散結(jié)合以形成濺射靶組件中間體。然后，機(jī)械加工該組件以除去覆蓋靶濺射表面的Al層。
[0049]在濺射裝置中測(cè) 試實(shí)施例1的經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的濺射靶組件。靶經(jīng)受得住IOOkWh,同時(shí)處于17kWh的最大濺射功率下。在濺射之后，測(cè)量靶的偏轉(zhuǎn)和結(jié)合強(qiáng)度。靶組件背側(cè)的偏轉(zhuǎn)為約0.005英寸。經(jīng)測(cè)量，W-AlllOO結(jié)合強(qiáng)度為46-55MPa。
[0050]實(shí)施例2
[0051]如實(shí)施例1中那樣制造經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的濺射靶組件，其中，在精加工之后，通過等離子噴涂，用W涂覆靶側(cè)壁。
[0052]實(shí)施例3
[0053]如實(shí)施例1中那樣制造經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的濺射靶組件，但是以A16061代替A11100。經(jīng)測(cè)量，W-A16061結(jié)合強(qiáng)度大于60MPa。
[0054]該書面說明書使用實(shí)施例以公開本發(fā)明(包括最佳方式)，而且，使本領(lǐng)域的任何技術(shù)人員都能夠?qū)嵤┍景l(fā)明(包括制造和使用任何裝置或系統(tǒng)并實(shí)施任何并入的方法)。本發(fā)明的可專利保護(hù)范圍由權(quán)利要求書限定，且可包括本領(lǐng)域技術(shù)人員想到的其它實(shí)施例。例如，盡管實(shí)施方案公開了靶、第二金屬板和襯板均在一個(gè)步驟中擴(kuò)散結(jié)合，但是，擴(kuò)散過程可包括多個(gè)步驟。如果這樣的其它實(shí)施例具有不同于權(quán)利要求書的字面語言的結(jié)構(gòu)元件，或者如果它們包括具有與權(quán)利要求書的字面語言無實(shí)質(zhì)區(qū)別的等效結(jié)構(gòu)元件，則它們旨在屬于權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
[0055]本申請(qǐng)的權(quán)利要求如所附權(quán)利要求書所述。
【權(quán)利要求】
1.靶/襯板組件的制造方法，包括: (a)提供第一金屬或合金的靶坯，所述靶坯具有第一表面和第二表面，所述第一表面限定濺射表面； (b)(i)提供第二金屬或合金和(ii)靠著所述第一和第二靶表面放置所述第二金屬或合金； (c)(i)提供襯板和(ii)鄰接于靠著所述第二靶表面安置的所述第二金屬或合金放置所述襯板；從而，所述靶坯、第二金屬和襯板限定組合的組件； (d)擴(kuò)散結(jié)合所述組合的組件以形成經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的組件；和 (e)移除靠著所述靶的所述濺射表面的至少部分所述第二金屬，從而暴露出至少部分所述濺射表面。
2.權(quán)利要求1的方法，其中，所述靶為W或其合金，而且其中，在所述步驟(b)(ii)之前，用T1、Ni或Cr的薄層涂覆所述靶的所述第一和第二表面。
3.權(quán)利要求1的方法，其中，所述靶為W或其合金且其中所述第二金屬或合金包含拉伸彈性模量低于或等于8.2X IO4MPa的金屬，而且其中所述襯板具有低于或等于23.0X 10_6m/m/K的熱膨脹系數(shù)。
4.權(quán)利要求3的方法，其中所述第二金屬或合金包含Al或Al合金。
5.權(quán)利要求4的方法，其中所述襯板包含Ti或Ti合金。
6.權(quán)利要求1的方法，其中所述第二金屬或合金包含一對(duì)板，所述對(duì)板中的第一個(gè)鄰接于所述靶的所述第一表面放置且所述對(duì)板中的第二個(gè)鄰接于所述靶的所述第二表面放置，從而形成所述靶坯與所述板的夾層構(gòu)造。
7.權(quán)利要求3的方法，其中所述襯板包含T1、Zr、Mo、Nb、或Ta以及其合金。
8.權(quán)利要求6的方法，其中所述一對(duì)板由Al或Al合金組成。
9.權(quán)利要求8的方法，其中所 述一對(duì)板中的每一個(gè)具有約0.1~Ix的厚度，其中X是所述靶坯的厚度。
10.權(quán)利要求1的方法，其中所述步驟⑷在約400-600°C的溫度和不低于5ksi的壓力下進(jìn)行。
11.權(quán)利要求1的方法，其中所述步驟(d)以一步過程進(jìn)行。
12.權(quán)利要求1的方法，其中所述步驟(d)為兩步過程，其中，第一步驟包括所述靶坯和所述第二金屬或合金的擴(kuò)散結(jié)合以形成組合體且第二步驟包括將所述襯板擴(kuò)散結(jié)合至所述靶坯/第二金屬組合體，所述第二步驟在不同于所述第一步驟中所用溫度的溫度下進(jìn)行。
13.權(quán)利要求3的方法，其中所述W是與Ta、Ti或Si合金化的。
14.經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的W靶/襯板組件，所述組件進(jìn)一步包括置于所述W靶和所述襯板之間的中間層，所述襯板包含Ti或Ti合金且所述中間層包含Al或Al合金，所述組件具有超過50MPa的結(jié)合強(qiáng)度。
15.權(quán)利要求14的經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的W靶/襯板組件，其中所述結(jié)合強(qiáng)度超過68.94MPa(IOksi)。
16.權(quán)利要求14的經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的W靶/襯板組件，其中所述W靶具有超過99.7%的密度、小于100微米的晶粒尺寸、低于IOOppm的氧含量、低于30ppm的碳含量、以及99.999%或更高的W金屬純度。
17.權(quán)利要求14的經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的W靶/襯板組件，其中所述組件包括具有暴露的Al或Al合金以及暴露的Ti或Ti合金表面的側(cè)壁部分，所述組件具有覆蓋在所述側(cè)壁上的等離子涂覆的W涂層。
18.權(quán)利要求17的經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的W靶/襯板組件，其中覆蓋在所述側(cè)壁上的所述涂層具有約0.001-0.020英寸的厚度。
19.權(quán)利要求14的經(jīng)擴(kuò)散結(jié)合的W靶/襯板組件，其中所述中間層為A16061且所述結(jié)合強(qiáng)度超過6 0MPa。
【文檔編號(hào)】C23C14/34GK103492608SQ201280018352
【公開日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2012年2月9日 優(yōu)先權(quán)日:2011年2月14日
【發(fā)明者】苗衛(wèi)方, D.B.斯馬瑟斯, E.Y.伊萬諾夫, E.西婭多, R.S.貝利, J.哈特 申請(qǐng)人:東曹Smd有限公司